JPS63299605A - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器の製造方法Info
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- JPS63299605A JPS63299605A JP13550287A JP13550287A JPS63299605A JP S63299605 A JPS63299605 A JP S63299605A JP 13550287 A JP13550287 A JP 13550287A JP 13550287 A JP13550287 A JP 13550287A JP S63299605 A JPS63299605 A JP S63299605A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明は７２Ｍモードの誘電体共振器が複数個配列さ
れてバンドパスフィルタなどに用いられる誘電体共振器
の製造方法に関する。
れてバンドパスフィルタなどに用いられる誘電体共振器
の製造方法に関する。
（ｂ）従来の技術
７２Ｍモードの誘電体共振器を複数段設け、―接する共
振器同士を電磁的に結合させた従来の誘電体共振器につ
いて、その外観を第４図に、上面および縦断面を第５図
（Ａ）、 （Ｂ）にそれぞれ示す、これらの図におい
てｌは誘電体ブロックであり、この４側面には金属膜か
らなる外導体２が形成され、誘電体ブロック１の中には
所定間隔で貫通孔３・・・が形成されている。この貫通
孔３・・・の内面には金属膜からなる内導体４が形成さ
れ、誘電体ブロックｌ底面に形成された金属膜によって
外導体２と短絡されている。前記各内導体４、外導体２
およびその間に存在する誘電体ブロック１によって誘電
体共振器Ａ１〜Ａ４が構成されている。また共振器Ａ
Ｉ −Ａ ４の間には共振器相互を結合するための結合
孔５・・が形成され、隣合う共振器が電磁的に結合され
ている。
振器同士を電磁的に結合させた従来の誘電体共振器につ
いて、その外観を第４図に、上面および縦断面を第５図
（Ａ）、 （Ｂ）にそれぞれ示す、これらの図におい
てｌは誘電体ブロックであり、この４側面には金属膜か
らなる外導体２が形成され、誘電体ブロック１の中には
所定間隔で貫通孔３・・・が形成されている。この貫通
孔３・・・の内面には金属膜からなる内導体４が形成さ
れ、誘電体ブロックｌ底面に形成された金属膜によって
外導体２と短絡されている。前記各内導体４、外導体２
およびその間に存在する誘電体ブロック１によって誘電
体共振器Ａ１〜Ａ４が構成されている。また共振器Ａ
Ｉ −Ａ ４の間には共振器相互を結合するための結合
孔５・・が形成され、隣合う共振器が電磁的に結合され
ている。
（Ｃ）発明が解決しようとする問題点
このような１つの誘電体ブロックに複数の共振器と各共
振器相互を結合させるための結合孔を形成した誘電体共
振器を製造する際、従来は焼成された誘電体ブロックの
所定箇所に銀ペーストを筆塗りし、焼き付けることによ
って製造している。
振器相互を結合させるための結合孔を形成した誘電体共
振器を製造する際、従来は焼成された誘電体ブロックの
所定箇所に銀ペーストを筆塗りし、焼き付けることによ
って製造している。
第３図（Ａ）、 （Ｂ）は金属膜を形成する前の誘電
体ブロックの上面および縦断面を表し、この誘電体ブロ
ックの貫通孔３・・・の内面、し側面および底面に対し
て銀ペーストが塗布され焼き付けられるが、すべて手作
業で行わねばならず、製造−効率が低く、また均一な金
属膜を形成することが困難であった。
体ブロックの上面および縦断面を表し、この誘電体ブロ
ックの貫通孔３・・・の内面、し側面および底面に対し
て銀ペーストが塗布され焼き付けられるが、すべて手作
業で行わねばならず、製造−効率が低く、また均一な金
属膜を形成することが困難であった。
この発明の口約は誘電体ブロックに対して金属膜を効率
的に所定箇所に形成できるようにし、製造コストを低減
できるようにした誘電体共振器の製造方法を提供するこ
とにある。
的に所定箇所に形成できるようにし、製造コストを低減
できるようにした誘電体共振器の製造方法を提供するこ
とにある。
ｆｃｌ１問題点を解決するための手段
この発明の誘電体共振器の製造方法は、複数の内導体形
成用貫通孔と電磁界結合用貫通孔が交互に配列形成され
た誘電体ブロックを用い、上記結合用貫通孔に上記誘電
体ブロックより低誘電率の充填材を充填した後、上記誘
電体ブロックの開放端面とすべき端面を除く誘電体ブロ
ック全体に無電解メッキ膜を形成することを特徴として
いる。
成用貫通孔と電磁界結合用貫通孔が交互に配列形成され
た誘電体ブロックを用い、上記結合用貫通孔に上記誘電
体ブロックより低誘電率の充填材を充填した後、上記誘
電体ブロックの開放端面とすべき端面を除く誘電体ブロ
ック全体に無電解メッキ膜を形成することを特徴として
いる。
（ｅ）作用
この発明の誘電体共振器の製造方法においては、誘電体
ブロックに形成された結合用貫通孔に上記誘電体ブロッ
クより低誘電率の充填材を充填した後、上記誘電体ブロ
ックの開放端面とすべき端面を除（誘電体ブロック全体
に無電解メッキを施すことによって、４側面と底面およ
び内導体形成用貫通孔の内面に金属膜が形成される。こ
のとき結合用貫通孔には充填材が充填されているため、
その内面に金属膜が形成されることがなく、しかも充填
材は誘電体ブロックより低誘電率であるため、隣接する
共振器相互が電磁的に結合する。
ブロックに形成された結合用貫通孔に上記誘電体ブロッ
クより低誘電率の充填材を充填した後、上記誘電体ブロ
ックの開放端面とすべき端面を除（誘電体ブロック全体
に無電解メッキを施すことによって、４側面と底面およ
び内導体形成用貫通孔の内面に金属膜が形成される。こ
のとき結合用貫通孔には充填材が充填されているため、
その内面に金属膜が形成されることがなく、しかも充填
材は誘電体ブロックより低誘電率であるため、隣接する
共振器相互が電磁的に結合する。
（ｆ）実施例
この発明の実施例によって形成された誘電体共振器とし
て、その外観を第１図に、上面および縦断面を第２図（
Ａ）、 （Ｂ）にそれぞれ示す。
て、その外観を第１図に、上面および縦断面を第２図（
Ａ）、 （Ｂ）にそれぞれ示す。
誘電体ブロック１の４側面には金属膜からなる外導体２
が形成され、誘電体ブロック１の中には所定間隔で貫通
孔３・・・が形成されている。この貫通孔３・・・の内
面には金属膜からなる内導体４が形成され、誘電体ブロ
ック１底面に形成された金属膜によって外導体２と短絡
されている。
が形成され、誘電体ブロック１の中には所定間隔で貫通
孔３・・・が形成されている。この貫通孔３・・・の内
面には金属膜からなる内導体４が形成され、誘電体ブロ
ック１底面に形成された金属膜によって外導体２と短絡
されている。
前記各内導体４、外導体２およびその間に存在する誘電
体ブロックｌによって誘電体共振器Ａｌ〜Ａ４が構成さ
れている。これらの共振ｒ＆ＡＬ−Ａ４の間には共振器
相互を結合させるための結合部Ｂ１−８３が形成されて
いる。これらの結合部は結合用貫通孔内に誘電体ブロッ
クより低誘電率の充填材６が充填されて構成されている
。
体ブロックｌによって誘電体共振器Ａｌ〜Ａ４が構成さ
れている。これらの共振ｒ＆ＡＬ−Ａ４の間には共振器
相互を結合させるための結合部Ｂ１−８３が形成されて
いる。これらの結合部は結合用貫通孔内に誘電体ブロッ
クより低誘電率の充填材６が充填されて構成されている
。
上記誘電体共振器は次のようにして製造する。
先ず、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示したように外形が直方
体状であり、内部に複数の内導体形成用貫通孔３・・・
と電磁界結合用貫通孔５・・を交互に配列形成した誘電
体ブロック１を成型した後、電磁界結合用貫通孔５・・
内に誘電体ブロックより低誘電率のセラミクス材料を充
填し、同時焼成することによって誘電体ブロックを製造
する。
体状であり、内部に複数の内導体形成用貫通孔３・・・
と電磁界結合用貫通孔５・・を交互に配列形成した誘電
体ブロック１を成型した後、電磁界結合用貫通孔５・・
内に誘電体ブロックより低誘電率のセラミクス材料を充
填し、同時焼成することによって誘電体ブロックを製造
する。
このようにしてレジスト膜の塗布された複数の誘、第２
図（Ａ）、 （Ｂ）に示すように誘電体ブロックの４
ｆｌ＋！１面２、底面７および内導体形成用貫通孔３の
内面４に一体的に銀の導体膜が形成される、ここで、金
属膜４は内導体、金属膜２は外導体、金属膜７は短絡端
をそれぞれ構成する。
図（Ａ）、 （Ｂ）に示すように誘電体ブロックの４
ｆｌ＋！１面２、底面７および内導体形成用貫通孔３の
内面４に一体的に銀の導体膜が形成される、ここで、金
属膜４は内導体、金属膜２は外導体、金属膜７は短絡端
をそれぞれ構成する。
その後、必要に応じて開放端面に形成したメンキレジス
ト膜を剥離する。
ト膜を剥離する。
上記実施例は電磁界結合用貫通孔に充填材を充填する場
合、誘電体ブロックと同時焼成する方法であったが、そ
の他の方法として第３図（Ａ）。
合、誘電体ブロックと同時焼成する方法であったが、そ
の他の方法として第３図（Ａ）。
（Ｂ）に示すように電磁界結合用貫通孔に充填材を充填
しない状態で誘電体ブロックを焼成し、その後、結合用
貫通孔５・・に合成樹脂などを充填し、乾燥固化させて
もよい、また、無電解メッキを行う際、メンキレジスト
膜を形成しないでメッキ完了後に開放端面とすべき端面
の金属膜を研削して開放端面とすることも可能である。
しない状態で誘電体ブロックを焼成し、その後、結合用
貫通孔５・・に合成樹脂などを充填し、乾燥固化させて
もよい、また、無電解メッキを行う際、メンキレジスト
膜を形成しないでメッキ完了後に開放端面とすべき端面
の金属膜を研削して開放端面とすることも可能である。
（ａ発明の効果
以上のようにこの発明によれば、電磁界結合用貫通孔の
内部に充填材を充填したことにより無電解メッキ法によ
って誘電体ブロックの必要な面に同時に金属膜を形成す
ることができる。これにより製造効率を大幅に向上させ
ることができ、製造−コストを低減することができる。
内部に充填材を充填したことにより無電解メッキ法によ
って誘電体ブロックの必要な面に同時に金属膜を形成す
ることができる。これにより製造効率を大幅に向上させ
ることができ、製造−コストを低減することができる。
また、形成される金属膜は均一なものであるため、品質
の安定した誘電体共振器を提供することができる。
の安定した誘電体共振器を提供することができる。
第１図はこの発明の実施例により製造された誘電体共振
器の外観を表す斜視図、第２図（Ａ）。 ＣＢ）は同誘電体共振器の上面および縦断面を表す図、
第３図（Ａ）、 （Ｂ）は製造途中における誘電体ブ
ロックの上面および縦断面を表す図、第４図は従来の方
法により製造された誘電体共振器の外観を表す斜視図、
第５図（Ａ）、（Ｂ）はその上面および縦断面を表す図
である。 １−誘電体ブロック、 ２−外導体、 ３−内導体形成用貫通孔、 ４−内導体、 ５−電磁界結合用貫通孔、 ６−充填材。
器の外観を表す斜視図、第２図（Ａ）。 ＣＢ）は同誘電体共振器の上面および縦断面を表す図、
第３図（Ａ）、 （Ｂ）は製造途中における誘電体ブ
ロックの上面および縦断面を表す図、第４図は従来の方
法により製造された誘電体共振器の外観を表す斜視図、
第５図（Ａ）、（Ｂ）はその上面および縦断面を表す図
である。 １−誘電体ブロック、 ２−外導体、 ３−内導体形成用貫通孔、 ４−内導体、 ５−電磁界結合用貫通孔、 ６−充填材。
Claims (1)
- （１）複数の内導体形成用貫通孔と電磁界結合用貫通孔
が交互に配列形成された誘電体ブロックを用い、上記結
合用貫通孔に上記誘電体ブロックより低誘電率の充填材
を充填した後、上記誘電体ブロックの開放端面とすべき
端面を除く誘電体ブロック全体に無電解メッキ膜を形成
することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13550287A JPS63299605A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13550287A JPS63299605A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299605A true JPS63299605A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15153254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13550287A Pending JPS63299605A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63299605A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445106B1 (en) | 2000-02-18 | 2002-09-03 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13550287A patent/JPS63299605A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6445106B1 (en) | 2000-02-18 | 2002-09-03 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
| US6479921B2 (en) | 2000-02-18 | 2002-11-12 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator, method of making, and method of using |
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