JPS63299321A - 単結晶シリコン膜の形成方法 - Google Patents
単結晶シリコン膜の形成方法Info
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- JPS63299321A JPS63299321A JP13552287A JP13552287A JPS63299321A JP S63299321 A JPS63299321 A JP S63299321A JP 13552287 A JP13552287 A JP 13552287A JP 13552287 A JP13552287 A JP 13552287A JP S63299321 A JPS63299321 A JP S63299321A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、単結晶シリコン膜の形成方法、特に絶縁膜、
或いは絶縁基板等の絶縁体上に単結晶シリコン膜を形成
するいわゆるＳｏｌ技術による単結晶シリコン膜の形成
方法に係わる。
或いは絶縁基板等の絶縁体上に単結晶シリコン膜を形成
するいわゆるＳｏｌ技術による単結晶シリコン膜の形成
方法に係わる。
本発明は、いわゆるＳｏｌによる単結晶シリコン膜の形
成方法において、その絶縁体上に窒素または炭素を含有
せしめるもこれらが２０原子％以下の範囲で含むシリコ
ン層より成る第１及び第３の層を、非晶質シリコン層よ
り成る第２の層の上下に配するように順次各層を連続的
に形成し、熱処理を行うことによって、単結晶シリコン
層の結晶化を行うようにして良質な単結晶シリコン膜が
得られるようにする。
成方法において、その絶縁体上に窒素または炭素を含有
せしめるもこれらが２０原子％以下の範囲で含むシリコ
ン層より成る第１及び第３の層を、非晶質シリコン層よ
り成る第２の層の上下に配するように順次各層を連続的
に形成し、熱処理を行うことによって、単結晶シリコン
層の結晶化を行うようにして良質な単結晶シリコン膜が
得られるようにする。
絶縁膜あるいは絶縁基板等の絶縁体上にシリコン単結晶
膜を形成するいわゆるＳＯＩ技術は例えばプレスジャー
ナル社発行のセミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ ） １９８５．４第１
０８頁〜第１１５頁に開示されているところであり、こ
のＳｏｌ技術は各種半導体装置の製造において急速に広
く実用化されるに至っている。
膜を形成するいわゆるＳＯＩ技術は例えばプレスジャー
ナル社発行のセミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ ） １９８５．４第１
０８頁〜第１１５頁に開示されているところであり、こ
のＳｏｌ技術は各種半導体装置の製造において急速に広
く実用化されるに至っている。
このようにＳｏｌ技術によって単結晶シリコン層を形成
するにあたりアニールすなわち加熱処理による再結晶法
を用いる場合、加熱処理時に際してシリコン層に剥がれ
、あるいはボールアンプすなわち粒状ないしは塊状化が
発生して結晶性や膜状態を低下させるようなことが生じ
ないように、シリコン上にキャップ層として５ｉ０２層
とＳｉ３Ｎ＜ ｍとを積層形成することが行われる。あ
るいはシリコン層の上下に厚さ５０Å以下の５４３Ｎ４
Ｎを配したサンドインチ構造とし、これの上に厚さ例え
ば２μｍのｓ＋０２１’ｉｌｊと、さらにその上に厚さ
６００人のＳｉ３Ｎ４屓のキャップ層を被着形成し、サ
ンドインチ構造の窒素Ｎを含むＳｉ３Ｎ＋層によってシ
リコンの再結晶化のアニール時における溶融状態で下地
のＳｉＯ２層とのいわゆるぬれをよくし剥れ等によるシ
リコン層の粒状化ないしは塊状化の防止をより効果的に
行って良質の単結晶シリコン膜を形成するいわゆるキャ
ップ層の形成を行うことの提案が、例えばマテイリアル
ズ・リサーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシー
ディングＶｏ１．５３．１９８６マテイリアルズ・リサ
ーチ・ソサイアティ第４５〜５】頁（Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ ５ｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ Ｖｏｌ、５３，１９８
６．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＳｏｃｉ
ｅｔｙ）及び同第５３〜５８頁でなされている。
するにあたりアニールすなわち加熱処理による再結晶法
を用いる場合、加熱処理時に際してシリコン層に剥がれ
、あるいはボールアンプすなわち粒状ないしは塊状化が
発生して結晶性や膜状態を低下させるようなことが生じ
ないように、シリコン上にキャップ層として５ｉ０２層
とＳｉ３Ｎ＜ ｍとを積層形成することが行われる。あ
るいはシリコン層の上下に厚さ５０Å以下の５４３Ｎ４
Ｎを配したサンドインチ構造とし、これの上に厚さ例え
ば２μｍのｓ＋０２１’ｉｌｊと、さらにその上に厚さ
６００人のＳｉ３Ｎ４屓のキャップ層を被着形成し、サ
ンドインチ構造の窒素Ｎを含むＳｉ３Ｎ＋層によってシ
リコンの再結晶化のアニール時における溶融状態で下地
のＳｉＯ２層とのいわゆるぬれをよくし剥れ等によるシ
リコン層の粒状化ないしは塊状化の防止をより効果的に
行って良質の単結晶シリコン膜を形成するいわゆるキャ
ップ層の形成を行うことの提案が、例えばマテイリアル
ズ・リサーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシー
ディングＶｏ１．５３．１９８６マテイリアルズ・リサ
ーチ・ソサイアティ第４５〜５】頁（Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ ５ｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ Ｖｏｌ、５３，１９８
６．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＳｏｃｉ
ｅｔｙ）及び同第５３〜５８頁でなされている。
しかしながら、このようにキャップ層を設けてその再結
晶化のアニール、例えばエキシマレーザ（紫外線波長２
４９ｎｍ ）の照射を行う場合、キャップ層としてのＳ
ｉ３Ｎ＋ Ｍ’Ａでのこのエキシマレーザ−光の吸収が
高いためにシリコン層での結晶化のための熔融が効果的
に行われず、また前者の方法では、窒素Ｎのぬれの向上
の効果が得られないことからシリコン層の粒状ないしは
塊状化いわゆるアグロマレイション（Ａｇｇｌｏｍｅｒ
ａｔｉｏｎ ）の発生を防止する効果が得難かたい。ま
た前述した後者の方法のＳ ｉ３Ｎ ｓによるサンドイ
ンチ構造をとる場合には、上述したアグロマレイション
防止効果は得られるものの、この場合Ｓｉ３Ｎ４層を使
用することからそのＮの含有量は５７原子％にも及ぶ大
きな量であること、またその膜厚制御が困難であること
によって実質的に窒素Ｎの総量の制御がむずかしいとい
う問題があるものである。そして、このような窒素Ｎが
多量に含まれる場合これがドナーとして作用することか
ら、得られた単結晶シリコン層がｎ型化される傾向があ
り、またこの窒素Ｎの量が多くなるとダングリングボン
ドが多く存在することによって例えば （１００）結晶
面の単結晶シリコン層の出現を妨げるという不都合が生
じる。
晶化のアニール、例えばエキシマレーザ（紫外線波長２
４９ｎｍ ）の照射を行う場合、キャップ層としてのＳ
ｉ３Ｎ＋ Ｍ’Ａでのこのエキシマレーザ−光の吸収が
高いためにシリコン層での結晶化のための熔融が効果的
に行われず、また前者の方法では、窒素Ｎのぬれの向上
の効果が得られないことからシリコン層の粒状ないしは
塊状化いわゆるアグロマレイション（Ａｇｇｌｏｍｅｒ
ａｔｉｏｎ ）の発生を防止する効果が得難かたい。ま
た前述した後者の方法のＳ ｉ３Ｎ ｓによるサンドイ
ンチ構造をとる場合には、上述したアグロマレイション
防止効果は得られるものの、この場合Ｓｉ３Ｎ４層を使
用することからそのＮの含有量は５７原子％にも及ぶ大
きな量であること、またその膜厚制御が困難であること
によって実質的に窒素Ｎの総量の制御がむずかしいとい
う問題があるものである。そして、このような窒素Ｎが
多量に含まれる場合これがドナーとして作用することか
ら、得られた単結晶シリコン層がｎ型化される傾向があ
り、またこの窒素Ｎの量が多くなるとダングリングボン
ドが多く存在することによって例えば （１００）結晶
面の単結晶シリコン層の出現を妨げるという不都合が生
じる。
またその窒化膜の厚さが大となればそれ自体のアニール
時の亀裂等の問題が発生してくる。
時の亀裂等の問題が発生してくる。
また上述した窒素Ｎに変えて炭素Ｃを用いることが考え
られるが、この場合においても上述したドナーとしての
作用についての不都合が回避されるものの、他の問題に
ついては同様の問題が残る。
られるが、この場合においても上述したドナーとしての
作用についての不都合が回避されるものの、他の問題に
ついては同様の問題が残る。
本発明は上述した諸問題を解決し、制御性よく且つ再現
性よく良質の膜性状および結晶性を有するｓｏｒによる
単結晶シリコン膜の形成方法を提供するものである。
性よく良質の膜性状および結晶性を有するｓｏｒによる
単結晶シリコン膜の形成方法を提供するものである。
本発明においては、絶縁体（１１）上に窒素または炭素
を２０原子％以下含む、すなわち５ｉｘ−ｘＮＸまたは
５ｉｉ−ｘ Ｃｘ （いずれもＱ＜ｘ≦０．２）の非
晶質シリコン層より成る第１の層（１）と、ＮまたはＣ
を実質的に含まない非晶質シリコン層より成る第２の層
（２）と、窒素または炭素を２０原子％以下含む５ｉ１
−×Ｎｘまたは５ｉｔ−ｘ Ｃｘ （いずれもＯ＜ｘ
≦０．２）の非晶質シリコン層より成る第３の層（３）
とを低圧気相成長法ＣＶＤによって順次連続的にすなわ
ち同一反応室中で原料ガスの供給を調整ないしは変化さ
せるのみで、各層（１）〜（３）を形成し、その後熱処
理すなわちアニール処理を行って層（１１〜（３）の再
結晶化を行って単結晶シリコン層を形成する。
を２０原子％以下含む、すなわち５ｉｘ−ｘＮＸまたは
５ｉｉ−ｘ Ｃｘ （いずれもＱ＜ｘ≦０．２）の非
晶質シリコン層より成る第１の層（１）と、ＮまたはＣ
を実質的に含まない非晶質シリコン層より成る第２の層
（２）と、窒素または炭素を２０原子％以下含む５ｉ１
−×Ｎｘまたは５ｉｔ−ｘ Ｃｘ （いずれもＯ＜ｘ
≦０．２）の非晶質シリコン層より成る第３の層（３）
とを低圧気相成長法ＣＶＤによって順次連続的にすなわ
ち同一反応室中で原料ガスの供給を調整ないしは変化さ
せるのみで、各層（１）〜（３）を形成し、その後熱処
理すなわちアニール処理を行って層（１１〜（３）の再
結晶化を行って単結晶シリコン層を形成する。
上述した本発明方法によれば各層（１１，（２）及び（
３）を連続的に、すなわち同一反応室内で原料ガスの変
化のみで形成するので、各層（１１〜（３）間に異物の
発生混入が回避されて各層の界面が良好に形成される。
３）を連続的に、すなわち同一反応室内で原料ガスの変
化のみで形成するので、各層（１１〜（３）間に異物の
発生混入が回避されて各層の界面が良好に形成される。
またシリコンナイトライドＨ（１１および（３）ばその
窒素Ｎの混入量と、その厚さの制御が確実に行うことが
できるものであり、その窒素の含有量２０原子％以下と
したことによってダングリングボンドの発生率を低める
ことができ良好な膜性状と結晶性を有する結晶面の生成
を可能にし、窒素Ｎが多量に存在することによる不必要
なドナーの発生を回避できる。また更に両シリコンナイ
トライドＭ （１）及び（３）の膜厚を必要量以上に大
となることを回避でき加熱時の亀裂の問題を回避できる
。
窒素Ｎの混入量と、その厚さの制御が確実に行うことが
できるものであり、その窒素の含有量２０原子％以下と
したことによってダングリングボンドの発生率を低める
ことができ良好な膜性状と結晶性を有する結晶面の生成
を可能にし、窒素Ｎが多量に存在することによる不必要
なドナーの発生を回避できる。また更に両シリコンナイ
トライドＭ （１）及び（３）の膜厚を必要量以上に大
となることを回避でき加熱時の亀裂の問題を回避できる
。
尚、本発明において、第１及び第３のＳｉ□−ＸＮｘ或
いは５ｉｚ−ｘ Ｃｘ ［（１）及び（３）においてＸ
５０．２とするのは、Ｎが２０原子％を越えると冒頭に
述べたＮまたはＣが多量に混入する場合のダングリング
ボンドの発生、またＮの場合はドナーとしての問題が生
じてくることによる。
いは５ｉｚ−ｘ Ｃｘ ［（１）及び（３）においてＸ
５０．２とするのは、Ｎが２０原子％を越えると冒頭に
述べたＮまたはＣが多量に混入する場合のダングリング
ボンドの発生、またＮの場合はドナーとしての問題が生
じてくることによる。
例えば石英よりなる絶縁体（１１）上に、非晶質のシリ
コンナイトライド５ｉ１−ＸＮｘ ： Ｈ層（１）を、
３００人から２０人の例えば５０人、望ましくは５０Å
以下に被着形成し、続いてこれの上に非晶質のＳｉ：Ｈ
屓（２）ヲ例えば０．５μｍ以下に形成し、更に続いて
これの上に上述した第１のシリコンナイトライド層（１
）と同様の組成および膜厚範囲にあるシリコンナイトラ
イド層（３）を夫々連続的にプラズマＣＶＤ法、あるい
は光ＣＶＤ法によって形成する。
コンナイトライド５ｉ１−ＸＮｘ ： Ｈ層（１）を、
３００人から２０人の例えば５０人、望ましくは５０Å
以下に被着形成し、続いてこれの上に非晶質のＳｉ：Ｈ
屓（２）ヲ例えば０．５μｍ以下に形成し、更に続いて
これの上に上述した第１のシリコンナイトライド層（１
）と同様の組成および膜厚範囲にあるシリコンナイトラ
イド層（３）を夫々連続的にプラズマＣＶＤ法、あるい
は光ＣＶＤ法によって形成する。
これら各層（１）〜（３）の各原料気体は、Ａｒあるい
はＨ２キャリヤガスに、窒素Ｎの原料としてＮ２あるい
はＮＨ３を、またシリコンＳｔの原料として５ｉ１１゜
あるいはＳ １２８ｓをそれぞれ所要の比率をもってこ
れら原料ガスの混入量を変化させながら、気相成長させ
て被着する。
はＨ２キャリヤガスに、窒素Ｎの原料としてＮ２あるい
はＮＨ３を、またシリコンＳｔの原料として５ｉ１１゜
あるいはＳ １２８ｓをそれぞれ所要の比率をもってこ
れら原料ガスの混入量を変化させながら、気相成長させ
て被着する。
その後、Ｎ２雰囲気中で４００〜５００℃の５〜１０時
間の熱処理を行って各層（１１〜（３）中に含まれる水
素Ｈを排出する。
間の熱処理を行って各層（１１〜（３）中に含まれる水
素Ｈを排出する。
その後、第２図に示すように、シリコンナイトライド層
（３）上にキャンピング層として例えば１１１ｍ以上例
えば２μ朔の５ｉ０２層（４）を介して、ＳｉＮ層（５
）を６００人程炭塵厚さに被着する。
（３）上にキャンピング層として例えば１１１ｍ以上例
えば２μ朔の５ｉ０２層（４）を介して、ＳｉＮ層（５
）を６００人程炭塵厚さに被着する。
そして最終的に製造しようとする半導体装置において単
結晶層を部分的に所要のパターンをもって形成する場合
など、必要に応じて各シリコン層（５） （３＞ （２
１（１）の不要部分をプラズマエツチング等によって除
去し、石英絶縁体（１１）上に所定のパターンのシリコ
ン層を形成し、その後加熱処理すなわちアニール、例え
ばゾーンメルト法あるいは連続発振レーザー光もしくは
パルスレーザ−光例えばパルスエキシマレーザ−光を照
射して、各非晶質層（１１〜（３）が再結晶化された単
結晶シリコン層を得る。
結晶層を部分的に所要のパターンをもって形成する場合
など、必要に応じて各シリコン層（５） （３＞ （２
１（１）の不要部分をプラズマエツチング等によって除
去し、石英絶縁体（１１）上に所定のパターンのシリコ
ン層を形成し、その後加熱処理すなわちアニール、例え
ばゾーンメルト法あるいは連続発振レーザー光もしくは
パルスレーザ−光例えばパルスエキシマレーザ−光を照
射して、各非晶質層（１１〜（３）が再結晶化された単
結晶シリコン層を得る。
その後必要に応じてキャンピング層としてのＳ １０２
ｒｆ３ （４１およびＳｉＮ層（５）をエツチング除去
し、各種半導体の製造例えばトランジスタその他の半導
体素子の形成を行い目的とする半導体装置を得る。
ｒｆ３ （４１およびＳｉＮ層（５）をエツチング除去
し、各種半導体の製造例えばトランジスタその他の半導
体素子の形成を行い目的とする半導体装置を得る。
なお、上述した例においては、各Ｎ（１１１（３１、（
５）は窒素Ｎを含む層とした場合であるが、Ｓ １（ｓ
−ｘ） Ｃｘ（０くＣ５０，２）とすることもできる。
５）は窒素Ｎを含む層とした場合であるが、Ｓ １（ｓ
−ｘ） Ｃｘ（０くＣ５０，２）とすることもできる。
なお上述した例においては、石英基板よりなる絶縁体（
１１）上に単結晶シリコン膜の形成を行う場合について
説明したが、石英基板に限らずその他各種の絶縁基板に
通用することもできるし、また基板として単結晶シリコ
ンあるいはサファイア等の単結晶基板上に５ｔ（ｈ下地
層を形成し、この５ｔ（ｈ下地層に窓明けを行ってこれ
の上にシリコン層の形成を行い単結晶基板をシードして
これより単結晶を成長させて行くという方法によるなど
従来周知の各種Ｓｏｌに適用し得る。
１１）上に単結晶シリコン膜の形成を行う場合について
説明したが、石英基板に限らずその他各種の絶縁基板に
通用することもできるし、また基板として単結晶シリコ
ンあるいはサファイア等の単結晶基板上に５ｔ（ｈ下地
層を形成し、この５ｔ（ｈ下地層に窓明けを行ってこれ
の上にシリコン層の形成を行い単結晶基板をシードして
これより単結晶を成長させて行くという方法によるなど
従来周知の各種Ｓｏｌに適用し得る。
上述したように本発明においては単結晶層を得るための
ＣＶＤによる非晶質シリコン層中にＮまたはＣを混入さ
せるという方法をとるので、その混入量の制御を正確に
行うことができること、したがって再現性にすぐれてい
ること、また、各層（１）〜（３）を連続ＣＶＤによっ
て形成したので各層の界面に不要な混入物が介在するこ
とを回避でき良質な結晶化を阻嚇するような不都合を回
避すること、また各層（１）〜（３）が非晶質シリコン
層であることによってアニール時の例えばエキシマレー
ザ−光照射をするときエネルギー吸収効率が高められる
ことから容易に熔解し、これによって良質の再結晶化を
行うことができるなどの効果をもたらす。
ＣＶＤによる非晶質シリコン層中にＮまたはＣを混入さ
せるという方法をとるので、その混入量の制御を正確に
行うことができること、したがって再現性にすぐれてい
ること、また、各層（１）〜（３）を連続ＣＶＤによっ
て形成したので各層の界面に不要な混入物が介在するこ
とを回避でき良質な結晶化を阻嚇するような不都合を回
避すること、また各層（１）〜（３）が非晶質シリコン
層であることによってアニール時の例えばエキシマレー
ザ−光照射をするときエネルギー吸収効率が高められる
ことから容易に熔解し、これによって良質の再結晶化を
行うことができるなどの効果をもたらす。
また各シリコン（１１及び（３）層中のＮまたはＣの含
有量が小さく、更にその厚さの制御を確実に行うことが
できることから、不必要にＮまたはＣが多量に混入する
ことが回避され、例えばダングリングボンドの存在量が
多くなったりアニール時の亀裂の発生が生じたりする不
都合が回避される。また窒素Ｎが多量に存在する場合に
おけるドナーの発生即ち、単結晶シリコン層のｎ型化を
防止し得るなど多くの効果をもたらすことができる。
有量が小さく、更にその厚さの制御を確実に行うことが
できることから、不必要にＮまたはＣが多量に混入する
ことが回避され、例えばダングリングボンドの存在量が
多くなったりアニール時の亀裂の発生が生じたりする不
都合が回避される。また窒素Ｎが多量に存在する場合に
おけるドナーの発生即ち、単結晶シリコン層のｎ型化を
防止し得るなど多くの効果をもたらすことができる。
そして、上述の効果は、第１及び第３の層（１）及び（
３）の炭素または窒素の混入量をＯ＜ｘ≦０．２とした
ときに、またはより効果的には、その厚さが３００Å以
下である場合に生じ更にこれら層（１１及び（３）の厚
さは２０人未満では制御性に問題が生じてくる場合があ
るので、その厚さは３０’Ｏ人〜２０人とすることが望
ましい。
３）の炭素または窒素の混入量をＯ＜ｘ≦０．２とした
ときに、またはより効果的には、その厚さが３００Å以
下である場合に生じ更にこれら層（１１及び（３）の厚
さは２０人未満では制御性に問題が生じてくる場合があ
るので、その厚さは３０’Ｏ人〜２０人とすることが望
ましい。
第１図および第２図は、本発明による単結晶シリコン膜
の形成方法の説明に供する各工程の路線的拡大断面図で
ある。 （１１）は絶縁体、（１）および（３）はＮまたはＣを
含む非晶質シリコンより成る第１及び第３の層、（２）
は非晶質シリコンより成る第２の層である。
の形成方法の説明に供する各工程の路線的拡大断面図で
ある。 （１１）は絶縁体、（１）および（３）はＮまたはＣを
含む非晶質シリコンより成る第１及び第３の層、（２）
は非晶質シリコンより成る第２の層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁体上に、 窒素または炭素を２０原子％以下含む非晶質シリコン層
より成る第１の層と、非晶質シリコン層より成る第２の
層と、窒素または炭素を２０原子％以下含む非晶質シリ
コン層より成る第３の層とを順次連続的に形成し、 熱処理により上記第１〜第３の層の結晶化を行って単結
晶シリコン層を形成することを特徴とする単結晶シリコ
ン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135522A JP2550998B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 単結晶シリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135522A JP2550998B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 単結晶シリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299321A true JPS63299321A (ja) | 1988-12-06 |
| JP2550998B2 JP2550998B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15153735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135522A Expired - Lifetime JP2550998B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 単結晶シリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550998B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256227A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-10-17 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体とその製法 |
| US6884698B1 (en) | 1994-02-23 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135522A patent/JP2550998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256227A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-10-17 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体とその製法 |
| US6884698B1 (en) | 1994-02-23 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon |
| US7235828B2 (en) | 1994-02-23 | 2007-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with residual nickel from crystallization of semiconductor film |
| US7749819B2 (en) | 1994-02-23 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2550998B2 (ja) | 1996-11-06 |
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