JPS63299201A - ガラス封入形サ−ミスタ - Google Patents
ガラス封入形サ−ミスタInfo
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- JPS63299201A JPS63299201A JP13180587A JP13180587A JPS63299201A JP S63299201 A JPS63299201 A JP S63299201A JP 13180587 A JP13180587 A JP 13180587A JP 13180587 A JP13180587 A JP 13180587A JP S63299201 A JPS63299201 A JP S63299201A
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- Japan
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- thermistor
- glass
- chip
- glass container
- thermistor chip
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 241000270730 Alligator mississippiensis Species 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば温度センサー等に利用されるガラス封
入形サーミスタに関する。
入形サーミスタに関する。
(従来の技術)
従来のガラス封入形サーミスタは、以下に示す如く構成
されていた。
されていた。
即ち、温度により抵抗値が変化するサーミスタチップは
、一対のスラグリードに挟持されており、さらに、サー
ミスタチップは、ガラス容器により気密に保持されてい
た。
、一対のスラグリードに挟持されており、さらに、サー
ミスタチップは、ガラス容器により気密に保持されてい
た。
ここで、この様なガラス封入形サーミスタは、ガラス容
器の封止の際に、約数百度に加熱されるため、サーミス
タチップの酸化が生じ、その固有抵抗値に大幅な変動が
生じることが知られている。
器の封止の際に、約数百度に加熱されるため、サーミス
タチップの酸化が生じ、その固有抵抗値に大幅な変動が
生じることが知られている。
この様な酸化を防止するために、例えば特開昭61−4
6001号公報く見られる様に、Ar、)le、Ne等
の不活性ガス雰囲気中でサーミスタ素子を気密封止する
ことも考えられている。
6001号公報く見られる様に、Ar、)le、Ne等
の不活性ガス雰囲気中でサーミスタ素子を気密封止する
ことも考えられている。
しかしながら、上記の様な雰囲気中で、ガラス封止して
も、サーミスタチップの酸化等上記の如く、ガラス封入
形サーミスタは、例えばAr、Xe、He等の不活性ガ
ス雰囲気なかでガラス封止を行なっても、サーミスタチ
ップの酸化等に起因する固有抵抗値の変動は、避けられ
なかった。
も、サーミスタチップの酸化等上記の如く、ガラス封入
形サーミスタは、例えばAr、Xe、He等の不活性ガ
ス雰囲気なかでガラス封止を行なっても、サーミスタチ
ップの酸化等に起因する固有抵抗値の変動は、避けられ
なかった。
本発明者らは、このサーミスタチップの酸化現象につい
て着目し、その原因を探求したところ、ガラス封止時及
び使用時に、ガラス容器、サーミスタチップ等に吸着さ
れていたガスが熱の影響を受けてガラス容器内に放出さ
れ、この放出ガスが、サーミスタチップの酸化に悪影響
を及ぼしていることを見い出した。
て着目し、その原因を探求したところ、ガラス封止時及
び使用時に、ガラス容器、サーミスタチップ等に吸着さ
れていたガスが熱の影響を受けてガラス容器内に放出さ
れ、この放出ガスが、サーミスタチップの酸化に悪影響
を及ぼしていることを見い出した。
従って、本発明の目的とするところは、ガラス容器内に
放出される不純ガスを低減させることにより、サーミス
タチップの固有抵抗値のばらつきの改善を図ろうとする
ものである。
放出される不純ガスを低減させることにより、サーミス
タチップの固有抵抗値のばらつきの改善を図ろうとする
ものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
水筒1の発明であるガラス封入形サーミスタは、サーミ
スタチップと、このサーミスタチップの少なくとも一方
の電極と電気的に接続され、導電性を有するゲッターよ
り成る金属片と、サーミスタチップ及び金屑片とを電気
的に挟持する一対のスラグリードと、このサーミスタチ
ップを密閉封止するガラス容器と、このガラス容器と、
サーミスタチップとの空隙に配設される多孔質アルミナ
とを備えることにより構成される。
スタチップと、このサーミスタチップの少なくとも一方
の電極と電気的に接続され、導電性を有するゲッターよ
り成る金属片と、サーミスタチップ及び金屑片とを電気
的に挟持する一対のスラグリードと、このサーミスタチ
ップを密閉封止するガラス容器と、このガラス容器と、
サーミスタチップとの空隙に配設される多孔質アルミナ
とを備えることにより構成される。
また水筒2の発明であるガラス封入形サーミスタは、サ
ーミスタチップと、このサーミスタチップを電気的に挟
持する一対のスラグリードと、このサーミスタチップを
密閉封止するガラス容器と、このガラス容器と、サーミ
スタチップとの空隙に配設される多孔質アルミナとを備
えることにより構成される。
ーミスタチップと、このサーミスタチップを電気的に挟
持する一対のスラグリードと、このサーミスタチップを
密閉封止するガラス容器と、このガラス容器と、サーミ
スタチップとの空隙に配設される多孔質アルミナとを備
えることにより構成される。
(作用)
ガラス封入形サーミスタは、そのガラス封止の際に、例
えば500℃程度の温度まで加熱され、また、その使用
時においても、一般的に約300℃程度の雰囲気中で多
用されている。
えば500℃程度の温度まで加熱され、また、その使用
時においても、一般的に約300℃程度の雰囲気中で多
用されている。
従って、ガラス封止、使用時において、ガラス容器、サ
ーミスタチップ、スラグリード等に吸着されていた不純
ガスは、熱の影響を受けて、ガラス容器内に放出される
。
ーミスタチップ、スラグリード等に吸着されていた不純
ガスは、熱の影響を受けて、ガラス容器内に放出される
。
水筒1の発明であるガラス封入形サーミスタに依れば、
サーミスタチップの少なくとも一方の電極と電気的に接
続される金屑片が、これらの不純ガスを吸着する。
サーミスタチップの少なくとも一方の電極と電気的に接
続される金屑片が、これらの不純ガスを吸着する。
また、水筒2の発明であるガラス封入形サーミスタに依
れば、サーミスタチップとガラス容器との空隙に配設さ
れる多孔質アルミナがこれらの不純ガスを吸着する。
れば、サーミスタチップとガラス容器との空隙に配設さ
れる多孔質アルミナがこれらの不純ガスを吸着する。
従って、本発明に依れば、ガラス封止、使用時において
放出される不純ガスの濃度を大幅に低減できるので、サ
ーミスタチップの酸化に起因する固有抵抗値のばらつき
が改善される。
放出される不純ガスの濃度を大幅に低減できるので、サ
ーミスタチップの酸化に起因する固有抵抗値のばらつき
が改善される。
(実施例)
以下に、図面等を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
水筒1の発明に係るガラス封入形サーミスタの実施例を
第1図に示し説明する。
第1図に示し説明する。
つまり同図に示すとおり、例えばNi ・Mnn酸化物
材材料ら成るサーミスタチップ1の一方の電極1aには
、例えば、zr 、w。
材材料ら成るサーミスタチップ1の一方の電極1aには
、例えば、zr 、w。
Mg等のゲッター作用を有し、導電性の金属片1の一端
が電気的に接続されている。
が電気的に接続されている。
また、サーミスタチップ1の他方の電極1b及び、金属
片2の他端は、一対のスラグリード3が電気的に接続さ
れており、このスラグリード3は、さらに、各々ワイヤ
4と接続されている。
片2の他端は、一対のスラグリード3が電気的に接続さ
れており、このスラグリード3は、さらに、各々ワイヤ
4と接続されている。
また、サーミスタチップ1、金属片2、及びスラグリー
ド3を気密状に保持するため、これらは、ガラス容器5
内に密封されている。
ド3を気密状に保持するため、これらは、ガラス容器5
内に密封されている。
ここで、スラグリード3に接続するワイヤ4は、ガラス
容器5と熱膨張率が近似した例えばデュメット線を用い
ることが好ましい。
容器5と熱膨張率が近似した例えばデュメット線を用い
ることが好ましい。
また、ガラス容器5を封止する際は、雰囲気ガスによる
サーミスタチップ1、金属部品等の酸化を防止するため
、例えばNe 、 @e 。
サーミスタチップ1、金属部品等の酸化を防止するため
、例えばNe 、 @e 。
Ar等の不活性ガス中で行なうことが好ましい。
以上の様に構成されたガラス封入形サーミスタの作用等
を以下に説明する。
を以下に説明する。
前述の通り、“この種のガラス封入形サーミスタは、そ
のガラス封止の際に例えば500℃程度の温度まで加熱
される。また、この様なガラス封入形サーミスタは、通
常的300℃程度の温度を検知する様な使われ方をされ
ることが多い。
のガラス封止の際に例えば500℃程度の温度まで加熱
される。また、この様なガラス封入形サーミスタは、通
常的300℃程度の温度を検知する様な使われ方をされ
ることが多い。
従って、ガラス封止、使用時において、ガラス容器、サ
ーミスタチップ、スラグリード等に吸着されていた不純
ガスは、これらの熱の影響を受けて、ガラス容器内に放
出される。
ーミスタチップ、スラグリード等に吸着されていた不純
ガスは、これらの熱の影響を受けて、ガラス容器内に放
出される。
しかしながら、本実施例によれば、このガラス容器内ゲ
ッター作用を有する金属片が配設されているので、放出
された不純ガスは、この金属片により吸着される。
ッター作用を有する金属片が配設されているので、放出
された不純ガスは、この金属片により吸着される。
ここで、ゲッターを有する本実施例のガラス封入形サー
ミスタ各々の約500℃の温度窒素雰囲気下でガラス封
止した場合の前後及び300℃の恒温試験1000時間
前後の固有抵抗値変動率を第1表に示す。
ミスタ各々の約500℃の温度窒素雰囲気下でガラス封
止した場合の前後及び300℃の恒温試験1000時間
前後の固有抵抗値変動率を第1表に示す。
第1表
上記第1表より理解される様に、本案11M例によるガ
ラス封入形サーミスタに依れば、従来のガラス封入形サ
ーミスタに比較して、固有抵抗値の変動が大幅に低減さ
れる。
ラス封入形サーミスタに依れば、従来のガラス封入形サ
ーミスタに比較して、固有抵抗値の変動が大幅に低減さ
れる。
次に、第2の発明の実施例を第2図に示し以下に詳細に
説明する。
説明する。
つまり同図に示す通り、例えばNi 、 Mn酸化物系
材料から成るサーミスタチップ11の双方の電極11a
、11bは各々一対のスラグリード13に接続されてお
り、このスラグリード13はさらに各々ワイヤ14と接
続されている。
材料から成るサーミスタチップ11の双方の電極11a
、11bは各々一対のスラグリード13に接続されてお
り、このスラグリード13はさらに各々ワイヤ14と接
続されている。
またサーミスタチップ11及びスラグリード13は、ガ
ラス容器115に外囲されることにより、気密状に密封
されている。
ラス容器115に外囲されることにより、気密状に密封
されている。
さらにまた、このガラス容器15内の空隙には、多孔質
アルミナが配設されている。
アルミナが配設されている。
ここで、多孔質アルミナは周知の如く、例えば酸素等の
ガスを物理的に吸着する特性を有しているものである。
ガスを物理的に吸着する特性を有しているものである。
以上の様に構成されたガラス封入形サーミスタの作用等
を以下に説明する。
を以下に説明する。
前述の通り、この種のガラス封入形サーミスタは、その
封止の際に高儂雰囲気で処理されることが多く、また、
通常的300℃程度の温度を検知する様な使われ方をさ
れることが多い。
封止の際に高儂雰囲気で処理されることが多く、また、
通常的300℃程度の温度を検知する様な使われ方をさ
れることが多い。
従って、上記の様なガラス封止、使用時において、ガラ
ス容器、サーミスタチップ、スラグリード等に吸着され
ていた不純ガスは、これらの熱を受けて、ガラス容器内
に放出される。
ス容器、サーミスタチップ、スラグリード等に吸着され
ていた不純ガスは、これらの熱を受けて、ガラス容器内
に放出される。
しかしながら、本実施例に依れば、このガラス容器の空
隙に、ゲッター作用を有する多孔質アルミナが配設され
ているので、放出された不純ガスは、この多孔質アルミ
ナにより吸着される。
隙に、ゲッター作用を有する多孔質アルミナが配設され
ているので、放出された不純ガスは、この多孔質アルミ
ナにより吸着される。
ここで、多い孔質アルミナを有する本実施例のガラス封
入形サーミスタと、従来のガラス封入形サーミスタ各々
の約500℃の温度、窒素雰囲気下でガラス封止した場
合の前後、及び300℃の+Fi瀉試験1000時間前
後の固有抵抗値変動率を第2表に示す。
入形サーミスタと、従来のガラス封入形サーミスタ各々
の約500℃の温度、窒素雰囲気下でガラス封止した場
合の前後、及び300℃の+Fi瀉試験1000時間前
後の固有抵抗値変動率を第2表に示す。
、 (工ζT−粂き)
上記第2表より理解される通り、本実施例によるガラス
封入形サーミスタに依れば、従来のガラス封入形サーミ
スタに比較して、固有抵抗値の変動が大幅に低減される
。
封入形サーミスタに依れば、従来のガラス封入形サーミ
スタに比較して、固有抵抗値の変動が大幅に低減される
。
尚、以上説明した実施例においては、具体的な構造、材
料等を明確に詳述しているが、本発明はこれに固執する
ことなく、各種の用途、目的に応じて変更できるもので
ある。
料等を明確に詳述しているが、本発明はこれに固執する
ことなく、各種の用途、目的に応じて変更できるもので
ある。
[発明の効果]
本第1若しくは第2の発明に依れ1f1ガラス容器内に
放出される不純ガスを吸着する材料が配設されているの
で、サーミスタチップの固有抵抗値のばらつきが改善で
きるガラス封入形サーミスタが提供できる。
放出される不純ガスを吸着する材料が配設されているの
で、サーミスタチップの固有抵抗値のばらつきが改善で
きるガラス封入形サーミスタが提供できる。
第1図は、第1の発明に係るガラス封入形サーミスタの
実施例を示す断面図、第2図は第2の発明に係るガラス
封入形サーミスタの実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図、第2図は第2の発明に係るガラス
封入形サーミスタの実施例を示す断面図である。
Claims (2)
- (1)サーミスタチップと少なくとも前記サーミスタチ
ップの一方の電極と電気的に接続され、導電性を有する
ゲーッターより成る金属片と、前記サーミスタチップ及
び前記金属片を電気的に挟持する一対のスラグリードと
、前記サーミスタチップ及び前記金属金属片とを気密に
保持するガラス容器とを具備したことを特徴とするガラ
ス封入形サーミスタ。 - (2)サーミスタチップと、前記サーミスタチップを電
気的に挟持する一対のスラグリードと、前記サーミスタ
チップを気密に保持するガラス容器と、前記サーミスタ
及び前記ガラス容器間の空隙に配設さる多孔質アルミナ
とを具備したことを特徴とするガラス封入形サーミスタ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13180587A JPS63299201A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ガラス封入形サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13180587A JPS63299201A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ガラス封入形サ−ミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299201A true JPS63299201A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15066521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13180587A Pending JPS63299201A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ガラス封入形サ−ミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63299201A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100369895B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2003-01-30 | 한국쌍신전기주식회사 | 중고온용 써미스터 및 그 제조방법 |
US20080304544A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Infineon Technologies Sensonor As | Vacuum Sensor |
JP2014154645A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Denso Corp | サーミスタ |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13180587A patent/JPS63299201A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100369895B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2003-01-30 | 한국쌍신전기주식회사 | 중고온용 써미스터 및 그 제조방법 |
US20080304544A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Infineon Technologies Sensonor As | Vacuum Sensor |
US8449177B2 (en) * | 2007-06-06 | 2013-05-28 | Infineon Technologies Ag | Vacuum sensor |
JP2014154645A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Denso Corp | サーミスタ |
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