JPH01310506A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
- Publication number
- JPH01310506A JPH01310506A JP14252088A JP14252088A JPH01310506A JP H01310506 A JPH01310506 A JP H01310506A JP 14252088 A JP14252088 A JP 14252088A JP 14252088 A JP14252088 A JP 14252088A JP H01310506 A JPH01310506 A JP H01310506A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resistance value
- atmosphere
- thermistor element
- thermal treatment
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化物セラミックスの素子からなるサーミス
タに関する。
タに関する。
従来の技術とその課題
従来、大気中で焼結した酸化物セラミックスの素子をガ
ラスに封入する場合、窒素雰囲気中で580〜700℃
に加熱して封入している。しかしながら、この封入工程
で素子の抵抗値が大きく変化し、所定の抵抗値を有する
サーミスタを得ることができないという問題点を有して
いた。
ラスに封入する場合、窒素雰囲気中で580〜700℃
に加熱して封入している。しかしながら、この封入工程
で素子の抵抗値が大きく変化し、所定の抵抗値を有する
サーミスタを得ることができないという問題点を有して
いた。
そこで、本発明の課題は、熱処理によるガラス封入時の
素子の抵抗値の変化率を小さくし、所定の抵抗値を有す
る精度の良好なサーミスタを提供することにある。
素子の抵抗値の変化率を小さくし、所定の抵抗値を有す
る精度の良好なサーミスタを提供することにある。
課題を 決するための手段と作用
以上の課題を解決するため、本発明に係るサーミスタは
、酸化物セラミックス原料、例えばMn。
、酸化物セラミックス原料、例えばMn。
Ni 、 Co 、 A1等の酸化物からなるグリーン
シートを大気中で焼結することにより得られたサーミス
タ素子を、不活性雰囲気中、例えばN1+低か、Ar雰
囲気中で熱処理を施した後、ガラス中に封入した。
シートを大気中で焼結することにより得られたサーミス
タ素子を、不活性雰囲気中、例えばN1+低か、Ar雰
囲気中で熱処理を施した後、ガラス中に封入した。
ガラス封入の前工程として前記熱処理を施すことにより
サーミスタ素子の封入前後の抵抗値変化率、及び封入後
のエージングによる抵抗値変化率が極めて少なく、安定
した特性を示す。
サーミスタ素子の封入前後の抵抗値変化率、及び封入後
のエージングによる抵抗値変化率が極めて少なく、安定
した特性を示す。
なお、前記熱処理の温度あるいは雰囲気条件は、酸化物
セラミックス原料の組成及びその混合比率によって異な
り、良好な結果を得るための条件は実験的に決定される
。
セラミックス原料の組成及びその混合比率によって異な
り、良好な結果を得るための条件は実験的に決定される
。
実施例
第1図、第2図はいずれも本発明の実施例であるサーミ
スタを示す。第1図のものは、サーミスタ素子1の表裏
面に設けた電極2.2にジュメット線3,3をろう付け
し、ガラス5中に封入したラジアルタイプのサーミスタ
である。第2図のものは、電極2,2を有するサーミス
タ素子1をリード線4,4のヘッド部4a、 4aの間
に挾み込み、ガラス5中に封入したアキシャルクィブの
サーミスタである。
スタを示す。第1図のものは、サーミスタ素子1の表裏
面に設けた電極2.2にジュメット線3,3をろう付け
し、ガラス5中に封入したラジアルタイプのサーミスタ
である。第2図のものは、電極2,2を有するサーミス
タ素子1をリード線4,4のヘッド部4a、 4aの間
に挾み込み、ガラス5中に封入したアキシャルクィブの
サーミスタである。
以上のサーミスタの製造方法について説明すると、まず
、Mn 、 Ni 、 Co 、 A1等の酸化物を所
定の比率で調合、混合し、約850℃で2時間程仮焼し
た後、湿式粉砕、造粒する。次いで、適宜バインダーを
加えてスラリーとし、ドクターブレード法にてシート状
に成形する。この様にして得られたグリーンシートの表
裏面にpt等のt極ペーストを塗布し、大気中においr
1200〜1300℃で2時間程焼結する。
、Mn 、 Ni 、 Co 、 A1等の酸化物を所
定の比率で調合、混合し、約850℃で2時間程仮焼し
た後、湿式粉砕、造粒する。次いで、適宜バインダーを
加えてスラリーとし、ドクターブレード法にてシート状
に成形する。この様にして得られたグリーンシートの表
裏面にpt等のt極ペーストを塗布し、大気中においr
1200〜1300℃で2時間程焼結する。
焼結後、不活性雰囲気中(例えば、Nh低o、。
Ar雰囲気中)において600〜900°Cで2時間程
熱処理を施す。次いで、以上の焼結体をグイシングし、
両面に電極を有するサーミスタ素子チップを得る。
熱処理を施す。次いで、以上の焼結体をグイシングし、
両面に電極を有するサーミスタ素子チップを得る。
このチップの電極に前述の如くジュメット線又はリード
線をろう付けするか、あるいはチップをジュメット線の
ヘッド部の間に挾み込み、580〜700℃に加熱して
ガラス中に封入し、サーミスタとする。
線をろう付けするか、あるいはチップをジュメット線の
ヘッド部の間に挾み込み、580〜700℃に加熱して
ガラス中に封入し、サーミスタとする。
本発明者らによって行なわれた実験Na 1〜10の結
果は以下の表に示すとおりである。
果は以下の表に示すとおりである。
ここでの実験は、Mn80 : Ni2O(モル比)の
酸化物セラミックス原料を1300℃で2時間焼結した
サーミスタ素子に対して行なわれた。ガラス封入温度は
680℃であり、その前工程としての熱処理は、表中に
示すそれぞれの雰囲気、温度について行なわれた。また
、封入前後の抵抗値変化率は常温での測定値に基づく。
酸化物セラミックス原料を1300℃で2時間焼結した
サーミスタ素子に対して行なわれた。ガラス封入温度は
680℃であり、その前工程としての熱処理は、表中に
示すそれぞれの雰囲気、温度について行なわれた。また
、封入前後の抵抗値変化率は常温での測定値に基づく。
エージングは300°Cで500時間加熱した。
※印を付した実験No、8.9.10は比較例として掲
げたもので、封入前後の抵抗値変化率がいずれも−9〜
−10%であり、エージングによる変化率も3%を越え
ている。これに対して本発明の実施例中実験陥2 、3
、6 、7のものは両者の変化率共良好である。なお
、実験Nα1,4.5のものは封入前後の抵抗値変化率
がいずれも±5%を越えている。これは熱処理温度が高
過ぎるかあるいは低過ぎるのが原因として考えられる。
げたもので、封入前後の抵抗値変化率がいずれも−9〜
−10%であり、エージングによる変化率も3%を越え
ている。これに対して本発明の実施例中実験陥2 、3
、6 、7のものは両者の変化率共良好である。なお
、実験Nα1,4.5のものは封入前後の抵抗値変化率
がいずれも±5%を越えている。これは熱処理温度が高
過ぎるかあるいは低過ぎるのが原因として考えられる。
熱処理雰囲気(特に01分圧)、熱処理温度は一義的に
決まるものではなく、サーミスタ素子の組成等に基づい
て適宜決定する必要がある。
決まるものではなく、サーミスタ素子の組成等に基づい
て適宜決定する必要がある。
λ班Ω力玉
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、焼結され
た酸化物セラミックスのサーミスタ素子を不活性雰囲気
中で熱処理を施した後、ガラス中に封入したため、封入
時の加熱に対してサーミスタ素子が極めて安定した状態
を保持し、封入前後の抵抗値変化率がノ」翫さく、所定
の抵抗値を有するサーミスタを得ることができる。また
、エージングによる抵抗値の変化率も僅かであり、良好
な特性を維持する。
た酸化物セラミックスのサーミスタ素子を不活性雰囲気
中で熱処理を施した後、ガラス中に封入したため、封入
時の加熱に対してサーミスタ素子が極めて安定した状態
を保持し、封入前後の抵抗値変化率がノ」翫さく、所定
の抵抗値を有するサーミスタを得ることができる。また
、エージングによる抵抗値の変化率も僅かであり、良好
な特性を維持する。
第1図、第2図はそれぞれ本発明に係るサーミスタの実
施例を示す部分断面図である。 1・・・サーミスタ素子、2・・・電極、3・・・デュ
メッL線、4・・・リード線、5・・・ガラス。 特許出願人 株式会社村田製作所
施例を示す部分断面図である。 1・・・サーミスタ素子、2・・・電極、3・・・デュ
メッL線、4・・・リード線、5・・・ガラス。 特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- 1.酸化物セラミックスの素子をガラス中に封入したサ
ーミスタにおいて、 酸化物セラミックス原料からなるグリーンシートを大気
中で焼結することにより得られたサーミスタ素子を、不
活性雰囲気中で熱処理を施した後、ガラス中に封入した
ことを特徴とするサーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14252088A JPH01310506A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14252088A JPH01310506A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | サーミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01310506A true JPH01310506A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15317268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14252088A Pending JPH01310506A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | サーミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01310506A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02121303A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Tdk Corp | Ntcサーミスタ素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP14252088A patent/JPH01310506A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02121303A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Tdk Corp | Ntcサーミスタ素子の製造方法 |
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