JPS632900A - β型窒化珪素ウイスカ−の製法 - Google Patents

β型窒化珪素ウイスカ−の製法

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JPS632900A
JPS632900A JP14601286A JP14601286A JPS632900A JP S632900 A JPS632900 A JP S632900A JP 14601286 A JP14601286 A JP 14601286A JP 14601286 A JP14601286 A JP 14601286A JP S632900 A JPS632900 A JP S632900A
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JP
Japan
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powder
silicon nitride
type silicon
si3n4
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JP14601286A
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JPH0262520B2 (ja
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Yasuhiko Kamitoku
神徳 泰彦
Katsuro Masunaga
枡永 勝朗
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は複合材料の素材として有用なβ型窒化珪素ウィ
スカーの製法に関する。
(従来の技術及びその問題点) 窯業製会誌 1土、43(1983)には、非晶質窒化
珪素粉末に酸化イツトリウム粉末を配合し、配合物を成
形した後に焼成して窒化珪素焼結体を製造する方法が開
示されている。この報文は酸化イツトリウムを焼結助剤
として焼結体を製造する方法を開示しているのみであり
、窒化珪素ウィスカーの製法についてはまったく記載が
ない。
特開昭59−147000号公報には、シリカ、カーボ
ン及び氷晶石の混合物をアンモニアと窒素との混合雰囲
気中で加熱反応させてβ型窒化珪素ウィスカーを製造す
る方法が記載されている。
この方法は、生成するβ型窒化珪素ウィスカー中に原料
のシリカ及びカーボンが残留するため、これらの除去に
煩雑な操作を必要とし、さらにウィスカーの収率が高(
ないという解決すべき問題点を有している。
(発明の目的及び要旨) 本発明の目的は、β型窒化珪素ウィスカーを収率よくか
つ効率的に製造できる方法を提供することにある。
本発明の目的は、非晶質窒化珪素及びα型窒化珪素から
選ばれる原料粉末と、原料粉末100重量部当たり酸化
イツトリウム換算で0.01〜20重量部の、酸化イッ
トリウム粉末又は焼成時に酸化イツトリウムに転化し得
る化合物の粉末(以下両者を総称してイツトリウム化合
物粉末ということがある)との混合粉末を、非酸化性ガ
ス雰囲気下で焼成することによって達成される。
本発明で使用される非晶質窒化珪素粉末は、それ自体公
知の方法、たとえば四ハロゲン化珪素とアンモニアとを
液相又は気相で反応させた反応生成物を加熱処理するこ
とによって得ることができ、通常のX線回折によって明
確な回折現象が表れない、いわゆる非晶質の物質である
。なお、この非晶質窒化珪素は珪素原子、窒素原子の他
に水素原子を含むことがある。
α型窒化珪素粉末は、上記の非晶質窒化珪素粉末を仮焼
する方法の他に、シリカの還元窒化法、珪素の直接窒化
法等の公知の方法で製造することができる。α型窒化珪
素粉末の比表面積は0.001〜20//g、特に2〜
b が好ましい。
本発明において焼成時に酸化イットリウムに転化し得る
化合物の具体例としては、炭酸イツトリウム、水酸化イ
ットリウムが挙げられる。
イア)リウム化合物粉末の配合量は、非晶質窒化珪素及
びα型窒化珪素から選ばれる原料粉末100重量部当た
り、酸化イットリウム換算で、0゜01〜20重量部、
好ましくは0.5〜10重量部である。イツトリウム化
合物粉末の配合量が下限より小さいとウィスカーの収率
が小さくなり、その配合量が上限より多いとウィスカー
同志の融着が起こるようになる。
原料粉末とイットリウム化合物粉末との混合粉末の調製
法については特に制限はなく、それ自体公知の方法、た
とえば両者を乾式混合する方法、不活性液体中で両者を
湿式混合した後に不活性液体を除去する方法等を採用す
ることができる。混合装置としては、■型混合機、ボー
ルミル又は振動ボールミルが好ましく使用される。上記
混合物の別の調製法としては、非晶質窒化珪素粉末の前
駆体、たとえばシリコンジイミド又はシリコンテトラミ
ドにイツトリウム化合物粉末を混合分散させ、この分散
物を加熱処理する方法を採用することもできる。上記調
製法において、非晶質窒化珪素又はその前駆体を使用す
る場合、これらは酸素又は水分に対してきわめて敏感で
あるので、1illfilされた不活性雰囲気下で取り
扱う必要がある。
焼成時の非酸化性ガスを構成する非酸化性ガスの具体例
としては、窒素、アルゴン、アンモニアあるいはこれら
の混合ガスが挙げられる。焼成条件は、混合粉末が10
00℃から最高温度の間を平均して、0.1〜40時間
、好ましくは4〜20時間で加熱されるように設定する
ことが望ましい、焼成時の最高温度は1800℃以下、
好ましくは1500〜1750℃の範囲内の温度である
混合粉末の焼成の際に使用される炉については特に制限
はなく、たとえば高周波誘導加熱方式又は抵抗加熱方式
によるバッチ式炉、ロータリー炉、ブツシャ−炉等を使
用することができる。
(実施例) 以下に実施例を示す。
実施例1 シリコンジイミドを1200℃で加熱分解して得られた
非晶質窒化珪素粉末50gと、純度99゜9%の酸化イ
ツトリウム1.0gとを、窒素ガス雰囲気下ボールミル
で1時間混合した。混合粉末を、内径120m、内容積
4501の黒鉛製ルツボに入れ、高周波誘導炉中にセッ
トし、窒素ガス雰囲気下で、室温から1200℃を1時
間、1200−1400℃を4時間、1400〜165
0℃を2.5時間で昇温し、さらに1650℃に8時間
保持して、焼成した。
得られた粉末をX線回折によって調べたところ、その結
晶形態はβ型であり、また走査型電子顕微鏡による観察
では、第1図に示すように、長さ10〜40um、径0
.5〜1.5 p mのウィスカーであることが認めら
れた。非晶質窒化珪素を基準にしたウィスカーの収率(
以下単に収率という)は91%であった。
実施例2 比表面積5.3m/gのα型窒化珪素粉末50gと純度
99.9%の酸化イツトリウム粉末1.5gとを、振動
ボールミルで2時間混合した。混合粉末を、内径120
龍、内容量450m1の黒鉛製ルツボに入れ、高周波誘
導炉中にセントし、窒素ガス雰囲気下で、室温から12
00℃を1時間、1200〜1750℃を5.5時間で
昇温し、さらに1750℃に6時間保持して、焼成した
得られた粉末をX線回折によって調べたところ、その結
晶形態はβ型であり、また走査型電子顕微鏡による観察
では、長さ25〜30μm1径0゜7〜1.5μmのウ
ィスカーであることが認められた。収率は93%であっ
た。
実施例3 シリコンジイミドを1200℃で加熱分解して得られた
非晶質窒化珪素粉末200gと、純度99.9%の酸化
イツトリウム10gとを、窒素ガス雰囲気下にナイロン
製ボールポットを用い2時間振動ミルで混合した。混合
粉末を、内径290鶴、高さ70mの黒鉛製ルツボに入
れ、抵抗加熱式高温炉中にセットし、窒素ガス雰囲気下
で、室温から1200℃を1時間、1200〜1400
℃を4時間、1400−1700℃を3時間で昇温し、
さらに1700℃に7時間保持して、焼成した。
得られた粉末をX線回折によって調べたところ、第2図
に示すようにその結晶形態はβ型であり、また走査型電
子顕微鏡による観察では、長さ10〜40μm、径0.
5〜1.5 p mのウィスカーであることが認められ
た。
実施例4 シリコンジイミドを1200℃で加熱分解して得られた
非晶質窒化珪素粉末150gと、水酸化イツトリウム[
Y (OH) 3 ] 9.3 gとを、窒素ガス雰囲
気下にナイロン製ボールポットを用い2時間振動ミルで
混合した。混合粉末を、内径2901m、高さ70鰭の
黒鉛製ルツボに入れ、抵抗加熱式高温炉中にセットし、
窒素ガス雰囲気下で、室温から1200℃を1時間、1
200〜1400℃を3時間、140つ〜1650℃を
2時間で昇温し、さらに1650℃に12時間保持して
、焼成した。
得られた粉末をX線回折によって調べたところ、その結
晶形態はβ型であり、また走査型電子顕微鏡による観察
では、長さ15〜35μm1径0゜7〜1.5μmのウ
ィスカーであることが認められた。収率は89%であっ
た。
【図面の簡単な説明】 第1図は実施例1で得られたβ型窒化珪素ウィスカーの
粒子構造を示す図であり、第2図は実施例3で得られた
β型窒化珪素ウィスカーのX線回折図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非晶質窒化珪素及びα型窒化珪素から選ばれる原料粉末
    と、原料粉末100重量部当たり酸化イットリウム換算
    で0.01〜20重量部の、酸化イットリウム粉末又は
    焼成時に酸化イットリウムに転化し得る化合物の粉末と
    の混合粉末を、非酸化性ガス雰囲気下で焼成することを
    特徴とするβ型窒化珪素ウイスカーの製法。
JP14601286A 1986-06-24 1986-06-24 β型窒化珪素ウイスカ−の製法 Granted JPS632900A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14601286A JPS632900A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 β型窒化珪素ウイスカ−の製法
EP87305058A EP0251522A3 (en) 1986-06-24 1987-06-08 Process for production of beta-type silicon nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14601286A JPS632900A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 β型窒化珪素ウイスカ−の製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS632900A true JPS632900A (ja) 1988-01-07
JPH0262520B2 JPH0262520B2 (ja) 1990-12-25

Family

ID=15398096

Family Applications (1)

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JP14601286A Granted JPS632900A (ja) 1986-06-24 1986-06-24 β型窒化珪素ウイスカ−の製法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63235437A (ja) * 1986-10-24 1988-09-30 Ube Ind Ltd β型窒化珪素ウイスカー成形体及びその製法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63235437A (ja) * 1986-10-24 1988-09-30 Ube Ind Ltd β型窒化珪素ウイスカー成形体及びその製法
JPH0469215B2 (ja) * 1986-10-24 1992-11-05 Ube Industries

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JPH0262520B2 (ja) 1990-12-25

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