JPS63289794A - エレクトロルミネセンスディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エレクトロルミネセンス（電界発光）ディス
プレイのための改良された構造体及び製造方法に係り、
より詳細には、直流マトリクス表示パネル又はセグメン
ト化直流表示パネルの蛍光体の電気的化成を容易にする
透明な金属酸化物中間層の使用に関する。

従来の技術 エレクトロルミネセンスとは、電界を加えることによっ
て結晶蛍光体から光を放射ケることをいう。通常使用さ
れる蛍光体材料は、１モル％未満の種々の元素、例えば
、マンガンをその格子構造体に導入することによって付
活される硫化亜鉛である。このような材料が充分な大き
さの電界の作用を受けると、蛍光体の組成の特性である
カラーの光が放射される。マンガンで付活される硫化亜
鉛（硫化亜鉛：マンガン又はＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体と称す
る）は、５８５ナノメータ（ｎｍ）波長を中心とする心
地良いイエローがかったオレンジ色の光を発生する。

ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体は、輝度が高く、発光効率が良く、
弁別比が大きく且つ有効寿命が長いことを特徴とする。

輝度とは、電界によって付活されたときの明るさ即ち光
の強さであり、これは、通常、ランバート、即ちカンデ
ラ／π平方センチメータで測定されるか又はフィート−
ランバート、即ちカンデラ／π平方フィートで測定され
る。発光効率とは、装置によって消費される電力に対す
る光の発生量であり、これは一般にルーメン／ワットで
測定される。弁別比とは、ｒオン」電圧に応答する輝度
と「オフ」電圧に応答する輝度との比である。

マンガンを銅やアルカリ土類付活剤のような他の物質と
取り換えるか又はこれらを補充するか或いは硫化亜鉛を
セレン化亜鉛のような他の同様の燐光物質と取り換える
か又はこれらを補充することによって広範囲のカラーを
得ることができる。

蛍光体材料は、多数の機能を果たすように種々様々なエ
レクトロルミネセンス形態に分類することができる。多
数のエレクトロルミネセンス装置においては、エレクト
ロルミネセンスディスプレイが個々に付活されるピクセ
ル（画素）のマトリクスに分割されたパネルである。

エレクトロルミネセンス装置の２つの主たる分類は、意
図された交流（ＡＣ）作動モード又は直流（ＤＣ）作動
モードについて定められる。直流構成においては、外部
回路からの電子がパネルのピクセルに通される。交流構
成においては、ピクセルが外部回路に容量的に結合され
る。

又、エレクトロルミネセンス装置は、粉体又は薄膜の蛍
光体構成を用いて形成される。粉体蛍光体は、適当な粒
子サイズの粉体蛍光体結晶を沈殿させ、ラッカー状のビ
ヒクルに粉体を懸濁させ、次いで、例えば、スプレー技
術やスクリーニング技術やドクターブレード技術によっ
てこの懸濁体を基体に撹布することにより形成される。

薄膜蛍光体は、真空蒸着やスパッタリングや化学蒸着に
よって蒸気を凝縮することから成長される。

本発明をうまく利用できるところの２つの構成は、直流
（ＤＣ）モードで動作するようにされた粉体蛍光体のエ
レクトロルミネセンスマトリクス表示パネル及びセグメ
ント化表示パネルである。

マトリクス表示パネルは１種々の用途に用いることがで
き、一般に、陰極線管（ＣＲＴ）を使用するところでは
このＣＲＴに代わるものとして利用できる。例えば、マ
トリクス表示パネルは、オシロスコープや、テレビ受像
機や、コンピュータ用のモニタのような用途に使用する
ことができる。

マトリクス表示パネルの特に効果的な用途は、マイクロ
コンピュータ又はパーソナルコンピュータのモニタとし
て使用することである。ＣＲＴの必要性をなくすことに
より、エレクトロルミネセンスマトリクス表示パネルは
、パーソナルコンピュータをよりコンパクトなものにす
ることができ、ひいては、携帯性を容易ならしめること
ができる。

一方、セグメント化表示パネルは、例えば、デジタルク
ロックや、ポケット計算器や、ガソリンポンプインジケ
ータのような装置においてアルファニューメリックディ
スプレイとして使用することができる。

直流のエレクトロルミネセンスディスプレイを製造する
場合、「化成」として知られているプロセスにおいてデ
ィスプレイの蛍光体を電気的に刺激することが必要であ
る。この電気的な化成プロセスは、特定の所望の動作電
圧において最大の強度で光を発生する連続的な膜を蛍光
体に設けるために必要とされる。二〇化成プロセスは、
次のような共通に所有する特許出願に開示されたプロセ
スに基づいて製造される粉体蛍光体のエレクトロルミネ
センスパネルと共に使用されている。

出願番号　　発明者　　　名称　　　　　　　　　　　
　出願口７５２．３１７　　　グレーサ　エレクトロル
ミネセンスディ　　７／３／８５スプレイのための燐光
材料 ８４９．７６８　　　グレーサ　より以上の化成の傾向
を減　　　４／９／８６少したエレクトロルミネセ ンスディスプレイのための 燐光材料 製造に際しては、エレクトロルミネセンスディスプレイ
パネルを２段階のプロセスで形成することが必要である
と分かった。その第１段階においては、パネルが約２５
ボルトの電圧において輝度を生じるようにそのバージン
状態から形成される。この第１段階は、パネルの初期化
成として知られている。第２段階においては、例えば、
７０ボルトの所望の付活電圧において輝度が生じるまで
パネルの印加電圧が増加される。この第２段階は、最終
化成として知られている。

この化成プロセスにおいては、下のガラス基体上に積層
関係で配置されたアノード及びカソード導通電極にまた
がって電圧が印加される。これらの電極に電圧を印加し
たときには、これら電極間に配置されたエレクトロルミ
ネセンス粉体蛍光体に電流が流れる。パネルの蛍光体が
そのバージン粉体蛍光体状態から発光膜が設けられて定
められた最終電圧で光を放射する所望の状態まで化成さ
れる速度は、電圧及び電流のレベルによって決まる。

・初期の化成段階中に輝度及びパネルの化成を得るため
には実質的な電流が必要とされることが知られている。

然し乍ら、蛍光体に流れる電流は、化成プロセス中に蛍
光体を著しく加熱するという不所望な影響を生じる。過
剰な熱により蛍光体が劣化するために、最終的に形成さ
れたパネルの発光量が低下する・従って、初期の化成プ
ロセス中にパネルに流れる電流の量を、約１２ボルトが
ら２５ボルトまで徐々に増加される電圧において約１５
０ミリアンペア／−に制限することが必要であると分か
った。初期の化成プロセス中には、電圧及び電流を非常
に入念に制御して、パネルに送られる電力及びそれによ
り生じる蛍光体の加熱を制限しなければならない。

又、例えば、６４０列／２００行というような若干大き
なエレクトロルミネセンスマトリクスディスプレイを最
初に化成することが所望される場合に、パネルの全ての
ピクセル即ち蛍光体素子を一度に化成することはこれま
で不可能であった。

このようなパネルの全てのピクセルを同時に化成すると
、過剰な加熱が生じ、蛍光体の劣化を招く。

従って、初期の化成プロセス中にはパネルの間隔をおい
たピクセル又はピクセルのラインの付勢を繰り返すこと
が必要であると分かった。従って、例えば、約１６電極
離れた最初の１組の列電極又は行電極を特定の時間中付
勢することによりマトリクスディスプレイパネルを最初
に化成できることが分かった。その後、別の１組の電極
を付勢して、その前の１組を冷却することができる。パ
ネルが最初に約２５ボルトに対して化成されるまでパネ
ルの間隔をおいた電極の組がこのようにして約９０分間
繰り返される。その後、最終的な化成プロセス中に、蛍
光体の抵抗が増加され、２５ボルト以上の電圧がパネル
全体に印加され、最終的な化成電圧まで増加される。従
って、最終的な化成プロセスにおいては、パネル全体が
付勢され、比較的迅速にパネルの所望の最終付勢電圧に
もっていかれる。

発明が解決しようとする課題 蛍光体に対して約１５０ミリアンペア／ｄの電流を与え
るようにパネルへの化成電圧の印加を最初に繰り返すた
めには、特殊な電気的器具及び付勢制御回路が必要とさ
れる。加える電力を入念に制御しても、蛍光体が成る程
度劣化することは避けられず、それ故、パネルは最適な
仕方で化成されない。又、初期化成プロセス中の電力の
繊細な制御によりパネルの寿命及び譚度特性が非均−な
ものになる。

ディスプレイの導通アノードと蛍光体との間にニトロセ
ルロースの層を配置することによって初期の化成プロセ
スを容易にできることが他の者によって示唆されている
。ニトロセルロースのこの絶縁中間層は、パネルを最初
に化成するのに必要な電流の量を約５０％減少すると分
かった。然し乍ら、この化成電流でもまだ大き過ぎ、パ
ネルを化成するためにマトリクスパネルの行及び列を繰
返し付勢しなければならない。従って、パネルの甚だし
い加熱及び劣化は減少できるが、初期の化成プロセスに
は依然として著しい時間がか＼る。

更に、ニトロセルロースは、化成プロセスにおいて加熱
されたときに劣化を生じると共に水を生成する傾向があ
ることが分かった。パネル内に水が含まれると、蛍光体
の劣化を招き、最終化成電圧を滅えて蛍光体を不所望に
も更に化成することが分かった。このようにパネルが劣
化しそしてより以上に化成されると、パネルの寿命が著
しく短縮される。

又、比較的不正確なディッププロセスによって有機ニト
ロセルロースの中間層がパネルに付着されるが、これは
、厚みの非均−な中間層を形成する。又、この中間層は
、ピンホールを形成する傾向がある。これらのピンホー
ルは、化成中に比較的強い電流のマイクロチャンネルを
生じ、従って、パネルの不所望な加熱を招く。更に、デ
ィッププロセスは、比較的はこりのない環境において行
なわねばならない。よって、ディップを行なう場合には
、非常に経費のか＼る清浄な部屋設備が必要になる。

ニトロセルロースの中間層を使用する場合には、この中
間層が高真空の製造プロセスに一般的に適していないと
いう点で大きな欠点がある。従って、初期化成中の電流
量を望ましく減少させはするが、この欠点が製造への利
用を阻んでいる。

又、導電性の窒化硫黄ポリマ（ＳＮｘ）がディスプレイ
の蛍光体内に生成して、蛍光体の動作に悪影響を及ぼす
ことが分かった。そこで、このポリマの生成を回避する
と共に、生成されたＳＮｘポリマを蛍光体内の無害な物
質に変えることが所望される。

そこで、本発明の目的は、比較的短い時間で最初に化成
することができ且つ蛍光体がほとんど或いは全く劣化し
ないようなエレクトロルミネセンスディスプレイパネル
を提供することである。

本発明の別の目的は、最初に全体的に化成されるパネル
を提供することである。

本発明の更に別の目的は、エレクトロルミネセンスパネ
ルの蛍光体と導電性７ノードとの間に薄膜として正確に
形成された透明な無機絶縁中間層を有するエレクトロル
ミネセンスパネルを提供することである。

本発明の更に別の目的は、初期の化成を容易にする金属
酸化物の中間層を有するパネルを提供することである。

本発明の更に別の目的は、酸化アルミニウム、フッ化マ
グネシウム、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム又は
硫化亜鉛のいずれかで作られた中間層を有するエレクト
ロルミネセンスパネルを提供することである。

本発明の更に別の目的は、蛍光体における窒化硫黄ポリ
マの生成を回避しそしてこのポリマがもし生成された場
合にはこれを無害な８２Ｎ２に変換する改良された方法
を提供することである。

課題を解決するための手段 本発明の上記目的を達成すると共に、公知技術の課題を
解決するために、本発明のエレクトロルミネセンスディ
スプレイパネルは、導電性のアノード及びカソード電極
と、上記カソードに接触するように配置されたエレクト
ロルミネセンス蛍光体と、上記アノードとエレクトロル
ミネセンス蛍光体との間でこれらに接触するように配置
された例えば酸化アルミニウムのような無機の絶縁中間
層とを備えている。初期の化成プロセスにおいては、無
機の中間層が化成に必要な電流を実質的に減少し、必要
な加熱を中間層と蛍光体との界面に集中させる。それ故
、パネル全体が一度に迅速に化成される。中間層は、蒸
着又はスパッタリングによってパネルに正確に付着され
る。薄膜の中間層は、５０ないし１５０人、そして好ま
しくは１００人の均一な厚みを有している。

製造プロセスにおいて、パネルの蛍光体は、窒素を除去
し、ひいては、蛍光体内に不所望なＳＮｘポリマが生成
されるのを防ぐために、アルゴンやヘリウムのような不
活性ガス又は貴ガスでフラッシュされる。又、蛍光体に
銀が添加され、ＳＮｘが生成された場合にこれが熱又は
電気エネルギの存在する中で無害なＳ、Ｎ、に変換され
るようにする。

実施例 第１図は、エレクトロルミネセンスマトリクスディスプ
レイパネル１０の概略ブロック図である。第１図の２−
２．ｉに沿ったこのパネルの一部分の断面が第２図に示
されている。第１図及び第２図の素子は、本発明を容易
に理解するために正しいスケールでは示されていない。

パネル１０は、透明な基体１１を有しており、その一方
の面に以下で述べる種々の層が付着される。これらの層
は、ｌ［者１２が透明な基体１１を通して視線１３に沿
って観察する電界発光を発生する。

エレクトロルミネセンスマトリクスディスプレイパネル
の一般的な構造及び動作は、公知である。例えば、Ｅ、
　Ｌ、　Ｔｒａｎｓ　Ｅｄ、の［フラットパネルディス
プレイ及びＣＲＴ　（Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ　Ｄｉｓｐ
ｌａｙｓａｎｄ　ＣＲＴｓ）Ｊ　　（１９８４年）の第
８章に掲載されたＥ、　Ｌ、　Ｔｒａｎｓの「エレクト
ロルミネセンスディスプレイ」　；ペクト（Ｖｅｃｈｅ
ｔ）氏の米国特許第３゜７３１．３５３号；キルトン（
Ｋｉｒｔｏｎ）氏等の米国特許第３，８６９，６４６号
；及びペクト氏等の米国特許第４，１４０．９３７号を
参照されたい。

然し乍ら、以下の説明は、これらの公知技術を参照せず
に、本発明を理解できるようにする。

第１図及び第２図に示すように、基体１１は透明で、平
らでそして非導電性である。基体１１として好ましい材
料は、ソーダ石灰ガラス及びホウケイガラスのようなガ
ラスである。典型的に、基体は、厚みが約０．１１０イ
ンチ（０，２７９４ａ１）である。

基体１１の一方の面には、複数の相互に平行な透明な導
電性アノード１４が形成され、これは光の透過度が８０
％で、抵抗率が５Ω／平方である。これらアノード１４
は、ドープされた酸化スズ又は酸化インジウム−スズで
形成することができる。

電極１４の上には、好ましくは酸化アルミニウムのよう
な透明な絶縁材料の均一な層９が５０ないし１５０人、
好ましくは１００人の厚みで形成される。この中間層９
は、基体及びアノード１４の面を完全に覆う。然し乍ら
、この中間層は、アノードの端部を露出させてパネルの
構造を理解し易くするために第１図では破断されている
。この中間層の好ましい材料は酸化アルミニウムである
が、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化イツ
トリウム、又は硫化亜鉛のような他の透明な絶縁体を使
用することもできる。

相互に平行な蛍光体の行１５が絶縁！？１９の上に形成
される。これらの行は、１５ないし４０ミクロンの厚み
であり、好ましくは約２５ミクロンの厚みである。これ
らの行は、７ノード１４に対して垂直な関係で配置され
る。

蛍光体の行１５は、誘電体バインダ／懸濁蛍光体粒子１
６（第２図）で形成される。これらの蛍光体粒子１６は
、重量で約０．１ないし約１゜０％、好ましくは約０．
４％のマンガンを含む硫化亜鉛と、好ましくは約０．０
５重量％の銅と、蛍光体粒子上の硫化銅の被膜とで形成
される。

銀は、蛍光体粒子１６上の硫化鋼の被膜に、該被膜にお
ける銅の重量で、約２ないし約１２％、好ましくは約５
ないし約１０％そして更に好ましくは約８％の量で与え
られる。

誘電体バインダは、１つの好ましい実施例によれば、ニ
トロセルロースのような有機材料である。然し乍ら、硫
化スズ又はセラミック材料のような無機バインダを使用
することもできる。有機バインダは、蛍光体粒子の重量
で、０．１ないし約３％のそして好ましくは約０．２％
の硫黄元素を有している。

好ましくはアルミニウムの複数の相互に平行な導電性の
カソード１７がそれに関連した蛍光体の行１５の上に配
置される。アノード１４、中間層９、蛍光体の行１５及
びカソード１７の配置を示したことは、エレクトロルミ
ネセンスディスプレイに対して最終的に設けられる構成
を指定するためであって、必ずしも、これらの素子がデ
ィスプレイに形成される順序を指定するものではない。

製造プロセスにおいては、蛍光体粒子及びバインダを１
つの層に付与しモしてカソード１７のためのアルミニウ
ムを別の層に付与し、次いで、その両方を同時に罫書き
して蛍光体の行１５及びカソード１７を形成するのが便
利である。良く知られているように、他の方法を使用し
て蛍光体の行及び電極を同時に形成することもできる。

製造及び使用においては、カソード１７とアノード１４
との間に電流が流れ、先ず、蛍光体の行１５の区分をエ
レクトロルミネセンス点のマトリクスに形成し、その後
、これらの点から光を発生させる。付勢電流は、カソー
ド１７とアノード１４との間の最も直接的な経路に流れ
る。即ち、この電流は、アノードとカソードとの交差点
に配置された蛍光体の行１５の部分に流れる。蛍光体の
行１５のこのような各部分がピクセル１８である。各ピ
クセル１８は、カソード１７及びアノード１４を組合せ
て付勢して像を形成する回路（図示せず）により個々に
光を発生するようにされる。

エレクトロルミネセンスパネルのアノード列１４は約０
．２５ミリメ一タ離間されるのが好ましくそしてカソー
ド行１７も同じ間隔で離間されるのが好ましい。これら
のアノード及びカソードは、約１６ピクセル／平方ミリ
メータ、即ち、１６００ピクセル／平方センチメータの
密度を有するマトリクスを形成する。第１図は、６４０
列と２００行で形成されたマトリクスを有し、寸法が巾
１０．５インチ（２６，６７ａｍ）そして高さ４゜５イ
ンチ（１１，４３（！Ｉ＋）のパネルの一部分を示して
いる。

第２図に示すように、アノード１４、カソード１７、蛍
光体の行１５及び中間Ｍ９は、バックキャップ２０によ
り、基体１１に対して真空又はアルゴンやヘリウムのよ
うな不活性ガス又は貴ガスの雰囲気中に密封される。キ
ャップ２０は、アルミニウム又はガラスで形成される。

又、このキャップは、その内面に１３ｘの分子ふるい２
１が配置されている。このふるいは、穴のあいたメタル
スクリーン２２と、このスクリーンとキャップ２０の内
面との間の捕獲されたアルミノケイ酸塩のビード２３と
で形成される。ふるい２１は、キャップ２０に配置され
る前に新たにガス抜きされる。

キャップ２０は、低ガス発生のエポキシ樹脂、即ち、硬
化中に著しい量のガスを発生しない樹脂のような低透過
性の接着剤で基体にシールされる。

適当な接着剤は、マサチューセッツ州のウォータタウン
及びカリフォルニア州のイルビンにあるビーコン・イン
ダストリーズ・インクによって販売されている非充填の
ジャイログレードの接着剤であるビーコン（Ｉｌａｃｏ
ｎ）　Ｆ　Ａ　−１工ポキシ樹脂接着剤である。

エレクトロルミネセンスディスプレイを製造する際には
、平行で透明な導電性のアノード１４が蒸着プロセスに
よって基体１１上に形成される。

この場合、基体を含むチャンバが排気され、ドープされ
た酸化スズ又は酸化インジウム−スズが既知のやり方で
ガラス上に形成される。好ましい実施例では、ドープさ
れた酸化スズが８０％の光透過度及び５Ω／平方の抵抗
率を与えるに充分な薄い膜として付着される。その後、
基体１１及びアノードの上に金属アルミニウムを５０な
いし１５０人、好ましくは１００人蒸着することにより
、アノード１４上に中間Ｍ９が形成される。

金属アルミニウムは、良く知られたように、真空金属化
機械によって基体上に蒸着される。操作に際し、アノー
ドが形成された基体が穏やかな清浄剤及び脱イオン水で
洗浄され、脱イオン水でゆすがれ、イソプロピルアルコ
ールで再びゆすがれる。きれいになった基体は、真空チ
ャンバ（図示せず）内に配置された回転可能なカル−セ
ル（図示せず）の周囲に配置される。このチャンバ内は
１０−５ｔｏｒｒ以上の真空にされ、カル−セルを回転
させながらアルミニウムを蒸着する。回転の速度は、濃
密でピンホールのない１００人のアルミニウム膜を基体
１１及びアノード１４上に付着するのにカル−セル１回
転ですむようにする。次いで、このアルミニウム膜を約
４５０−５００℃の空気中でベーキングし、アルミニウ
ム膜を酸化アルミニウムに変える。

本発明は、一般に、酸化アルミニウムを中間層として使
用することに限定されるものではないことを理解された
い。酸化マグネシウムやフッ化マグネシウムや酸化イツ
トリウムや硫化亜鉛のような他の透明な絶縁材料も使用
することができる。

更に、本発明は、基体１１上に中間層を形成するための
特定のプロセスや方法に限定されるものでもない。ピン
ホールがなく、可視光線を透過しそして均一な厚みを有
する中間層を形成するものであれば、蒸着やスパッタリ
ングのような既知のプロセスを用いて中間層を形成する
こともできる。

又、中間層は、破壊電圧が６ないし１５ボルト、好まし
くは約１０ボルトでなければならない。又、中間層は、
例えば、金属酸化物の形態でスパッタリングによって基
体に直接付着することができ、これにより、空気中でベ
ーキングするプロセス段階を排除することができる。

アノード及び中間層を付着するプロセスとは別に、硫化
亜鉛結晶の均質な粉末が用意される。

この粉末は、約０．１ないし約１．０重量％、好ましく
は約０．４重量％のマンガンと、好ましくは約０．０５
重量％の銅とを含んでいる。結晶粒子のサイズは、０．
１ないし２．５ミクロンである。操作に際し、塩の水溶
液が最初に用意される。

この溶液は、通常のアニオンと、所望の割合のカチオン
、例えば、０．４％の酢酸マンガン及び０゜０５％の酢
酸銅を含む酢酸亜鉛とを含んでいる。

チオアセトアミドのような沈殿剤がこの溶液に添加され
て、硫化亜鉛、硫化マンガン及び硫化鋼の粉末が所望の
割合で沈殿される。次いで、この沈殿物が酢酸及び脱イ
オン水で洗浄され、シリカるつぼにおいて９６０℃の不
活性雰囲気で焼成されて硫化亜鉛の再結晶を生成し、こ
れが洗浄され、乾燥されそしてふるいにかけられる。

次いで、結晶粒子は、蛍光体粒子１グラムについて、脱
イオン水を５ないし１０ｍＱと、０゜１モルの窒化鋼を
１ｍΩと、０．１モルの窒化銀を０．００５ｍ＋２含ん
でいるのが好ましい塩の水溶液中に浸漬されて懸濁され
る。この溶液は、ミクサで攪拌されて亜鉛と銅との表面
交換が行なわれ、硫化銅で覆われた硫化亜鉛：マンガン
の粒子が生成される。窒化銀は、蛍光体粒子上の硫化銅
の被膜に、該被膜における銅の重量で、約２ないし約１
２％、好ましくは５ないし約１０％そして更に好ましく
は約８％の量の銀を付与する。被膜で覆われた硫化亜鉛
：マンガンの粒子は、溶液から濾過され、脱イオン水で
ゆすがれそして乾燥される。

ニトロセルロースラッカと、バーキュレス・パウダー９
カンパニ（ｌｌｅｒｃｕｌｅｓ　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｃｏｍ
ｐａｎｙ）によって供給されるシンナーとを混合するこ
とによって誘電体バインダ溶液が作成される。一般に、
トルエン、キシレン、イソプロパツール、イソブチルア
セテート、アセトン及びメチルエチルケトンから作られ
たものであれば、他のシンナーを使用しても良いことが
理解されよう。

シンナーとバインダを混合する前に、シンナーに硫黄元
素が添加される。硫黄が添加された後に、過剰な分解し
なかった硫黄がもしあればフィルタで除去される。バイ
ンダ溶液として所望される粘性にもよるが、好ましくは
、２部又は３部のシンナー／硫黄溶液が１部のニトロセ
ルロースと混合されて、バインダ溶液を形成する。

バインダ溶液は、好ましくは、被膜で覆われた硫化亜鉛
：マンガンの蛍光体粒子１グラムについてバインダ溶液
２ミリリツタという割合で、この蛍光体粒子と混合され
る。シンナにおける硫黄の量は、被膜で覆われた蛍光体
粒子の重量で、０゜エないし３％、好ましくは０．２％
の硫黄を付与するに充分なものである。２部のシンナー
／硫黄溶液が１部のニトロセルロースと混合される場合
には、シンナー１ミリリツタ当たり１．５ｍｇの硫黄を
混合することにより硫黄の好ましい濃度が得られる。３
部のシンナー／硫黄溶液が１部のニトロセルロースと混
合される場合には、シンナー３ミリリツタ当たり約４　
ｍ　ｇの硫黄を混合することにより、硫黄の好ましい濃
度が得られる。

バインダ及び被膜の施された蛍光体は、ガラスビードと
共に振られて均質な混合物を形成する。

この混合物は、ガラスビードを除去するために張力が加
えられ、基体１１上のアノード１４及び中間Ｍ９に対し
て１５ないし４０ミクロン、好ましくは２５ミクロンの
厚みにスプレーされる。その後、シンナーが蒸発され、
硫化銅が予め被覆されている硫化亜鉛粒子の上に硫黄の
被膜が形成される。

蛍光体及びバインダの乾燥した層の上に蒸着によって約
１ないし２ミクロンのアルミニウムの層が付着される。

この厚みのアルミニウムは、好ましくは０．１Ω／平方
の抵抗率を有するカソード１７を形成する。蛍光体／バ
インダの層と、アルミニウムカソードの層は、次いで、
第１図に示すようにカソードが上に設けられた蛍光体材
料の平行な行を形成するように罫書きされる。

第１図は、パネルの構成を容易に理解するために、罫書
きされた蛍光体の行１５と、それに関連した罫書きされ
たカソード１７と、連続した中間層９とを示している。

然し乍ら、実際には、罫書きプロセスは、蛍光体及びア
ルミニウムの除去された部分の下に存在する酸化アルミ
ニウムの中間層の一部分を切削してしまい勝ちである。

従って、中間層は、カソード及び蛍光体と共に罫書きさ
れ、アノード１４はそのま＼の状態とされる。

このパネルは、付勢電圧及び電流を成る時間にわたって
供給してディスプレイの蛍光体素子をエレクトロルミネ
センスピクセルのマトリクスにする化成プロセスを受け
るまでは、ニレクトロルミネセンスマトリクスディスプ
レイとして使用することはできない、この化成プロセス
においては、第２図の永久的なキャップ２０よりも若干
大きな一時的なパックキャップ（図示せず）が基体１１
上で６４０列×２００行のパネルの素子の上に配置され
、クランプによりパネルに対して保持される。この一時
的なパックキャップは、例えば、基体とキャップの周囲
との間に配置されたシールガスケットによってパネルに
シールされる。次いで、８０℃ないし９０℃の温度にあ
るアルゴン又はヘリウムのような乾燥した不活性ガス又
は貴ガスがキャップ及び基体によって形成されたチャン
バにどっと入れられて、そこの空気と入れ代わり、窒素
及び水蒸気を除去する。

キャップのチャンバにこのようにガスをどっと入れた後
に、電圧／電流制御ソースが７ノード及びカソードに電
気的に接続されて、パネルの化成を開始する。この動作
中、第２図に概略的に示すように、ソースの正の端子が
アノード１４に接続されそして負の端子がカソード１７
に接続される。

初期の化或は、カソードとアノードとの間に約２５ボル
トの電圧を最初に印加することによって行なわれる。蛍
光体の行は、バインダ内にある蛍光体粉末粒子上の銅の
被膜によって電流を導通する。中間層は、約１０ボルト
でブレークダウンし、従って、電流を導通する。最初の
数秒間は、約１アンペアの最大電流がパネルに流れる。

この電流により、中間層は、蛍光体１５との界面におい
て迅速に加熱される。この加熱及び蛍光体に流れる電流
により、中間層の界面に隣接した薄い層の蛍光体粉末粒
子が状態を変え、固体の透明な発光膜を形成する。この
ような膜が形成されるにつれて、その領域にある蛍光体
の抵抗値が増加し、これにより、蛍光体及び中間層に流
れる電流を減少させる。約３分ないし４分の後に、パネ
ルの電流を約１００ｍＡに減少させるに充分な発光蛍光
体膜が形成される。この点において、パネルは、２５ボ
ルトで光を発生するように初期的に化成された。

連続的に化成を行なう場合には、印加電圧が２５ボルト
以上に増加され、電流が監視される。

電圧を最初に増加すると、電流が迅速に且つ大きく増加
する。電圧は、パネルに流れる電流が１゜２５ワット／
ｄ以下の連続的な電力消費を生じるまで増加される。６
４０Ｘ２００のパネルの実験的な化成においては、連続
的な電力消費を約２０ワット以下に維持すると、周囲空
気を送風するファンによって化成中に各パネルを冷却す
れば、はとんど劣化のないパネルが形成されると分かっ
た。

然し乍ら、電力消費の他の上限値を用いることもできる
。又、化成のための電圧をパルス状にして、ディスプレ
イの蛍光体に過熱や劣化を招くことなく比較的高い瞬間
的なピーク電圧及び電流を使用することもできる。

化成電圧と電流の積が例えば２０ワットの最大許容電力
に等しいときには、パネルの電流が充分に下がって再び
電圧を増加できるようになるまで、規定の最大連続電力
消費を越えることなく、電圧が維持されそして発光膜が
更に化成される。

電圧は約５０ボルトが印加されるまで周期的に増加され
、この５０ボルトの点において初期化成が完了し、最終
化成において以下で述べるように７０ないし８ｏボルト
の電圧まで或いは好ましくは約７０ボルトまで電圧が更
に増加され、このとき約１ミクロン厚みの透明な発光膜
が蛍光体に形成される。この点において、パネルは最終
的に化成されて、約７０ボルトの電圧で光を発生するよ
うになる。

化成プロセスでは、好ましくは蛍光体と中間層との界面
に熱が集中されることが必要であるが、特に、パネルが
蛍光体の硫化銅の相移行点（１０３℃）よりも加熱され
たときには、過剰な熱によって蛍光体が劣化され、パネ
ルの輝度が低下し、その寿命が短くなる。

化成の速度は、印加する化成電圧を上げることによって
増加できることが知られている。理論的には、化成電圧
は上記したレベルより上に増加することができ、モして
化成時間は、例えば、冷蔵又は水冷によってパネルが充
分に冷却される場合には、蛍光体の過熱により生じる劣
化を回避するだめに短縮することができる。又、酸化ア
ルミニウム以外の材料を中間層として使用する場合には
、化成のための電圧／電流関係が変化する。更に、この
ような異なった材料に対する好ましい厚みは、酸化アル
ミニウムの好ましい厚み１００人とは異なる。

例えば、１行のエレクトロルミネセンステストパネルに
おいて、酸化マグネシウムの中間層は、酸化アルミニウ
ムの中間層との化成に必要な化成時間及び化成電流の半
分未満しか必要としないことが分かった。酸化イツトリ
ウムの中間層は、酸化アルミニウムの中間層に必要な電
流の約７５％ではゾ同じ時間化成される。フッ化マグネ
シウム中間層しこついてのデータは現在得られないが、
この材料では化成電流及び化成時間を効果的に減少でき
ることが知られている。酸化アルミニウムの中間層は、
エレクトロルミネセンスパネルにおいて比較的容易に化
成できる点で好ましいものである。然し乍ら、本発明の
プロセスは、酸化アルミニウムの中間層や、この中間層
に対して前記した化成電流及び電圧の値に限定されるも
のではない。

最終的な化成の後に、一時的なキャップがパネルの基体
から除去される。次いで、基体は、第２図のキャップ２
ｏを用いて、真空又はアルゴンやヘリウムのような不活
性ガス又は貴ガスの雰囲気に永久的に密封される。或い
は又、キャップ２０を被せる前に過剰な水をパネルから
除去することができる。前記したように、水は、より以
上の化成によって蛍光体を劣化させる傾向があるので望
ましくない。このより以上の化或は、成る時間以上に継
続する化成プロセスの不所望な部分であり、所与の発光
を生じさせるのにより高い電圧を必要とする。最終的に
は、パネルを発光させるために必要な付勢電圧がパネル
の駆動回路の電圧出力を越えることになる。この点にお
いては、パネルを使用することができない。

１つのこのような水除去プロセスにおいては、パネルが
真空状態にされ、そして約９０℃に約２時間加熱され、
過剰な水及び他の揮発性の汚染物が除去される。新たに
ガス抜きされた分子ふるい２１がパックキャップに配置
され、次いで、真空又はアルゴンやヘリウムのような不
活性ガス又は貴ガスで密封される。

或いは又、化成の後に、パネルをフリーズドライ技術で
処理して余計な水を除去することができる。この水除去
プロセスでは、一時的なキャップが取り外され、パネル
がチャンバ（図示せず）に配置されて、チャンバが真空
状態にされる０次いで、アルゴンやヘリウムのような不
活性ガス又は貴ガスが導入され、チャンバの温度が一１
０℃未満、好ましくは一３０℃未満に下げられ、パネル
内の水が凍結される。

次いで、コンジットを経てチャンバが部分的な真空にさ
れ、チャンバの圧力が絶対圧力で２５ｔｏｒｒ未満、好
ましくは１２ｔｏｒｒ未満に下げられる。

この真空によりパネルの氷が昇華され、真空コンジット
を通してパネル及びチャンバから出るようにされる。こ
の真空は、全ての氷がパネルから除去されるまで典型的
に約２０ないし６０分間維持される。その後、チャンバ
が真空にされるか又はアルゴンやヘリウムのような不活
性ガス又は貴ガスが導入され、新たにガス抜きされたふ
るい２１と共にパックキャップ２０が基体に対して永久
的にシールされる。水を除去しそしてパネルの素子を乾
燥シールすることによりそれ以上の化成が減少又は排除
され、それ故、パネルの作動寿命が延ばされる。

パネルがシールされた後に、シールされたパネルを温か
い水に沈めて気泡を［６することによりパックキャップ
２０の漏れがテストされる。又、シールされたパネルを
真空チャンバに入れて、部分真空にし、キャップ２０か
ら漏れる不活性ガスがあるかどうかチェックすることに
より小さな漏れを検出することができる。

製造の最終段階として、約１２０ボルトの作動電圧の１
２ないし１７マイクロ秒のパルスを用いそしてパルス付
勢される行の各ピクセルに約０゜５ｍＡの瞬時電流を供
給するに充分な打電流を用いてパネルの行を１ないし２
時間繰返し順次に付勢することによってシールされたパ
ネルがエージングされる。このエージングの後に、パネ
ルは、通常の作動状態のもとで比較的均一に発光しなけ
ればならない。

ここに述べるプロセスにおいては、蛍光体１５とカソー
ド１７が化成の前に罫書きされる。然し乍ら、罫書きプ
ロセスは、蛍光体及びアルミニウムのカソード層をその
ま＼の状態にしてマトリクスパネルを化成することによ
り容易にされる。

前記したように、化成プロセスでは、蛍光体と中間層と
の界面に固体の発光膜が形成される。化成プロセスの後
にカソード及び蛍光体が罫書きされる場合には、化成さ
れなかった余計な粉末蛍光体及びカソード材料が除去さ
れ、その下の中間層及び酸化スズのアノードが固体の発
光膜によって保護される。従って、比較的もろい酸化ス
ズのアノードを通して切断するおそれを少なくして罫書
きを行なうことができる。

第２図は、ディスプレイのアノード及びカソードに対す
る電力接続を概略的に示している。製造中に、これらの
接続部は、カソード及びアノードの端から中間層９の一
部分を除去しそして導電性のブリッジリンクを付着して
行電極を行接点端子に接続すると共に列電極を列接点端
子に接続することによって形成されることが理解されよ
う。

電力は、コネクタ（図示せず）によってこれらの端子に
供給される。

エレクトロルミネセンスマトリクスディスプレイパネル
の蛍光体素子には４つの欠陥モードがあることがａｍさ
れる。使用中の各蛍光体素子は、実際には、分路抵抗と
並列で且つ直列抵抗と直列なキャパシタである。発光膜
における電圧降下の増加は、「より以上の化成」即ち電
界発光を生じさせる所望点を菖える化成プロセスの進行
として知られている。分路抵抗の抵抗値が下がることは
、「軟化」として知られている。直列抵抗の抵抗値が増
加することは、「負荷ラインの平坦化」として知られて
いる。第４の欠陥モードは、量子機械的な劣化である。

蛍光体から窒素を排出させることは、蛍光体内に導電性
の窒化硫黄（ＳＮｘ）ポリマが生成されるのを防止する
ことによって軟化の影響を減少させる傾向がある。前記
したように、銀を添加すると、これが蛍光体内のＳＮｘ
と結合して熱又は電気エネルギの存在する中で無害なＳ
、Ｎ、に変換されることにより軟化を減少又は排除する
。又、銀は、負荷ラインの平坦化も防止する。前記した
ように、硫黄を添加すると、硫化亜鉛から硫黄を除去す
るプロセス（電気化学的な分解、硫化窒素を生成する窒
素の反応、又は二酸化硫黄又は酸化亜鉛を生成する酸化
）によって量子機械的な劣化を防止するように働く。又
、硫黄は、加えた駆動電流に対して発光の所望の立上り
時間を改善及び維持しようとする傾向がある。パネルか
ら水を除去することにより、蛍光体のより以上の化成及
び劣化が回避される。更に、中間層は、パネルを低い電
力レベルで迅速且つ均一に化成できるようにし、これに
より、蛍光体の不所望の劣化を回避すると共に、製造プ
ロセスを容易にする。

特定の好ましい材料及び製造プロセスの段諧について説
明したが、本発明は、この特定の説明に限定されるもの
ではない。本発明は、特許請求の範囲及びその等動物に
よって規定されるものとする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるエレクトロルミネセンスマトリ
クスディスプレイパネルの一部分を示す概略斜視図、そ
して 第２図は、第１図のエレクトロルミネセンスマトリクス
ディスプレイパネルの断面図であって、第１図の２−２
線に沿ってその構造を詳細に示した図である。 ９・・・中間層 １０・・・エレクトロルミネセンスマトリクスディスプ
レイパネル １１・・・透明な基体 １２・・・観察者　　　　　１３・・・視線１４・・・
アノード １５・・・蛍光体の行 １６・・・蛍光体粒子 １７・・・カソード　　　　１８・・・ピクセル２０・
・・パックキャップ ２１・・・分子ふるい ２２・・・メタルスクリーン 図面の浄書（内容に変更なし） ！２−υ 昭和　　年　　月　　日 １．事件の表示　　　昭和６３年特許願第５８１０７号
２、発明の名称　　　エレクトロルミネセンスディスプ
レイ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 名称　　　　ザ　チェリー　コーポレーション４、代理
人 ７、補正の内容 願書に最初に添付した図面の浄書・別紙のとおり（内容
に変更なし）

Claims (40)

【特許請求の範囲】
1. （１）実質的に透明な非導電性の基体手段と、上記基体
   手段上に配置された少なくとも１つの実質的に透明な導
   電性の第１電極手段と、上記基体手段及び上記第１電極
   手段上に配置された実質的に透明な無機の絶縁中間層手
   段と、上記中間層手段上に配置された粉末の蛍光体手段
   と、 上記蛍光体手段上に配置された少なくとも１つの導電性
   の第２電極手段とを具備し、 上記中間層手段は、上記第１電極手段と第２電極手段と
   の間に印加された化成電圧に応答して上記蛍光体手段の
   隣接部分を加熱する手段を有し上記蛍光体手段は、上記
   化成電圧と上記中間層手段により与えられる加熱とに応
   答して実質的に透明な発光膜を化成する手段を有するこ
   とを特徴とするエレクトロルミネセンスディスプレイ。
2. （２）上記中間層手段は、厚みが１００Åの膜である請
   求項１に記載のディスプレイ。
3. （３）上記中間層手段は、厚みが５０ないし１５０Åの
   膜である請求項１に記載のディスプレイ。
4. （４）上記中間層手段は、実質的に透明な金属酸化物フ
   ィルムである請求項１に記載のディスプレイ。
5. （５）上記中間層手段は、ブレークダウン電圧が６ない
   し１５ボルトの絶縁フィルムである請求項１に記載のデ
   ィスプレイ。
6. （６）上記中間層手段は、ブレークダウン電圧が約１０
   ボルトの絶縁フィルムである請求項１に記載のディスプ
   レイ。
7. （７）上記中間層手段は、実質的に透明な酸化アルミニ
   ウム膜である請求項１に記載のディスプレイ。
8. （８）上記酸化アルミニウムの膜は、厚みが１００Åで
   ある請求項７に記載のディスプレイ。
9. （９）上記中間層手段は、酸化アルミニウム、酸化マグ
   ネシウム、フッ化マグネシウム、酸化イットリウム及び
   硫化亜鉛より成る群から選択された膜である請求項１に
   記載のディスプレイ。
10. （１０）　上記の膜は、５０ないし１５０Åの厚みであ
    る請求項４、５、６、７又は９に記載のディスプレイ。
11. （１１）　実質的に透明な基体と、 上記基体上に配置された複数の離間された平行な実質的
    に透明な導電性アノードと、 上記アノードに対して垂直離間関係で上記アノード上に
    配置された複数の離間された平行な導電性カソードと、 上記アノードとカソードとの交差点においてカソードに
    接触するようにアノードとカソードとの間に配置された
    エレクトロルミネセンス蛍光体手段と、 上記エレクトロルミネセンス蛍光体手段の化成を容易に
    するように上記アノードと蛍光体手段との間でアノード
    に接触するように配置された絶縁膜とを具備し、この絶
    縁膜は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、フッ化
    マグネシウム、酸化イットリウム及び硫化亜鉛より成る
    群から選択されることを特徴とするエレクトロルミネセ
    ンスマトリクスディスプレイ。
12. （１２）　上記の膜は、厚みが５０ないし１５０Åであ
    る請求項１１に記載のディスプレイ。
13. （１３）　上記の膜は酸化アルミニウムであつて、約１
    ００Åの厚みである請求項１１に記載のディスプレイ。
14. （１４）　少なくとも１つの実質的に透明な導電性の第
    １電極を実質的に透明な基体上に配置し、上記少なくと
    も１つの第１電極に接触するように絶縁性の無機中間層
    を形成し、 誘電体バインダ及びエレクトロルミネセンス蛍光体を含
    む燐光材料を上記無機中間層に接触してその上に付着し
    、 少なくとも１つの導電性の第２電極を上記燐光材料に接
    触してその上に配置し、 上記第１電極及び第２電極にまたがって化成電圧及び電
    流を供給し、そして 上記中間層に隣接する燐光材料を透明な発光膜へと化成
    するという段階を具備したことを特徴とするエレクトロ
    ルミネセンスディスプレイを製造する方法。
15. （１５）　化成電圧及び電流を供給する上記段階は、上
    記ディスプレイで消費される連続的な電力が予め選択さ
    れた値より小さくなるように上記電圧及び電流を制御す
    る段階を備えている請求項１４に記載の方法。
16. （１６）　上記予め選択された値は、上記燐光材料の１
    平方センチメータ当たり１．２５ワットである請求項１
    ５に記載の方法。
17. （１７）　上記予め選択された値は、酸化アルミニウム
    の中間層と、約６４０の第１電極と、この第１電極に垂
    直の関係で配置された約２００の第２電極とを有するマ
    トリクスディスプレイの場合に２０ワットである請求項
    １５に記載の方法。
18. （１８）　中間層を形成する上記段階は、上記中間層を
    酸化アルミニウム膜として形成する段階を備えている請
    求項１４に記載の方法。
19. （１９）　中間層を形成する上記段階は、酸化アルミニ
    ウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化イ
    ットリウム及び硫化亜鉛より成る群から中間層の材料を
    選択しそしてこの選択された材料から絶縁膜を形成する
    段階を含む請求項１４に記載の方法。
20. （２０）　上記膜を形成する段階は、上記膜を５０ない
    し１５０Åの厚みに形成する段階を含む請求項１８又は
    １９に記載の方法。
21. （２１）　上記膜を形成する段階は、上記膜を約１００
    Åの厚みに形成する段階を含む請求項１８に記載の方法
    。
22. （２２）　上記第１及び第２電極、中間層及び燐光材料
    を不活性ガスでフラッシングして少なくとも窒素及び水
    を除去し、上記不活性ガスにおいて燐光材料を化成する
    段階を更に備えた請求項１４に記載の方法。
23. （２３）　上記不活性ガスは、アルゴン及びヘリウムよ
    り成る群から選択される請求項２２に記載の方法。
24. （２４）　硫化銅及び銀が被覆された硫化亜鉛：マンガ
    ン粒子から上記エレクトロルミネセンス蛍光体を形成す
    る段階を更に備えた請求項１４に記載の方法。
25. （２５）　上記第１及び第２電極、中間層及び燐光材料
    を不活性ガスでフラッシングして少なくとも窒素及び水
    を除去し、上記不活性ガスにおいて燐光材料を化成する
    段階を更に備えた請求項２４に記載の方法。
26. （２６）　上記不活性ガスは、アルゴン及びヘリウムよ
    り成る群から選択される請求項２５に記載の方法。
27. （２７）　ニトロセルロース及び硫黄元素から上記誘電
    体バインダを形成する段階を更に備えた請求項２４に記
    載の方法。
28. （２８）　上記第１及び第２電極、中間層及び燐光材料
    を不活性ガスでフラッシングして少なくとも窒素及び水
    を除去し、上記不活性ガスにおいて燐光材料を化成する
    段階を更に備えた請求項２７に記載の方法。
29. （２９）　上記不活性ガスは、アルゴン及びヘリウムよ
    り成る群から選択される請求項２８に記載の方法。
30. （３０）　ニトロセルロース及び硫黄元素からバインダ
    を形成する上記段階は、上記硫黄を上記エレクトロルミ
    ネセンス蛍光体の重量で０．１％ないし３％の割合で与
    える段階を備えている請求項２７に記載の方法。
31. （３１）　ニトロセルロース及び硫黄元素からバインダ
    を形成する上記段階は、上記硫黄を上記エレクトロルミ
    ネセンス蛍光体の重量で０．２％の割合で与える段階を
    備えている請求項２７に記載の方法。
32. （３２）　フリーズドライ技術によって上記化成された
    燐光材料から余計な水を除去し、上記第１及び第２電極
    、中間層及び化成された燐光材料を真空又は不活性ガス
    中にシールする請求項１４、２２、２８、３０又は３１
    項に記載の方法。
33. （３３）　上記不活性ガスは、アルゴン及びヘリウムよ
    り成る群から選択される請求項３２に記載の方法。
34. （３４）　真空中で上記材料を加熱することによって上
    記化成された燐光材料から余計な水を除去し、そして上
    記第１及び第２電極、中間層及び化成された燐光材料を
    真空又は不活性ガス中にシールする請求項１４、２２、
    ２８、３０又は３１項に記載の方法。
35. （３５）　上記不活性ガスは、アルゴン及びヘリウムよ
    り成る群から選択される請求項３４に記載の方法。
36. （３６）　少なくとも１つの実質的に透明な導電性の第
    １電極を実質的に透明な基体上に配置し、少なくとも１
    つの導電性の第２電極を上記第１電極と離間関係で配置
    し、 誘電体バインダ及びエレクトロルミネセンス蛍光体を含
    む燐光材料を上記第１電極と第２電極との間に付着し、 上記第１及び第２電極と上記燐光材料を不活性ガスでフ
    ラッシングして少なくとも窒素及び水を除去し、 上記第１電極及び第２電極にまたがって化成電圧及び電
    流を供給し、そして 上記燐光材料を上記不活性ガス中で化成するという段階
    を具備したことを特徴とするエレクトロルミネセンスデ
    ィスプレイを製造する方法。
37. （３７）　硫化銅及び銀が被覆された硫化亜鉛：マンガ
    ン粒子から上記エレクトロルミネセンス蛍光体を形成す
    る段階を備えた請求項３６に記載の方法。
38. （３８）　ニトロセルロース及び硫黄元素から上記誘電
    体バインダを形成する段階を更に備えた請求項３７に記
    載の方法。
39. （３９）　ニトロセルロース及び硫黄元素からバインダ
    を形成する上記段階は、上記硫黄を上記エレクトロルミ
    ネセンス蛍光体の重量で０．１ないし３％の割合で与え
    る段階を含む請求項３８に記載の方法。
40. （４０）　ニトロセルロース及び硫黄元素からバインダ
    を形成する上記段階は、上記硫黄を上記エレクトロルミ
    ネセンス蛍光体の重量で０．２％の割合で与える段階を
    含む請求項３８に記載の方法。