JPS5956390A - Ｅｌ薄膜の形成方法 - Google Patents
Ｅｌ薄膜の形成方法Info
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- JPS5956390A JPS5956390A JP57167128A JP16712882A JPS5956390A JP S5956390 A JPS5956390 A JP S5956390A JP 57167128 A JP57167128 A JP 57167128A JP 16712882 A JP16712882 A JP 16712882A JP S5956390 A JPS5956390 A JP S5956390A
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- Japan
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- thin film
- zns
- film
- forming
- sputtering
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
この発明は、ＥＬ表示装置の発光層となるＥＬ薄膜の形
成方法に関し、特に発光中心としてＴｂＦ。
成方法に関し、特に発光中心としてＴｂＦ。
のような希土類弗化物を用いたＥ Ｌ薄膜の新しい形成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（ｂｌ 技術の背景
最近、全固体化表示装置としてＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）薄膜を利用した平板状表示装置の実用化が広
く注目されている。ところが現在までに開発されたＥＬ
表示装置は、主として発光層にＭｎドープのＺｎＳ薄膜
を用いた黄橙色発光型のものであり、多色表示を達成す
る観点から、発光色の異なるＥＬ薄膜の開発が望まれて
いる。
ッセンス）薄膜を利用した平板状表示装置の実用化が広
く注目されている。ところが現在までに開発されたＥＬ
表示装置は、主として発光層にＭｎドープのＺｎＳ薄膜
を用いた黄橙色発光型のものであり、多色表示を達成す
る観点から、発光色の異なるＥＬ薄膜の開発が望まれて
いる。
ｆｃｌ 従来技術と問題点
一方、従来から、発光中心として希土類弗化物を用いれ
ば、種々の発光色の得られることが知られている。しか
しながら、希土類弗化物添加のＥＬ薄膜についてこれま
で報告されたデータでは、いずれも発光の輝度や効率等
が不充分で、ＺｎＳ ：Ｍｎの特性に匹敵するようなＥ
ＬＭ膜は得難い状況にある。
ば、種々の発光色の得られることが知られている。しか
しながら、希土類弗化物添加のＥＬ薄膜についてこれま
で報告されたデータでは、いずれも発光の輝度や効率等
が不充分で、ＺｎＳ ：Ｍｎの特性に匹敵するようなＥ
ＬＭ膜は得難い状況にある。
因に、ＺｎＳに発光中心としてＴｂＦＪを添加したＥＬ
薄膜を用いると緑色発光の得られることが知られている
が、ＺｎＳ：Ｍｎの場合と同様の電子ビーム蒸着法で形
成したＺｎＳ：ＴｂＦ３膜でば、ＴｂＦ、がクラスタ状
に付着して薄膜中のＴｂＦＪ濃度が不均一になる問題が
ある。また、ＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜を高周波スパッタ
リングの手法で成膜することも一部試みられているが、
得られたＥＬ薄膜の発光特性は実用性の観点から見て充
分とはいい難い。
薄膜を用いると緑色発光の得られることが知られている
が、ＺｎＳ：Ｍｎの場合と同様の電子ビーム蒸着法で形
成したＺｎＳ：ＴｂＦ３膜でば、ＴｂＦ、がクラスタ状
に付着して薄膜中のＴｂＦＪ濃度が不均一になる問題が
ある。また、ＺｎＳ ： ＴｂＦ３膜を高周波スパッタ
リングの手法で成膜することも一部試みられているが、
得られたＥＬ薄膜の発光特性は実用性の観点から見て充
分とはいい難い。
（ｄ＋ 発明の目的
この発明は、以上のような従来の状況から、希土類弗化
物を発光中心とするＥＬ薄膜のための新しい成膜手法を
提供し、以てこの種ＥＬ薄膜の特性の改善を目的とする
ものである。さらに具体的に述べるとこの発明は、Ｚｎ
Ｓ： ＴｂＦ、１よりなる緑色発光ＥＬ薄膜のような希
土類弗化物系ＥＬ薄膜の発光効率と輝度の向上を目的と
するものであり、ひいてはＥＬ表示装置の多色化の要望
を満たそうとするものである。
物を発光中心とするＥＬ薄膜のための新しい成膜手法を
提供し、以てこの種ＥＬ薄膜の特性の改善を目的とする
ものである。さらに具体的に述べるとこの発明は、Ｚｎ
Ｓ： ＴｂＦ、１よりなる緑色発光ＥＬ薄膜のような希
土類弗化物系ＥＬ薄膜の発光効率と輝度の向上を目的と
するものであり、ひいてはＥＬ表示装置の多色化の要望
を満たそうとするものである。
（ｅｌ 発明の構成
上記のような目的を達成すべくこの発明によるＥＬ薄膜
の形成方法は、要するに、希土類弗化物を所定量添加し
た発光母材をターゲットとしてスパッタリングによりＥ
Ｌ薄膜を形成することと、該スパッタリングによる膜厚
を少なくとも５０００Å以上に成膜すること、および成
膜後のＥＬ薄膜を５００ ’Ｃを越えない範囲で熱処理
すること、の３点を特徴とするものである。
の形成方法は、要するに、希土類弗化物を所定量添加し
た発光母材をターゲットとしてスパッタリングによりＥ
Ｌ薄膜を形成することと、該スパッタリングによる膜厚
を少なくとも５０００Å以上に成膜すること、および成
膜後のＥＬ薄膜を５００ ’Ｃを越えない範囲で熱処理
すること、の３点を特徴とするものである。
（ｆ） 発明の実施例
以下この発明の好ましい実施例につき、図面を参照して
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第１図は、この発明を適用して作成したＥＬ表示装置の
１例構造を模式的に示す断面図で、透明ガラス基板１の
上にインジウム酸化物と錫酸化物の混合蒸着膜（ＩＴＯ
膜）よりなる透明電極２が設けられ、その上にＺｎＳ：
ＴｂＦ、１のＥＬ薄膜３と＾Ｌの背面電極４を積層した
構造となっている。しかしてこの第１図の構成自体はＤ
Ｃ（直流）発光型ＥＬ素子の代表例として周知のもので
あり、一般的には透明電極２と背面電極４の間にＤＣ電
圧源５を接続することにより、ＥＬ薄膜３が発光してガ
ラス基板１側から表示を観察することが可能となる。
１例構造を模式的に示す断面図で、透明ガラス基板１の
上にインジウム酸化物と錫酸化物の混合蒸着膜（ＩＴＯ
膜）よりなる透明電極２が設けられ、その上にＺｎＳ：
ＴｂＦ、１のＥＬ薄膜３と＾Ｌの背面電極４を積層した
構造となっている。しかしてこの第１図の構成自体はＤ
Ｃ（直流）発光型ＥＬ素子の代表例として周知のもので
あり、一般的には透明電極２と背面電極４の間にＤＣ電
圧源５を接続することにより、ＥＬ薄膜３が発光してガ
ラス基板１側から表示を観察することが可能となる。
ここで本発明に従うと、上記ＥＬ薄膜３は、高周波スパ
ッタリング法によって作られる。すなわち、第２図は高
周波スパッタリングの模様を示す概念図で、ターゲット
ホルダ６上の石英シャーレ７の中にターゲツト材８が入
れである。ターゲツト材８はこの場合、発光母材として
のＺｎＳ粉末に発光中心となるＴｂＦ、粉末を２％前後
の割合で添加した混合粉末の形で準備されており、その
直径は約１０５ｆｉである。他方背面にヒータ９をそな
えた基板ホルダ１０上に前記ターゲットと約４０１ｍの
間隔をへだでて対向するよう基板１が設置しである。
ッタリング法によって作られる。すなわち、第２図は高
周波スパッタリングの模様を示す概念図で、ターゲット
ホルダ６上の石英シャーレ７の中にターゲツト材８が入
れである。ターゲツト材８はこの場合、発光母材として
のＺｎＳ粉末に発光中心となるＴｂＦ、粉末を２％前後
の割合で添加した混合粉末の形で準備されており、その
直径は約１０５ｆｉである。他方背面にヒータ９をそな
えた基板ホルダ１０上に前記ターゲットと約４０１ｍの
間隔をへだでて対向するよう基板１が設置しである。
基板１の表面には事前に透明電極２のような下地構成要
素が形成されている。
素が形成されている。
上記のような形態で、最初にスパッタリング装置のベル
ジャ（図示せず）内を真空に排気しつつターゲツト材８
を加熱してターゲツト材の脱ガス処理を行う。その後、
１例としてベルジャ内にＡｒガスを２×１０Ｔｏｒｒの
圧力になるよう導入し、基板温度を１５０℃に設定する
とともにスパッタリングパワーを１００Ｗに調整してス
パッタする。このときのスパッタリング速度は、 １５
０人／ｍｉｎであった。
ジャ（図示せず）内を真空に排気しつつターゲツト材８
を加熱してターゲツト材の脱ガス処理を行う。その後、
１例としてベルジャ内にＡｒガスを２×１０Ｔｏｒｒの
圧力になるよう導入し、基板温度を１５０℃に設定する
とともにスパッタリングパワーを１００Ｗに調整してス
パッタする。このときのスパッタリング速度は、 １５
０人／ｍｉｎであった。
かかるスパッタリング法ではターゲット表面の原子が一
層ずつスパッタされて基板上に付着するので、電子ビー
ム蒸着法のようにＴｂＦ、ｌがクラスタ状に存在するこ
とはなく、 ＺｎＳ中のＴｂＦＪ濃度分布は均一なもの
となる。このようにしてＺｎＳ ： ＴｂＦ、１の薄膜
３を形成後、スパッタリングによるダメージを回復して
膜の結晶性を改善するための熱処理を施し、最後に６愛
の背面電極４を真空蒸着法で形成して第１図の素子を得
る。
層ずつスパッタされて基板上に付着するので、電子ビー
ム蒸着法のようにＴｂＦ、ｌがクラスタ状に存在するこ
とはなく、 ＺｎＳ中のＴｂＦＪ濃度分布は均一なもの
となる。このようにしてＺｎＳ ： ＴｂＦ、１の薄膜
３を形成後、スパッタリングによるダメージを回復して
膜の結晶性を改善するための熱処理を施し、最後に６愛
の背面電極４を真空蒸着法で形成して第１図の素子を得
る。
第３図は上記のようにして作成したＥＬ素子の発光効率
とＺｎＳ：ＴｂＦＪ膜３の膜厚との関係を示す図で、膜
厚が５０００Å以上のところでは効率はほぼ一定となる
が、５０００Å以下では効率が急激に低下して、膜厚依
存性が顕著となり、一様で安定した特性は得難いものと
なる。これは膜厚が５０００Å以下ではＺｎＳの結晶性
が悪く、発光中心を励起する電子が結晶粒界で遮られて
充分に加速されないためと考えられる。従って、０．１
ｎｍ／Ｗ以上の安定した効率が得られて、しかもできる
だけ膜厚の不均一さに伴う発光特性の不均一さを解消す
るためには、少なくとも５０００Å以上の厚みのスパッ
タ膜を形成することが必要である。ただし、膜厚が厚く
なるほど動作に必要な電圧も高くなるので、動作電圧と
の兼合いから実際上の膜厚は１．ａｍ前後に選ぶのが好
ましい。
とＺｎＳ：ＴｂＦＪ膜３の膜厚との関係を示す図で、膜
厚が５０００Å以上のところでは効率はほぼ一定となる
が、５０００Å以下では効率が急激に低下して、膜厚依
存性が顕著となり、一様で安定した特性は得難いものと
なる。これは膜厚が５０００Å以下ではＺｎＳの結晶性
が悪く、発光中心を励起する電子が結晶粒界で遮られて
充分に加速されないためと考えられる。従って、０．１
ｎｍ／Ｗ以上の安定した効率が得られて、しかもできる
だけ膜厚の不均一さに伴う発光特性の不均一さを解消す
るためには、少なくとも５０００Å以上の厚みのスパッ
タ膜を形成することが必要である。ただし、膜厚が厚く
なるほど動作に必要な電圧も高くなるので、動作電圧と
の兼合いから実際上の膜厚は１．ａｍ前後に選ぶのが好
ましい。
次に第４図は、同じ条件でスパッタリングしたＺｎＳ：
ＴｂＦ７薄膜を真空中で熱処理した時の発光効率と温度
の関係を示す線図である。図から明らかなように、４８
０℃で熱処理したものが最大の発光効率を示し、５００
℃以上では効率が極端に悪くなる傾向にある。このよう
に高温処理によって効率が低下する現象は、一般的なＺ
ｎＳ：Ｍｎの蒸着膜の熱処理時に見られる現象とは著し
く異なっている。
ＴｂＦ７薄膜を真空中で熱処理した時の発光効率と温度
の関係を示す線図である。図から明らかなように、４８
０℃で熱処理したものが最大の発光効率を示し、５００
℃以上では効率が極端に悪くなる傾向にある。このよう
に高温処理によって効率が低下する現象は、一般的なＺ
ｎＳ：Ｍｎの蒸着膜の熱処理時に見られる現象とは著し
く異なっている。
すなわちＺｎＳ：Ｍｎ膜の場合には、発光中心としての
Ｍｎの拡散を促進して濃度分布を均一にするとともにＺ
ｎＳの結晶性を改善するという観点から熱処理温度は高
いほど良いとされ、通常はガラス基板の加熱許容温度か
ら定まる５８０°Ｃを代表例として、殆どの場合５００
℃以上の熱処理を施すのが普通となっていた。
Ｍｎの拡散を促進して濃度分布を均一にするとともにＺ
ｎＳの結晶性を改善するという観点から熱処理温度は高
いほど良いとされ、通常はガラス基板の加熱許容温度か
ら定まる５８０°Ｃを代表例として、殆どの場合５００
℃以上の熱処理を施すのが普通となっていた。
しかるにこの発明の対象とするＺｎＳ：ＴｂＦＪ膜の場
合、発光中心としてのＴｂＦ、はＭｎのように熱処理に
よって拡散させることができないため、あえてスパッタ
リング法で成膜しているのであり、ＺｎＳ中のＴｂＦ、
濃度分布はすでに均一なものとなっているので、熱処理
はもっばらスパッタリングダメージを回復してＥＬ薄膜
の結晶性を改善す乞という意味を持つ。従って結晶性の
改善に効果のある低温域では、処理温度の増大とともに
発光効率が向上するけれども、５００℃以上に処理温度
が上昇すると、Ｍｎの場合のような発光中心の拡散効果
による効率の改善は見られず、なんらかの原因で効率が
低下する。従って、ＴｂＦ、のような化合物の形の発光
中心を添加してスパッタリングによって形成したＥＬ薄
膜については、５００℃を越えない範囲で熱処理を施す
ことが肝要である。図示した実施例の場合、最も好まし
い熱処理温度は４８０℃であり、その低温側において結
晶性改善効果を得るためには、成膜時のスパッタリング
条件や処理時間によっても異なるが、少なくとも３５０
℃以上で処理するのが好ましい。
合、発光中心としてのＴｂＦ、はＭｎのように熱処理に
よって拡散させることができないため、あえてスパッタ
リング法で成膜しているのであり、ＺｎＳ中のＴｂＦ、
濃度分布はすでに均一なものとなっているので、熱処理
はもっばらスパッタリングダメージを回復してＥＬ薄膜
の結晶性を改善す乞という意味を持つ。従って結晶性の
改善に効果のある低温域では、処理温度の増大とともに
発光効率が向上するけれども、５００℃以上に処理温度
が上昇すると、Ｍｎの場合のような発光中心の拡散効果
による効率の改善は見られず、なんらかの原因で効率が
低下する。従って、ＴｂＦ、のような化合物の形の発光
中心を添加してスパッタリングによって形成したＥＬ薄
膜については、５００℃を越えない範囲で熱処理を施す
ことが肝要である。図示した実施例の場合、最も好まし
い熱処理温度は４８０℃であり、その低温側において結
晶性改善効果を得るためには、成膜時のスパッタリング
条件や処理時間によっても異なるが、少なくとも３５０
℃以上で処理するのが好ましい。
なお、上述のようにＺｎＳ：Ｔｂ１％膜の発光効率が５
００℃以上の熱処理で急激に悪化する原因については、
現在のところ詳細な理由は不明であるが、１つには、ス
パッタ中にＺｎＳ膜中に取り込まれたＡｒ原子が５００
℃以上の熱処理によってＺｎＳ膜から放出され、その抜
穴がＺｎＳ中に添加した発光中心の非輻射再結合中心と
なるためＥＬ薄膜としての発光効率が低下するものと考
えられる。また別の観点からは、ＺｎＳ中に分子状態で
存在すべき発光中心ＴｂＦａのＴｂとＦの結合が５００
℃以上の熱処理によって切断され、Ｆ原子が解離して結
晶構造が崩れるため発光効率が低下するということも考
えられる。
００℃以上の熱処理で急激に悪化する原因については、
現在のところ詳細な理由は不明であるが、１つには、ス
パッタ中にＺｎＳ膜中に取り込まれたＡｒ原子が５００
℃以上の熱処理によってＺｎＳ膜から放出され、その抜
穴がＺｎＳ中に添加した発光中心の非輻射再結合中心と
なるためＥＬ薄膜としての発光効率が低下するものと考
えられる。また別の観点からは、ＺｎＳ中に分子状態で
存在すべき発光中心ＴｂＦａのＴｂとＦの結合が５００
℃以上の熱処理によって切断され、Ｆ原子が解離して結
晶構造が崩れるため発光効率が低下するということも考
えられる。
ところで、以上はＺｎＳを発光母材とし、ＴｂＦＪを発
光中心としたＥＬ薄膜の実施例について述べたのである
が、この発明は、ＴｂＦａ以外にＳｍＰａ （赤橙）
、ＤｙＦｔ （黄） ＋ Ｐ、ｒＪ （緑） 、 ＨＯ
ＦＪ （緑） 、 ＰｒＦ３（白線）、 ＮｄＦ３ （
橙） 、 ＴＩＩＩＦＪ （青）のような各種の希土類
弗化物を発光中心とするＥ Ｌ薄膜の形成に適用するこ
とができ、発光母材としてもＺｎＳの代りにＺｎ５ｅ又
はそれらの混合物を用いることができる。またこの発明
を適用するＥＬ表示装置としては、第１図に例示したよ
うなりＣ駆動素子に限らず、ＥＬ薄膜を絶縁層でサンド
インチ状に挾んで両側に電極を付けた所謂２重絶縁膜構
成のＡＣ駆動素子も当然対象となる。
光中心としたＥＬ薄膜の実施例について述べたのである
が、この発明は、ＴｂＦａ以外にＳｍＰａ （赤橙）
、ＤｙＦｔ （黄） ＋ Ｐ、ｒＪ （緑） 、 ＨＯ
ＦＪ （緑） 、 ＰｒＦ３（白線）、 ＮｄＦ３ （
橙） 、 ＴＩＩＩＦＪ （青）のような各種の希土類
弗化物を発光中心とするＥ Ｌ薄膜の形成に適用するこ
とができ、発光母材としてもＺｎＳの代りにＺｎ５ｅ又
はそれらの混合物を用いることができる。またこの発明
を適用するＥＬ表示装置としては、第１図に例示したよ
うなりＣ駆動素子に限らず、ＥＬ薄膜を絶縁層でサンド
インチ状に挾んで両側に電極を付けた所謂２重絶縁膜構
成のＡＣ駆動素子も当然対象となる。
（ｇｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなようにご要するにこの発明は、
ＴｂＦａのような希土類弗化物を発光中心とするＥＬ薄
膜を形成するのに、スパッタリング法を用いて少なくと
も５０００Å以上の厚みのＥＬ薄膜を形成し、これを５
００℃を越えない範囲で熱処理することを骨子としたも
のである。かくすることによりこの発明では、従来この
種の希土類弗化物系ＥＬ薄膜で得られていたものより５
〜１０倍高い発光効率を得ることができ、これによって
輝度の向上も達成できるので、ＺｎＳ：Ｍｎの黄橙色以
外の発光色のＥＬ表示装置を実現し７、ＥＬ表示パネル
の多色化を図る上できわめて効果大である。
ＴｂＦａのような希土類弗化物を発光中心とするＥＬ薄
膜を形成するのに、スパッタリング法を用いて少なくと
も５０００Å以上の厚みのＥＬ薄膜を形成し、これを５
００℃を越えない範囲で熱処理することを骨子としたも
のである。かくすることによりこの発明では、従来この
種の希土類弗化物系ＥＬ薄膜で得られていたものより５
〜１０倍高い発光効率を得ることができ、これによって
輝度の向上も達成できるので、ＺｎＳ：Ｍｎの黄橙色以
外の発光色のＥＬ表示装置を実現し７、ＥＬ表示パネル
の多色化を図る上できわめて効果大である。
第１図はこの発明を適用して作成したＥＬ表示装置の１
例構造を模式的に示す断面図、第２図はこの発明に従っ
てＥＬ薄膜を形成する時のスパッタリングの模様を概念
的に示す図、第３図はＥＬ薄膜の発光効率と膜厚の関係
を示す線図、第４図は発光効率と熱処理温度の関係を示
す線図である。 図において、１はガラス基板、２は透明電極、３はＥＬ
薄膜、４は背面電極、５はＤＣ電圧源、６はターゲット
ホルダ、７は石英シャーレ、８はターゲツト材、９はヒ
ータ、１０は基板ホルダである。 第１図 第２図 第４図 第３図 一−÷力理溝度（’Ｃ） ４００
例構造を模式的に示す断面図、第２図はこの発明に従っ
てＥＬ薄膜を形成する時のスパッタリングの模様を概念
的に示す図、第３図はＥＬ薄膜の発光効率と膜厚の関係
を示す線図、第４図は発光効率と熱処理温度の関係を示
す線図である。 図において、１はガラス基板、２は透明電極、３はＥＬ
薄膜、４は背面電極、５はＤＣ電圧源、６はターゲット
ホルダ、７は石英シャーレ、８はターゲツト材、９はヒ
ータ、１０は基板ホルダである。 第１図 第２図 第４図 第３図 一−÷力理溝度（’Ｃ） ４００
Claims (3)
- （１）希土類弗化物を所定量添加した発光母材をターゲ
ットとして少なくとも５０００Ａ以上の膜厚になるよう
ＥＬ薄膜をスパッタリングにより成膜し、しかる後該Ｅ
Ｌ薄膜に５００℃を越えない範囲で結晶性改善のための
熱処理を施すことを特徴とするＥＬ薄膜の形成方法。 - （２）前記ターゲツト材が、所定量のＴｂＦ、粉末を混
合したＺｎＳ粉末であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項に記載したＥＬ薄膜の形成方法。 - （３）前記ＥＬ薄膜に対する熱処理が３５０°Ｃ〜４８
０℃の範囲で施されることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項または第（２）項に記載したＥＬ薄膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167128A JPS5956390A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | Ｅｌ薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167128A JPS5956390A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | Ｅｌ薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956390A true JPS5956390A (ja) | 1984-03-31 |
| JPS6141111B2 JPS6141111B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=15843949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167128A Granted JPS5956390A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | Ｅｌ薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149866A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57167128A patent/JPS5956390A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149866A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141111B2 (ja) | 1986-09-12 |
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