JPS63288744A - 金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法 - Google Patents
金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法Info
- Publication number
- JPS63288744A JPS63288744A JP12275187A JP12275187A JPS63288744A JP S63288744 A JPS63288744 A JP S63288744A JP 12275187 A JP12275187 A JP 12275187A JP 12275187 A JP12275187 A JP 12275187A JP S63288744 A JPS63288744 A JP S63288744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- metal
- metal foil
- foil
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 3
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 2
- 238000006358 imidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 11
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 11
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- KAICRBBQCRKMPO-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;pyridine-3,4-diamine Chemical compound OP(O)(O)=O.NC1=CC=NC=C1N KAICRBBQCRKMPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N (2s,3r)-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C[C@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCZNKVPCIFMXEQ-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetramethylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=C(C)C(N)=C(C)C(C)=C1N WCZNKVPCIFMXEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylene bis(2-methylaniline) Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLYLVPHSKJVGLG-UHFFFAOYSA-N 4-(cyclohexylmethyl)cyclohexane-1,1-diamine Chemical compound C1CC(N)(N)CCC1CC1CCCCC1 DLYLVPHSKJVGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 4-aminophenoxy Chemical group 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical group C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐熱性、接着性に優れる金属板ベース印刷回路
用積層板の製造方法に関する。
用積層板の製造方法に関する。
近年における自動車のエレクトロニクス化は著しく、様
々な機能がコンピュータにより制御されている。これは
エンジンについても例外ではなく、点火時期、混合ガス
濃度、冷却水温度等が制御されている。しかしエンジン
ルーム内は、非常に高温になるために、制御を行う基板
には耐熱性、接着性、放熱性が要求される。
々な機能がコンピュータにより制御されている。これは
エンジンについても例外ではなく、点火時期、混合ガス
濃度、冷却水温度等が制御されている。しかしエンジン
ルーム内は、非常に高温になるために、制御を行う基板
には耐熱性、接着性、放熱性が要求される。
従来のエポキシ樹脂を主体とした接着剤を絶縁層に用い
た金属板ベースの印刷回路用銅張積NFiでは耐熱性が
十分でなく、100℃以上の高温下で長時間使用すると
回路導体と基板の剥離や絶縁抵抗の低下が生じる。その
ため一般にはセラミックス基板が用いられているが、ア
ディティブ法でしか回路形成ができず、打抜きなどの2
次加工ができない等の欠点がある。また、接着剤として
縮合型のポリイミドを用いた場合には、積層の際にポリ
イミドのもつガラス転移点以上の加熱が必要となり、一
般には300℃以上の強熱が必要で、300℃未満で積
層できる接着剤はなかった。
た金属板ベースの印刷回路用銅張積NFiでは耐熱性が
十分でなく、100℃以上の高温下で長時間使用すると
回路導体と基板の剥離や絶縁抵抗の低下が生じる。その
ため一般にはセラミックス基板が用いられているが、ア
ディティブ法でしか回路形成ができず、打抜きなどの2
次加工ができない等の欠点がある。また、接着剤として
縮合型のポリイミドを用いた場合には、積層の際にポリ
イミドのもつガラス転移点以上の加熱が必要となり、一
般には300℃以上の強熱が必要で、300℃未満で積
層できる接着剤はなかった。
本発明は耐熱性、接着性に優れた金属板ベース印刷回路
用積層板を容易に製造する方法を提供することを目的と
する。
用積層板を容易に製造する方法を提供することを目的と
する。
本発明者らは、耐熱性、接着性を兼備えた金属板ベース
印刷回路用積層板の製造方法について鋭意検討した結果
、絶縁材料として、特定のジアミン成分とテトラカルボ
ン酸成分から得られたポリイミド層を金属箔および金属
板のいずれか一方または両方に形成し、次いでこの金属
箔と金属板を積層して製造することにより、前記問題を
克服した優れた金属板ベース印刷回路用積層板の製造が
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
印刷回路用積層板の製造方法について鋭意検討した結果
、絶縁材料として、特定のジアミン成分とテトラカルボ
ン酸成分から得られたポリイミド層を金属箔および金属
板のいずれか一方または両方に形成し、次いでこの金属
箔と金属板を積層して製造することにより、前記問題を
克服した優れた金属板ベース印刷回路用積層板の製造が
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、ジアミン成分およびテトラカルボン
酸成分のそれぞれ60mo1%以上が、2゜2−ビス[
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンおよ
び3.3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸である両成分を重合させることにより得られるポリイ
ミド層を金属箔および金属板のいずれか一方または両方
に形成し、次いで該金属箔と該金属板とを積層すること
を特徴とする金属板ベース印刷回路用積層板の製造方法
を提供するものである。
酸成分のそれぞれ60mo1%以上が、2゜2−ビス[
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンおよ
び3.3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸である両成分を重合させることにより得られるポリイ
ミド層を金属箔および金属板のいずれか一方または両方
に形成し、次いで該金属箔と該金属板とを積層すること
を特徴とする金属板ベース印刷回路用積層板の製造方法
を提供するものである。
次に本発明の詳細な説明する。
金属箔または金属板に形成されるポリイミド層は、ジア
ミン成分およびテトラカルボン酸成分のそれぞれ601
1101%以上が、2,2−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパンおよび3.3′,4,4
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸である両成分を重
合反応させて得られるものである。このポリイミドは前
駆体の段階で混合したり共重合したものから得られたも
のを用いることもできる。むしろポリマーの2次転移点
を調節するために適当に変性した方が望ましい。
ミン成分およびテトラカルボン酸成分のそれぞれ601
1101%以上が、2,2−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパンおよび3.3′,4,4
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸である両成分を重
合反応させて得られるものである。このポリイミドは前
駆体の段階で混合したり共重合したものから得られたも
のを用いることもできる。むしろポリマーの2次転移点
を調節するために適当に変性した方が望ましい。
ポリマーの2次転移点の調節にあたっては、積層する際
のことを考慮して予め分子設計すべきであり、2次転移
点が必要以上に高くなるような分子設計をすると高い積
N温度が必要になる。
のことを考慮して予め分子設計すべきであり、2次転移
点が必要以上に高くなるような分子設計をすると高い積
N温度が必要になる。
2次転移点は200℃〜320℃が好ましく、200℃
〜270℃であればさらに好ましい。
〜270℃であればさらに好ましい。
本発明で用いられるポリイミド中の他のジアミン成分と
してはp、、m、o−フェニレンジアミン、ジアミノジ
ュレン、1,5−ジアミノナフタレン、2.6−ジアミ
ノナフタレン、ベンジジン、4゜4′−ジアミノターフ
ェニル、4.4”−ジアミノクォーターフェニル、4,
4′−ジアミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、2
.2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、3,3′
−ジメチルベンジジン、3.3’−ジメチル−4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス(4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、1.3
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.4−ビス(
4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4゜4′−ジアミノ
ジシクロヘキシルメタン、ヘキサメチレンジアミンなど
が挙げられる。
してはp、、m、o−フェニレンジアミン、ジアミノジ
ュレン、1,5−ジアミノナフタレン、2.6−ジアミ
ノナフタレン、ベンジジン、4゜4′−ジアミノターフ
ェニル、4.4”−ジアミノクォーターフェニル、4,
4′−ジアミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、2
.2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、3,3′
−ジメチルベンジジン、3.3’−ジメチル−4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス(4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、1.3
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.4−ビス(
4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4゜4′−ジアミノ
ジシクロヘキシルメタン、ヘキサメチレンジアミンなど
が挙げられる。
(4−(4−アミノフェノキシフェニル)〕プロパンが
60mo1%未満だとガラス転移点が高くなるため好ま
しくない。
60mo1%未満だとガラス転移点が高くなるため好ま
しくない。
また、他のテトラカルボン酸成分としては次のようなも
のが挙げられる。ここではテトラカルボン酸として例示
するが、テトラカルボン酸にはこれのエステル化物、酸
無水物、酸塩化物も含むものとする。すなわち、ピロメ
リット酸、2.3゜3’、4’−テトラカルボキシジフ
ェニル、3゜3′,4,4′−テトラカルボキシジフェ
ニル、3.3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、2,3.3’、4’−テトラカルボキシジ
フェニルエーテル、3.3′,4,4′−テトラカルボ
キシベンゾフェノン、2,3.3’。
のが挙げられる。ここではテトラカルボン酸として例示
するが、テトラカルボン酸にはこれのエステル化物、酸
無水物、酸塩化物も含むものとする。すなわち、ピロメ
リット酸、2.3゜3’、4’−テトラカルボキシジフ
ェニル、3゜3′,4,4′−テトラカルボキシジフェ
ニル、3.3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、2,3.3’、4’−テトラカルボキシジ
フェニルエーテル、3.3′,4,4′−テトラカルボ
キシベンゾフェノン、2,3.3’。
4′−テトラカルボキシベンゾフェノン、2,3゜6.
7.−テトラカルボキシナフタレン、■、4゜5,7−
テトラカルボキシナフタレン、1,2゜5.6−テトラ
カルボキシナフタレン、3.3’。
7.−テトラカルボキシナフタレン、■、4゜5,7−
テトラカルボキシナフタレン、1,2゜5.6−テトラ
カルボキシナフタレン、3.3’。
4.4′−テトラカルボキシジフェニルメタン、2.2
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、3
.3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、3,4,9.10−テトラカルボキシペリレン、ブ
タンテトラカルボン酸、シクロペンクンテトラカルボン
酸などがある。
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、3
.3′,4,4′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、3,4,9.10−テトラカルボキシペリレン、ブ
タンテトラカルボン酸、シクロペンクンテトラカルボン
酸などがある。
3.3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
が60mo1%未満であるとガラス転移点が高くなり高
接着力が得にくくなり好ましくない。
が60mo1%未満であるとガラス転移点が高くなり高
接着力が得にくくなり好ましくない。
金属との接着力を高めるためにポリイミド中にカップリ
ング剤を添加したり、接着面の表面平滑性を高めるため
に界面活性剤を添加してもよい。
ング剤を添加したり、接着面の表面平滑性を高めるため
に界面活性剤を添加してもよい。
また熱伝導性を高めたり、熱膨張係数を下げたり、弾性
率を上げたり低コスト化を図る目的から、無機質、有機
質、金属のフィラー等を添加することもできる。
率を上げたり低コスト化を図る目的から、無機質、有機
質、金属のフィラー等を添加することもできる。
ポリイミド層の形成は金属箔または金属板にポリイミド
またはそのその前駆体であるポリアミド酸の溶液を塗布
して行う。ポリアミド酸の方が合成上好ましい、ポリア
ミド酸溶液を塗布した場合は、溶媒を除去した後、熱に
よりイミド化を完結させる9 印刷回路を形成するための金属箔は一般には9〜35μ
11w4箔が用いられ、電解箔でも圧延箔でもよく、接
着力を高めるために化学的、機械的に粗化したり、カッ
プリング剤により処理してもよい、金属箔は銅に何ら限
定されるものでなく、例えばアルミニウム、銀、金、ま
たはこれらのクラツド材でもよい。
またはそのその前駆体であるポリアミド酸の溶液を塗布
して行う。ポリアミド酸の方が合成上好ましい、ポリア
ミド酸溶液を塗布した場合は、溶媒を除去した後、熱に
よりイミド化を完結させる9 印刷回路を形成するための金属箔は一般には9〜35μ
11w4箔が用いられ、電解箔でも圧延箔でもよく、接
着力を高めるために化学的、機械的に粗化したり、カッ
プリング剤により処理してもよい、金属箔は銅に何ら限
定されるものでなく、例えばアルミニウム、銀、金、ま
たはこれらのクラツド材でもよい。
ベースとなる金属板は、アルミニウム板、銅板、ケイ素
鋼板、4.270イ、銅タラッドインバ、亜鉛鋼板など
が挙げられるが、放熱性を考慮するとアルミニウム板が
最も好ましい。金属板は接着力を高めるために金属箔と
同様の処理を行ってもよい、金属板の厚みは0.5〜5
flが好ましい。
鋼板、4.270イ、銅タラッドインバ、亜鉛鋼板など
が挙げられるが、放熱性を考慮するとアルミニウム板が
最も好ましい。金属板は接着力を高めるために金属箔と
同様の処理を行ってもよい、金属板の厚みは0.5〜5
flが好ましい。
金属箔、金属板にポリイミドまたはポリアミド酸溶液を
塗布する方法は、従来用いられるどの方法を用いてもよ
く、Tダイ、カーテンコータ、コンマコータ、ナイフコ
ータ、プレードコータ、エアドクタコータなどが挙げら
れるが、これらに何ら限定されるものでない。
塗布する方法は、従来用いられるどの方法を用いてもよ
く、Tダイ、カーテンコータ、コンマコータ、ナイフコ
ータ、プレードコータ、エアドクタコータなどが挙げら
れるが、これらに何ら限定されるものでない。
塗布は、金属箔、金属板のどちらか一方または両方に行
うが、両方に塗布したものが最も強い接着力が得られる
ため好ましい。
うが、両方に塗布したものが最も強い接着力が得られる
ため好ましい。
溶媒除去、ポリアミド酸のイミド化反応は、充分な温度
と時間をかけて完結させることが好ましい。すなわち温
度は金属上に形成しようとするポリイミドの2次転移点
以上、そして時間は風量によるが一般には10分〜30
分が好ましい。ここで重要なことは、溶媒、縮合水など
の揮発分をポリイミド樹脂に対し通常、2wt%以下、
好ましくは、0.5wt%以下にすることである。揮発
分が残留していると、ラミネート時にフクレ等が生じる
。
と時間をかけて完結させることが好ましい。すなわち温
度は金属上に形成しようとするポリイミドの2次転移点
以上、そして時間は風量によるが一般には10分〜30
分が好ましい。ここで重要なことは、溶媒、縮合水など
の揮発分をポリイミド樹脂に対し通常、2wt%以下、
好ましくは、0.5wt%以下にすることである。揮発
分が残留していると、ラミネート時にフクレ等が生じる
。
これら揮発分除去の操作は、金属の酸化防止などの目的
から窒素、アルゴン、メタノール分解ガス等の不活性雰
囲気中で行ってもよい。
から窒素、アルゴン、メタノール分解ガス等の不活性雰
囲気中で行ってもよい。
積層は連続で行っても回分で行ってもよく、生産効率上
ロールラミネート方式で連続して行うことが好ましい。
ロールラミネート方式で連続して行うことが好ましい。
積層を行う際の温度はポリイミド樹脂の2次転移点以上
のゴム状態で行うことが好ましい。またその際の圧力は
通常、10〜100kg−cn+−”、特に好ましくは
20〜70kg−cm−”である。
のゴム状態で行うことが好ましい。またその際の圧力は
通常、10〜100kg−cn+−”、特に好ましくは
20〜70kg−cm−”である。
フェス合成例1
熱電対、攪拌機、窒素吹込口を取り付けた201ステン
レス製反応釜に毎分約300 の乾燥窒素を流しなが
ら2.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン(以下DAPPと略す)3361.4gと
N、N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)1
4kgを入れて撹拌し、DAPPを溶解した。この溶液
をウォータージャケットで20℃以下に冷却しながら3
.3’。
レス製反応釜に毎分約300 の乾燥窒素を流しなが
ら2.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン(以下DAPPと略す)3361.4gと
N、N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)1
4kgを入れて撹拌し、DAPPを溶解した。この溶液
をウォータージャケットで20℃以下に冷却しながら3
.3’。
4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(
以下BTDAと略す)2638.6gを徐々に加えて重
合反応させ、粘ちょうなポリアミド酸ワニスを得た。
以下BTDAと略す)2638.6gを徐々に加えて重
合反応させ、粘ちょうなポリアミド酸ワニスを得た。
ワニス合成例2
ワニス合成例1で用いた合成反応釜に毎分約300m1
の乾燥窒素を流しながらDAPP 1680、6 g
とp−クロルフェノール17kgを入れて攪拌し、DA
PPを溶解した。次いでBTDA1319.4gを添加
し重合反応させポリアミド酸溶液を調整した。このポリ
アミド酸溶液を攪拌しながら5時間かけて170℃まで
昇温し、2時間保持して縮合反応させてポリイミドワニ
スを得た。
の乾燥窒素を流しながらDAPP 1680、6 g
とp−クロルフェノール17kgを入れて攪拌し、DA
PPを溶解した。次いでBTDA1319.4gを添加
し重合反応させポリアミド酸溶液を調整した。このポリ
アミド酸溶液を攪拌しながら5時間かけて170℃まで
昇温し、2時間保持して縮合反応させてポリイミドワニ
スを得た。
実施例1
塗工機を用いてワニス合成例1で合成したポリアミド酸
ワニスを電解’F4 箔粗化面に均一に塗布し100℃
、120℃でそれぞれ5分間乾燥させた。
ワニスを電解’F4 箔粗化面に均一に塗布し100℃
、120℃でそれぞれ5分間乾燥させた。
このポリアミド酸/銅箔を98vo1%窒素+2vo1
%水素で置換した硬化炉内で200℃、240℃でそれ
ぞれ30分間加熱し、イミド化反応を行いポリイミド/
1lii箔クラツド材を得た。
%水素で置換した硬化炉内で200℃、240℃でそれ
ぞれ30分間加熱し、イミド化反応を行いポリイミド/
1lii箔クラツド材を得た。
ポリイミド/銅箔クラツド材をポリイミド層を内側にし
て3 mmのアルミ板と貼合せ、260℃・20 kg
−cm−” ・30m1nプレスし、アルミニウムベー
ス印刷回路用銅張積層板を得た。
て3 mmのアルミ板と貼合せ、260℃・20 kg
−cm−” ・30m1nプレスし、アルミニウムベー
ス印刷回路用銅張積層板を得た。
この積層板の室温での引剥し強さは1.8kg/amで
、250℃における引剥し強さの半減時間は約1300
時間であった。
、250℃における引剥し強さの半減時間は約1300
時間であった。
この積層板にφ5鶴銅箔パッドを形成し、先端直径φ1
n、先端温度400℃の半田ゴテを垂直に立てて3 k
gの荷重をかけながら5 min放置し、次いでこの基
板のアルミニウムと銅に1.5KVの電圧を印加した(
以下耐ハンダゴテ性と略す)がリークはなく、耐ハンダ
ゴテ性は良好であった。
n、先端温度400℃の半田ゴテを垂直に立てて3 k
gの荷重をかけながら5 min放置し、次いでこの基
板のアルミニウムと銅に1.5KVの電圧を印加した(
以下耐ハンダゴテ性と略す)がリークはなく、耐ハンダ
ゴテ性は良好であった。
実施例2
ワニス合成例2で合成したポリイミドワニスを用い、2
40℃・30分間の加熱を行わなかった他は実施例1と
同様にして、アルミニウムベース回路基板用銅張積層板
を得た。この積層板の室温での引剥し強さは1.5kg
/amで、250℃における引剥し強さの半減時間は約
1160時間であった。
40℃・30分間の加熱を行わなかった他は実施例1と
同様にして、アルミニウムベース回路基板用銅張積層板
を得た。この積層板の室温での引剥し強さは1.5kg
/amで、250℃における引剥し強さの半減時間は約
1160時間であった。
また350℃・5 winの半田浴浸漬後フクレ、剥離
等の異常はなく、耐ハンダゴテ性も良好であった。
等の異常はなく、耐ハンダゴテ性も良好であった。
実施例3
ワニス合成例1で合成したポリアミド酸ワニスの固型分
が10−t%になるまでDMFで希釈し、このワニスに
3鶴厚のアルミニウム板をディップし、100℃・30
m1n風乾し、次いで240°C・30m1n加熱して
イミド化反応を完結させた。
が10−t%になるまでDMFで希釈し、このワニスに
3鶴厚のアルミニウム板をディップし、100℃・30
m1n風乾し、次いで240°C・30m1n加熱して
イミド化反応を完結させた。
このポリイミド/アルミニウムと実施例1で作製したポ
リイミド/銅箔をそれぞれポリイミド層を内側にして2
60℃・20kg−cea−”・30m1nプレスし、
アルミニウムベース印刷回路用銅張積層板を得た。この
積層板の室温での引剥し強さは2.7kg/amであり
、250℃における引剥し強さの半減時間は約2100
時間であった。
リイミド/銅箔をそれぞれポリイミド層を内側にして2
60℃・20kg−cea−”・30m1nプレスし、
アルミニウムベース印刷回路用銅張積層板を得た。この
積層板の室温での引剥し強さは2.7kg/amであり
、250℃における引剥し強さの半減時間は約2100
時間であった。
また350℃・5m1nの半田浴浸漬後のフクレ、剥離
等は生ぜず、耐ハンダゴテ性も良好であった。
等は生ぜず、耐ハンダゴテ性も良好であった。
実施例4
290℃、30 kg/am−”の積層条件で積層した
以外は実施例3と同様にして、アルミニウムベース回路
用銅張積層板を得た。この積層板の室温における引剥し
強さは2.6kg/cmであり、250℃における引剥
し強さの半減時間は約1960時間であった。350℃
・5+winの半田浴浸漬に対する耐性、耐ハンダゴテ
性も良好であった。
以外は実施例3と同様にして、アルミニウムベース回路
用銅張積層板を得た。この積層板の室温における引剥し
強さは2.6kg/cmであり、250℃における引剥
し強さの半減時間は約1960時間であった。350℃
・5+winの半田浴浸漬に対する耐性、耐ハンダゴテ
性も良好であった。
比較例1
片面粗化した35μm電解銅箔にエポキシ系接着剤を約
70μm塗布し、アルミニウム板と積層しアルミニウム
ベース印刷回路用銅張積層板を得た。この積層板の室温
での引剥し強さは2.2 kg 10であった。またこ
の積層板の150℃における引剥し強さの半減時間は約
1000時間であった。
70μm塗布し、アルミニウム板と積層しアルミニウム
ベース印刷回路用銅張積層板を得た。この積層板の室温
での引剥し強さは2.2 kg 10であった。またこ
の積層板の150℃における引剥し強さの半減時間は約
1000時間であった。
この積層板を350℃の半田浴に浸すと、銅箔のフクレ
、剥離が生じた。耐ハンダゴテ性は悪<1゜5KVの電
圧印加時にはリークが生じた。
、剥離が生じた。耐ハンダゴテ性は悪<1゜5KVの電
圧印加時にはリークが生じた。
本発明によれば耐熱性、接着性に優れた金属ベース回路
用銅張積層板を容易に製造することができる。
用銅張積層板を容易に製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ジアミン成分およびテトラカルボン酸成分のそれぞ
れ60mol%以上が2,2−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパンおよび3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸である両成分を
重合させることにより得られるポリイミド層を金属箔お
よび金属板のいずれか一方または両方に形成し、次いで
該金属箔と該金属板とを積層することを特徴とする金属
板ベース印刷回路用積層板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12275187A JPS63288744A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12275187A JPS63288744A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63288744A true JPS63288744A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14843700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12275187A Pending JPS63288744A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63288744A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006112523A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Ube Industries, Ltd. | ポリイミドフィルム積層体 |
JP2006321229A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-30 | Ube Ind Ltd | ポリイミドフィルム積層体 |
WO2007097585A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Kolon Industries, Inc. | Double side conductor laminates and its manufacture |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP12275187A patent/JPS63288744A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006112523A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Ube Industries, Ltd. | ポリイミドフィルム積層体 |
JP2006321229A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-30 | Ube Ind Ltd | ポリイミドフィルム積層体 |
US8043697B2 (en) | 2005-04-19 | 2011-10-25 | Ube Industries, Ltd. | Polyimide film-laminated body |
WO2007097585A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Kolon Industries, Inc. | Double side conductor laminates and its manufacture |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7285321B2 (en) | Multilayer substrates having at least two dissimilar polyimide layers, useful for electronics-type applications, and compositions relating thereto | |
US4937133A (en) | Flexible base materials for printed circuits | |
JP2907598B2 (ja) | 柔軟な多層ポリイミドフィルム積層品及びそれらの製造法 | |
KR100668948B1 (ko) | 금속 적층판 및 그의 제조방법 | |
JP6767759B2 (ja) | ポリイミド、樹脂フィルム及び金属張積層板 | |
WO2003006553A1 (fr) | Composition de resine | |
CN113563585B (zh) | 一种聚酰亚胺及其在金属层叠板中的应用 | |
JP2002316386A (ja) | 銅張積層体およびその製造方法 | |
JP2009113475A (ja) | フレキシブル片面ポリイミド銅張積層板の製造方法 | |
TWI804658B (zh) | 覆金屬積層板和電路基板 | |
JP5547874B2 (ja) | ポリイミド樹脂 | |
JPS63288744A (ja) | 金属板ベ−ス印刷回路用積層板の製造方法 | |
JP2020015237A (ja) | 金属張積層板の製造方法及び回路基板の製造方法 | |
WO2022085398A1 (ja) | ポリイミド樹脂前駆体、ポリイミド樹脂、金属張り積層板、積層体及びフレキシブルプリント配線板 | |
JPH0361352B2 (ja) | ||
JP2761655B2 (ja) | フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
JPH0955567A (ja) | フレキシブルプリント配線用基板の製造方法 | |
JPS61111182A (ja) | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製法 | |
JP3059248B2 (ja) | フレキシブル印刷回路板の製造方法 | |
JPH0366824B2 (ja) | ||
JP3065388B2 (ja) | フレキシブル印刷回路板の製造方法 | |
JP4942338B2 (ja) | ポリアミド酸ワニス組成物及び金属ポリイミド複合体 | |
JP2002283369A (ja) | ポリイミドフィルムの製造方法 | |
KR102336859B1 (ko) | 내화학성이 우수한 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법 | |
JPH0370399B2 (ja) |