JPS63287076A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS63287076A JPS63287076A JP62123575A JP12357587A JPS63287076A JP S63287076 A JPS63287076 A JP S63287076A JP 62123575 A JP62123575 A JP 62123575A JP 12357587 A JP12357587 A JP 12357587A JP S63287076 A JPS63287076 A JP S63287076A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池等として用いる光起電力装置に関する
。
。
第１図は特開昭６２−３３４７７号公報に開示されてい
る光起電力装置の構造図であり、図中１はガラス板等の
透光性絶縁基板、Ａ、Ｂは各光起電力素子を示す、光起
電力素子Ａ、Ｂは透光性絶縁基板１上に相互に直列接続
された状態で配設されている。各光起電力素子Ａ、Ｂは
透光性絶縁基板１上に、酸化スズ、酸化インジウムスズ
等からなる第１電極２ａ、 ２ｂ、非晶質シリコン等の
非晶質半導体膜３ａ、 ３ｂ、アルミニウム、Ｌ銀等か
らなる第２電極４ａ、 ４ｂをこの順に積層して構成さ
れている。相隣する光起電力素子Ａ、Ｂはその第１電極
２ａ、 ２ｂ同士がその間に形成した切断溝５を充足す
る非晶質半導体Ｆ３ａの一部によって分断され、また、
非晶質半導体膜、第２電極は、ガラスペースト等を焼成
してなる絶縁層７によって夫々第１図に示す如く非晶質
半導体１９！３ａ、 ３ｂ、第２電極４ａ、 ４ｂに分
断されている。そして銀ペースト等を焼成してなる導電
層６を介して光起電力素子Ａの第２電極４ａと光起電力
素子Ｂの第２電極４ｂとは電気的に接続され、相隣する
光起電力素子Ａ、 Ｂが相互に直列接続されている。
る光起電力装置の構造図であり、図中１はガラス板等の
透光性絶縁基板、Ａ、Ｂは各光起電力素子を示す、光起
電力素子Ａ、Ｂは透光性絶縁基板１上に相互に直列接続
された状態で配設されている。各光起電力素子Ａ、Ｂは
透光性絶縁基板１上に、酸化スズ、酸化インジウムスズ
等からなる第１電極２ａ、 ２ｂ、非晶質シリコン等の
非晶質半導体膜３ａ、 ３ｂ、アルミニウム、Ｌ銀等か
らなる第２電極４ａ、 ４ｂをこの順に積層して構成さ
れている。相隣する光起電力素子Ａ、Ｂはその第１電極
２ａ、 ２ｂ同士がその間に形成した切断溝５を充足す
る非晶質半導体Ｆ３ａの一部によって分断され、また、
非晶質半導体膜、第２電極は、ガラスペースト等を焼成
してなる絶縁層７によって夫々第１図に示す如く非晶質
半導体１９！３ａ、 ３ｂ、第２電極４ａ、 ４ｂに分
断されている。そして銀ペースト等を焼成してなる導電
層６を介して光起電力素子Ａの第２電極４ａと光起電力
素子Ｂの第２電極４ｂとは電気的に接続され、相隣する
光起電力素子Ａ、 Ｂが相互に直列接続されている。
次に、このような光起電力装置の製造方法について説明
する。
する。
まず透光性絶縁基板ｌ上に第１電極２を形成し、ウェッ
トエツチングまたはレーザスクライブ等の手法により切
断ｆｉ５を形成し、切断溝５を介して両光起電力素子Ａ
、Ｂ毎に第１電極２ａ、 ２ｂに分割する０次いで相隣
する第１電極２ａ、 ２ｂの相対向する一側縁に沿って
第１電極２ｂ上に銀ペーストをスクリーン印刷法等にて
所定幅、所定厚さにパターン印刷し、これを５５０℃程
度で焼成して導電層６を形成する。またガラスペースト
を同じくスクリーン印刷法等にて第１電極２ｂ上に、導
電層６と幅方向の一側を一致させた状態で所定幅、所定
厚さにパターン印刷し、これを同じ＜５５０℃程度で焼
成して絶縁層７を形成する０次に、第１電極２ａ＋２ｂ
の表面、導電層６．絶縁層７の表面及び切断溝５に露出
する透光性絶縁基板ｌの表面にわたって、非晶質半導体
膜３をプラズマＣＶＤ法、スパッタ法を用いて積層形成
し、アルミニウムの第２電極４を非晶質半導体膜３表面
に積層形成する。
トエツチングまたはレーザスクライブ等の手法により切
断ｆｉ５を形成し、切断溝５を介して両光起電力素子Ａ
、Ｂ毎に第１電極２ａ、 ２ｂに分割する０次いで相隣
する第１電極２ａ、 ２ｂの相対向する一側縁に沿って
第１電極２ｂ上に銀ペーストをスクリーン印刷法等にて
所定幅、所定厚さにパターン印刷し、これを５５０℃程
度で焼成して導電層６を形成する。またガラスペースト
を同じくスクリーン印刷法等にて第１電極２ｂ上に、導
電層６と幅方向の一側を一致させた状態で所定幅、所定
厚さにパターン印刷し、これを同じ＜５５０℃程度で焼
成して絶縁層７を形成する０次に、第１電極２ａ＋２ｂ
の表面、導電層６．絶縁層７の表面及び切断溝５に露出
する透光性絶縁基板ｌの表面にわたって、非晶質半導体
膜３をプラズマＣＶＤ法、スパッタ法を用いて積層形成
し、アルミニウムの第２電極４を非晶質半導体膜３表面
に積層形成する。
その後、導電層６表面と対向する位置で第２電極４側か
らレーザビーム（ＬＢＩ ）を投射して、第２電極４．
非晶質半導体膜３及び導電層６の一部を溶融して混合状
態とし、また、絶縁層７表面と対向する位置で第２電極
４側からレーザビーム（ＬＢ２ ）を投射して、第２電
極４．非晶質半導体１１ｉ３を除去する。これによって
、光起電力素子Ａの第２電極４ａが導電層６を介して光
起電力素子Ｂの第１電極２ｂと電気的に接続され、また
、非晶質半導体膜３、第２電極４が両光起電力素子Ａ、
Ｂ毎に非晶質半導体膜３ａ、 ３ｂ、第２電極４ａ、
４ｂに分割される。
らレーザビーム（ＬＢＩ ）を投射して、第２電極４．
非晶質半導体膜３及び導電層６の一部を溶融して混合状
態とし、また、絶縁層７表面と対向する位置で第２電極
４側からレーザビーム（ＬＢ２ ）を投射して、第２電
極４．非晶質半導体１１ｉ３を除去する。これによって
、光起電力素子Ａの第２電極４ａが導電層６を介して光
起電力素子Ｂの第１電極２ｂと電気的に接続され、また
、非晶質半導体膜３、第２電極４が両光起電力素子Ａ、
Ｂ毎に非晶質半導体膜３ａ、 ３ｂ、第２電極４ａ、
４ｂに分割される。
そしてこのような構造の光起電力装置において絶縁層７
は、第２電、極４．非晶質半導体膜３を除去するた、め
に十分なエネルギを有するレーザビームの投射に対して
も第１電極へのレーザビームの到達を防止できる耐熱性
と、第２電極を電気的に分割させ得る絶縁性とを有する
必要があり、従来絶縁層７には前述したように焼成型の
ガラスペーストが用いられていた。
は、第２電、極４．非晶質半導体膜３を除去するた、め
に十分なエネルギを有するレーザビームの投射に対して
も第１電極へのレーザビームの到達を防止できる耐熱性
と、第２電極を電気的に分割させ得る絶縁性とを有する
必要があり、従来絶縁層７には前述したように焼成型の
ガラスペーストが用いられていた。
ところが焼成型のガラスペーストの焼成温度は最低でも
５５０℃であるので、透光性絶縁基板としてガラス板を
使用する場合には、焼成の際にその焼成温度が高いので
、透光性絶縁基板に変形が生じることがあるという問題
点があった。
５５０℃であるので、透光性絶縁基板としてガラス板を
使用する場合には、焼成の際にその焼成温度が高いので
、透光性絶縁基板に変形が生じることがあるという問題
点があった。
また第１電極として酸化スズ膜を使用し、レーザスクラ
イブにより切断溝５を形成した場合には、ガラスペース
トの焼成の際にその焼成温度が高いので、切断溝５にお
いて電気的導通が生じ、光起電力装置の出力特性が低下
することがあるという問題点があった。
イブにより切断溝５を形成した場合には、ガラスペース
トの焼成の際にその焼成温度が高いので、切断溝５にお
いて電気的導通が生じ、光起電力装置の出力特性が低下
することがあるという問題点があった。
ところで正規に混入させる以外の不純物が非晶質半導体
膜に混入すると光起電力装置の出力特性が低下するので
、非晶質半導体膜を形成する際の条件（２５０℃程度の
真空中）にて不純物を放出しないようなものを絶縁層の
材料として使用しなければならない。
膜に混入すると光起電力装置の出力特性が低下するので
、非晶質半導体膜を形成する際の条件（２５０℃程度の
真空中）にて不純物を放出しないようなものを絶縁層の
材料として使用しなければならない。
ところが低温度で絶縁層を形成でき、しかも不純物の放
出がないような材料は未だ提供されていない。
出がないような材料は未だ提供されていない。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであ ′
す、絶縁性無機物の微粉末を含む有機高分子化合物を硬
化させて絶縁層を形成することにより、低温にて絶縁層
を形成でき、非晶質半導体膜への不純物の混入がなく、
しかもレーザビーム等のエネルギビームの投射に対して
絶縁層は十分な耐熱性を有する光起電力装置を提供する
ことを目的とする。
す、絶縁性無機物の微粉末を含む有機高分子化合物を硬
化させて絶縁層を形成することにより、低温にて絶縁層
を形成でき、非晶質半導体膜への不純物の混入がなく、
しかもレーザビーム等のエネルギビームの投射に対して
絶縁層は十分な耐熱性を有する光起電力装置を提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る光起電力装置は、透光性絶縁基板上に第１
電極、非晶質半導体膜及び第２電極をこの順に積層して
なる複数の光起電力素子が間隙を隔てて形成され、相隣
する光起電力素子の第２電極相互の間隙部分から第１電
極まで絶縁層が形成されている光起電力装置において、
前記絶縁層は、絶縁性無機物の微粉末を含む有機高分子
化合物を硬化してなるものであることを特徴とする。
電極、非晶質半導体膜及び第２電極をこの順に積層して
なる複数の光起電力素子が間隙を隔てて形成され、相隣
する光起電力素子の第２電極相互の間隙部分から第１電
極まで絶縁層が形成されている光起電力装置において、
前記絶縁層は、絶縁性無機物の微粉末を含む有機高分子
化合物を硬化してなるものであることを特徴とする。
本発明の光起電力装置にあっては低温にて絶縁層が形成
され、透光性絶縁基板、第２電極に対する高温の影響が
低減される。
され、透光性絶縁基板、第２電極に対する高温の影響が
低減される。
以下、本発明をその実施例に基づき具体的に説明する。
本発明における光起電力装置の構造は、第１図に示す従
来の光起電力装置の構造と略同−であるが、従来装置と
異なる点は、絶縁層７が、５ｉ０２等の絶縁性無機物の
微粉末をポリイミドペースト等の高分子化合物に混入し
たものを硬化させてなることである。なお、絶縁層以外
の構成は従来装置と同一であるので、ここでは説明を省
略する。
来の光起電力装置の構造と略同−であるが、従来装置と
異なる点は、絶縁層７が、５ｉ０２等の絶縁性無機物の
微粉末をポリイミドペースト等の高分子化合物に混入し
たものを硬化させてなることである。なお、絶縁層以外
の構成は従来装置と同一であるので、ここでは説明を省
略する。
また、製造方法も絶縁層７の形成方法以外は従来技術で
説明した方法と同じであるので、ここでは絶縁層７の形
成方法のみを説明する。
説明した方法と同じであるので、ここでは絶縁層７の形
成方法のみを説明する。
本発明装置の製造方法では、導電層６を形成した後、５
ｉ０２微粉末を３０％程度混入させたポリイミドペース
トをスクリーン印刷法等にて第１電極２ｂ上に、導電層
６と幅方向に並列に所定幅、所定厚さでパターン印刷し
、これを２５０℃程度で焼成して絶縁層７を形成する。
ｉ０２微粉末を３０％程度混入させたポリイミドペース
トをスクリーン印刷法等にて第１電極２ｂ上に、導電層
６と幅方向に並列に所定幅、所定厚さでパターン印刷し
、これを２５０℃程度で焼成して絶縁層７を形成する。
第２図は、５ｉ０２微粉末を混入させたポリイミドペー
ストを硬化させたもののレーザビームに対する耐熱性を
示すものであり、図中横軸はポリイミドペーストに対す
る５ｉ０２の混入率、縦軸はＹＡＧレーザ光を照射した
際に加工される溝の深さを示している。なお試料は、粒
子径１〜５μｍの５ｉ０２微粉末をポリイミドペースト
に混入させて硬化温度２５０℃、硬化時間１ｈｒで硬化
させたものを使用した。 ＹＡＧレーザ光の照射条件は
、波長１．０６μｍ。
ストを硬化させたもののレーザビームに対する耐熱性を
示すものであり、図中横軸はポリイミドペーストに対す
る５ｉ０２の混入率、縦軸はＹＡＧレーザ光を照射した
際に加工される溝の深さを示している。なお試料は、粒
子径１〜５μｍの５ｉ０２微粉末をポリイミドペースト
に混入させて硬化温度２５０℃、硬化時間１ｈｒで硬化
させたものを使用した。 ＹＡＧレーザ光の照射条件は
、波長１．０６μｍ。
Ｃ−発振、Ｑスイッチパルス周波数５ｋＨｚ、平均出力
１，５ ｗ、スポット径８０ＩＩｍのレーザ光を走査速
度１００１■／Ｓで走査したこととし、使用したレーザ
光は、非晶質シリコン膜１μｍ及びアルミニウム（第２
電極）１μｍを積層した膜を完全に分離できる出力を有
する。
１，５ ｗ、スポット径８０ＩＩｍのレーザ光を走査速
度１００１■／Ｓで走査したこととし、使用したレーザ
光は、非晶質シリコン膜１μｍ及びアルミニウム（第２
電極）１μｍを積層した膜を完全に分離できる出力を有
する。
ポリイミド単体にＹＡＧレーザ光を照射した場合には３
０μｍ以上の深さまで加工されるが、５ｉ０２微粉末が
１０％以上混入された試料では加工される溝の深さは減
少し、混入率が３０％である試料では加工される溝の深
さは従来の焼成型のガラスペーストと同等の５〜１０μ
ｍとなる。一般にスクリーン印刷法にて最適幅１００〜
２００μｍの絶縁層を形成する場合、その層厚は１０〜
３０μｍとなるので、混入率が１０％以上のものであれ
ば、第１電極にレーザビームが到達しない絶縁層として
使用することができる。但し、高度の耐熱性を要求する
場合には混入比率を３０％とすることが望ましい。
０μｍ以上の深さまで加工されるが、５ｉ０２微粉末が
１０％以上混入された試料では加工される溝の深さは減
少し、混入率が３０％である試料では加工される溝の深
さは従来の焼成型のガラスペーストと同等の５〜１０μ
ｍとなる。一般にスクリーン印刷法にて最適幅１００〜
２００μｍの絶縁層を形成する場合、その層厚は１０〜
３０μｍとなるので、混入率が１０％以上のものであれ
ば、第１電極にレーザビームが到達しない絶縁層として
使用することができる。但し、高度の耐熱性を要求する
場合には混入比率を３０％とすることが望ましい。
第３図は本発明の装置の出力特性を示すグラフであり、
図中横軸は５ｉ０２微粉末の混入率、縦軸は焼成型ガラ
スペーストを使用した従来の光起電力装置の最大出力電
力ｐ、に対する本発明の光起電力装置の最大出力電力Ｐ
の比率Ｐ／ＰＧを示している。従来の光起電力装置及び
本発明の光起電力装置は何れも、厚さ１鶴のガラス基板
上に厚さ２０００人の酸化インジウムスズ及び厚さ２０
０人の酸化スズを積層して第１電極とし、これを分割し
た後導電層と絶縁層とを形成し、次に非晶質シリコン膜
をプラズマＣｖＤ法によりボロンドープのｐＦｉ！。
図中横軸は５ｉ０２微粉末の混入率、縦軸は焼成型ガラ
スペーストを使用した従来の光起電力装置の最大出力電
力ｐ、に対する本発明の光起電力装置の最大出力電力Ｐ
の比率Ｐ／ＰＧを示している。従来の光起電力装置及び
本発明の光起電力装置は何れも、厚さ１鶴のガラス基板
上に厚さ２０００人の酸化インジウムスズ及び厚さ２０
０人の酸化スズを積層して第１電極とし、これを分割し
た後導電層と絶縁層とを形成し、次に非晶質シリコン膜
をプラズマＣｖＤ法によりボロンドープのｐＦｉ！。
ノンドープの１層、゛リンドープの０層の順に合計膜厚
５０００人に形成し、更にアルミニウムを真空蒸着した
第２電極とし、最後に第２電極露出側からＹＡＧレーザ
光を照射して第２電極の分割及び第２電極と導電層との
接続を行象って製造したものであり、絶縁層の材質以外
はすべて同一条件である。
５０００人に形成し、更にアルミニウムを真空蒸着した
第２電極とし、最後に第２電極露出側からＹＡＧレーザ
光を照射して第２電極の分割及び第２電極と導電層との
接続を行象って製造したものであり、絶縁層の材質以外
はすべて同一条件である。
ポリイミド単体を絶縁層として用いる場合には極めて低
い出力しか得られないが、５ｉｎ２微粉末を１０％以上
混入させると高い出力が得られるようになり、混入率を
３０％とすると焼成型のガラスペーストを絶縁層として
用いた従来の光起電力装置と同等の出力を得ることがで
きる。
い出力しか得られないが、５ｉｎ２微粉末を１０％以上
混入させると高い出力が得られるようになり、混入率を
３０％とすると焼成型のガラスペーストを絶縁層として
用いた従来の光起電力装置と同等の出力を得ることがで
きる。
なお、導電層は焼成型銀ペーストを使用する場合につい
て説明したが、ポリイミドに金属粉末を混入して硬化し
たものであってもよく、このような導電層と本発明の絶
縁層とを組合せる場合には、透光性絶縁基板、第１電極
に与える熱影響を更に低減できる。
て説明したが、ポリイミドに金属粉末を混入して硬化し
たものであってもよく、このような導電層と本発明の絶
縁層とを組合せる場合には、透光性絶縁基板、第１電極
に与える熱影響を更に低減できる。
以上詳述した如く本発明の光起電力装置では、低温下に
おいて絶縁層を形成できるので、従来のような透光性絶
縁基板の変形１切断溝における電気的導通等の如き高温
焼成のための影響が抑制される。
おいて絶縁層を形成できるので、従来のような透光性絶
縁基板の変形１切断溝における電気的導通等の如き高温
焼成のための影響が抑制される。
また、低温下において絶縁層を形成できるので、耐熱性
に乏しい透光性絶縁基板を使用することができ、透光性
絶縁基板の材質の多様化が可能である。
に乏しい透光性絶縁基板を使用することができ、透光性
絶縁基板の材質の多様化が可能である。
第１図は光起電力装置の構造を示す斜視図、第２図は５
ｉｎ２混入率と耐熱性との関係を示すグラフ、第３図は
５ｉ０２混入率と光出力特性との関係を示すグラフであ
る。 １・・・透光性絶縁基板 ２ａ、 ２ｂ・・・第１電極
３ａ。 ３ｂ・・・非晶質半導体膜 ４ａ、４ｂ・・・第２電極
７・・・絶縁層 特許出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ０ １０ ２０ ３０（’／、）ｓ
ｉ０２ シ昆入牟 第 ３ 辺 夕 埠 １ 図 ５ｉｎ２逢入率 第 ２！２］
ｉｎ２混入率と耐熱性との関係を示すグラフ、第３図は
５ｉ０２混入率と光出力特性との関係を示すグラフであ
る。 １・・・透光性絶縁基板 ２ａ、 ２ｂ・・・第１電極
３ａ。 ３ｂ・・・非晶質半導体膜 ４ａ、４ｂ・・・第２電極
７・・・絶縁層 特許出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ０ １０ ２０ ３０（’／、）ｓ
ｉ０２ シ昆入牟 第 ３ 辺 夕 埠 １ 図 ５ｉｎ２逢入率 第 ２！２］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性絶縁基板上に第１電極、非晶質半導体膜及び
第２電極をこの順に積層してなる複数の光起電力素子が
間隙を隔てて形成され、相隣する光起電力素子の第２電
極相互の間隙部分から第１電極まで絶縁層が形成されて
いる光起電力装置において、 前記絶縁層は、絶縁性無機物の微粉末を含む有機高分子
化合物を硬化してなるものであることを特徴とする光起
電力装置。 ２、前記有機高分子化合物はポリイミドである特許請求
の範囲第１項記載の光起電力装置。 ３、前記有機高分子化合物に含まれる絶縁性無機物の含
有率は１０％以上である特許請求の範囲第１項記載の光
起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123575A JPS63287076A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123575A JPS63287076A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287076A true JPS63287076A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14863974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123575A Pending JPS63287076A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63287076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
| DE102012021691A1 (de) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von organischen Leuchtdioden oder organischen photovoltaischen Elementen |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121673A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-20 | Hitachi Ltd | Insulator coating material and semiconductor device using the said material |
| JPS61187377A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池の分割加工方法 |
| JPS6233477A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS6265481A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62123575A patent/JPS63287076A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121673A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-20 | Hitachi Ltd | Insulator coating material and semiconductor device using the said material |
| JPS61187377A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池の分割加工方法 |
| JPS6233477A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS6265481A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
| DE102012021691A1 (de) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von organischen Leuchtdioden oder organischen photovoltaischen Elementen |
| DE102012021691B4 (de) * | 2012-11-01 | 2016-03-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von organischen Leuchtdioden oder organischen photovoltaischen Elementen |
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