JPS63287022A - 電極パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、基板上に所望のパターンで薄膜を形成する
方法に関するもので、特に半導体プロセスにおける電極
パターンの形成方法に関するものである。

（従来の技術） 第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来より知られている蒸着リフ
トオフ法による電極パターンの形成方法の一例を工程順
に示す要部断面図である。第２図において、１は基板、
２ａ、２ｂはこの基板１上に公知のフォトリソグラフィ
技術により形成されたレジスト膜で、フォトレジスト膜
を除去して開口部３を形成することにより得られる。４
は前記開口部３の基板１上に、例えば真空蒸着法により
堆積された蒸着膜、４ａ、４ｂは前記レジスト膜２ａ、
２ｂ上に堆積された蒸着膜、４Ｃは前記レジスト膜２ａ
のテーパ面に堆積され、蒸着膜４と４ａとに連結した蒸
着膜である。

第２図における蒸着膜の形成工程は、まず、第２図（ａ
）に示すように、基板１上にフォトレジスト膜を形成し
た後、公知のフォトリソグラフィ技術によって開口部３
を形成することにより、フォトレジスト膜がパターニン
グされ、レジスト膜２ａ、’２ｂが形成される。

いま、説明上、開口部３の加工形状をレジスト膜２ａ側
面がテーバ形状に、また、レジスト膜２ｂ側面が垂直に
形成された場合を示している。

次に、第２図（ｂ）に示すように、例えば真空蒸着法に
より蒸着膜４および４ａ、４ｂを堆積せしめた後、リフ
トオフ法によりレジスト膜２ａ。

２ｂを蒸着膜４ａ、４ｂとともに除去すると、第２図（
ｂ）に示すように、レジスト膜２ｂが垂直に形成された
場合は蒸着膜４と４ｂは連続することなく形成されるが
、テーパ状に形成されたレジスト膜２ａの方は蒸着膜４
と４ａが連続して”形成される。この状態を第２図（Ｃ
）に示す。

上記第２図の従来例による蒸着リフトオフ法は、第２図
（ａ）に示した開口部３にのみ蒸着膜４を残置させるこ
とが目的であり、第２図（ｂ）のレジスト膜２ｂのよう
にその加工形状を垂直に近くするか、あるいは逆テーパ
形状にすることによって開口部３内に堆積する蒸着膜４
と、レジスト膜２ｂ上面に堆積する蒸着膜４ｂとを互い
に接続しない様に形成して、レジスト膜２ａ、２ｂを有
機溶剤などによって除去する際に、レジスト膜２ａ、２
ｂ上面に堆積した蒸着膜４ａ、４ｂを除去し、所望のパ
ターンの蒸着膜を基板１表面に残置せしめるものである
。

ここで、真空蒸着法において、蒸発源の面積が充分に小
さく、また、蒸発源と蒸着面との距離が充分大きい場合
には、蒸着物質は平行ビームとなって蒸着面に到達する
ので、蒸発源から見て影となる部位には、蒸着膜は地積
しないのである。

（発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、現実的には、レジスト膜２ｂを第２図（
ＪＲ）、（ｂ）のように垂直に加工するのは容易でない
場合が多く、さらに逆テーパ形状を得るには複雑なプロ
セスを採らねばならない。つまり、第２図（ａ）、（ｂ
）のレジスト膜２ａのようにテーパ状となることが多い
のである。また、現実には基板１の面積が大き′くなる
と平行蒸着ビームが垂直に蒸着面に入射できなくなり、
等価的にレジストがテーパ状になったと同等の現象が起
こる。このような場合には第２図（Ｃ）のように蒸着膜
４と４ａが蒸着膜４ｃにより接続してしまい、レジスト
膜２ａ、２ｂの除去後、リフトオフできずに蒸着膜４ａ
が残ってしまうという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、リフトオフを完全に行うことができる電極
パターンの形成方法を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る電極パターンの形成方法は、開口部を形
成した有機膜上に薄膜を堆積せしめた後、熱処理を行う
ことにより有機膜を変形させ、開口部側面に付着した薄
膜と、開口部基板面と有機膜上面に堆積した薄膜とが互
いに接続しないように断状態とした後、リフトオフ法に
より有機膜とともに不良の薄膜を除去するものである。

〔作用〕

この発明においては、有機膜を熱処理によって変形させ
ることから開口部側面の薄膜と開口部基板面と有機膜上
面に堆積した薄膜とが分断された状態でリフトオフが可
能となる。

（実施例） 以下、この発明を第１図について説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例を説明する
ための工程を示す要部断面図である。なお、°ここでは
、従来例と同様に、基板上に蒸着膜のパターンを蒸着・
リフトオフ法により形成する方法を例にして説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、基板１上にフォトリ
ソグラフィ技術を用いて有機膜であるレジスト膜２ａ、
２ｂとその開口部３を形成する。

なお、説明の都合上、レジスト膜２ａの開口部側面はテ
ーパ状、レジスト膜２ｂの開口部側面は垂直に形成され
たものとする。

次に、第１図（ｂ）に示すように、垂直に入射する蒸着
ビームにより、薄膜である蒸着膜４および４ａ〜４Ｃを
堆積する。この場合、レジスト膜２ｂは開口部側面が垂
直になっているため、開口部基板面とレジスト膜２ｂ上
面に堆積した蒸着膜４と４ｂは接続していない。これに
対し、レジスト膜２ａの開口部側面はテーパ状になって
いるために開口部側面にも蒸着膜４Ｃが堆積しており、
開口部基板面とレジスト膜２ａ上面に堆積した蒸着膜４
と４ａが接続した状態となっている。

次いで、適当な熱処理を加えると、レジスト膜２ａ、２
ｂは軟化し変形する。これを第１図（Ｃ）に示す。この
熱処理は後のレジスト膜２ａ。

２ｂの除去を困難にする様な条件を選んではならないこ
とは明らかである。また、基板１と蒸着膜４の反応を問
題とする場合にも、熱処理条件の設定に留意せねばなら
ない。しかし、例えばレジスト膜２ａ、２ｂの場合、１
００〜２００℃の熱処理にてこの発明を有効に実現でき
る程度の軟化・変形は得られるので応用範囲は広い。

その後、第１図（ｄ）に示すように、レジスト膜２ａ、
２ｂを有機溶剤などに浸透し、その上面に堆積していた
蒸着膜４ａ、４ｂをレジスト２ａ、２ｂとともに取り除
くことにより、レジスト膜２ａの開口部側面に堆積した
蒸着膜４Ｃもともに除去され、所望の蒸着膜４のみが基
板１上に残留される。

上述のようにこの発明の特徴は、蒸着膜形成後に熱処理
を加えることである。この熱処理によりレジスト膜２ａ
、２ｂが変形する原因は、熱処理する温度にもよるが、
蒸着時に導入されるレジスト膜２ａ、２ｂ、蒸着膜４ａ
〜４Ｃ内部および両者間のストレス、レジスト膜２　ａ
　＊　２　ｂ　＋蒸着膜４、基板１の熱膨張の差により
発生するストレス、レジスト膜２ａ、２ｂの軟化などが
総合的に作用するものである。この結果、通常は開口部
３が小さくなる方向にレジスト膜２８．２ｂは変形する
が、これにより、開口部側面に付着した蒸着膜の弱い部
位に亀裂が入ることになる。ところが、通常開口部側面
への蒸着膜の堆積は、開口部上部に堆積した蒸着膜４ａ
、４ｂが影になるため、開口部側面の下部に堆積する蒸
着膜４Ｃは薄い。したがって、蒸着膜４ｃの亀裂は、開
口部側面の下部で起こるため、基板１上に残置する蒸着
膜４の端部に突起が残りにくく、理想的な形状に近いも
のが得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、基板の一表面上に有
機膜を形成し、この有機膜の所望の位置に開口部を形成
する工程と、垂直ビーム性の堆積手法により薄膜を堆積
する工程と、その後、熱処理を施して有機膜を変形させ
る工程と、有機膜を溶解し、これによって開口部基板面
以外に付着した薄膜を除去する工程とからなるので、開
口部側面に付着した蒸着膜に亀裂が生じ、蒸着リフトオ
フを複雑で、かつ困難なプロセスを用いることをなく、
確実に行うことができる。したがって、この方法を用い
ることにより製造歩留を大幅に向上させることができる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例の工程を説
明するための要部断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来
例の工程を説明する要部断面図である。 図において、１は基板、２ａ、２ｂはレジスト膜、３は
開口部、４．４ａ〜４Ｃは蒸着膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の一表面上に有機膜を形成し、この有機膜の所望の
   位置に開口部を形成する工程と、垂直ビーム性の堆積手
   法により薄膜を堆積する工程と、その後、熱処理を施し
   て前記有機膜を変形させる工程と、前記有機膜を溶解し
   、これによって開口部基板面以外に付着した薄膜を除去
   する工程とを含むことを特徴とする電極パターンの形成
   方法。