JPS6328508B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6328508B2
JPS6328508B2 JP13474981A JP13474981A JPS6328508B2 JP S6328508 B2 JPS6328508 B2 JP S6328508B2 JP 13474981 A JP13474981 A JP 13474981A JP 13474981 A JP13474981 A JP 13474981A JP S6328508 B2 JPS6328508 B2 JP S6328508B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
manufacturing
semiconductor device
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP13474981A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5834985A (ja
Inventor
Susumu Furuike
Shigeru Nagao
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56134749A priority Critical patent/JPS5834985A/ja
Publication of JPS5834985A publication Critical patent/JPS5834985A/ja
Publication of JPS6328508B2 publication Critical patent/JPS6328508B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は反射光を効率よく外部へ取り出すこと
のできる構造を有する発光半導体装置の製造方法
に関する。
pn接合を有する発光半導体装置例えば第1図
のごとき発光ダイオードは信頼性,経済性に優れ
ているため、近時各分野で広く使用されるに到つ
ている。第1図において1,2はn形層、4はp
形層、5,6は電極である。この発光ダイオード
の急速な発展にともない市場ではより一層の高出
力化が強く要望され、そのために各種の素子構造
を有するものが提案されてきた。例えば、第2図
はその代表的なもので、主たる発光面のn層1を
半球形状にすることにより、光を外部へ効率良く
取り出し発光出力の増大を計つたものである。な
お、図中5と6は電極、4はp層である。このよ
うに、従来の高出力化を計つた素子構造は特殊な
構造を有しているため、その製作には特別に複雑
なプロセスが必要となり、量産性および経済性の
点では著しく劣つている。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、簡単
なプロセスの下で発光出力の向上した発光半導体
装置を製作可能にした製造方法を提供せんとする
ものである。
以下、本発明について図面を参照して詳細に述
べる。第3図a,b,cは本発明の製造方法で実
現される発光半導体装置の基本的な3種類の素子
構造の断面図であり、n形半導体基板11の上に
n形およびp形エピタキシヤル層12,13を形
成し、p側電極14、n側部分電極15を設けた
構造である。図示するところから明らかなよう
に、3種類とも第1図の通常の発光ダイオード構
造と大きく異つているのは、ダイオードの側面の
一部がn側部分電極15の形成されている裏面1
6に対して垂直ではなく、傾斜側面17で構成さ
れている点である。これらの素子構造によると、
第1図の通常の発光ダイオード構造と比較して、
裏面16で反射した光Aが側面で再び反射し結晶
内で吸収される事が非常に少なくなる。
すなわち、第3図aの構造では裏面反射光のう
ち傾斜側面17に対してほぼ垂直に入る光成分A
を損失なく取り出すことが出来、同bの構造では
図中に示す光成分Bが効率よく外へ放射され、同
cの構造ではaとbの構造を組合せたものと考え
られるので光成分A,Bの寄与によつていずれも
高出力化を達成出来るのである。一方、第1図の
構造では第3図A,Bに相当する光は側面で反射
され内部に吸収されることになる。
次に、これら本発明の素子構造をうるための本
発明の製造方法について、第4図を参照にして具
体的に説明する。使用した発光ダイオードは、キ
ヤリア濃度1×1018cm-3のn形GaAs基板11の
(100)面上に通常の液相エピタキシヤル法でnお
よびp層12,13を成長させたものである。p
およびnエピタキシヤル層のドーパントとしては
シリコン(Si)を採用した。次にp側電極14と
して金―ベリリウム,n側部分電極15として金
―ゲルマニウム合金を用い、オーミツク電極を形
成した。スライス厚さは280μである。
このようなスライスに対して結晶軸<010>,<
001>方向にダイシングソーを用いて切り込み1
8を入れる。切り込み深さは180μ,巾30μであ
る。次にプレイクを行うと切り残し部分19に
GaAsの劈開面{110}面があらわれる。これら
劈開面は裏面16に対して45゜の角度を有する傾
斜側面となり、第4図の構造が得られる。
このGaAs発光ダイオードの発光出力を測定し
たところ、裏面まで完全に切り込み第1図の構造
となつているGaAs発光ダイオードと比較して25
%以上高くなつていた。また発光ピーク波長は第
3図の本発明の構造のGaAs発光ダイオードのほ
うが約20〜50Å程度長波長側にシフトし、配光特
性も広い事が確認された。これらの結果は、前述
したように裏面からの反射光がよく取り出されて
いることを裏付けている。
なお、以上の実施例では劈開面を利用して傾斜
側面を形成したが、他の方法、例えばダイシング
ソーのプレイドとして切断に関与する部分の形状
が第5図a,bの断面形状とされたものを用いて
半導体基板を切断処理を施すならば、第3図aま
たはbで示す形状の発光半導体装置をうることが
できる。
以上のように、本発明の製造方法は、発光半導
体装置の側面の一部を裏面に対して垂直ではなく
傾斜するように構成することを可能としたもので
あつて反射光を効率よく外部へ取り出し発光出力
の増大を計つた発光半導体装置を実現するもので
あり、高出力が要求される分野に用いる発光半導
体装置の製造方法としてすこぶる好適である。ま
た、実際には、切り込みの形成とプレーク処理を
用いる等の極めて簡単な方法であるため、工程が
複雑化することはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は通常の発光ダイオードの断面図、第2
図は高出力化を計つた発光ダイオードの断面図、
第3図a,b,cは本発明の製造方法で形成され
る発光ダイオードの断面図、第4図は本発明の製
造方法の説明図、第5図a,bはダイシングソー
のプレードの断面形状を示す図である。 11……n形基板、12……nエピタキシヤル
層、13……pエピタキシヤル層、14……p側
電極、15……n側部分電極、16……n側裏
面、17……傾斜側面、18……ダイシングの切
り込み部分、19……スライスの切り残し部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 pn接合を含む発光領域が形成された半導体
    基板の、基板支持体に接着する側とは反対の主面
    側から、同半導体基板を完全に分断することのな
    い深さの切り込みを形成したのち、前記半導体基
    板を機械的に分断して前記切り込みに繋る分断面
    に劈開面を発生させ、前記半導体基板側面の一部
    に光放出用の傾斜側面を形成することを特徴とす
    る発光半導体装置の製造方法。 2 切り込み形成を、ブレイドの基板切断部に傾
    斜加工の付されたダイシングソーによる切断処理
    にて行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の発光半導体装置の製造方法。
JP56134749A 1981-08-26 1981-08-26 発光半導体装置の製造方法 Granted JPS5834985A (ja)

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JPS5834985A JPS5834985A (ja) 1983-03-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2655595B2 (ja) * 1985-10-04 1997-09-24 日本電気株式会社 相補型半導体集積回路装置
US8592858B2 (en) 2006-01-23 2013-11-26 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
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US7915619B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
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JPS5834985A (ja) 1983-03-01

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