JPS5834985A - 発光半導体装置の製造方法 - Google Patents
発光半導体装置の製造方法Info
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- JPS5834985A JPS5834985A JP56134749A JP13474981A JPS5834985A JP S5834985 A JPS5834985 A JP S5834985A JP 56134749 A JP56134749 A JP 56134749A JP 13474981 A JP13474981 A JP 13474981A JP S5834985 A JPS5834985 A JP S5834985A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射光を効率よく外部へ、取り出すことのでき
る構造を有する発光半導体装置とその製造方法に関する
。
る構造を有する発光半導体装置とその製造方法に関する
。
ｐｎ接合を有する発光半導体装置例えば第１図のごとき
発光ダイオードは信頼性、経済性に優れているため、近
時各分野で広く使用されるに到っている。第１図におい
て１，２はｎ形層、４はｐ形層、６，６は電極である。
発光ダイオードは信頼性、経済性に優れているため、近
時各分野で広く使用されるに到っている。第１図におい
て１，２はｎ形層、４はｐ形層、６，６は電極である。
この発光ダイオードの急速な発展にともない市場ではよ
り一層の高出力化が強く要望され、そのために各種の素
子構造を有するものが提案されてきた。例えば、第２図
はその代表的なもので、主たる発光面のｎ層１を半球形
状にすることにより、光を外部へ効率良く取り出し発光
出力の増大を計ったものである。なお、図中６と６は電
極、４はｐ層である。このように、従来の高出力化を計
った素子構造は特殊な構造を有しているため、その製作
には特別に複雑３・ −二 本発明はかかる点に鑑みなされたもので、簡単な素子構
造でかつその製作も容易でありながら、発光出力を向上
せしめることのできる発光半導体装置とその製造方法を
提供せんとするものである。
り一層の高出力化が強く要望され、そのために各種の素
子構造を有するものが提案されてきた。例えば、第２図
はその代表的なもので、主たる発光面のｎ層１を半球形
状にすることにより、光を外部へ効率良く取り出し発光
出力の増大を計ったものである。なお、図中６と６は電
極、４はｐ層である。このように、従来の高出力化を計
った素子構造は特殊な構造を有しているため、その製作
には特別に複雑３・ −二 本発明はかかる点に鑑みなされたもので、簡単な素子構
造でかつその製作も容易でありながら、発光出力を向上
せしめることのできる発光半導体装置とその製造方法を
提供せんとするものである。
以下、本発明について図面を参照して詳細に述べる。第
３図（、） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、は本発明の発
光半導体装置の基本的な３種類の素子構造の断面図であ
る。
３図（、） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、は本発明の発
光半導体装置の基本的な３種類の素子構造の断面図であ
る。
ｎ形半導体基板１１の上にｎ形およびｐ形エピタキシャ
ル層１２．１３を形成し、ｐ側電極１４゜ｎ側部分電極
１６を設けた構造である。図示するところから明らかな
ように、３種類とも第１図の通常の発光ダイオード構造
と大きく異っているのは、ダイオードの側面の一部がｎ
側部分電極１５の形成されている裏面１６に対して垂直
ではなく、傾斜側面１７で構成されている点である。こ
れら本発明にかかる素子構造では第１図の通常の発光ダ
イオード構造と比較して、裏面１６で反射した光Ａが側
面で再び反射し結晶内で吸収される事が非常に少なくな
る。
ル層１２．１３を形成し、ｐ側電極１４゜ｎ側部分電極
１６を設けた構造である。図示するところから明らかな
ように、３種類とも第１図の通常の発光ダイオード構造
と大きく異っているのは、ダイオードの側面の一部がｎ
側部分電極１５の形成されている裏面１６に対して垂直
ではなく、傾斜側面１７で構成されている点である。こ
れら本発明にかかる素子構造では第１図の通常の発光ダ
イオード構造と比較して、裏面１６で反射した光Ａが側
面で再び反射し結晶内で吸収される事が非常に少なくな
る。
すなわち、第３図（、）の構造では裏面反射光のうち傾
斜側面１７に対してほぼ垂直に入る光成分Ａを損失なく
取り出すことが出来、同（ｂ）の構造では図中に示す光
成分Ｂが効率よく外へ放射され、同（Ｃ）の構造では（
ａ）と（ロ）の構造を組合せだものと考えられるので光
成分Ａ、Ｂの寄与によっていずれも高出力化を達成出来
るのである。一方、第１図の構造では第３図Ａ、Ｈに相
当する光は側面で反射され内部に吸収されることになる
。
斜側面１７に対してほぼ垂直に入る光成分Ａを損失なく
取り出すことが出来、同（ｂ）の構造では図中に示す光
成分Ｂが効率よく外へ放射され、同（Ｃ）の構造では（
ａ）と（ロ）の構造を組合せだものと考えられるので光
成分Ａ、Ｂの寄与によっていずれも高出力化を達成出来
るのである。一方、第１図の構造では第３図Ａ、Ｈに相
当する光は側面で反射され内部に吸収されることになる
。
次に、これら本発明の素子構造をうるための製造方法に
ついて、第４図を参照にして具体的に記述する。使用し
た発光ダイオードは、キャリア濃度１ｘ−１０ｃｍ の
ｎ形Ｇ ａ Ａ ｇ基板１１の（１００）面上に通常の
液相エピタキシャル法でｎおよび９層１２．１３を成長
させたものである。ｐおよびｎエピタキシャル層のドー
パントとしてはシリコン（Ｓｉ）を採用した。次にｐ側
電極１４として金−べ°ツリウム、ｎ側部分電極１６と
して金−ゲルマニウム合金を用い、オーミック電極を形
成した。
ついて、第４図を参照にして具体的に記述する。使用し
た発光ダイオードは、キャリア濃度１ｘ−１０ｃｍ の
ｎ形Ｇ ａ Ａ ｇ基板１１の（１００）面上に通常の
液相エピタキシャル法でｎおよび９層１２．１３を成長
させたものである。ｐおよびｎエピタキシャル層のドー
パントとしてはシリコン（Ｓｉ）を採用した。次にｐ側
電極１４として金−べ°ツリウム、ｎ側部分電極１６と
して金−ゲルマニウム合金を用い、オーミック電極を形
成した。
スライス厚さは２８０μである。
このようなスライスに対して結晶軸＜０１０＞。
５・、−〕
〈Ｏｏｌ〉方向にダイシングソーを用いて切り込み１８
を入れる。切り込み深さは１８０μ、巾３０μである。
を入れる。切り込み深さは１８０μ、巾３０μである。
次にブレイクを行うと切り残し部分１９にＧ ａ Ａ
ｔｓの見開面（１１０１面があられれる。これら見開面
は裏面１６に対して４５°の角度を有する傾斜側面とな
り、第４図の構造を得る。
ｔｓの見開面（１１０１面があられれる。これら見開面
は裏面１６に対して４５°の角度を有する傾斜側面とな
り、第４図の構造を得る。
このＧ ａ Ａ ｓ発光ダイオードの発光出力を測定し
たところ、裏面まで完全に切り込み第１図の構造となっ
ているＧ ａ Ａ ｓ発光ダイオードと比較して２６チ
以上高くなっていた。また発光ピーク波長は第３図の本
発明の構造のＧ ａ Ａ ｓ発光ダイオードのほうが約
２０〜６０Ａ０程度長波長側にシフトし、配光特性も広
い事が確認された。これらの結果は、前述したように裏
面からの反射光がよく取り出されていることを裏付けて
いる。
たところ、裏面まで完全に切り込み第１図の構造となっ
ているＧ ａ Ａ ｓ発光ダイオードと比較して２６チ
以上高くなっていた。また発光ピーク波長は第３図の本
発明の構造のＧ ａ Ａ ｓ発光ダイオードのほうが約
２０〜６０Ａ０程度長波長側にシフトし、配光特性も広
い事が確認された。これらの結果は、前述したように裏
面からの反射光がよく取り出されていることを裏付けて
いる。
なお、以上の実施例では見開面を利用して傾斜側面を形
成したが、他の方法、例えばダイシングノーのプレイド
として切断に関与する部分の形状が第６図０ 、 （ｂ
）の断面形状とされたものを用いて半導体基板を切断処
理を施すならば、第３図体）ま６ −１ たは０））で示す形状の発光半導体装置をうろことがで
きる。
成したが、他の方法、例えばダイシングノーのプレイド
として切断に関与する部分の形状が第６図０ 、 （ｂ
）の断面形状とされたものを用いて半導体基板を切断処
理を施すならば、第３図体）ま６ −１ たは０））で示す形状の発光半導体装置をうろことがで
きる。
以上のように、本発明の発光半導体装置は非常に簡単な
構造を有しかつ製作も容易であり、側面の一部を裏面に
対して垂直ではなく傾斜するように構成することにより
、反射光を効率よく外部へ取り出し発光出力の増大を計
ったものであり、高出力が要求される分野に用いる発光
半導体装置としてすこぶる好適である。また、その製造
方法も切り込みの形成とブレーク処理を用いる方法等の
極めて簡単な方法を用いることもできる。
構造を有しかつ製作も容易であり、側面の一部を裏面に
対して垂直ではなく傾斜するように構成することにより
、反射光を効率よく外部へ取り出し発光出力の増大を計
ったものであり、高出力が要求される分野に用いる発光
半導体装置としてすこぶる好適である。また、その製造
方法も切り込みの形成とブレーク処理を用いる方法等の
極めて簡単な方法を用いることもできる。
第１図は通常の発光ダイオードの断面図、第２図は高出
力化を計った発光ダイオードの断面図、第３図（＝）
、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の実施例の発光ダイオ
ードの断面図、第４図は本発明の実施例の製造説明図、
第６図（ａ） 、 （ｂ）はダイシングソーのブレード
の断面形状を示す図である。 １１・・・・・・ｎ形基板、１２・・・・・・ｎエピタ
キシャル層、１３・・・・・・ｐエピタキシャル層、１
４・・・・・・ｐ側電極、１６・・・・・・ｎ側部分電
極、１６・・・・・・ｎ側裏面、１７・・・・・・傾斜
側面、１８・・・・・・ダイシングの切り込み部分、１
９・・・・・・スライスの切り残し部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 第 ３ 図 ４図 第５図
力化を計った発光ダイオードの断面図、第３図（＝）
、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の実施例の発光ダイオ
ードの断面図、第４図は本発明の実施例の製造説明図、
第６図（ａ） 、 （ｂ）はダイシングソーのブレード
の断面形状を示す図である。 １１・・・・・・ｎ形基板、１２・・・・・・ｎエピタ
キシャル層、１３・・・・・・ｐエピタキシャル層、１
４・・・・・・ｐ側電極、１６・・・・・・ｎ側部分電
極、１６・・・・・・ｎ側裏面、１７・・・・・・傾斜
側面、１８・・・・・・ダイシングの切り込み部分、１
９・・・・・・スライスの切り残し部分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 第 ３ 図 ４図 第５図
Claims (3)
- （１）ｐｎ接合を有する発光半導体基板の側面の一部が
、該基板の基板支持体へ接着される側の１主表面に対し
て垂直でなく傾斜していることを特徴とする発光半導体
装置。 - （２）ｐｎ接合を含む発光領域が形成された半導体基板
の、基板支持体に接着する側とは反対の主面側から、同
半導体基板を完全に分断することのない障さの切り込み
を形成したのち、前記半導体基板を機械的に分断して前
記切り込みに繋る分断面に臂開面を発生させ、前記半導
体基板側面の一部に傾斜側面を形成することを特徴とす
る発光半導体装置の製造方法。 - （３）切り込み形成を、プレイドの基板切断部に傾斜加
工の付されたグイシングツ−による切断処理にて行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の発光半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134749A JPS5834985A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 発光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134749A JPS5834985A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 発光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834985A true JPS5834985A (ja) | 1983-03-01 |
| JPS6328508B2 JPS6328508B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=15135672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134749A Granted JPS5834985A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 発光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834985A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281748A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 相補型半導体集積回路装置 |
| US7915619B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-03-29 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| US8097892B2 (en) | 2006-02-14 | 2012-01-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
| US8592858B2 (en) | 2006-01-23 | 2013-11-26 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56134749A patent/JPS5834985A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281748A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 相補型半導体集積回路装置 |
| US7915619B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-03-29 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| US8158987B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-04-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| US8592858B2 (en) | 2006-01-23 | 2013-11-26 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| US8097892B2 (en) | 2006-02-14 | 2012-01-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328508B2 (ja) | 1988-06-08 |
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