JPS63283076A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS63283076A JPS63283076A JP62117844A JP11784487A JPS63283076A JP S63283076 A JPS63283076 A JP S63283076A JP 62117844 A JP62117844 A JP 62117844A JP 11784487 A JP11784487 A JP 11784487A JP S63283076 A JPS63283076 A JP S63283076A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主としてシリコンからなる非晶質半導体層内
に入射された光によって発生したキャリアを非晶質半導
体層のｐ−１−ｎ接合による内部電界により光起電力と
して取出す光電変換素子に関する。
に入射された光によって発生したキャリアを非晶質半導
体層のｐ−１−ｎ接合による内部電界により光起電力と
して取出す光電変換素子に関する。
シラン、ジシランまたはその誘導体からグロー放電分解
により順次非晶質シリコンのｐ層、ｉ層。
により順次非晶質シリコンのｐ層、ｉ層。
ｎ層を積層してｐ−１−ｎ接合を形成した光電変換素子
は公知である。
は公知である。
ところが、上述のような光電変換素子において、１−ｎ
界面での内部電界が弱く、さらに１層およびｉ−ｎ界面
が光の入射により劣化し、内部電界が弱まるため、ｉ−
ｎ界面付近で発生したキャリアが再結合を起こして光電
変換効率を悪化させる原因となっていた。特に、ｎ層の
側から光を入射させる非晶質シリコン光電変換素子にお
いては、この現象が顕著にあられれるため、現在ではｐ
層より光を入射させる型の光電変換素子が主流となって
いる。しかし、このような素子においても、光電変換層
である１層の膜厚を３０００Å以上にした場合に１層お
よびｎ層が光によって低下すると、ｉ−ｎ界面付近の内
部電界が弱わまるために光電変換効率が悪化する欠点が
あった。
界面での内部電界が弱く、さらに１層およびｉ−ｎ界面
が光の入射により劣化し、内部電界が弱まるため、ｉ−
ｎ界面付近で発生したキャリアが再結合を起こして光電
変換効率を悪化させる原因となっていた。特に、ｎ層の
側から光を入射させる非晶質シリコン光電変換素子にお
いては、この現象が顕著にあられれるため、現在ではｐ
層より光を入射させる型の光電変換素子が主流となって
いる。しかし、このような素子においても、光電変換層
である１層の膜厚を３０００Å以上にした場合に１層お
よびｎ層が光によって低下すると、ｉ−ｎ界面付近の内
部電界が弱わまるために光電変換効率が悪化する欠点が
あった。
本発明の目的は、ｐ−１−ｎ接合のｉ−ｎ界面では内部
電界を強化し、ｉ層およびｎ層が光によって照射されて
も内部電界が弱まる現象を抑制して光電変換効率を向上
させ、ｉ層を厚くして光の吸収効率を高めることのでき
る光電変換素子を提供することにある。
電界を強化し、ｉ層およびｎ層が光によって照射されて
も内部電界が弱まる現象を抑制して光電変換効率を向上
させ、ｉ層を厚くして光の吸収効率を高めることのでき
る光電変換素子を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、ｐ−１−ｎ整
合を有する光電変換素子において、非晶質シリコンより
なるｉ層にｎ形の非晶質窒化シリコン層がその層より低
い窒素分率を有するｉ質の非晶質窒化シリコンよりなる
界面層を介して隣接するものとする。界面層の窒素分率
が、非晶質シリコンの１層から非晶質窒化シリコンのｎ
層に向けて次第に高められることが特に有効である。
合を有する光電変換素子において、非晶質シリコンより
なるｉ層にｎ形の非晶質窒化シリコン層がその層より低
い窒素分率を有するｉ質の非晶質窒化シリコンよりなる
界面層を介して隣接するものとする。界面層の窒素分率
が、非晶質シリコンの１層から非晶質窒化シリコンのｎ
層に向けて次第に高められることが特に有効である。
非晶質シリコン （以下ａ−５ｔと記す）の１層と非晶
質窒化シリコン（以下ａ −３ｔ＋−ｘ Ｎｘと記す）
のｎ層の間に介在する中間の窒素分率Ｘを有するａ
３ｉ、−、Ｎ、層は、ｉ−ｎ界面の内部電界を強化する
と共に、光のｉ層、ｎ層への入射による内部電界の弱化
を抑制し、またａ−３ｔとａ −３ｔｌ−Ｘ ＮＸの間
のへテロ接合における不整合による界面欠陥の生成を防
止する。
質窒化シリコン（以下ａ −３ｔ＋−ｘ Ｎｘと記す）
のｎ層の間に介在する中間の窒素分率Ｘを有するａ
３ｉ、−、Ｎ、層は、ｉ−ｎ界面の内部電界を強化する
と共に、光のｉ層、ｎ層への入射による内部電界の弱化
を抑制し、またａ−３ｔとａ −３ｔｌ−Ｘ ＮＸの間
のへテロ接合における不整合による界面欠陥の生成を防
止する。
第１図は、本発明の一実施例を示すもので、光入射側と
なるガラス板のような透光性基板１上に透明導電膜２が
形成されている。この透明導電膜２は、ＩＴＯ，ＳｎＯ
□などの金属酸化物により構成されるが、透明で導電性
が高く、化学的に安定であればどのような材料でも良い
。この透明導電膜２上に、シラン、ジシランおよびその
誘導体、ぶつ化シランおよびその誘導体などから選ばれ
る少なくとも一種以上のガスと、ハイドロカーボン。
なるガラス板のような透光性基板１上に透明導電膜２が
形成されている。この透明導電膜２は、ＩＴＯ，ＳｎＯ
□などの金属酸化物により構成されるが、透明で導電性
が高く、化学的に安定であればどのような材料でも良い
。この透明導電膜２上に、シラン、ジシランおよびその
誘導体、ぶつ化シランおよびその誘導体などから選ばれ
る少なくとも一種以上のガスと、ハイドロカーボン。
ぶつ化ハイドロカーボンなどのカーボン源から選ばれる
一種以上のガスの混合物にＢｚＨｂ等の■族元素の水素
化物などのガスを混合したものをプラズマ分解して得ら
れるｐ形ａ Ｓｉ＋−ｘ Ｃ２： Ｈまたはａ ５
ｌｌ−Ｘ ｃｌｌ ： Ｈ： Ｆからなるｐ層膜３とし
て形成されている。その膜厚は、３０〜５００人、好ま
しくは８０〜３００人にされる。ｐ層膜３上にシラン、
ジシランおよびその誘導体、ぶつ化シランおよびその誘
導体などから選ばれる少なくとも一種以上のガスとＨ１
＋ Ｈｅ＋ Ａｒなどの混合ガスをプラズマ分解して形
成されたａ−３ｔのｉ層膜４が積層されている。このｉ
層膜４の膜厚は１０００〜１００００人程度である。１
層定形上にシラン、ジシランおよびその誘導体、ぶつ化
シランおよびその誘導体などから選ばれる少なくとも一
種以上のガスと、アンモニア、ヒドラジンのような窒素
の水素化物およびＮ２から選ばれる少なくとも一種以上
のガスとの混合物をプラズマ分解して得られるａ ５
ｉｔ−ｘ Ｎｘからなるｉ−ｎ界面５、さらにその上に
形成時にＰＨ３などの■族元素の水素化物をドーピング
したｎ形ａ −５ｔｌ−Ｘ Ｎｘからなるｎ層６が積層
されている。ｎ層６の上にはスパッタまたは蒸着により
Ａｇ、 Ａｒなどの金属電極膜７が被着している。ｉ
−ｎ界面層５の膜厚は３０〜１５００人の間で変化させ
ることが可能である。窒素分率Ｘは、一定値のまま均一
にｉ−ｎ界面層を形成してもよいが、ｉ層膜とｎ層膜の
間でｎ層側に向かうにつれて徐々に増加させることが望
ましい。増加のさせ方は、階段状でもよいし、ｌ−ｎ界
面層５の形成時に、窒素源となるガスの流量を一定の割
合で増加させて直線状にしても良い。ｎ層６の膜厚は５
０〜１０００人で好ましくは１００〜５００人、膜の窒
素分率Ｘは界面層５のどの部分の窒素分率よりも高くす
る。この実施例において、ｉ−ｎ界面層５を形成しない
場合と形成する場合のｐ−１−ｎ光電変換素子のバンド
図を第３図（ａ）、（ｂ）に示す。図（ａ）がｉ−ｎ界
面層を形成しない場合のバンド図で、ペテロ接合となる
ｉ−ｎ界面付近に欠陥２０が形成されてしまうため電子
と正孔の再結合が起こり、ｉ層ならびにｉ−ｎ界面の電
界は強くならない。図（′ｂ）はｉ−ｎ界面層の窒素分
率を徐々に増加させたときのバンド図で、ｉ−ｎ界面付
近での電界が強化されている。第４図にｉ−ｎ界面層５
の膜厚、膜質を変化させたときの初期特性を示したもの
である。このデータの試料は、ガラス基板１上にＳｎｏ
ｗ膜２を４５００人の厚さに形成し、その上にσｌ、ｈ
約１０−’ （Ωａ１１） −’、 Ｅ、 ”’約２．
ＯｅＶのａ ５ｉｔ−ｘ Ｃｘ ｐ層膜３を１５０人
の厚さに、ａ−３ｔＯ１層膜４を５０００人の厚さに積
層し、ｉ−ｎ界面層としては、窒素分率Ｘが０．３と一
定の膜５と、０から０．６に直線的に増加させた膜５を
厚さ０〜３５０人の範囲で変化させたものを形成した。
一種以上のガスの混合物にＢｚＨｂ等の■族元素の水素
化物などのガスを混合したものをプラズマ分解して得ら
れるｐ形ａ Ｓｉ＋−ｘ Ｃ２： Ｈまたはａ ５
ｌｌ−Ｘ ｃｌｌ ： Ｈ： Ｆからなるｐ層膜３とし
て形成されている。その膜厚は、３０〜５００人、好ま
しくは８０〜３００人にされる。ｐ層膜３上にシラン、
ジシランおよびその誘導体、ぶつ化シランおよびその誘
導体などから選ばれる少なくとも一種以上のガスとＨ１
＋ Ｈｅ＋ Ａｒなどの混合ガスをプラズマ分解して形
成されたａ−３ｔのｉ層膜４が積層されている。このｉ
層膜４の膜厚は１０００〜１００００人程度である。１
層定形上にシラン、ジシランおよびその誘導体、ぶつ化
シランおよびその誘導体などから選ばれる少なくとも一
種以上のガスと、アンモニア、ヒドラジンのような窒素
の水素化物およびＮ２から選ばれる少なくとも一種以上
のガスとの混合物をプラズマ分解して得られるａ ５
ｉｔ−ｘ Ｎｘからなるｉ−ｎ界面５、さらにその上に
形成時にＰＨ３などの■族元素の水素化物をドーピング
したｎ形ａ −５ｔｌ−Ｘ Ｎｘからなるｎ層６が積層
されている。ｎ層６の上にはスパッタまたは蒸着により
Ａｇ、 Ａｒなどの金属電極膜７が被着している。ｉ
−ｎ界面層５の膜厚は３０〜１５００人の間で変化させ
ることが可能である。窒素分率Ｘは、一定値のまま均一
にｉ−ｎ界面層を形成してもよいが、ｉ層膜とｎ層膜の
間でｎ層側に向かうにつれて徐々に増加させることが望
ましい。増加のさせ方は、階段状でもよいし、ｌ−ｎ界
面層５の形成時に、窒素源となるガスの流量を一定の割
合で増加させて直線状にしても良い。ｎ層６の膜厚は５
０〜１０００人で好ましくは１００〜５００人、膜の窒
素分率Ｘは界面層５のどの部分の窒素分率よりも高くす
る。この実施例において、ｉ−ｎ界面層５を形成しない
場合と形成する場合のｐ−１−ｎ光電変換素子のバンド
図を第３図（ａ）、（ｂ）に示す。図（ａ）がｉ−ｎ界
面層を形成しない場合のバンド図で、ペテロ接合となる
ｉ−ｎ界面付近に欠陥２０が形成されてしまうため電子
と正孔の再結合が起こり、ｉ層ならびにｉ−ｎ界面の電
界は強くならない。図（′ｂ）はｉ−ｎ界面層の窒素分
率を徐々に増加させたときのバンド図で、ｉ−ｎ界面付
近での電界が強化されている。第４図にｉ−ｎ界面層５
の膜厚、膜質を変化させたときの初期特性を示したもの
である。このデータの試料は、ガラス基板１上にＳｎｏ
ｗ膜２を４５００人の厚さに形成し、その上にσｌ、ｈ
約１０−’ （Ωａ１１） −’、 Ｅ、 ”’約２．
ＯｅＶのａ ５ｉｔ−ｘ Ｃｘ ｐ層膜３を１５０人
の厚さに、ａ−３ｔＯ１層膜４を５０００人の厚さに積
層し、ｉ−ｎ界面層としては、窒素分率Ｘが０．３と一
定の膜５と、０から０．６に直線的に増加させた膜５を
厚さ０〜３５０人の範囲で変化させたものを形成した。
図中の黒丸がＸ ＝ ０．３のもの、白丸がＸを０から
０．６に変化させたものである。ｎ層としては、窒素分
率Ｘが０．６で、ＰＨ３を１％ドープした膜６を２００
人の厚さに形成し、金属電極としてはＡ、膜７を用いた
。第４図から分かるように、ｉ−ｎ界面層のＸ一定のも
のは膜厚２５０人まで、またＸを変化させたものは全膜
厚において初期光電変換効率を向上させることができる
。また、３００人の厚さの界面層膜５のＸを次第に変化
させた素子と界面層を形成しない素子とを、開放状態で
連続１０時間、 ＡＭ １ １００ＩＩ＋Ｗ／ ｃｔＡ
（Ｄ ：Ｌ ＊ ルギー密度の光によって照射したと
ころ、ｉ−ｎ界面層の存在しないもので光電変換効率が
１０％低下したのに対し、ｉ−ｎ界面層の存在するもの
は２％の低下にとどまり、ｉ−ｎ界面層の存在によって
初期光電変換効率および光照射にする信幀性が大幅に向
上していることがわかった。
０．６に変化させたものである。ｎ層としては、窒素分
率Ｘが０．６で、ＰＨ３を１％ドープした膜６を２００
人の厚さに形成し、金属電極としてはＡ、膜７を用いた
。第４図から分かるように、ｉ−ｎ界面層のＸ一定のも
のは膜厚２５０人まで、またＸを変化させたものは全膜
厚において初期光電変換効率を向上させることができる
。また、３００人の厚さの界面層膜５のＸを次第に変化
させた素子と界面層を形成しない素子とを、開放状態で
連続１０時間、 ＡＭ １ １００ＩＩ＋Ｗ／ ｃｔＡ
（Ｄ ：Ｌ ＊ ルギー密度の光によって照射したと
ころ、ｉ−ｎ界面層の存在しないもので光電変換効率が
１０％低下したのに対し、ｉ−ｎ界面層の存在するもの
は２％の低下にとどまり、ｉ−ｎ界面層の存在によって
初期光電変換効率および光照射にする信幀性が大幅に向
上していることがわかった。
第２図は、本発明の別の実施例を示すもので、以下の各
図と同様第１図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。図において、鏡面状に研摩されたステンレス鋼基
板８の上に、第１図の実施例と逆にａ−３ｉ＋−ｘＮｘ
Ｏｎ層膜６ ＋ ａ −３ｔ、−、Ｎ。
図と同様第１図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。図において、鏡面状に研摩されたステンレス鋼基
板８の上に、第１図の実施例と逆にａ−３ｉ＋−ｘＮｘ
Ｏｎ層膜６ ＋ ａ −３ｔ、−、Ｎ。
のｉ−ｎ界面層膜５．ａ−３ｔＯ１層膜４およびａ
Ｓｉ＋−ｘｃｘのｐ層膜３を積層し、その上に■Ｔｏ、
ＳｎＪ等の透明導電膜２を形成し、さらにその上部に集
電電極としてＡ７．Ａｇ等の金属電極７１をスパッタま
たは蒸着によって形成するものである。
Ｓｉ＋−ｘｃｘのｐ層膜３を積層し、その上に■Ｔｏ、
ＳｎＪ等の透明導電膜２を形成し、さらにその上部に集
電電極としてＡ７．Ａｇ等の金属電極７１をスパッタま
たは蒸着によって形成するものである。
ｎ層膜６．界面層膜５の窒素分率は第１図に示した実施
例に準する。この素子は、透明導電膜２の側から光１０
を照射して用いる。
例に準する。この素子は、透明導電膜２の側から光１０
を照射して用いる。
第５図は本発明のさらに別の実施例を示し、透。
光性基板１上に、透明導電膜２．８０〜５００人、好ま
しくは８０〜３００人の厚さのｐ形ａ −５ｔｌ−ｘ
Ｃｘからなるｐ層膜３１．ａ−３ｔからなるｉ層膜４１
．ａ−３ｉ＋−ｘＮｘからなるｉ−ｎ界面層膜５１．ｎ
形にドープされたａ ５ｉｔ−ＸＮｘからなるｎ層膜
６１が積層されている。ｉ−ｎ界面層膜５１．ｎ層膜６
１の膜厚、膜質は第１図に示した実施例のものに準する
が、ｎ層膜６１の膜厚は光の吸収損失を小さくするため
に可能な限り薄い方が好ましく 、１００〜２００人程
度が望ま定形。さらにこの上にｐ形ａ −３ｉ＋−ｘＣ
ｘ膜３２が８０〜３００人の厚さに形成され、その上に
再び１層膜４２が積層される。二つの１層膜４１．４２
の膜厚、膜質は相互に関連して決定される。１層膜４２
の上にａ ３１１−ＸＮＩＩのｌ−ｎ界面層膜５２．
ｎ層膜６２が第１図の実施例の場合と同様に形成され、
最後に金属電極７が設けられている。
しくは８０〜３００人の厚さのｐ形ａ −５ｔｌ−ｘ
Ｃｘからなるｐ層膜３１．ａ−３ｔからなるｉ層膜４１
．ａ−３ｉ＋−ｘＮｘからなるｉ−ｎ界面層膜５１．ｎ
形にドープされたａ ５ｉｔ−ＸＮｘからなるｎ層膜
６１が積層されている。ｉ−ｎ界面層膜５１．ｎ層膜６
１の膜厚、膜質は第１図に示した実施例のものに準する
が、ｎ層膜６１の膜厚は光の吸収損失を小さくするため
に可能な限り薄い方が好ましく 、１００〜２００人程
度が望ま定形。さらにこの上にｐ形ａ −３ｉ＋−ｘＣ
ｘ膜３２が８０〜３００人の厚さに形成され、その上に
再び１層膜４２が積層される。二つの１層膜４１．４２
の膜厚、膜質は相互に関連して決定される。１層膜４２
の上にａ ３１１−ＸＮＩＩのｌ−ｎ界面層膜５２．
ｎ層膜６２が第１図の実施例の場合と同様に形成され、
最後に金属電極７が設けられている。
この実施例では第１図に示した実施例と同様の効果以外
に、ｎ層６１．６２が窒化シリコンで形成されているの
で、等しい膜厚ならば通常の非晶質シリコンに（らべて
光吸収が小さく、ｎ層の光吸収による損失が低減され、
このように複数のｐ−１−ｎ接合が積層される構造の場
合非常に有効である。
に、ｎ層６１．６２が窒化シリコンで形成されているの
で、等しい膜厚ならば通常の非晶質シリコンに（らべて
光吸収が小さく、ｎ層の光吸収による損失が低減され、
このように複数のｐ−１−ｎ接合が積層される構造の場
合非常に有効である。
第６図は、本発明の他の実施例を示すもので、第５図に
示した実施例と異なる点は、第一のｎ層６１の次にｎ形
の微結晶シリコン層膜９を３０〜５００人、好ましくは
５０〜２００人の厚さに介在せしめたことである。これ
により、９層３２との間のｐ−ｎ接合界面での再結合が
起こりやすくなり、内部電極としての役割を十分に果た
すことができる。この微結晶シリコン層膜９の成膜のた
めにみ高いパワーが用いられるが、その下のｎ層膜６１
．ｉ−ｎ界面層膜５１にａ ｓｉ、−ｘＮＸを用いて
いるので、ｉ層膜４１に与える損傷が少ない。
示した実施例と異なる点は、第一のｎ層６１の次にｎ形
の微結晶シリコン層膜９を３０〜５００人、好ましくは
５０〜２００人の厚さに介在せしめたことである。これ
により、９層３２との間のｐ−ｎ接合界面での再結合が
起こりやすくなり、内部電極としての役割を十分に果た
すことができる。この微結晶シリコン層膜９の成膜のた
めにみ高いパワーが用いられるが、その下のｎ層膜６１
．ｉ−ｎ界面層膜５１にａ ｓｉ、−ｘＮＸを用いて
いるので、ｉ層膜４１に与える損傷が少ない。
第７図は、本発明のさらに異なる実施例を示し、第６図
のようにｎ形の微結晶シリコン膜９を介在させずに、第
一のｎ形ａ−５ｔ、□ＮＸＮＸ膜上１上層されるｐ層膜
をｐ形の微結晶膜９１とした。第一のｎ層膜が通常のａ
−３ｔからなり、その層での光吸収損失を少なくするた
めに薄く積層されている場合は、その上に微結晶シリコ
ン膜を重ねると、成膜時の高いパワーにより損傷を受け
、素子特性が悪化する。しかるに、本実施例では、ｎ層
膜６１およびｉ−ｎ界面層膜５１にａ −３ｔ＋−ｘ
Ｎｘ ヲ用’ｔ’でいるおり、耐プラズマ性が強い上に
光学バンドギャップが通常のａ −Ｓｔに比べて大きい
ために光吸収損失が小さく、ｎ層膜厚を厚くすることが
可能であるので、微結晶シリコン成膜時の損傷を避ける
ことができ、ｐ形微結晶膜９１を重ねてｎ層６１との界
面での再結合を起こりゃすくすることが可能となる。
のようにｎ形の微結晶シリコン膜９を介在させずに、第
一のｎ形ａ−５ｔ、□ＮＸＮＸ膜上１上層されるｐ層膜
をｐ形の微結晶膜９１とした。第一のｎ層膜が通常のａ
−３ｔからなり、その層での光吸収損失を少なくするた
めに薄く積層されている場合は、その上に微結晶シリコ
ン膜を重ねると、成膜時の高いパワーにより損傷を受け
、素子特性が悪化する。しかるに、本実施例では、ｎ層
膜６１およびｉ−ｎ界面層膜５１にａ −３ｔ＋−ｘ
Ｎｘ ヲ用’ｔ’でいるおり、耐プラズマ性が強い上に
光学バンドギャップが通常のａ −Ｓｔに比べて大きい
ために光吸収損失が小さく、ｎ層膜厚を厚くすることが
可能であるので、微結晶シリコン成膜時の損傷を避ける
ことができ、ｐ形微結晶膜９１を重ねてｎ層６１との界
面での再結合を起こりゃすくすることが可能となる。
本発明によれば、非晶質シリコン系材料からなるｐ−１
−ｎ接合をもつ光電変換素子のｎ層をａＳｉｔ−ｘＮｘ
によって形成し、ｉ層との間にそれより小さいＸを持つ
ａ ５ｉｌ−）ＩＮｘのｉ層を介在させることにより
、ｉ−ｎ界面での内部電界が強くなり、光の照射による
内部電界の弱化も小さくなる結果、ｉ層の厚い場合でも
初期光電変換効率が高く、光照射による光劣化の少ない
光電変換素子を得ることができる。
−ｎ接合をもつ光電変換素子のｎ層をａＳｉｔ−ｘＮｘ
によって形成し、ｉ層との間にそれより小さいＸを持つ
ａ ５ｉｌ−）ＩＮｘのｉ層を介在させることにより
、ｉ−ｎ界面での内部電界が強くなり、光の照射による
内部電界の弱化も小さくなる結果、ｉ層の厚い場合でも
初期光電変換効率が高く、光照射による光劣化の少ない
光電変換素子を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は別の実施
例の断面図、第３図（ａ）、（ｂｌは本発明の効果を示
すバンド概念図、第４図はｉ−ｎ界面層の有無、膜質、
膜厚による素子の光電変換特性の変化を示す線図、第５
図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例の
断面図である。 １：透光性基板、２：透明導電膜、３．３Ｌ ３２：９
層膜、４．４１．４２： ｉ層膜、５．５１．５２：
ａ −８ｉ１−ｘＮｘ界面層膜、６，６１，６２： ａ
Ｓｉ＋−Ｎｘｎ層膜、７：金属電極膜、８ニステン
レス鋼基板。 １逍光・１１基靭 第１図 第２図 第３図 ｉ−ｎ界面層朋厚（Ａ） 第５図
例の断面図、第３図（ａ）、（ｂｌは本発明の効果を示
すバンド概念図、第４図はｉ−ｎ界面層の有無、膜質、
膜厚による素子の光電変換特性の変化を示す線図、第５
図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例の
断面図である。 １：透光性基板、２：透明導電膜、３．３Ｌ ３２：９
層膜、４．４１．４２： ｉ層膜、５．５１．５２：
ａ −８ｉ１−ｘＮｘ界面層膜、６，６１，６２： ａ
Ｓｉ＋−Ｎｘｎ層膜、７：金属電極膜、８ニステン
レス鋼基板。 １逍光・１１基靭 第１図 第２図 第３図 ｉ−ｎ界面層朋厚（Ａ） 第５図
Claims (1)
- １）ｐ−ｉ−ｎ接合を有するものにおいて、非晶質シリ
コンよりなるｉ層にｎ形の非晶質窒化シリコン層が該層
より低い窒素分率を有するｉ質の非晶質窒化シリコン層
を介して隣接することを特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117844A JPS63283076A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117844A JPS63283076A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283076A true JPS63283076A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14721669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117844A Pending JPS63283076A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260664A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
| JPH0322571A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2009170949A (ja) * | 2009-05-08 | 2009-07-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117844A patent/JPS63283076A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260664A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
| JPH0322571A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2009170949A (ja) * | 2009-05-08 | 2009-07-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置及びその製造方法 |
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