JPH02219284A - 非晶質太陽電池の製造方法 - Google Patents
非晶質太陽電池の製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非晶質シリコン（以下ａ −Ｓ ｉという）
のｐ＋ ｉ層ｎ層からなる非晶質太陽電池の製造方法
に関する。
のｐ＋ ｉ層ｎ層からなる非晶質太陽電池の製造方法
に関する。
一般に、ａ−８ｉ太陽電池は、単結晶Ｓｔ太陽電池に比
べ、大面積化及び低コスト化の点において優れ、注目さ
れている。
べ、大面積化及び低コスト化の点において優れ、注目さ
れている。
ところが、特開昭５９−５４２７４号公報（ＨＯＩＬ８
１１０４ ）や特開昭６８−８４０７９号公報（ＨＯＩ
Ｌ ８１１０８）に記載のように、ａ−８ｔ太陽電池の
場合、強い光を長時間照射したときに、光電変換効率が
低下するいわゆる光劣化を招くという問題がある。
１１０４ ）や特開昭６８−８４０７９号公報（ＨＯＩ
Ｌ ８１１０８）に記載のように、ａ−８ｔ太陽電池の
場合、強い光を長時間照射したときに、光電変換効率が
低下するいわゆる光劣化を招くという問題がある。
これは、ａ −Ｓ ｉ太陽電池のｐ、ｉ、ｎ層を原料ガ
スの分解により形成する場合に、光照射による電子−正
孔対の生成に最も関係するｉ層が、通常モノシラン［Ｓ
ｉＨ４］ガスのみを原料ガスとして形成されるため、膜
中に５ｔ−Ｈ２結合が多数発生し、これが原因と考えら
れる。
スの分解により形成する場合に、光照射による電子−正
孔対の生成に最も関係するｉ層が、通常モノシラン［Ｓ
ｉＨ４］ガスのみを原料ガスとして形成されるため、膜
中に５ｔ−Ｈ２結合が多数発生し、これが原因と考えら
れる。
従来のように、Ｓ ｉ −Ｈ２結合が多数発生すると、
前記した特開昭６３−８４０７９号公報にもあるように
、ダングリングボンドの密度が上昇して膜質の悪化を招
き、光劣化の割合が高くなる。
前記した特開昭６３−８４０７９号公報にもあるように
、ダングリングボンドの密度が上昇して膜質の悪化を招
き、光劣化の割合が高くなる。
本発明は、前記の点に留意してなされ、非晶質太陽電池
の光劣化を抑制し、特性の優れた信頼性の高い非晶質太
陽電池を提供できるようにすることを目的とする。
の光劣化を抑制し、特性の優れた信頼性の高い非晶質太
陽電池を提供できるようにすることを目的とする。
前記目的を達成するために、シリコンを含む原料ガスを
分解し、透光性基板上の透明電極上に非晶質シリコンか
らなるｐ ＋ ’ ＋ ｎ層を積層形成する非晶質太陽
電池の製造方法において、本発明では、 前記１層形成時に、ヘリウムガスとモノシランガスの混
合ガスを前記原料ガスとし、前記ヘリウムガスの前記モ
ノシランガスに対する流量比を０．１以上とすることを
特徴としている。
分解し、透光性基板上の透明電極上に非晶質シリコンか
らなるｐ ＋ ’ ＋ ｎ層を積層形成する非晶質太陽
電池の製造方法において、本発明では、 前記１層形成時に、ヘリウムガスとモノシランガスの混
合ガスを前記原料ガスとし、前記ヘリウムガスの前記モ
ノシランガスに対する流量比を０．１以上とすることを
特徴としている。
以上のような構成において、１層形成時に、ヘリウムガ
スとモノシランガスの混合ガスを原料ガスとし、ヘリウ
ムガスのモノシランガスに対する流量比を０．１以上と
したため、気相反応及び基板表面反応が制御され、１層
中のＳ ｉ −Ｈ２結合の低減が図れ、得られた非晶質
太陽電池の光劣化が抑制される。
スとモノシランガスの混合ガスを原料ガスとし、ヘリウ
ムガスのモノシランガスに対する流量比を０．１以上と
したため、気相反応及び基板表面反応が制御され、１層
中のＳ ｉ −Ｈ２結合の低減が図れ、得られた非晶質
太陽電池の光劣化が抑制される。
実施例について図面を参照して説明する。
第１図は非晶質太陽電池の構成を示し、周知のように、
ガラス等の絶縁透光性基板（１ン上に５ｎ０２やＩＴＯ
などの透光性導電酸化膜からなる透明電極（２）が形成
され、この透明電極（２）上にａ−８ｔからなるｐ、ｉ
、ｎ層（３） 、 （４） 、 （５）が積層形成さ
れ、最上のｎ層（５）上に金属等からなる裏面電極（６
）が形成され、非晶質太陽電池が構成されている。
ガラス等の絶縁透光性基板（１ン上に５ｎ０２やＩＴＯ
などの透光性導電酸化膜からなる透明電極（２）が形成
され、この透明電極（２）上にａ−８ｔからなるｐ、ｉ
、ｎ層（３） 、 （４） 、 （５）が積層形成さ
れ、最上のｎ層（５）上に金属等からなる裏面電極（６
）が形成され、非晶質太陽電池が構成されている。
ところで、ｐ ＋ ｌ＋ ｎ層（３） 、 （４） 、
（５）は例えば平行平板電極型高周波グロー放電法に
より形成され、表１に各層の形成条件を例示し、特に１
層形成時には原料ガスとしてＳ ｉＨ２Ｈ２ガスヘリウ
ム［Ｈｅ］ガスを加え、Ｈｅガスの５ｉＩ（４ガスに対
する流量比を５としている。
（５）は例えば平行平板電極型高周波グロー放電法に
より形成され、表１に各層の形成条件を例示し、特に１
層形成時には原料ガスとしてＳ ｉＨ２Ｈ２ガスヘリウ
ム［Ｈｅ］ガスを加え、Ｈｅガスの５ｉＩ（４ガスに対
する流量比を５としている。
（上大丁＋１テ９６）
このとき、Ｂ２Ｈ６（ジボラン） 、 ＣＨ４（メタン
）。
）。
ＰＨ３（ホスフィン）はそれぞれ水素ガス〔Ｈ２〕によ
り希釈し、希釈率をそれぞれ、Ｂ２Ｈ６／ Ｈ２＝ ０
．１％、 ＣＨ４／ Ｈ２＝１０％、 ＰＨ３／Ｈ２＝
１％に設定した。
り希釈し、希釈率をそれぞれ、Ｂ２Ｈ６／ Ｈ２＝ ０
．１％、 ＣＨ４／ Ｈ２＝１０％、 ＰＨ３／Ｈ２＝
１％に設定した。
そして、表１の条件で形成した非晶質太陽電池■と、ｉ
層形成時の原料ガスをＳｉＨ４ガス（２０８ＣＣＭ）の
みとする以外は表１と同一条件で形成した非晶質太陽電
池■に対し、ＡＭ−１，強度５００ｍＷ／ ａｍ２の光
を照射したときの照射時間とＦＦ［ｆｉｌｌ ｆａｃｔ
ｏｒｌとの関係を調べた結果、第２図に示すようになっ
た。
層形成時の原料ガスをＳｉＨ４ガス（２０８ＣＣＭ）の
みとする以外は表１と同一条件で形成した非晶質太陽電
池■に対し、ＡＭ−１，強度５００ｍＷ／ ａｍ２の光
を照射したときの照射時間とＦＦ［ｆｉｌｌ ｆａｃｔ
ｏｒｌとの関係を調べた結果、第２図に示すようになっ
た。
なお、第２図中のＯは太陽電池ｌのデータを示し、・は
太陽電池■のデータを示す。
太陽電池■のデータを示す。
このように、第２図から明らかなように、太陽電池１．
１のＦＦの初期値はほぼ同じであるが、光照射時間が長
くなるに連れ、太陽電池■のＦＦは大幅に低下するのに
対し、太陽電池ＩのＦＦの低下の度合は太陽電池■に比
べて極めて小さい。
１のＦＦの初期値はほぼ同じであるが、光照射時間が長
くなるに連れ、太陽電池■のＦＦは大幅に低下するのに
対し、太陽電池ＩのＦＦの低下の度合は太陽電池■に比
べて極めて小さい。
これは、太陽電池Ｉのｉ層（４）の形成時の原料ガスを
ＳｉＨ４ガスとＨｅガスの混合ガスとし、ＨｅガスのＳ
１Ｉ（４ガスに対する流量比を０．１以上の５とした
ことにより、気相反応及び基板表面反応が制御され、１
層（４）中の５ｉ−Ｈ２２層の発生が低減され、ダング
リングボンド密度の上昇が抑えられ、光劣化が抑制され
、その結果、ＦＦの低下を抑制できたためと考えられる
。
ＳｉＨ４ガスとＨｅガスの混合ガスとし、ＨｅガスのＳ
１Ｉ（４ガスに対する流量比を０．１以上の５とした
ことにより、気相反応及び基板表面反応が制御され、１
層（４）中の５ｉ−Ｈ２２層の発生が低減され、ダング
リングボンド密度の上昇が抑えられ、光劣化が抑制され
、その結果、ＦＦの低下を抑制できたためと考えられる
。
つぎに、ｉ層形成時のＨｅガスのＳ ｉＨ４ガスに灯る
流量比（Ｈｅ／５ｉＨ４）の最適条件を求めるため【こ
、流量比（Ｈｅ／５ｉＨ４）を種々変えて非晶質太陽電
池を作成し、作成した各太陽電池に対し、ＡＭ −１。
流量比（Ｈｅ／５ｉＨ４）の最適条件を求めるため【こ
、流量比（Ｈｅ／５ｉＨ４）を種々変えて非晶質太陽電
池を作成し、作成した各太陽電池に対し、ＡＭ −１。
強度５００ ｍ ｗ／ ｃ ｍの光を照射し、照射直後
の光電変換効率η０に対する５時間照射時の光電変換効
率ηの比（η／ηＯ）を測定し、光劣化の割合を調べた
結果、第３図に示すよう（こなった。
の光電変換効率η０に対する５時間照射時の光電変換効
率ηの比（η／ηＯ）を測定し、光劣化の割合を調べた
結果、第３図に示すよう（こなった。
そして、第３図に示すように、Ｈｅガスがゼロのときに
は、η／η０はほぼ０．７であり、流量比（Ｈｅ／Ｓ
ｉ層４ ）が０．１まではη／η０の値は変化せず、１
比が０．１以上になるとη／η０の値は増加し始め、第
３図の例では、流量比が８〜１０のときにη／η０の値
が最大となり、これらの結果から、ＨｅガスのＳｉＨ４
ガスに対する流量比がＯ，１以上であれば、銃よりも光
劣化を低減することができる。
は、η／η０はほぼ０．７であり、流量比（Ｈｅ／Ｓ
ｉ層４ ）が０．１まではη／η０の値は変化せず、１
比が０．１以上になるとη／η０の値は増加し始め、第
３図の例では、流量比が８〜１０のときにη／η０の値
が最大となり、これらの結果から、ＨｅガスのＳｉＨ４
ガスに対する流量比がＯ，１以上であれば、銃よりも光
劣化を低減することができる。
ところで、ｐ、ｎ層（３） 、 （５）の形成条件を表
１をこ示す条件とし、ｉ層（４）の形成条件を表２に示
す範囲内で適当に組み合わせた条件とし、ｉ層形成時の
ＨｅガスとＳｉＨ４ガスの流量比を変えた場合の光劣化
の割合を調べた結果、表２の条件において、やはり流量
比（Ｈｅ／５ｉＨ４）が０．１以上のときに光劣化を抑
制できることがわかった。
１をこ示す条件とし、ｉ層（４）の形成条件を表２に示
す範囲内で適当に組み合わせた条件とし、ｉ層形成時の
ＨｅガスとＳｉＨ４ガスの流量比を変えた場合の光劣化
の割合を調べた結果、表２の条件において、やはり流量
比（Ｈｅ／５ｉＨ４）が０．１以上のときに光劣化を抑
制できることがわかった。
（上ん丁 １ γデ宣白）
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載する効果を奏する。
下に記載する効果を奏する。
ｉ層形成時に、ヘリウムガスとモノシランガスの混合ガ
スを原料ガスとし、ヘリウムガスのモノシランガスに対
する流量比を０．１以上としたため、気相反応及び基板
表面反応を制御でき、ｉ層中の５ｔ−Ｈ２結合の低減を
図ることができ、得られた非晶質太陽電池の光劣化を従
来よりも低減することができ、光電変換特性の優れた信
頼性の高い非晶質太陽電池を提供することが可能となる
。
スを原料ガスとし、ヘリウムガスのモノシランガスに対
する流量比を０．１以上としたため、気相反応及び基板
表面反応を制御でき、ｉ層中の５ｔ−Ｈ２結合の低減を
図ることができ、得られた非晶質太陽電池の光劣化を従
来よりも低減することができ、光電変換特性の優れた信
頼性の高い非晶質太陽電池を提供することが可能となる
。
図面は、本発明の非晶質太陽電池の製造方法の１実施例
を示し、第１図は製造された非晶質太陽電池の概略図、
第２図は光照射時間とＦＦとの関係図、第３図はＨｅガ
スとＳｉＨ４ガスの流量比と効率比η／ηＯとの関係図
である。 （１）・・・透光性基板、（２）・・・透明電極、（３
） 、 （４） 、 （５）・・・ｐ、ｉ、ｎ層。 第１図
を示し、第１図は製造された非晶質太陽電池の概略図、
第２図は光照射時間とＦＦとの関係図、第３図はＨｅガ
スとＳｉＨ４ガスの流量比と効率比η／ηＯとの関係図
である。 （１）・・・透光性基板、（２）・・・透明電極、（３
） 、 （４） 、 （５）・・・ｐ、ｉ、ｎ層。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １シリコンを含む原料ガスを分解し、透光性基板上の透
明電極上に非晶質シリコンからなるｐ、ｉ、ｎ層を積層
形成する非晶質太陽電池の製造方法において、 前記ｉ層形成時に、ヘリウムガスとモノシランガスの混
合ガスを前記原料ガスとし、前記ヘリウムガスの前記モ
ノシランガスに対する流量比を０．１以上とすることを
特徴とする非晶質太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041274A JP2775460B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 非晶質太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041274A JP2775460B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 非晶質太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219284A true JPH02219284A (ja) | 1990-08-31 |
| JP2775460B2 JP2775460B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=12603866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041274A Expired - Fee Related JP2775460B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 非晶質太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775460B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246744A (en) * | 1990-11-30 | 1993-09-21 | Central Glass Company, Limited | Method of forming thin film of amorphous silicon by plasma cvd |
| CN103022060A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022059A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101489306B1 (ko) | 2013-10-21 | 2015-02-11 | 주식회사 유진테크 | 어모퍼스 실리콘막의 증착 방법 및 증착 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925278A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池およびその製法 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1041274A patent/JP2775460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925278A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池およびその製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246744A (en) * | 1990-11-30 | 1993-09-21 | Central Glass Company, Limited | Method of forming thin film of amorphous silicon by plasma cvd |
| CN103022060A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022059A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2775460B2 (ja) | 1998-07-16 |
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|---|---|---|---|
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