JPS63282918A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63282918A JPS63282918A JP62119432A JP11943287A JPS63282918A JP S63282918 A JPS63282918 A JP S63282918A JP 62119432 A JP62119432 A JP 62119432A JP 11943287 A JP11943287 A JP 11943287A JP S63282918 A JPS63282918 A JP S63282918A
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- magnetic recording
- monomolecular
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術
近年の磁気記録の高密度化の進歩は著しく、磁気記録媒
体として、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気テー
プ、磁気ディスク等の実用化が強く望せれている。
体として、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気テー
プ、磁気ディスク等の実用化が強く望せれている。
一般にかかる磁気記録媒体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリイミド等の高分子フィルム上に、電子ビーム
蒸着法、高周波スパッタリング法２ベーノ 等により、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ。
ート、ポリイミド等の高分子フィルム上に、電子ビーム
蒸着法、高周波スパッタリング法２ベーノ 等により、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の強磁性金属薄膜が形成され〔例え
ば、特公昭５８−９１号公報、特公昭５７−２９７７０
号公報、特公昭５７−１９４９３号公報等参照〕、その
上に含フツ素潤滑剤、プラズマ重合膜等の保護潤滑層が
形成され、最終的に所定の形状に加工される〔特開昭６
１−１５１８３７号公報、同６１−１２６６２７ 、特
開昭６０−９３６３６ 、同６２−３４１７号公報等参
照〕のであるが、最近の課題として重要視される保護潤
滑膜の形成には公知のラングミュア・ブロジエッ）（Ｌ
、Ｂ、）法を応用することにより、スペーシング損失を
小さくする試みが検討され、単分子膜の転写方法につい
ても改良が進められている〔固体物理、第１７巻、７４
４頁（１９８２） 。
ば、特公昭５８−９１号公報、特公昭５７−２９７７０
号公報、特公昭５７−１９４９３号公報等参照〕、その
上に含フツ素潤滑剤、プラズマ重合膜等の保護潤滑層が
形成され、最終的に所定の形状に加工される〔特開昭６
１−１５１８３７号公報、同６１−１２６６２７ 、特
開昭６０−９３６３６ 、同６２−３４１７号公報等参
照〕のであるが、最近の課題として重要視される保護潤
滑膜の形成には公知のラングミュア・ブロジエッ）（Ｌ
、Ｂ、）法を応用することにより、スペーシング損失を
小さくする試みが検討され、単分子膜の転写方法につい
ても改良が進められている〔固体物理、第１７巻、７４
４頁（１９８２） 。
特公昭５６−３０６０９号公報、特開昭６１−１５１８
３５号公報、同６２−４４６８号公報等参照〕。
３５号公報、同６２−４４６８号公報等参照〕。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、下層液上に展開された固体状単３ペ−ノ
分子膜を、移動する高分子基板上の強磁性金属薄膜上に
連続的に転写する従来の方法では、記録波長が０．８μ
ｍ以下になシ更に狭トラツク化されることで進む高密度
化に十分な対応ができないために改善が望まれている。
連続的に転写する従来の方法では、記録波長が０．８μ
ｍ以下になシ更に狭トラツク化されることで進む高密度
化に十分な対応ができないために改善が望まれている。
本発明は上記問題点に鑑み、高密度記録を良好なＣ／Ｎ
で行うことができ、かつ耐久性の良好な磁気記録媒体を
製造できる方法を提供することを目的とするものである
。
で行うことができ、かつ耐久性の良好な磁気記録媒体を
製造できる方法を提供することを目的とするものである
。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造
方法は、両親媒性分子の単分子膜形成を、強磁性金属薄
膜を通電状態に保持して行うものである。
方法は、両親媒性分子の単分子膜形成を、強磁性金属薄
膜を通電状態に保持して行うものである。
作 用
上記製造方法により、単分子膜の配列が緻密になり、か
つ反応が大きくなるために、強磁性金属薄膜の保護性能
が向上し、優れた耐久性と良好なＣ／Ｎ比を得ることが
できる。
つ反応が大きくなるために、強磁性金属薄膜の保護性能
が向上し、優れた耐久性と良好なＣ／Ｎ比を得ることが
できる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例に係る磁気
記録媒体の製造方法について説明する。
記録媒体の製造方法について説明する。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いた単分子膜形
成装置の要部構成図である。
成装置の要部構成図である。
図において、１は高分子フィルム上にＣｏ−Ｎｉ。
Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の強
磁性金属薄膜が形成されたウェブＡ、２はウェブＡ１上
にさらに単分子膜を形成したウェブＢである。３は巻出
し軸、４は巻取り軸、５はタンク、６は下層液（水層）
、７は圧縮ローラー、８は単分子膜、９はノズル、１０
はガイドローラ、１１は誘導加熱コイルである。
磁性金属薄膜が形成されたウェブＡ、２はウェブＡ１上
にさらに単分子膜を形成したウェブＢである。３は巻出
し軸、４は巻取り軸、５はタンク、６は下層液（水層）
、７は圧縮ローラー、８は単分子膜、９はノズル、１０
はガイドローラ、１１は誘導加熱コイルである。
図に示しだ装置により単分子膜形成時に、通電加熱した
場合の効果について、従来の製造方法との対比で説明す
る。
場合の効果について、従来の製造方法との対比で説明す
る。
厚さ１０１１ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に直径７０へのシリカ微粒子を２ Ｘ １ ｏ９／ｃ
ｎｆ配設し、その上にＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）
垂直磁化膜を０．１７ｚｍの厚さ高周波スパッタリング
法によって形成したウェブＡ１を準５ ヘーノ 備し、次にノズル９からタンク５内に両親媒性分子をク
ロロホルムに溶解した溶液を滴下し、下層液６面上に両
親媒性分子の単分子層８を形成し、更にそれを圧縮ロー
ラー７で圧縮し、固体単分子膜とし、１３．６ｋＨｚの
高周波誘導加熱により、Ｃｏ−Ｃｒ膜に渦電流を流した
状態でＣｏ−Ｃｒ膜上に単分子膜を転写被着させた。そ
してそれぞれ８ミリ幅のテープとして仕上げだ。
上に直径７０へのシリカ微粒子を２ Ｘ １ ｏ９／ｃ
ｎｆ配設し、その上にＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）
垂直磁化膜を０．１７ｚｍの厚さ高周波スパッタリング
法によって形成したウェブＡ１を準５ ヘーノ 備し、次にノズル９からタンク５内に両親媒性分子をク
ロロホルムに溶解した溶液を滴下し、下層液６面上に両
親媒性分子の単分子層８を形成し、更にそれを圧縮ロー
ラー７で圧縮し、固体単分子膜とし、１３．６ｋＨｚの
高周波誘導加熱により、Ｃｏ−Ｃｒ膜に渦電流を流した
状態でＣｏ−Ｃｒ膜上に単分子膜を転写被着させた。そ
してそれぞれ８ミリ幅のテープとして仕上げだ。
本実施例の製造方法によるテープＩは、トリデカン酸の
単分子膜を誘導加熱を行いながら形成したもので、比較
例であるテープ■は同じ単分子膜を誘導加熱なしで形成
したものである。
単分子膜を誘導加熱を行いながら形成したもので、比較
例であるテープ■は同じ単分子膜を誘導加熱なしで形成
したものである。
それぞれのテープ１．Ｉｌを市販の８ミリビデオテープ
レコーダと同一のメカニズムで、ギヤツブ長ヲ○ｊ５／
Ｊｍのセンダストヘッドで、０．６７１ｍの記録波長の
信号を記録しくトラック幅９７１ｍ）、再生をくり返し
てＣ／Ｎの変化とドロップアウトの変化を比較した。テ
ープヘッドの相対速度は３ （ｍ ／ｓｅｃ 、）、中
心周波数は５ （ＭＨｚ ）、４ （ＭＨｚ ）のノイ
ズでＣ／Ｎを評価したところ、初期値はテ６ベージ ープＩ、■共に市販の合金粉末塗布型テープに対して、
＋９．５（ｄＢ）であり、そして、４０℃１２％ＲＨの
条件下において１２３回走行後のＣ／Ｎは、初期値に比
べてテープＩは−０，５〜−ｏ、７（ｄＢ）で、テープ
■は−０，９〜−３，４（ｄＢ）とテープＩに対してテ
ープ■の方が再生位置により劣化のばらつきが大きくな
っていた。
レコーダと同一のメカニズムで、ギヤツブ長ヲ○ｊ５／
Ｊｍのセンダストヘッドで、０．６７１ｍの記録波長の
信号を記録しくトラック幅９７１ｍ）、再生をくり返し
てＣ／Ｎの変化とドロップアウトの変化を比較した。テ
ープヘッドの相対速度は３ （ｍ ／ｓｅｃ 、）、中
心周波数は５ （ＭＨｚ ）、４ （ＭＨｚ ）のノイ
ズでＣ／Ｎを評価したところ、初期値はテ６ベージ ープＩ、■共に市販の合金粉末塗布型テープに対して、
＋９．５（ｄＢ）であり、そして、４０℃１２％ＲＨの
条件下において１２３回走行後のＣ／Ｎは、初期値に比
べてテープＩは−０，５〜−ｏ、７（ｄＢ）で、テープ
■は−０，９〜−３，４（ｄＢ）とテープＩに対してテ
ープ■の方が再生位置により劣化のばらつきが大きくな
っていた。
一方１０（ＩｔＳ）、−１０（ｄＢ）のドロップアウト
に関しては、テープＩは初期値が３７〜４３／ｍｉｎ。
に関しては、テープＩは初期値が３７〜４３／ｍｉｎ。
１２３回走行後は３Ｑ〜３４ ／ ｍｉｎと安定してい
たのに対して、テープ■は、初期値でも３９〜７８ ／
Ｚｎ１ｎ 、 １２３回走行後は５２〜３０６ ／
ｍｉ ｎとばらつきが大きくなっていた。
たのに対して、テープ■は、初期値でも３９〜７８ ／
Ｚｎ１ｎ 、 １２３回走行後は５２〜３０６ ／
ｍｉ ｎとばらつきが大きくなっていた。
以上のように本実施例によれば、Ｃ／Ｎ比とドロップア
ウト特性に優れたテープを提供することが可能となる。
ウト特性に優れたテープを提供することが可能となる。
なお本実施例に本発明は制約を受けるものではすく、高
分子フィルムとしては、ポリフェニレンサルファイド、
ポリイミド等地の高分子フイルム了ヘーノ でもよいし、また強磁性金属薄膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｆｅ。
分子フィルムとしては、ポリフェニレンサルファイド、
ポリイミド等地の高分子フイルム了ヘーノ でもよいし、また強磁性金属薄膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｆｅ。
Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｒ
−０゜Ｃｏ−Ｎｉ−３ｍ−○等、さらに両親媒性分子と
しては、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸
、ステアリン酸、及びそれらのＬｉ、Ｎａ、Ｍｑ。
−０゜Ｃｏ−Ｎｉ−３ｍ−○等、さらに両親媒性分子と
しては、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸
、ステアリン酸、及びそれらのＬｉ、Ｎａ、Ｍｑ。
Ｃａ、Ｂａ等の塩等においても同様の効果があるもので
ある。また通電方法は実施例の他に強磁性金属薄膜と電
極とを接触させて通電する方法でもよい。
ある。また通電方法は実施例の他に強磁性金属薄膜と電
極とを接触させて通電する方法でもよい。
発明の効果
本発明によれば、通電状態に保持した強磁性金属薄膜上
に両親媒性分子の単分子膜を形成することにより、Ｃ／
Ｎとドロップアウト特性の良好な磁気記録媒体を量産で
きるといったすぐれた効果がある。
に両親媒性分子の単分子膜を形成することにより、Ｃ／
Ｎとドロップアウト特性の良好な磁気記録媒体を量産で
きるといったすぐれた効果がある。
図は本発明の実施に用いられる単分子膜形成装置である
。 ７・・・・圧縮ローラ、８・・・・・・単分子膜、１１
・・・・・・誘導加熱コイル。
。 ７・・・・圧縮ローラ、８・・・・・・単分子膜、１１
・・・・・・誘導加熱コイル。
Claims (1)
- 両親媒性分子の単分子膜を強磁性金属薄膜上に形成する
とき、前記強磁性金属薄膜を通電状態に保持することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119432A JPS63282918A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119432A JPS63282918A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282918A true JPS63282918A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14761288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119432A Pending JPS63282918A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63282918A (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119432A patent/JPS63282918A/ja active Pending
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