JPS63281460A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63281460A JPS63281460A JP62117780A JP11778087A JPS63281460A JP S63281460 A JPS63281460 A JP S63281460A JP 62117780 A JP62117780 A JP 62117780A JP 11778087 A JP11778087 A JP 11778087A JP S63281460 A JPS63281460 A JP S63281460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cdte
- well region
- crystal
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000241872 Lycium chinense Species 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＣｄＴｅの基板に所定パターンの水銀・カドミウム・テ
ルル（Ｈｇ＋−＊Ｃｄｘ Ｔｅ）よりなる島状のウェル
領域を形成し、該ウェル領域内にＰ−Ｎ接合を形成して
ホトダイオードを形成し、該ホトダイオードとＳｉ基板
に形成した電荷転送素子のようなマルチプレクサの入力
部とをインジウム金属柱で接続して一体化したハイブリ
ッド型赤外検知器のＣｄＴｅ基板のうちの島状のウェル
領域を残留させた状態でＣｄＴｅ結晶のみを選択的にエ
ツチング除去して半導体装置を製造することで、光電変
換素子に於けるクロストークの発生を無くし、この半導
体装置を７７°にの動作時の低温状態より室温の間の温
度サイクルで動作させた場合に、ＣｄＴｅ基板とＳｉ基
板との熱膨張係数の相違によって前記Ｉｎ金属柱に塑性
変形が生じないようにする。
ルル（Ｈｇ＋−＊Ｃｄｘ Ｔｅ）よりなる島状のウェル
領域を形成し、該ウェル領域内にＰ−Ｎ接合を形成して
ホトダイオードを形成し、該ホトダイオードとＳｉ基板
に形成した電荷転送素子のようなマルチプレクサの入力
部とをインジウム金属柱で接続して一体化したハイブリ
ッド型赤外検知器のＣｄＴｅ基板のうちの島状のウェル
領域を残留させた状態でＣｄＴｅ結晶のみを選択的にエ
ツチング除去して半導体装置を製造することで、光電変
換素子に於けるクロストークの発生を無くし、この半導
体装置を７７°にの動作時の低温状態より室温の間の温
度サイクルで動作させた場合に、ＣｄＴｅ基板とＳｉ基
板との熱膨張係数の相違によって前記Ｉｎ金属柱に塑性
変形が生じないようにする。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にＣｄＴｅ基
板にホトダイードをアレイ状に形成した赤外線検知素子
と該検知素子の検知信号の信号処理回路を設けたＳｉ基
板を金属柱で接続したハイブリッド型赤外検知器の製造
方法に関する。
板にホトダイードをアレイ状に形成した赤外線検知素子
と該検知素子の検知信号の信号処理回路を設けたＳｉ基
板を金属柱で接続したハイブリッド型赤外検知器の製造
方法に関する。
水銀・カドミウム・テルルよりなる化合物半導体基板に
ホトダイオードをアレイ状に配設した赤外線検知素子の
出力部と、Ｓｉ基板に設けられ該検知素子で検知された
検知信号を信号処理する電荷転送素子の入力部とをＩｎ
金属柱で接続し、前記赤外線検知素子と電荷転送素子と
を一体化したハイブリッド型赤外検知器の一種であるＩ
ＲＣＣＤ（赤外検知用電荷転送装置）は周知である。
ホトダイオードをアレイ状に配設した赤外線検知素子の
出力部と、Ｓｉ基板に設けられ該検知素子で検知された
検知信号を信号処理する電荷転送素子の入力部とをＩｎ
金属柱で接続し、前記赤外線検知素子と電荷転送素子と
を一体化したハイブリッド型赤外検知器の一種であるＩ
ＲＣＣＤ（赤外検知用電荷転送装置）は周知である。
このようなＩＲＣＣＤに於いてクロストークの発生を無
くし、７７°にの低温の動作時と室温の非動作 。
くし、７７°にの低温の動作時と室温の非動作 。
時の間の温度サイクルの間に化合物半導体基板とＳｉ基
板との熱膨張係数の相違によって両者の基板を接続して
いるＩｎ金属柱に塑性変形を生じない装置が要望されて
いる。
板との熱膨張係数の相違によって両者の基板を接続して
いるＩｎ金属柱に塑性変形を生じない装置が要望されて
いる。
従来、このような赤外線検知素子アレイを形成する場合
、第２図に示すようにＣｄＴｅ基板１に所定パターンの
ホトレジスト膜２を形成し、該ホトレジスト膜２をマス
クとしてブロム（Ｂｒｚ） とメチルアルコール（ＣＨ
：ｌｏ＋（）よりなるエツチング液を用いて溝３を形成
する。
、第２図に示すようにＣｄＴｅ基板１に所定パターンの
ホトレジスト膜２を形成し、該ホトレジスト膜２をマス
クとしてブロム（Ｂｒｚ） とメチルアルコール（ＣＨ
：ｌｏ＋（）よりなるエツチング液を用いて溝３を形成
する。
次いで第３図に示すように該溝３を含む基板１上に液相
エピタキシャル成長方法等を用いてＰ型のＨｇ１−ｘ
ｃｄＸＴｅよりなる結晶４を形成する。
エピタキシャル成長方法等を用いてＰ型のＨｇ１−ｘ
ｃｄＸＴｅよりなる結晶４を形成する。
次いで第４図に示すように該基板表面を研磨し、該基板
１に島状のウェル領域５を形成する。
１に島状のウェル領域５を形成する。
次いで第５図に示すように該基板上に所定パターンのホ
トレジスト膜６を形成し、このホトレジスト膜６をマス
クとして用いてイオン注入法により該ウェル領域５にＮ
型の不純物となるボロン（Ｂ）原子をイオン注入してＮ
型層７を形成し、Ｐ−Ｎ接合を形成してホトダイオード
８を形成する。
トレジスト膜６を形成し、このホトレジスト膜６をマス
クとして用いてイオン注入法により該ウェル領域５にＮ
型の不純物となるボロン（Ｂ）原子をイオン注入してＮ
型層７を形成し、Ｐ−Ｎ接合を形成してホトダイオード
８を形成する。
次いで第６図に示すように、前記したホトレジスト膜６
を除去した後、前記したホトダイオード８のＮ型層７よ
りなる出力部とＳｉ基板９に形成された電荷転送装置の
入力ダイオード１０の間と、ホトダイオード８が形成さ
れているウェル領域５と、電荷転送装置が形成されてい
るＳｉ基板９に設けられたアース接続用のパスライン１
１とをそれぞれＩｎ金属柱１２．１３を用いて接続して
いる。
を除去した後、前記したホトダイオード８のＮ型層７よ
りなる出力部とＳｉ基板９に形成された電荷転送装置の
入力ダイオード１０の間と、ホトダイオード８が形成さ
れているウェル領域５と、電荷転送装置が形成されてい
るＳｉ基板９に設けられたアース接続用のパスライン１
１とをそれぞれＩｎ金属柱１２．１３を用いて接続して
いる。
然し、このような方法で形成したＩＲＣＣＤは隣接する
ホトダイオード８の間に入射したホトンは光電変換され
てキャリアとなり、そのキャリアは隣接するホトダイオ
ードに流れこんで、両方のホトダイオードの各々で検知
される検知信号にクロストークを発生させる問題がある
。
ホトダイオード８の間に入射したホトンは光電変換され
てキャリアとなり、そのキャリアは隣接するホトダイオ
ードに流れこんで、両方のホトダイオードの各々で検知
される検知信号にクロストークを発生させる問題がある
。
またホトダイオード８よりなる赤外線検知素子を形成し
たＣｄＴｅの基板の熱膨張率（線膨張係数）は、該装置
の動作温度の７７°Ｋに於いては＋０．９ＸＩＯ−６／
にで、電荷転送装置を形成しているＳｉ基板８は−０，
５Ｘｌ０−’／にで、また非動作時の２９７°にではＣ
ｄＴｅ基板の熱膨張率は５．ＯＸｌ０−６／にで、Ｓｉ
基板の熱膨張率は２．５ Ｘｌ０−６／にで両方の基板
に於いで熱膨張率がそれぞれ異なる。
たＣｄＴｅの基板の熱膨張率（線膨張係数）は、該装置
の動作温度の７７°Ｋに於いては＋０．９ＸＩＯ−６／
にで、電荷転送装置を形成しているＳｉ基板８は−０，
５Ｘｌ０−’／にで、また非動作時の２９７°にではＣ
ｄＴｅ基板の熱膨張率は５．ＯＸｌ０−６／にで、Ｓｉ
基板の熱膨張率は２．５ Ｘｌ０−６／にで両方の基板
に於いで熱膨張率がそれぞれ異なる。
そのため、このＩＲＣＣＤの動作時の７７６にの低温よ
り室温の２９７°にの間の温度サイクルで動作させた時
、両者の基板の熱膨張係数が異なるために、基板間を接
続しているＩｎ金属柱に塑性変形が発生する問題がある
。
り室温の２９７°にの間の温度サイクルで動作させた時
、両者の基板の熱膨張係数が異なるために、基板間を接
続しているＩｎ金属柱に塑性変形が発生する問題がある
。
本発明は上記した問題点を除去し、クコストークが発生
せず、Ｉｎ金属柱で接続される両方の基板の熱膨張率の
差によるＩｎ金属柱の塑性変形が生じないようにした半
導体装置の製造方法の提供を目的とする。
せず、Ｉｎ金属柱で接続される両方の基板の熱膨張率の
差によるＩｎ金属柱の塑性変形が生じないようにした半
導体装置の製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方
法は、カドミウムテルル基板に所定パターンの水銀・カ
ドミウム・テルル結晶層よりなり、Ｐ−Ｎ接合を形成し
たウェル領域を形成して光電変換素子を形成後、該光電
変換素子の出力部と他方の半導体基板に形成したマルチ
プレクサの入力部とを金属柱にて接続した後、前記光電
変換素子を形成している基板のカドミウムテルル結晶の
みを選択的に除去する。
法は、カドミウムテルル基板に所定パターンの水銀・カ
ドミウム・テルル結晶層よりなり、Ｐ−Ｎ接合を形成し
たウェル領域を形成して光電変換素子を形成後、該光電
変換素子の出力部と他方の半導体基板に形成したマルチ
プレクサの入力部とを金属柱にて接続した後、前記光電
変換素子を形成している基板のカドミウムテルル結晶の
みを選択的に除去する。
ＣｄＴｅ基板に形成されているホトダイオードの出力部
と電荷転送装置の人力部とをＩｎ金属柱で接続した後、
ホトダイオードが形成されているＣｄＴｅ基板をＣｄＴ
ｅ結晶は選択的にエツチングしｌ１ｇ＋−ｘ ＣｄｘＴ
ｅ結晶はエツチングしないようなエツチング選択比を有
するエツチング液、即ち特願昭５７−１９１０５８号に
於いて本出願人が出願したエツチング液にてＰ−Ｎ接合
を形成したＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのウェル領域を有
するＣｄＴｅ基板をエツチングする。するとＣｄＴｅ結
晶のみが選択的にエツチングされるので、ウェル領域の
み基板より分離される形となり、クロストークの発生が
無い半導体装置が得られる。更に上記の方法によりＣｄ
Ｔｅの基板の容積が少なくなるので、ＣｄＴｅの基板の
熱膨張率とＳｉ基板の熱膨張率の差によってＩｎ金属柱
が塑性変形を起こす事故がなくなる。
と電荷転送装置の人力部とをＩｎ金属柱で接続した後、
ホトダイオードが形成されているＣｄＴｅ基板をＣｄＴ
ｅ結晶は選択的にエツチングしｌ１ｇ＋−ｘ ＣｄｘＴ
ｅ結晶はエツチングしないようなエツチング選択比を有
するエツチング液、即ち特願昭５７−１９１０５８号に
於いて本出願人が出願したエツチング液にてＰ−Ｎ接合
を形成したＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのウェル領域を有
するＣｄＴｅ基板をエツチングする。するとＣｄＴｅ結
晶のみが選択的にエツチングされるので、ウェル領域の
み基板より分離される形となり、クロストークの発生が
無い半導体装置が得られる。更に上記の方法によりＣｄ
Ｔｅの基板の容積が少なくなるので、ＣｄＴｅの基板の
熱膨張率とＳｉ基板の熱膨張率の差によってＩｎ金属柱
が塑性変形を起こす事故がなくなる。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
本発明の半導体装置の製造方法の工程は前記した第２図
より第６図迄は同様にする。
より第６図迄は同様にする。
次いで第１図に示すようにＩｎ金属柱１２、およびＩｎ
金属柱１３でＳｉ基板９と接続されたＣｄＴｅの基板１
を弗化水素酸（肝）と硝酸（ＨＮＯ３’） と酢酸（
ＣＨ３ＣＯＯＨ）と水（Ｈ２Ｏ）とが、重量比で（２〜
５） ： （３〜５）：６：６の混合比になるように混
合したエツチング液、即ち本出願人が、特願昭５７−１
９１０５８号に於いて出願したエツチング液に浸漬させ
てエツチングする。
金属柱１３でＳｉ基板９と接続されたＣｄＴｅの基板１
を弗化水素酸（肝）と硝酸（ＨＮＯ３’） と酢酸（
ＣＨ３ＣＯＯＨ）と水（Ｈ２Ｏ）とが、重量比で（２〜
５） ： （３〜５）：６：６の混合比になるように混
合したエツチング液、即ち本出願人が、特願昭５７−１
９１０５８号に於いて出願したエツチング液に浸漬させ
てエツチングする。
するとこのエツチング液は、ウェル領域５を形成するＨ
ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの結晶はエツチングしない状態
で、ＣｄＴｅ結晶のみを選択的にエツチングし、Ｈｇ１
−ｘ ’ＣｄＸＴｅのウェル領域５が残った状態で、ウ
ェル領域５以外のＣｄＴｅ基板が選択的にエツチングさ
れる。
ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの結晶はエツチングしない状態
で、ＣｄＴｅ結晶のみを選択的にエツチングし、Ｈｇ１
−ｘ ’ＣｄＸＴｅのウェル領域５が残った状態で、ウ
ェル領域５以外のＣｄＴｅ基板が選択的にエツチングさ
れる。
このようにすれば、ＣｄＴｅ基板の部分は無くなるため
、ホトダイオード８を形成したウェル領域５が完全に絶
縁分離されるため、クロストークの現象が発生しない。
、ホトダイオード８を形成したウェル領域５が完全に絶
縁分離されるため、クロストークの現象が発生しない。
またこの半導体装置を７７°にの動作時と２９７°にの
非動作時の温度サイクル内で使用した場合、ＣｄＴｅ基
板結晶が除去されているのでＳｉ基板とＣｃｌＴｅ基板
の熱膨張率の相違でＩｎ金属柱が塑性変形を起こす事故
がなくなり、高信頼度の半導体装置が得られる効果があ
る。
非動作時の温度サイクル内で使用した場合、ＣｄＴｅ基
板結晶が除去されているのでＳｉ基板とＣｃｌＴｅ基板
の熱膨張率の相違でＩｎ金属柱が塑性変形を起こす事故
がなくなり、高信頼度の半導体装置が得られる効果があ
る。
以上述べたように本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、金属ハンプの塑性変形が生じなく、クロストークの
発生しない半導体装置が得られる効果がある。
ば、金属ハンプの塑性変形が生じなく、クロストークの
発生しない半導体装置が得られる効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図、
第２図より第６図までは従来の半導体装置の製造方法を
示す断面図である。 図に於いて、 ５はウェル領域、７はＮ型層、８はホトダイオード、９
はＳｉ基板、１０は入力ダイオード、１１はハ序発ｇ月
のＣｄ丁ｅｊｔＡエツ手ン７゛工Ｊ￥の第１図 ３溝 の蛎ん潰す５清形へ′ｘ６図 第２図 ６ｈ４＋＝ｂｒｆｈ ｈｇｒ−ｘＣｄｘｒｅ形ＦＩ Ｉ
ＪＸ ｍ第３図
示す断面図である。 図に於いて、 ５はウェル領域、７はＮ型層、８はホトダイオード、９
はＳｉ基板、１０は入力ダイオード、１１はハ序発ｇ月
のＣｄ丁ｅｊｔＡエツ手ン７゛工Ｊ￥の第１図 ３溝 の蛎ん潰す５清形へ′ｘ６図 第２図 ６ｈ４＋＝ｂｒｆｈ ｈｇｒ−ｘＣｄｘｒｅ形ＦＩ Ｉ
ＪＸ ｍ第３図
Claims (1)
- カドミウムテルル基板（１）にＰ−Ｎ接合を設けた水
銀・カドミウム・テルルよりなるウェル領域（５）を形
成して光電変換素子を形成後、該光電変換素子の出力部
と他方の半導体基板（９）に形成したマルチプレクサの
入力部とを金属柱（１２）にて接続し、その後前記光電
変換素子を形成している基板（１）のカドミウムテルル
結晶のみを選択的に除去することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117780A JPH0828491B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117780A JPH0828491B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281460A true JPS63281460A (ja) | 1988-11-17 |
| JPH0828491B2 JPH0828491B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=14720135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117780A Expired - Lifetime JPH0828491B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828491B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0631317A2 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | AT&T Corp. | Integrated semiconductor devices and method for manufacture thereof |
| FR2838561A1 (fr) * | 2002-04-12 | 2003-10-17 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de photodectecteurs, a pixels isoles par des murs, hybridee sur un circuit de lecture |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62117780A patent/JPH0828491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0631317A2 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | AT&T Corp. | Integrated semiconductor devices and method for manufacture thereof |
| EP0631317A3 (en) * | 1993-06-25 | 1998-02-18 | AT&T Corp. | Integrated semiconductor devices and method for manufacture thereof |
| US6172417B1 (en) | 1993-06-25 | 2001-01-09 | Lucent Technologies Inc. | Integrated semiconductor devices |
| FR2838561A1 (fr) * | 2002-04-12 | 2003-10-17 | Commissariat Energie Atomique | Matrice de photodectecteurs, a pixels isoles par des murs, hybridee sur un circuit de lecture |
| WO2003088359A1 (fr) * | 2002-04-12 | 2003-10-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Matrice de photodetecteurs, a pixels isoles par des murs, hybridee sur un circuit de lecture |
| US6891242B2 (en) | 2002-04-12 | 2005-05-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Photodetector matrix with pixels isolated by walls, hybridized onto a reading circuit |
| JP2005522882A (ja) * | 2002-04-12 | 2005-07-28 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 読出回路上にハイブリッドされたウォールによって分離された画素を有する光検出器アレイ |
| JP4663240B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2011-04-06 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 読出回路上にハイブリッドされたウォールによって分離された画素を有する光検出器アレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828491B2 (ja) | 1996-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4521798A (en) | Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture | |
| US3766438A (en) | Planar dielectric isolated integrated circuits | |
| IL99856A (en) | An array of electro-optical detectors and a method of manufacturing it | |
| US5236871A (en) | Method for producing a hybridization of detector array and integrated circuit for readout | |
| US4188709A (en) | Double sided hybrid mosaic focal plane | |
| JP3471394B2 (ja) | 半導体紫外線センサ | |
| US4559695A (en) | Method of manufacturing an infrared radiation imaging device | |
| JPH0429353A (ja) | 半導体装置 | |
| WO1994017557A1 (en) | Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same | |
| JPS63281460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3310326B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JPS63296272A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2508579B2 (ja) | 配列型赤外線検知器の製造方法 | |
| JPS63271979A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6213085A (ja) | 光検知装置の製造方法 | |
| CN218145867U (zh) | Mems传感器结构 | |
| JPH06204449A (ja) | 光検知装置およびその製造方法 | |
| JP3757356B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07153905A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0394478A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04133363A (ja) | アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 | |
| JPH1027922A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH0454969B2 (ja) | ||
| JPH08148705A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPH01239870A (ja) | 半導体装置製造方法 |