JPH04133363A - アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 - Google Patents
アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法Info
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- JPH04133363A JPH04133363A JP2258463A JP25846390A JPH04133363A JP H04133363 A JPH04133363 A JP H04133363A JP 2258463 A JP2258463 A JP 2258463A JP 25846390 A JP25846390 A JP 25846390A JP H04133363 A JPH04133363 A JP H04133363A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はカドミウム水銀テルル（以下Ｃｄ Ｈｇ Ｔ
ｅと表現する）を用いた光起電力型赤外線検出器に関す
るものである。更に詳しく述べると、ｐｎ接合から成る
画素かアレイ状に配置された赤外線検出器に関するもの
である。
ｅと表現する）を用いた光起電力型赤外線検出器に関す
るものである。更に詳しく述べると、ｐｎ接合から成る
画素かアレイ状に配置された赤外線検出器に関するもの
である。
〔従来の技術］
第２図は従来のアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の断
面図で３画素分を示している。図に於て（１）は基板で
あり、ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅである。（２）は第１
導電型ＣｄＨｇＴｅ、（３）は第２導電型ＣｄＨｇＴｅ
、（４）はＺｎＳ、ＳｉＮ等の絶縁膜（５）は電極、（
６）は絶縁膜の窓（７）は絶縁膜とＣｄＨｇＴｅとの界
面の剥離部分である。
面図で３画素分を示している。図に於て（１）は基板で
あり、ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅである。（２）は第１
導電型ＣｄＨｇＴｅ、（３）は第２導電型ＣｄＨｇＴｅ
、（４）はＺｎＳ、ＳｉＮ等の絶縁膜（５）は電極、（
６）は絶縁膜の窓（７）は絶縁膜とＣｄＨｇＴｅとの界
面の剥離部分である。
次に製造方法、動作について説明する。先ず基板は）Ｋ
第１導電型ＣｄＨｇＴｅ１２１をエピタキシャル成長す
る。成長は液相成長、気相成長いづれでも良い。次に通
常のリソグラフィーにより画素となる部分以外は絶縁膜
（４）でマスクする。この状態で第２導電型になるよう
な不純物を絶縁膜の窓（６）より拡散させｐｎ接合を形
成し、更に電極（５）をリフトオフ法等で形成し赤外線
検出器か得られる。
第１導電型ＣｄＨｇＴｅ１２１をエピタキシャル成長す
る。成長は液相成長、気相成長いづれでも良い。次に通
常のリソグラフィーにより画素となる部分以外は絶縁膜
（４）でマスクする。この状態で第２導電型になるよう
な不純物を絶縁膜の窓（６）より拡散させｐｎ接合を形
成し、更に電極（５）をリフトオフ法等で形成し赤外線
検出器か得られる。
アレイ型赤外線検出器では、電極（５）と信号転送用Ｃ
ＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ
）の電極をバンプで電気的／機械的に結合し、赤外線
は基板（１）側から入射させるのが一般的である。
ＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ
）の電極をバンプで電気的／機械的に結合し、赤外線
は基板（１）側から入射させるのが一般的である。
〔発明が解決しようとする課題１
従来のアレイ型赤外線検出器は以上のような工程で製造
されていたか、＃＠、縁膜（４）とＣｄＨｇＴｅとの付
看力か弱（、温度を上げて絶縁膜の窓（６）から不純物
を拡散させるとき、窓（６）の周辺で、絶縁膜とＣｄＨ
ｇＴｅの熱膨張係数の差により剥離（７）が起り、実質
的マスク径が拡かるという問題があった。しかも、この
剥離の程度か各画素部分で異なるため第２図に示すよう
に不純物の拡散長が画素毎に異り、即ちｐｎ接合径及び
深さにバラツキが生じていた。このバラツキが画素の感
度バラツキの原因となっていた。
されていたか、＃＠、縁膜（４）とＣｄＨｇＴｅとの付
看力か弱（、温度を上げて絶縁膜の窓（６）から不純物
を拡散させるとき、窓（６）の周辺で、絶縁膜とＣｄＨ
ｇＴｅの熱膨張係数の差により剥離（７）が起り、実質
的マスク径が拡かるという問題があった。しかも、この
剥離の程度か各画素部分で異なるため第２図に示すよう
に不純物の拡散長が画素毎に異り、即ちｐｎ接合径及び
深さにバラツキが生じていた。このバラツキが画素の感
度バラツキの原因となっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ｐｎ接合径のバラツキを無（すことにより、
画素の感度を均一化することを目的としている。
たもので、ｐｎ接合径のバラツキを無（すことにより、
画素の感度を均一化することを目的としている。
本発明に係るアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器は基板
上に形成された第１導電型ＣｄＨｇＴｅエピタキシャル
層の画素になるべき部分にｐｎ接合面とするような壁面
の穴を形成し、このアレイ状に並んだ穴を有する第１導
電型ＣｄＨｇＴｅ層の上に第２導電型ＣｄＨｇＴｅを気
相でエピタキシャル成長させ、その侵この第２導電型エ
ピタキシャル層の表面を第１導電型ＣｄＨｇＴｅが出る
まで研磨及びエツチングを行い、その後絶縁膜及び電極
を形成したものである。
上に形成された第１導電型ＣｄＨｇＴｅエピタキシャル
層の画素になるべき部分にｐｎ接合面とするような壁面
の穴を形成し、このアレイ状に並んだ穴を有する第１導
電型ＣｄＨｇＴｅ層の上に第２導電型ＣｄＨｇＴｅを気
相でエピタキシャル成長させ、その侵この第２導電型エ
ピタキシャル層の表面を第１導電型ＣｄＨｇＴｅが出る
まで研磨及びエツチングを行い、その後絶縁膜及び電極
を形成したものである。
この発明に於るｐｎ接合は、第２導電型の鎖酸が第１導
電型ＣｄＨｇＴｅに形成された穴の中になるため穴で規
制される。この穴は通常のリソグラフィーでバラツキな
（形成されるためｐｎ接合径及び深さも均一化され画素
の赤外線に対する感度の均一化につながる。
電型ＣｄＨｇＴｅに形成された穴の中になるため穴で規
制される。この穴は通常のリソグラフィーでバラツキな
（形成されるためｐｎ接合径及び深さも均一化され画素
の赤外線に対する感度の均一化につながる。
〔実施例１
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図において（１）はＣｄＺｎＴｅ基板、［２＋は第
１導電型ＣｄＨｇＴｅエピタキシャル層（３）は第２導
電型ＣｄＨｇＴｅ エピタキシャル層（４）は絶縁膜
（５）は電極である。
１導電型ＣｄＨｇＴｅエピタキシャル層（３）は第２導
電型ＣｄＨｇＴｅ エピタキシャル層（４）は絶縁膜
（５）は電極である。
−〜（ｄ）は製造工程順を示したものである。
先ずＣｄｏ、＊ Ｚｎｏ、ｏｓ Ｔｅの基板（１）の（
１１１） Ｂ面に液相エピタキシャル法でＰ型Ｃｄｏ、
ｔ Ｈｇｏ、ｓ Ｔｅｆ２）を１５μｍの厚さに成長
させる。
１１１） Ｂ面に液相エピタキシャル法でＰ型Ｃｄｏ、
ｔ Ｈｇｏ、ｓ Ｔｅｆ２）を１５μｍの厚さに成長
させる。
このウェハにネガレジストを用い、２．％Ｂｒ−メタノ
ールのエッチャントで径３０μｍ、深さ５μｍの穴を５
０μｍのピッチで開ける（第１図（ａ））。
ールのエッチャントで径３０μｍ、深さ５μｍの穴を５
０μｍのピッチで開ける（第１図（ａ））。
その上に分子ビームエピタキシャル法によりｎ型Ｃｄｏ
、ｚ Ｈｇｏ、 ｓ Ｔｅ （３１を１０μｍの厚みで
成長する（第１図（ｂ））。このときｎ型Ｃｄｏ、 ２
Ｈｇｏ、Ｂ Ｔｅの表面にはｐ型Ｃｄｏ、ｚ Ｈｇｏ
、 ｓＴｅの穴に対応した位置に約２μｍ深さの穴が見
られる。
、ｚ Ｈｇｏ、 ｓ Ｔｅ （３１を１０μｍの厚みで
成長する（第１図（ｂ））。このときｎ型Ｃｄｏ、 ２
Ｈｇｏ、Ｂ Ｔｅの表面にはｐ型Ｃｄｏ、ｚ Ｈｇｏ
、 ｓＴｅの穴に対応した位置に約２μｍ深さの穴が見
られる。
このｎ型ＣｄＨｇＴｅの穴が見えなくなるまで約２μｍ
＠ｉｌした恢、２％Ｂｒ−メタノールのエッチャントで
約９μｍエツチングを行うと計１１μｍ除去されるため
、ｐ型ＣｄＨｇＴｅの穴の中のｎ型ＣｄＨｇＴｅ以外は
第１図（ｃｌのように除去される。
＠ｉｌした恢、２％Ｂｒ−メタノールのエッチャントで
約９μｍエツチングを行うと計１１μｍ除去されるため
、ｐ型ＣｄＨｇＴｅの穴の中のｎ型ＣｄＨｇＴｅ以外は
第１図（ｃｌのように除去される。
これに、ｐｎ接合の表面を保護するためのＺｎＳ膜を０
．５１ｔｍ形成し−Ｃｒ：５００人、Ａｕ：２０００人
の電極をリフトオフ法で形成しアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤
外線検出器が作製される（第１図（ｄ））。
．５１ｔｍ形成し−Ｃｒ：５００人、Ａｕ：２０００人
の電極をリフトオフ法で形成しアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤
外線検出器が作製される（第１図（ｄ））。
なお、基板としてＣｄｏ、 ｗｌＺｎｏ、ｏ３Ｔｅを用
いたが。
いたが。
Ｚｎの含量はＯ≦Ｚｎ≦０．０５であれば適用可能であ
る。
る。
また第１導電型ＣｄＨｇＴｅは液相成長ではなく気相成
長でも得ることができる。第２導電型ＣｄＨｇＴｅは分
子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）以外に有機金嘱気弔エ
ピタキシー（ＭＯＣＶＤ）でも得ることができる。
長でも得ることができる。第２導電型ＣｄＨｇＴｅは分
子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）以外に有機金嘱気弔エ
ピタキシー（ＭＯＣＶＤ）でも得ることができる。
実施例では第１導電型をＰ、第２導電型をｎとしたが逆
でも良い。
でも良い。
実施例ではＣｄＨｇＴｅの組成をＣｄｏ、ｚ Ｈｇｏ、
ｓ Ｔｅ としたがこれは１０μｍ帯の赤外線を効率よ
く検出する目的で選んだものであって、水銀の含量は０
＜ Ｈｇ ＜ ０．８４ の範囲ならいづれの値でも
良い。
ｓ Ｔｅ としたがこれは１０μｍ帯の赤外線を効率よ
く検出する目的で選んだものであって、水銀の含量は０
＜ Ｈｇ ＜ ０．８４ の範囲ならいづれの値でも
良い。
〔発明の効果１
以上のように、この発明によれば画素の感度バラツキの
少ないアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器を得ることが
できる。
少ないアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器を得ることが
できる。
第１図はこの発明の実施例を工程順に示した断面図、第
２図は従来のアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の断面
図である。 （１）は基板、（２）は第１導電型ＣｄＨｇＴｅ、（３
）は第２導電型ＣｄＨｇＴｅ、（４）は絶縁膜、（５）
は電極、（６）は絶縁膜の窓、（７）は絶縁膜とＣｄＨ
ｇＴｅとの界面の剥離部分。 なお１図中同一群号は同−又は相当部分を示す。 第１図 へＩ
２図は従来のアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の断面
図である。 （１）は基板、（２）は第１導電型ＣｄＨｇＴｅ、（３
）は第２導電型ＣｄＨｇＴｅ、（４）は絶縁膜、（５）
は電極、（６）は絶縁膜の窓、（７）は絶縁膜とＣｄＨ
ｇＴｅとの界面の剥離部分。 なお１図中同一群号は同−又は相当部分を示す。 第１図 へＩ
Claims (1)
- １、ｐｎ接合から成る画素がアレイ状に配置されたカド
ミウム水銀テルル（ＣｄＨｇＴｅ）赤外線検出器に於て
、第１導電型半導体層の画素になるべき部分に穴を形成
する第１の工程と、その上に第２導電型半導体層を気相
エピタキシャル成長する第２の工程と、このエピタキシ
ャル成長面の１部を研磨及びエッチングする第３の工程
を有することを特徴とするアレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線
検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258463A JPH04133363A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258463A JPH04133363A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133363A true JPH04133363A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17320577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258463A Pending JPH04133363A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | アレイ型ＣｄＨｇＴｅ赤外線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194312B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-02-27 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN110391527A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 卓英社有限公司 | 电接触端子及其安装结构、安装方法以及安装装置 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2258463A patent/JPH04133363A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194312B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-02-27 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN110391527A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 卓英社有限公司 | 电接触端子及其安装结构、安装方法以及安装装置 |
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