JPS63278339A - シリコンおよび珪化物のための臭素およびヨウ素エッチング方法 - Google Patents
シリコンおよび珪化物のための臭素およびヨウ素エッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン、珪化物、ポリサイド（Ｐｏｌｙ−ｃ
ｉｄｅ） に高いエツチング速度で小さいフィーチャ
ー（ｆｅａｔｕｒｅ）およびパターンをエツチングする
ために適した方法に関する。特に、本発明はヨウ素含有
ガスおより泉素含有ガスを用いて単結晶シリコン中に溝
（ｇｒｏｏｖｅ） 、穴、溝（ｔｒｅｎｃｈ）のような
高アスペクト比のオープニングを形成する方法に関する
。
ｉｄｅ） に高いエツチング速度で小さいフィーチャ
ー（ｆｅａｔｕｒｅ）およびパターンをエツチングする
ために適した方法に関する。特に、本発明はヨウ素含有
ガスおより泉素含有ガスを用いて単結晶シリコン中に溝
（ｇｒｏｏｖｅ） 、穴、溝（ｔｒｅｎｃｈ）のような
高アスペクト比のオープニングを形成する方法に関する
。
最近、集積回路（ＩＣ）技術は大規模集積（ＬＳＩ）か
ら極大規模集積（ＶＬＳＩ）へ進歩し、次の数年間には
超大規模集積（ＵＬＳＩ）へ成長すると予測される。モ
ノリシック回路集積に於けるこの進歩は製造装置ならび
に半導体ウェーへのＩＣチップへの処理に用いられる材
料および方法の改良によって可能になった。しかし、マ
スキング、膜形成、ドーピング、エツチングの基本的な
集積回路製造工程ならびに誘電アイソレーションのよう
な技術に少なくとも４つの因子が次第に厳重な要求を課
している。これらの因子は、第一に、ますます複雑なデ
バイスおよび回路のＩＣチップ中への組み込み、第二に
、より大きいデバイス密度とより小さい最小フィーチャ
ーサイズとより小さい分離の使用、第三に、タングステ
ン、タンタル、チタン、モリブデンの珪化物およびポリ
サイド（ポリシリコン上の珪化物）のような複合導体層
の使用および、第四に、例えば埋込みまたは溝コンデン
サーを製造するための第三のウェーハ寸法、深さならび
に表面積の使用である。
ら極大規模集積（ＶＬＳＩ）へ進歩し、次の数年間には
超大規模集積（ＵＬＳＩ）へ成長すると予測される。モ
ノリシック回路集積に於けるこの進歩は製造装置ならび
に半導体ウェーへのＩＣチップへの処理に用いられる材
料および方法の改良によって可能になった。しかし、マ
スキング、膜形成、ドーピング、エツチングの基本的な
集積回路製造工程ならびに誘電アイソレーションのよう
な技術に少なくとも４つの因子が次第に厳重な要求を課
している。これらの因子は、第一に、ますます複雑なデ
バイスおよび回路のＩＣチップ中への組み込み、第二に
、より大きいデバイス密度とより小さい最小フィーチャ
ーサイズとより小さい分離の使用、第三に、タングステ
ン、タンタル、チタン、モリブデンの珪化物およびポリ
サイド（ポリシリコン上の珪化物）のような複合導体層
の使用および、第四に、例えば埋込みまたは溝コンデン
サーを製造するための第三のウェーハ寸法、深さならび
に表面積の使用である。
狭くて深い高アスペクト比の溝をエツチングする能力は
埋込みまたはビットコンデンサーの製造には非常に重要
である。また、単結晶シリコン溝分離は、別の乃至他の
デバイス分離技術として半導体研究科学者によって次第
に用いられている。
埋込みまたはビットコンデンサーの製造には非常に重要
である。また、単結晶シリコン溝分離は、別の乃至他の
デバイス分離技術として半導体研究科学者によって次第
に用いられている。
溝誘電分離技術は、比較的小さい表面積要求、小さい幅
対深さ比に対する可能性および鉛直壁プロフィルを含む
、潜在的に数多くの利益がある。
対深さ比に対する可能性および鉛直壁プロフィルを含む
、潜在的に数多くの利益がある。
溝技術のもう１つの重要な利点はプロセスが比較的単純
だということである。溝技術を用いて埋込みコンデンサ
ーまたは誘電分離構造物を作ることは単結晶シリコンサ
ブストレート中に溝を反応性イオンエツチング（ＲＩ
Ｅ）すること、溝（Ｇｒｏｏｖｅ ｏｒ ｔ’ｒｅｎｃ
ｈ）の側壁を酸化すること、溝を酸化物誘電体またはポ
リシリコンで満たすことおよび表面を平坦化（ｐｌｏｎ
ａｒｉｚｉｎｇ）することを含む。単結晶シリコン材料
はエピタキシャル層またはバルクシリコンサブストレー
トまたは両方の複合物のいずれであってもよいと認めら
れるべきである。
だということである。溝技術を用いて埋込みコンデンサ
ーまたは誘電分離構造物を作ることは単結晶シリコンサ
ブストレート中に溝を反応性イオンエツチング（ＲＩ
Ｅ）すること、溝（Ｇｒｏｏｖｅ ｏｒ ｔ’ｒｅｎｃ
ｈ）の側壁を酸化すること、溝を酸化物誘電体またはポ
リシリコンで満たすことおよび表面を平坦化（ｐｌｏｎ
ａｒｉｚｉｎｇ）することを含む。単結晶シリコン材料
はエピタキシャル層またはバルクシリコンサブストレー
トまたは両方の複合物のいずれであってもよいと認めら
れるべきである。
最適の単結晶シリコンエツチングを得るためには、壁プ
ロフィノペ底プロフィル、マスキング材料選択性、エツ
チング速度均一性、線幅損失を含む多数の因子の再現性
ある制御を必要とする。勿論、化学種の選択、圧力、流
速などのような数多くのプロセス変数がある。これらの
相互依存性変数の複雑な影響が、特に幅Ｗが約１μｍ未
満でありかつ（または）深さｄが約５μｍを越えるとき
の狭くて深い溝では、溝プロフィル、エツチング速度お
よび他の特性の再現性ある制御を達成することを困難に
する。
ロフィノペ底プロフィル、マスキング材料選択性、エツ
チング速度均一性、線幅損失を含む多数の因子の再現性
ある制御を必要とする。勿論、化学種の選択、圧力、流
速などのような数多くのプロセス変数がある。これらの
相互依存性変数の複雑な影響が、特に幅Ｗが約１μｍ未
満でありかつ（または）深さｄが約５μｍを越えるとき
の狭くて深い溝では、溝プロフィル、エツチング速度お
よび他の特性の再現性ある制御を達成することを困難に
する。
第１図について説明すると、多くの分離および埋込みコ
ンデンサー用途のための最良の溝プロフィルは一般に参
照番号１０で示されるＵ形プロフィルである。Ｕ形プロ
フィル１０は、シリコンサブストレート１１中に、平行
鉛直側壁１２−１２と丸いエツジすなわち隅１４−１４
とによって形成される。寸法制御および高いアスペクト
比、特に非常に小さい溝幅Ｗおよび深い溝深さｄ（アス
ペクト比Ａｒ＝ｄ／ｗ）のためには鉛直側壁１２−１２
をエツチングする能力が必要である。丸いエツジ１４−
１４を有するＵ形成１３は酸化誘導応力（ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｅｄ ５ｔｒｅｓｓ）を減少する。
ンデンサー用途のための最良の溝プロフィルは一般に参
照番号１０で示されるＵ形プロフィルである。Ｕ形プロ
フィル１０は、シリコンサブストレート１１中に、平行
鉛直側壁１２−１２と丸いエツジすなわち隅１４−１４
とによって形成される。寸法制御および高いアスペクト
比、特に非常に小さい溝幅Ｗおよび深い溝深さｄ（アス
ペクト比Ａｒ＝ｄ／ｗ）のためには鉛直側壁１２−１２
をエツチングする能力が必要である。丸いエツジ１４−
１４を有するＵ形成１３は酸化誘導応力（ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｅｄ ５ｔｒｅｓｓ）を減少する。
化学種の選択および他の操作パラメーターから生じ得る
潜在的に望ましくないプロフィルを第２−５図に示す。
潜在的に望ましくないプロフィルを第２−５図に示す。
第２図は一般的に鉛直な側壁１６−１６を有する溝１５
を示す。しかし、加工バラメーターは鋭い隅１７−１７
を溝底１８に生じた。かかる鋭い隅には冷却中に応力が
蓄積し、シリコン結晶の転位を生じて電流漏洩および亀
裂を促進する可能性がある。
を示す。しかし、加工バラメーターは鋭い隅１７−１７
を溝底１８に生じた。かかる鋭い隅には冷却中に応力が
蓄積し、シリコン結晶の転位を生じて電流漏洩および亀
裂を促進する可能性がある。
もう１つの丸くない溝底プロフィルを第３図に示す。こ
こでは、溝２０はほぼ鉛直な側壁２１−２１を有するが
、底エツジすなわち隅２２−２２は第２図のエツジ１７
−１７よりもさらに鋭い角度をなす。第３図に示す現象
および幾何構造、すなわち鋭角エツジ２２−２２と凸底
２３とを“トレンチング（ｔｒｅｎｃｈｉｎｇ）”と称
する。
こでは、溝２０はほぼ鉛直な側壁２１−２１を有するが
、底エツジすなわち隅２２−２２は第２図のエツジ１７
−１７よりもさらに鋭い角度をなす。第３図に示す現象
および幾何構造、すなわち鋭角エツジ２２−２２と凸底
２３とを“トレンチング（ｔｒｅｎｃｈｉｎｇ）”と称
する。
さらにもう１つの丸くない溝底プロフィルを第４図に示
す。この場合、鉛直でないエツチングが単一の鋭い底エ
ツジ２７を形成する角度ある側壁２６−２６を有するＶ
形溝２５を生じた。
す。この場合、鉛直でないエツチングが単一の鋭い底エ
ツジ２７を形成する角度ある側壁２６−２６を有するＶ
形溝２５を生じた。
最後に、第５又は高速エツチングプロセスにしばしば付
随する“反り（ｂｏｗｉｎｇ）”現象を示す。すなわち
第５図に示した溝３０は凹形すなわち反った側壁３１−
３１を有する。反ったプロフィルの主な欠点は溝の側面
積の増加、対応する活性デバイスのための有効面積の減
少およびデバイス密度の減少である。
随する“反り（ｂｏｗｉｎｇ）”現象を示す。すなわち
第５図に示した溝３０は凹形すなわち反った側壁３１−
３１を有する。反ったプロフィルの主な欠点は溝の側面
積の増加、対応する活性デバイスのための有効面積の減
少およびデバイス密度の減少である。
第２〜５図に示した溝プロフィルがある種の用途では有
用であることがあり得る。例えば、Ｖ形プロフィル２５
は与えられた深さｄに対して鉛直プロフィルよりも大き
い開きＷを必要とし、かくして、より大きいウェーハ表
面積を占めるが、Ｖ形プロフィルは埋込み鉛直コンデン
サーの製造に用いられ得る。しかし、一般には、丸い底
と低い応力とを有するＵ形プロフィル１０が非常に好ま
しい。結果として、所要されるようにＵ形溝プロフィル
１０を再現することができかつあったとしても選択によ
ってのみＶ形プロフィルのような他のプロフィルを形成
することができるエツチング方法が望ましい。
用であることがあり得る。例えば、Ｖ形プロフィル２５
は与えられた深さｄに対して鉛直プロフィルよりも大き
い開きＷを必要とし、かくして、より大きいウェーハ表
面積を占めるが、Ｖ形プロフィルは埋込み鉛直コンデン
サーの製造に用いられ得る。しかし、一般には、丸い底
と低い応力とを有するＵ形プロフィル１０が非常に好ま
しい。結果として、所要されるようにＵ形溝プロフィル
１０を再現することができかつあったとしても選択によ
ってのみＶ形プロフィルのような他のプロフィルを形成
することができるエツチング方法が望ましい。
狭い溝に関連するさらにもう１つの考慮すべきことすな
わち問題は深さｄの大きさが開きの寸法の大きさＷに対
して増すにつれてエツチング速度の減少する傾向である
。エツチング反応が進行するためには、反応成分種が新
たに暴露した領域に吸着できるようにエツチング表面か
ら反応生成物が脱着しなければならない。典型的には、
溝の開き寸法Ｗが小さくなるにつれて、競争する反応成
分が群がるために局部的なエツチング速度は減少する。
わち問題は深さｄの大きさが開きの寸法の大きさＷに対
して増すにつれてエツチング速度の減少する傾向である
。エツチング反応が進行するためには、反応成分種が新
たに暴露した領域に吸着できるようにエツチング表面か
ら反応生成物が脱着しなければならない。典型的には、
溝の開き寸法Ｗが小さくなるにつれて、競争する反応成
分が群がるために局部的なエツチング速度は減少する。
“黒色シリコン”はもう１つの一般的なエツチング問題
である。この状態は局在化エツチングマスクとして作用
する残留酸化物のような表面汚染物質の存在によって生
ずる。これらのミクロマスクの下の領域は汚染物質が完
全に浸食されるまでエツチング除去されないで、結果と
して最終溝サブストレートの底は黒色シリコンの名称の
原因となる粗い光散乱性黒色表面を生ずる。
である。この状態は局在化エツチングマスクとして作用
する残留酸化物のような表面汚染物質の存在によって生
ずる。これらのミクロマスクの下の領域は汚染物質が完
全に浸食されるまでエツチング除去されないで、結果と
して最終溝サブストレートの底は黒色シリコンの名称の
原因となる粗い光散乱性黒色表面を生ずる。
黒色シリコンの生成は弗素化方法化学種を用いるときに
は打ち勝ち難い問題ではない。しかし、弗素化化学種は
しばしばフォトレジストをマスキング材料として用いる
。レジストに対するシリコンの選択性は僅か約３：１で
あるので、１μｍ厚のレジストと弗素化ガス化学種とを
用いるとエツチング深さは約３μｍに限定される。弗素
化化学種はマスクの下のアンダーカッティングおよび近
接効果（ウェーハ中の異なるフィーチャー幾何構造に対
する異なるエツチング速度）を含む、狭く深い溝をエツ
チングする能力を制限する他の困難な問題もある。
は打ち勝ち難い問題ではない。しかし、弗素化化学種は
しばしばフォトレジストをマスキング材料として用いる
。レジストに対するシリコンの選択性は僅か約３：１で
あるので、１μｍ厚のレジストと弗素化ガス化学種とを
用いるとエツチング深さは約３μｍに限定される。弗素
化化学種はマスクの下のアンダーカッティングおよび近
接効果（ウェーハ中の異なるフィーチャー幾何構造に対
する異なるエツチング速度）を含む、狭く深い溝をエツ
チングする能力を制限する他の困難な問題もある。
塩素化ガスエッチャント種および酸化物マスキング材料
は深い溝をエツチングするために用いられている。しか
し、塩素化ガスの他の点では望ましいエツチング特性（
エツチング異方性および酸化珪素に対する高い単結晶シ
リコン選択性）は酸化物ミクロマスクに対する望ましく
ない有効性を与え、かくしてエツチング中に黒色シリコ
ンを生ずる。
は深い溝をエツチングするために用いられている。しか
し、塩素化ガスの他の点では望ましいエツチング特性（
エツチング異方性および酸化珪素に対する高い単結晶シ
リコン選択性）は酸化物ミクロマスクに対する望ましく
ない有効性を与え、かくしてエツチング中に黒色シリコ
ンを生ずる。
さらに、高速度（＞５．（１０）０人／分）でのエツチ
ングに塩素化ガス化学種を用いるときには、反り（第５
図）を防ぐことが非常に困難である。また、底プロフィ
ルは深さ依存性である。すなわち、深い溝では所望の丸
い底プロフィル（第１図）を得ることは非常にむずかし
い。最後に、塩素化ガス化学種を用いるとき、アスペク
ト比は約１μｍより大きい幾何構造（開きＷ）に対して
は約１０：１に限定され、１μｍより小さい幾何構造に
対しては僅か約５＝１に限定される。
ングに塩素化ガス化学種を用いるときには、反り（第５
図）を防ぐことが非常に困難である。また、底プロフィ
ルは深さ依存性である。すなわち、深い溝では所望の丸
い底プロフィル（第１図）を得ることは非常にむずかし
い。最後に、塩素化ガス化学種を用いるとき、アスペク
ト比は約１μｍより大きい幾何構造（開きＷ）に対して
は約１０：１に限定され、１μｍより小さい幾何構造に
対しては僅か約５＝１に限定される。
１つの例外（黒色シリコンのような問題を避ける塩素化
ガス化学種エツチング）は デーピッド ソング（Ｄａｖｉｄ Ｗａｎｇ）らの名義
で１９８５年８月１２日に出願され、共通の譲渡人に譲
渡され、許可査定された、“単結晶シリコンエツチング
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｓｉ
ｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌ ５ｉｌｉｃｏｎ ）”という
名称の同時係属特許出願第７６４．９８１号（“ソング
（Ｗａｎｇ）の特許出願”）中に記載されており、この
記載は全体として参照文として本明細書に含まれるもの
とする。上に挙げたソングの特許出願はＢＣｌ３でドー
プされた塩素化エツチングガスがトレンチング（ｔｙｅ
ｎｃｈｉｎｇ）、反りまたは黒色シリコンを起こすこと
なく比較的狭い深さ１５−２０μｍのＵ形溝をエツチン
グするのに適応している単結晶シリコンエツチングを記
載している。
ガス化学種エツチング）は デーピッド ソング（Ｄａｖｉｄ Ｗａｎｇ）らの名義
で１９８５年８月１２日に出願され、共通の譲渡人に譲
渡され、許可査定された、“単結晶シリコンエツチング
方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｓｉ
ｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌ ５ｉｌｉｃｏｎ ）”という
名称の同時係属特許出願第７６４．９８１号（“ソング
（Ｗａｎｇ）の特許出願”）中に記載されており、この
記載は全体として参照文として本明細書に含まれるもの
とする。上に挙げたソングの特許出願はＢＣｌ３でドー
プされた塩素化エツチングガスがトレンチング（ｔｙｅ
ｎｃｈｉｎｇ）、反りまたは黒色シリコンを起こすこと
なく比較的狭い深さ１５−２０μｍのＵ形溝をエツチン
グするのに適応している単結晶シリコンエツチングを記
載している。
しかし、一般に、上で論じた制限は弗素化または塩素化
ガス化学種の使用にも依然としてあてはまる。すなわち
、弗素化ガス化学種はアンダーカッティングおよび近接
効果を伴い、比較的広くて浅い溝軸ｒｏｏｖｅｓ ｏｒ
ｔｒｅｎｃｈｅｓ）の形成に限定される。塩素化ガス
化学種はプロフィル制御の問題があり、黒色シリコンの
ような現象を起こしやすくかつ比較的大きい幾何構造お
よびバッチエツチング系に限定される可能性がある。ま
た、かかる従来の方法は僅か約４（１０）人／分の最高
エツチング速度しか与えられず、低速度すぎて単一ウェ
ーハ用エツチング装置（ｅｔｃｈｅｒｓ）で十分なスル
ープットを与えることができない。従って、当業が単一
ウェーハ用エツチング装置のエツチング均一性のための
潜在能力を十分に利用することができない。
ガス化学種の使用にも依然としてあてはまる。すなわち
、弗素化ガス化学種はアンダーカッティングおよび近接
効果を伴い、比較的広くて浅い溝軸ｒｏｏｖｅｓ ｏｒ
ｔｒｅｎｃｈｅｓ）の形成に限定される。塩素化ガス
化学種はプロフィル制御の問題があり、黒色シリコンの
ような現象を起こしやすくかつ比較的大きい幾何構造お
よびバッチエツチング系に限定される可能性がある。ま
た、かかる従来の方法は僅か約４（１０）人／分の最高
エツチング速度しか与えられず、低速度すぎて単一ウェ
ーハ用エツチング装置（ｅｔｃｈｅｒｓ）で十分なスル
ープットを与えることができない。従って、当業が単一
ウェーハ用エツチング装置のエツチング均一性のための
潜在能力を十分に利用することができない。
上記議論から考えて、本発明の１つの目的は制御された
プロフィルを有する深くて狭いシリコン溝の再現可能な
形成に適したシリコンエツチング方法を提供することで
ある。
プロフィルを有する深くて狭いシリコン溝の再現可能な
形成に適したシリコンエツチング方法を提供することで
ある。
特に、本発明の１つの目的は鉛直側壁と丸い底エツジと
を特徴とするＵ形プロフィルを有する深く狭いシリコン
溝を確実にかつ再現可能に生成する単結晶シリコンおよ
びポリシリコンのエツチング方法を提供することである
。
を特徴とするＵ形プロフィルを有する深く狭いシリコン
溝を確実にかつ再現可能に生成する単結晶シリコンおよ
びポリシリコンのエツチング方法を提供することである
。
本発明のもう１つの目的はシリコン中で高いエツチング
速度でかつ反り、トレンチングまたは黒色シリコンのよ
うな問題を起こすことなく深く狭い、高アスペクト比の
溝（ｔｒｅｎｃｈｅｓ ｏｒ ｇｒｏｏｖｅｓ）を形成
するための臭素化物およびヨウ素化物ガス化学種を用い
るエツチング方法を提供することである。
速度でかつ反り、トレンチングまたは黒色シリコンのよ
うな問題を起こすことなく深く狭い、高アスペクト比の
溝（ｔｒｅｎｃｈｅｓ ｏｒ ｇｒｏｏｖｅｓ）を形成
するための臭素化物およびヨウ素化物ガス化学種を用い
るエツチング方法を提供することである。
上記の目的を達成しかつ本質的に清浄な方法であるエツ
チング方法を提供することも本発明の１つの目的である
。
チング方法を提供することも本発明の１つの目的である
。
本発明のさらにもう１つの目的は上記目的を達成する珪
化物およびポリサイド（ｐｏｌｙｃｉｄｅｓ）のエツチ
ング方法を提供することである。
化物およびポリサイド（ｐｏｌｙｃｉｄｅｓ）のエツチ
ング方法を提供することである。
１つの面に於て、本発明は、シリコンまたは珪化物ポデ
ーを、真空室内で、臭素化物（ｂｒｏｍｉｎａｔｅ）ガ
スおよびヨウ素化物（ｉｏｄ ｉ ｎａ ｔｅ）ガスか
ら選ばれる所定量のガスからなる反応性ガス混合物から
生成されるプラズマに暴露することからなる方法によっ
て具体化されかつ上記目的が達成される。
ーを、真空室内で、臭素化物（ｂｒｏｍｉｎａｔｅ）ガ
スおよびヨウ素化物（ｉｏｄ ｉ ｎａ ｔｅ）ガスか
ら選ばれる所定量のガスからなる反応性ガス混合物から
生成されるプラズマに暴露することからなる方法によっ
て具体化されかつ上記目的が達成される。
好ましくは、エツチング速度、プロフィルおよびイオン
衝撃を制御するため、ボデー表面に平行な磁界が印加さ
れる。
衝撃を制御するため、ボデー表面に平行な磁界が印加さ
れる。
反応性ガス混合物は予め選ばれた四弗化珪素のような弗
素化物（Ｐｕｏｒ １ｎａｔｅ） ｇａｓ流でドープさ
れることができる臭素化物（ｂｒｏｍｉｎａｔｅ）エツ
チングガス臭化水素またはＣＦ ２ Ｂｒ２、あるいは
予め選ばれた塩素、四塩化珪素または塩化水素のような
塩素化ガス流でドープされることができるヨウ化物（ｉ
ｏｄｉｎａｔｅ）ガスヨウ化水素からなる。ドーパント
はＣＦ２Ｂｒ２あるいはＳｉＣＩｔ ４ ＋Ｓｉ Ｆ
４のような弗素化物干塩素化物ガスの混合物であっても
よい。
素化物（Ｐｕｏｒ １ｎａｔｅ） ｇａｓ流でドープさ
れることができる臭素化物（ｂｒｏｍｉｎａｔｅ）エツ
チングガス臭化水素またはＣＦ ２ Ｂｒ２、あるいは
予め選ばれた塩素、四塩化珪素または塩化水素のような
塩素化ガス流でドープされることができるヨウ化物（ｉ
ｏｄｉｎａｔｅ）ガスヨウ化水素からなる。ドーパント
はＣＦ２Ｂｒ２あるいはＳｉＣＩｔ ４ ＋Ｓｉ Ｆ
４のような弗素化物干塩素化物ガスの混合物であっても
よい。
反応性ガス混合物は方法の結果を改良するため、あるい
は方法の結果への損害を最小にするため、ヘリウム、ア
ルゴン、窒素、水素のような希釈剤ガスを含むことがで
きる。また、臭素化物ベースおよびヨウ素化物ベースの
反応性ガス混合物はプロフィルをより好く制御しかつよ
り高い選択性を得るために予め選ばれた酸素流でドープ
されることができる。
は方法の結果への損害を最小にするため、ヘリウム、ア
ルゴン、窒素、水素のような希釈剤ガスを含むことがで
きる。また、臭素化物ベースおよびヨウ素化物ベースの
反応性ガス混合物はプロフィルをより好く制御しかつよ
り高い選択性を得るために予め選ばれた酸素流でドープ
されることができる。
本発明の上記の面および他の面は図面に関して説明され
る。
る。
本発明は、好ましくは、高いアスペクト比、制御された
プロフィルを有し、かつ反り、トレンチング（ｔｒｅｎ
ｃｈｉｎｇ ）または黒色シリコンのような現象を起こ
すことなく深い溝軸ｒｏｏｖｅｓ ａｎｄ ｔｒｅｎ−
ｃｈｅｓ）を形成するために低圧イオン援助ガス化学種
方法に於て臭素化物およびヨウ素化物ガスＨＢｒ（臭化
水素）、ＨＩ（ヨウ他案）、または別法では、ＣＦ２Ｂ
ｒ２を用いる。
プロフィルを有し、かつ反り、トレンチング（ｔｒｅｎ
ｃｈｉｎｇ ）または黒色シリコンのような現象を起こ
すことなく深い溝軸ｒｏｏｖｅｓ ａｎｄ ｔｒｅｎ−
ｃｈｅｓ）を形成するために低圧イオン援助ガス化学種
方法に於て臭素化物およびヨウ素化物ガスＨＢｒ（臭化
水素）、ＨＩ（ヨウ他案）、または別法では、ＣＦ２Ｂ
ｒ２を用いる。
本発明者らが知る限りでは、過去に於て、シリコンのプ
ラズマエツチングに臭素ガス化学種およびヨウ素ガス化
学種は用いられたことがない。本発明者らの知る限りで
は、１つの例外は臭素化物ガスＣＦ２Ｂｒであり、ＣＦ
、Ｂｒは部分的に臭素化物化学種（３Ｆ、Ｉ Ｂｒ）を
有すると考えることができる、しかし、ＣＦ、Ｂｒの３
：１のＦ：Ｂｒは受は入れられない程低い酸化物マスク
に対するエツチング選択性を与える。また、炭素は微粒
子および析出物を生じ、特に比較的僅少の非常に小さい
微粒子に対しても敏感なＶＬＳ ＩおよびＵＬＳＩ回路
のためには受は入れることができないよごれた方法にな
ってしまう。ＣＦ、Ｂｒはエツチング要求が全く厳重で
ない場所でしか適用できないと考えられる。
ラズマエツチングに臭素ガス化学種およびヨウ素ガス化
学種は用いられたことがない。本発明者らの知る限りで
は、１つの例外は臭素化物ガスＣＦ２Ｂｒであり、ＣＦ
、Ｂｒは部分的に臭素化物化学種（３Ｆ、Ｉ Ｂｒ）を
有すると考えることができる、しかし、ＣＦ、Ｂｒの３
：１のＦ：Ｂｒは受は入れられない程低い酸化物マスク
に対するエツチング選択性を与える。また、炭素は微粒
子および析出物を生じ、特に比較的僅少の非常に小さい
微粒子に対しても敏感なＶＬＳ ＩおよびＵＬＳＩ回路
のためには受は入れることができないよごれた方法にな
ってしまう。ＣＦ、Ｂｒはエツチング要求が全く厳重で
ない場所でしか適用できないと考えられる。
思いがけなく、本発明者らは、ＨＢｒ臭素化物およびＨ
Ｉヨウ素化物プラズマ生成性反応成分ガスの使用に゛よ
って、エツチングマスクに対する高い選択性を有し、非
常に高いアスペクト比の深い溝と約１μ１ＩｌＺ分の思
いがけなくシリコンエツチング速度とを与えることがで
きることを発見した。
Ｉヨウ素化物プラズマ生成性反応成分ガスの使用に゛よ
って、エツチングマスクに対する高い選択性を有し、非
常に高いアスペクト比の深い溝と約１μ１ＩｌＺ分の思
いがけなくシリコンエツチング速度とを与えることがで
きることを発見した。
本発明の方法は、鋭いエツジ（第２図）、トレンチング
（第３図）、■形プロフィル（第４図）および反り（第
５図）を排除するように容易に制御される。酸化物に対
するエツチング選択性が優れているＯさらに１鉛直溝（
ｔｒｅｎｃｈ ｏｒ ｇｒｏｏｖｅｓ）側壁１２−１２
と丸い底エツジ１４−１４とからなる所望のＵ形プロフ
ィル（第１図）が容易にかつ再現可能に得られるプロフ
ィル制御が示された。
（第３図）、■形プロフィル（第４図）および反り（第
５図）を排除するように容易に制御される。酸化物に対
するエツチング選択性が優れているＯさらに１鉛直溝（
ｔｒｅｎｃｈ ｏｒ ｇｒｏｏｖｅｓ）側壁１２−１２
と丸い底エツジ１４−１４とからなる所望のＵ形プロフ
ィル（第１図）が容易にかつ再現可能に得られるプロフ
ィル制御が示された。
加えて、交差汚染（ｃｒｏｓｓ−ｃｏｎｔａｍｉｎａｔ
ｉｏｎ ）またはエツチング方法の他の不利益なしに黒
色シリコンの問題を排除するためにＳｉＦ、、ＳＦ４．
ＮＦ・３のような弗素化物ガスをドーパントとして用い
ることができる。対照的に、方法への交換条件に特別な
注意を払わずに塩素化物ガス化学種を弗素化物でドープ
することはむずかしい。
ｉｏｎ ）またはエツチング方法の他の不利益なしに黒
色シリコンの問題を排除するためにＳｉＦ、、ＳＦ４．
ＮＦ・３のような弗素化物ガスをドーパントとして用い
ることができる。対照的に、方法への交換条件に特別な
注意を払わずに塩素化物ガス化学種を弗素化物でドープ
することはむずかしい。
また、臭素化物ベースおよびヨウ素化物ベースの方法は
清浄である。すなわち、ＣＦ３Ｂｒ、ＣＦｚ Ｃ１１ｚ
、ＣＣ，Ｉｔａ 、ＣＨｘ Ｃ１ｌ、のような通常の
ガス化学種を単結晶シリコンのエツチングに使用すると
きの再現性に影響を与える可能性がある微粒子や析出物
が無い。また、弗素含有ガスを方法中ヘドープさせるか
、あるいは交差汚染無しに臭素化物またはヨウ化物化学
種中に清掃剤として用いるかすることができるので、Ｂ
Ｃ１１３、Ｃｊ！ ｚ 、ＳｉＣｊ’ ａのようなガス
より清浄でもある。
清浄である。すなわち、ＣＦ３Ｂｒ、ＣＦｚ Ｃ１１ｚ
、ＣＣ，Ｉｔａ 、ＣＨｘ Ｃ１ｌ、のような通常の
ガス化学種を単結晶シリコンのエツチングに使用すると
きの再現性に影響を与える可能性がある微粒子や析出物
が無い。また、弗素含有ガスを方法中ヘドープさせるか
、あるいは交差汚染無しに臭素化物またはヨウ化物化学
種中に清掃剤として用いるかすることができるので、Ｂ
Ｃ１１３、Ｃｊ！ ｚ 、ＳｉＣｊ’ ａのようなガス
より清浄でもある。
弗化珪素はハロゲン族生で最も揮発性のエツチング生成
物であると考えられる。好ましいガスおよび好ましいド
ーパントガスは炭素または他のポリマー生成性成分を含
まない。
物であると考えられる。好ましいガスおよび好ましいド
ーパントガスは炭素または他のポリマー生成性成分を含
まない。
要約すると、臭化物およびヨウ化物エツチングガス化学
種は、清浄さおよび反り、トレンチング、黒色シリコン
のような現象がないことを特徴とする方法に於て、非常
に小さいフィーチャーサイズ（現在までの所、０．２５
−０．５μｍぐらいの小さいＷ）を用いてプロフィル制
御問題が無くかつ非常に高いアスペクト比（２３０：１
）で高いエツチング速度（１μｍ／分以上の高速度）を
与えた。
種は、清浄さおよび反り、トレンチング、黒色シリコン
のような現象がないことを特徴とする方法に於て、非常
に小さいフィーチャーサイズ（現在までの所、０．２５
−０．５μｍぐらいの小さいＷ）を用いてプロフィル制
御問題が無くかつ非常に高いアスペクト比（２３０：１
）で高いエツチング速度（１μｍ／分以上の高速度）を
与えた。
第６図について説明すると、シリコンウェーハ１１中に
、その上に小さい開きすなわち開口３４を有し約３（１
０）０人／μｍ厚さの酸化物マスク３３を用いて溝３５
をエツチングすることによって上記特性が示された。溝
３５のエツチング（およびここに記載するすべての処理
）は、ディーンし、アントリニーズ（Ｄｅａｎ Ｌ、
Ａｎｄｒｅｗｓ ）、デーピッド チェンゾ（Ｄａｖ
ｉｄ Ｃｈｅｎｇ ）、メイ チャング（Ｍｅｉ Ｃｈ
ａｎｇ）、ダン メイダン（Ｄａｎ Ｍａｙｄａｎ ）
、サツソン ソメク（Ｓａｓｓｏｎ３ｏｍｅｋｈ ）、
ケネス Ｒ，スタルダ−（ＫｅｎｎｅｔｈＲ，５ｔａｉ
ｄｅｒ ） 、ジョン Ｍ、ホワイト（ＪｏｈｎＭ、Ｗ
ｈｉｔｅ ）、 シェリー Ｙ、ウオング（Ｊｅｒｒ
ｙＹ、 Ｗｏｎｇ ） 、ブラシミ）Ｌｔ Ｊ、 ７
ｙ４ ） ＩＪ ン（Ｖｌａｄｉｍｉｒ Ｊ、Ｚｅｉｔ
ｌｉｎ）、デーピッド Ｎ、Ｋ。
、その上に小さい開きすなわち開口３４を有し約３（１
０）０人／μｍ厚さの酸化物マスク３３を用いて溝３５
をエツチングすることによって上記特性が示された。溝
３５のエツチング（およびここに記載するすべての処理
）は、ディーンし、アントリニーズ（Ｄｅａｎ Ｌ、
Ａｎｄｒｅｗｓ ）、デーピッド チェンゾ（Ｄａｖ
ｉｄ Ｃｈｅｎｇ ）、メイ チャング（Ｍｅｉ Ｃｈ
ａｎｇ）、ダン メイダン（Ｄａｎ Ｍａｙｄａｎ ）
、サツソン ソメク（Ｓａｓｓｏｎ３ｏｍｅｋｈ ）、
ケネス Ｒ，スタルダ−（ＫｅｎｎｅｔｈＲ，５ｔａｉ
ｄｅｒ ） 、ジョン Ｍ、ホワイト（ＪｏｈｎＭ、Ｗ
ｈｉｔｅ ）、 シェリー Ｙ、ウオング（Ｊｅｒｒ
ｙＹ、 Ｗｏｎｇ ） 、ブラシミ）Ｌｔ Ｊ、 ７
ｙ４ ） ＩＪ ン（Ｖｌａｄｉｍｉｒ Ｊ、Ｚｅｉｔ
ｌｉｎ）、デーピッド Ｎ、Ｋ。
ワンプ（Ｄａｖｉｄ Ｎ、に、Ｈａｎｇ）名義で本出願
と同時に出願された“磁界増強プラズマエツチングリア
クター（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ−ｅｎｈａｎｃ
ｅｄ Ｐｌａｓｍ ｅｔｃｈＲｅａｃｔｏｒ）”という
名称の本出願と同じ譲受人に譲渡された同時係属特許出
願第 号（以下“参照エツチングリアクター″
と称す）に記載（該出願の記載は全体として参照文とし
て本明細書に含まれるものとする）された、磁界増強、
ＲＦ駆動、反応性エツチングリアクターを用いて行われ
た。選択性、均一性、清浄性のような特性のために、参
照エツチングリアクターが現在の新本発明のエツチング
方法のための好ましいものである。米国カリフォルニア
州すンタクララ市のアブライド・マテリアルズ、インコ
ーポレーション（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｉｎｃ、）から発売の８３（１０）システムのよう
な他のプラズマリアクターを本発明のヨウ素化物−およ
び臭素化物−ベースのエツチング方法の実施に用いるこ
とができる。磁界増強、ＲＩＥモード プラズマ エツ
チング装置はダンメイダ７（Ｄａｎ Ｍａｙｄａｎ）ら
の名義で１９８５年１２月３０日に出願された“マグネ
トロン増強プラズマエツチング方法（Ｍａｇｎｅｔｒｏ
ｎＪｎｈａｎｃｅｄＰｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐ
ｒｏｃｅｓｓ）”という名称の許可査定された、同時係
属、同−譲受人譲渡米国特許出願第８１４．６３８号に
記載されている。この装置はフォスター（Ｆｏｓｔｅｒ
） らの名義で１９８４年１０月２５日に出願された
“マグネトロン増強、プラズマ援助化学蒸着のための装
置および方法（Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｐｌａｓｍａ−八５ｓｉｓｔｅｄ Ｃｅｍ１ｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） ”という
名称の許可査定された、同時係属、同−譲受人譲渡米国
特許出願第６６４．６５７号に記載されている磁界増強
ＣＶＤ蒸着装置の改良である。
と同時に出願された“磁界増強プラズマエツチングリア
クター（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ−ｅｎｈａｎｃ
ｅｄ Ｐｌａｓｍ ｅｔｃｈＲｅａｃｔｏｒ）”という
名称の本出願と同じ譲受人に譲渡された同時係属特許出
願第 号（以下“参照エツチングリアクター″
と称す）に記載（該出願の記載は全体として参照文とし
て本明細書に含まれるものとする）された、磁界増強、
ＲＦ駆動、反応性エツチングリアクターを用いて行われ
た。選択性、均一性、清浄性のような特性のために、参
照エツチングリアクターが現在の新本発明のエツチング
方法のための好ましいものである。米国カリフォルニア
州すンタクララ市のアブライド・マテリアルズ、インコ
ーポレーション（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｉｎｃ、）から発売の８３（１０）システムのよう
な他のプラズマリアクターを本発明のヨウ素化物−およ
び臭素化物−ベースのエツチング方法の実施に用いるこ
とができる。磁界増強、ＲＩＥモード プラズマ エツ
チング装置はダンメイダ７（Ｄａｎ Ｍａｙｄａｎ）ら
の名義で１９８５年１２月３０日に出願された“マグネ
トロン増強プラズマエツチング方法（Ｍａｇｎｅｔｒｏ
ｎＪｎｈａｎｃｅｄＰｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐ
ｒｏｃｅｓｓ）”という名称の許可査定された、同時係
属、同−譲受人譲渡米国特許出願第８１４．６３８号に
記載されている。この装置はフォスター（Ｆｏｓｔｅｒ
） らの名義で１９８４年１０月２５日に出願された
“マグネトロン増強、プラズマ援助化学蒸着のための装
置および方法（Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｐｌａｓｍａ−八５ｓｉｓｔｅｄ Ｃｅｍ１ｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） ”という
名称の許可査定された、同時係属、同−譲受人譲渡米国
特許出願第６６４．６５７号に記載されている磁界増強
ＣＶＤ蒸着装置の改良である。
メイダン（Ｍａｙｄａｎ ） らの出願およびフォス
ター（Ｐｏ５ｔｅｒ ）らの出願に記載されている装置
（ｒｅａｃ−ｔｏｒｓ ）は本発明の実施のために使用
することができ、従って該出願の記載は参照文として本
明細書中に含まれるものとする。
ター（Ｐｏ５ｔｅｒ ）らの出願に記載されている装置
（ｒｅａｃ−ｔｏｒｓ ）は本発明の実施のために使用
することができ、従って該出願の記載は参照文として本
明細書中に含まれるものとする。
″・に ′された ロ 生装置参照エツチング
リアクターはＢがウェーハに平行な冒×百界を有利に用
いるＲＦ付勢、磁界援助リアクターである。加えて、ス
テップ状、緩徐回転り、Ｃ，磁界Ｂを用いてエツチング
均一性を増強する。
リアクターはＢがウェーハに平行な冒×百界を有利に用
いるＲＦ付勢、磁界援助リアクターである。加えて、ス
テップ状、緩徐回転り、Ｃ，磁界Ｂを用いてエツチング
均一性を増強する。
第７図は本発明に用いられる準静的、多方向性り、Ｃ，
磁界Ｂを発生および制御するために参照エツチングリア
クター中で用いられる装置の概略図である。
磁界Ｂを発生および制御するために参照エツチングリア
クター中で用いられる装置の概略図である。
第７図について説明すると、２個の鉛直電磁石コイル対
４０−４２および４４−４６は、それぞれが一般にエツ
チングリアクター室５０内のウェーハ支持体／陰極およ
びウェーハ４８に平行な、相互に垂直な磁界ベクトル百
ｙおよび百Ｘを形成する。典型的な例に於て、コンピュ
ーター５２が回線または母線５４−６０を経て制御信号
を通常の電源系６２−６８へ印加して導体７０−７６上
およびそれぞれ電磁石４０−４６へ送られる電流の大き
さおよび方向を制御する。連合した電流（ａｓｓｏｃｉ
ａｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ）が各コイル対によって発
生される磁界の方向および大きさを決定する。
４０−４２および４４−４６は、それぞれが一般にエツ
チングリアクター室５０内のウェーハ支持体／陰極およ
びウェーハ４８に平行な、相互に垂直な磁界ベクトル百
ｙおよび百Ｘを形成する。典型的な例に於て、コンピュ
ーター５２が回線または母線５４−６０を経て制御信号
を通常の電源系６２−６８へ印加して導体７０−７６上
およびそれぞれ電磁石４０−４６へ送られる電流の大き
さおよび方向を制御する。連合した電流（ａｓｓｏｃｉ
ａｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ）が各コイル対によって発
生される磁界の方向および大きさを決定する。
それぞれコイル対４０−４２および４４−４６によって
発生される垂直な磁界ベクトル百、および百、は Ｂ、 ＝βｃｏｓθ （１） Ｂ、 ＝βｓｉｎθ （２） で定義される。
発生される垂直な磁界ベクトル百、および百、は Ｂ、 ＝βｃｏｓθ （１） Ｂ、 ＝βｓｉｎθ （２） で定義される。
磁界百およびその角度配向θの所望または所要値が与え
られると、コンピューター５２は独立に方程式（１）お
よび（２）を解いて関連する磁界ベクトル百、および百
、を得、所望の磁界強度および配向を与えかつこれらの
磁界百、および百。
られると、コンピューター５２は独立に方程式（１）お
よび（２）を解いて関連する磁界ベクトル百、および百
、を得、所望の磁界強度および配向を与えかつこれらの
磁界百、および百。
を与えるためのコイル４０−４６内の必要な電流の印加
を制御する。
を制御する。
さらに、コイル内の電流を変化させることによって、角
度配向θおよびこのＤＣ磁界の大きさを所望通りに速や
かにまたはゆっくりと独立に変化させることができる。
度配向θおよびこのＤＣ磁界の大きさを所望通りに速や
かにまたはゆっくりと独立に変化させることができる。
磁界が各角度位置にある時間および角度ステッピングの
方向は磁界強度と同様に変化させることができる。これ
らのパラメーターはもっばら電磁石への電流の変化の関
数でありかつコンピューター５２によって容易に制御さ
れるからである。かくして、選ばれた配向および時間増
分を用いてウェーハの周りに磁界を階段状に並べること
ができる。所望ならば、合成磁界百。の大きさをプロセ
スまたはりアクタ−配置が要求するように変化させるこ
とができ、あるいは一定磁界強さを用いることができる
。要するに、電流制御系は一定のまたは変化される角速
度の迅速または緩徐に移動する、一定のまたは変化する
強さの磁界の多用性を与える。さらに、磁界の配向は段
階状に並べたりあるいは順々に変化される必要はなく、
任意の与えられた配向（または磁界強さ）からもう１つ
の配向（または磁界強さ）へ瞬間的に切換えることがで
きる。
方向は磁界強度と同様に変化させることができる。これ
らのパラメーターはもっばら電磁石への電流の変化の関
数でありかつコンピューター５２によって容易に制御さ
れるからである。かくして、選ばれた配向および時間増
分を用いてウェーハの周りに磁界を階段状に並べること
ができる。所望ならば、合成磁界百。の大きさをプロセ
スまたはりアクタ−配置が要求するように変化させるこ
とができ、あるいは一定磁界強さを用いることができる
。要するに、電流制御系は一定のまたは変化される角速
度の迅速または緩徐に移動する、一定のまたは変化する
強さの磁界の多用性を与える。さらに、磁界の配向は段
階状に並べたりあるいは順々に変化される必要はなく、
任意の与えられた配向（または磁界強さ）からもう１つ
の配向（または磁界強さ）へ瞬間的に切換えることがで
きる。
Ｄ、Ｃ，［界の方向および大きさを独立に制御すること
に於けるこの多用性は、典型的に６０Ｈｚの標準速度の
ような比較的高い固定振動数で回転する現存の商業的に
有用な回転磁界とは明らかに異なっている。さらに、例
えば２−５秒／回転（０，（１０）８−０，（１０）３
Ｈｚ ）の速度で緩徐に“回転”する能力はアルミニウ
ムまたは金属室内の高振動数の使用に伴う渦電流損失を
防止する。
に於けるこの多用性は、典型的に６０Ｈｚの標準速度の
ような比較的高い固定振動数で回転する現存の商業的に
有用な回転磁界とは明らかに異なっている。さらに、例
えば２−５秒／回転（０，（１０）８−０，（１０）３
Ｈｚ ）の速度で緩徐に“回転”する能力はアルミニウ
ムまたは金属室内の高振動数の使用に伴う渦電流損失を
防止する。
他のりアクタ−は上記Ｂ発生装置３８を組み込むように
改良することができる。
改良することができる。
ｌ±水素
シリコンエツチングに用いられた１つの現在好ましいガ
ス化学種組成はＨＢｒ（臭化水素）とＳｉＦ。
ス化学種組成はＨＢｒ（臭化水素）とＳｉＦ。
（四弗化珪素）と０２とＨｅとから成る。臭化水素主エ
ッチャントガスは高いエツチング速度を与え、溝がエツ
チングされつつあるとき側壁上に無機析出物を生成し、
高いアスペクト比を与えかつプロフィルを制御する。四
弗化珪素は反応をより揮発性にし、黒色シリコンを抑制
しかつエツチング生成物を除去するのを助ける。さらに
、ＳｉＦ４はウェーハからの天然酸化物を除去するため
に初期清掃工程で単独で用いることができる。酸素は酸
化物マスク３３上に酸化物を生成する。これは酸化物マ
スクを保護し、エツチング方法のマスクに対する選択性
を増強する。加えて、酸化物は無機側壁析出物の生成に
貢献し、かくしてプロフィル制御および高アスペクト比
に貢献する。本発明者らは酸素が側壁テーパーを制御す
ることをも発見した。すなわち、酸素流が増すと傾斜側
壁（第４図のＶ形壁２６−２６に似ているが直線である
）を生成する。傾斜角および得られたテーパーは酸素流
の増加につれて増加した。ヘリウムは希釈剤としてかつ
黒色シリコンを減少するために用いられた。
ッチャントガスは高いエツチング速度を与え、溝がエツ
チングされつつあるとき側壁上に無機析出物を生成し、
高いアスペクト比を与えかつプロフィルを制御する。四
弗化珪素は反応をより揮発性にし、黒色シリコンを抑制
しかつエツチング生成物を除去するのを助ける。さらに
、ＳｉＦ４はウェーハからの天然酸化物を除去するため
に初期清掃工程で単独で用いることができる。酸素は酸
化物マスク３３上に酸化物を生成する。これは酸化物マ
スクを保護し、エツチング方法のマスクに対する選択性
を増強する。加えて、酸化物は無機側壁析出物の生成に
貢献し、かくしてプロフィル制御および高アスペクト比
に貢献する。本発明者らは酸素が側壁テーパーを制御す
ることをも発見した。すなわち、酸素流が増すと傾斜側
壁（第４図のＶ形壁２６−２６に似ているが直線である
）を生成する。傾斜角および得られたテーパーは酸素流
の増加につれて増加した。ヘリウムは希釈剤としてかつ
黒色シリコンを減少するために用いられた。
上述したように酸化物マスクに対して加酸的でありかつ
酸化物マスクを保護する酸素ドーパントは非常に薄いマ
スクの使用を可能にすることに注目されたい、すなわち
酸化物マスクの厚さは１μｍ以下でよい。本発明者らは
１−３μｍのような小さい厚さを用いて優れた結果を得
た。かかる超薄型マスクはパターニングが容易で、エツ
チング幾何構造の制御および分解（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏ
ｎ）ならびに小フィーチャーサイズをエツチングする能
力を増強する。
酸化物マスクを保護する酸素ドーパントは非常に薄いマ
スクの使用を可能にすることに注目されたい、すなわち
酸化物マスクの厚さは１μｍ以下でよい。本発明者らは
１−３μｍのような小さい厚さを用いて優れた結果を得
た。かかる超薄型マスクはパターニングが容易で、エツ
チング幾何構造の制御および分解（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏ
ｎ）ならびに小フィーチャーサイズをエツチングする能
力を増強する。
ヨウ化水素
本発明者らはシリコンの主エツチングガスとしてヨウ素
化物ガスヨウ化水素をも用いた。ヨウ素化物ガスは、好
ましくは、塩素、四塩化珪素または塩化水素のような１
種以上の予め選ばれた塩素化物流ならびに予め選ばれた
酸素流で、両方ともに臭化水素に関して説明した目的の
ためにドープされる。塩素化物ドーパントは珪素のエツ
チング速度をも増加する。さらに、ヘリウム、アルゴン
、窒素または水素のような希釈剤ガスをヨウ素化物ガス
ペースの反応性エツチングガス組成物を希釈するために
用いることができる。５ＩＦ４、ＳＦ６、ＮＦ、のよう
な弗素化ガスの添加は塩素化化学種と同様な目的を果た
すためであろう。
化物ガスヨウ化水素をも用いた。ヨウ素化物ガスは、好
ましくは、塩素、四塩化珪素または塩化水素のような１
種以上の予め選ばれた塩素化物流ならびに予め選ばれた
酸素流で、両方ともに臭化水素に関して説明した目的の
ためにドープされる。塩素化物ドーパントは珪素のエツ
チング速度をも増加する。さらに、ヘリウム、アルゴン
、窒素または水素のような希釈剤ガスをヨウ素化物ガス
ペースの反応性エツチングガス組成物を希釈するために
用いることができる。５ＩＦ４、ＳＦ６、ＮＦ、のよう
な弗素化ガスの添加は塩素化化学種と同様な目的を果た
すためであろう。
Ｓ」ＬＬｌＤ二
臭化水素に加えて、臭素化物エツチングガスＣＦ２Ｂｒ
２をシリコンエツチングに用いることができる。上述し
たように、臭素化物ガスは、好ま ゛しくは、予め選
ばれた量／流のＳｉＦ４のような弗素化物ガスでかつ上
述した目的で予め選ばれた酸素流でもドープされる。さ
らに、反応性ガス混合物はヘリウム、アルゴン、窒素の
ような希釈剤ガスを用いて希釈されることができる。
２をシリコンエツチングに用いることができる。上述し
たように、臭素化物ガスは、好ま ゛しくは、予め選
ばれた量／流のＳｉＦ４のような弗素化物ガスでかつ上
述した目的で予め選ばれた酸素流でもドープされる。さ
らに、反応性ガス混合物はヘリウム、アルゴン、窒素の
ような希釈剤ガスを用いて希釈されることができる。
゛±８シリコンのＨＢｒエツチング
第１表について説明すると、ＨＢｒエツチングガスを用
いる単結晶シリコンの反応性イオンエツチング（ＲＩ
Ｅ）のためのガス流速と他の関連操作パラメーターとの
組み合わせが示しである。
いる単結晶シリコンの反応性イオンエツチング（ＲＩ
Ｅ）のためのガス流速と他の関連操作パラメーターとの
組み合わせが示しである。
裏ユ」−１表
全ガス流、ｓｃｃｍ ５−１１０１：
ＨＢｒ、ｓｃｃｍ ５−
５０２ ：ＳｉＦ４、ｓｃｃｍ
Ｏ−１５３：Ｏｚ、ｓｃｃｍ
Ｏ−１０４： Ｈｅ 、 ｓｃｃｍ
Ｏ−３０室圧力、ｍＴ
２Ｏ−２５０ＲＦ出力、ＭＨｚ
１３．５６出力密度、１１ａｔｔ／ ｃ：ｒＡ
２．４ ３．６磁界強さ、ｇａｕｓｓ
４０−１（１０）磁界回転、秒／回転
２−５マスク物質 二酸化珪素マ
スクに対する選択性 １０−ｏ。
ＨＢｒ、ｓｃｃｍ ５−
５０２ ：ＳｉＦ４、ｓｃｃｍ
Ｏ−１５３：Ｏｚ、ｓｃｃｍ
Ｏ−１０４： Ｈｅ 、 ｓｃｃｍ
Ｏ−３０室圧力、ｍＴ
２Ｏ−２５０ＲＦ出力、ＭＨｚ
１３．５６出力密度、１１ａｔｔ／ ｃ：ｒＡ
２．４ ３．６磁界強さ、ｇａｕｓｓ
４０−１（１０）磁界回転、秒／回転
２−５マスク物質 二酸化珪素マ
スクに対する選択性 １０−ｏ。
シリコンエツチング 速度、 人／分 ４，（
１０）０−１２，（１０）０開き、ｗｌ μｍ
０．２５−１（１０）深さ、ｄ、ｐｍ
０．５− ３０アスペクト比
２０− ２５（ｗ＝０．２５−１．５ μｍに・して５ ５０ｓｅｃｍのＨＢｒ流範囲、０−１
５ ｓｅｃ’ｍの四弗化珪素塊範囲、０ １０１０５ｅ
の酸素範囲、０−０−３０ｓｅのヘリウム範囲と約６０
℃に冷却されるウェーハ支持ＲＦ陰極とを用いて、本発
明者らは、現在、約０．２５μｍのような小さい開き寸
法Ｗを有しかつ２０−２５の範囲のアスペクト比をもつ
溝をエツチングした。
１０）０−１２，（１０）０開き、ｗｌ μｍ
０．２５−１（１０）深さ、ｄ、ｐｍ
０．５− ３０アスペクト比
２０− ２５（ｗ＝０．２５−１．５ μｍに・して５ ５０ｓｅｃｍのＨＢｒ流範囲、０−１
５ ｓｅｃ’ｍの四弗化珪素塊範囲、０ １０１０５ｅ
の酸素範囲、０−０−３０ｓｅのヘリウム範囲と約６０
℃に冷却されるウェーハ支持ＲＦ陰極とを用いて、本発
明者らは、現在、約０．２５μｍのような小さい開き寸
法Ｗを有しかつ２０−２５の範囲のアスペクト比をもつ
溝をエツチングした。
それぞれ０．２５．０．４．１．５μｍの溝幅Ｗの特殊
な例を考えて、本発明者らは第１表のプロセスを用いて
溝を５μｍ１１０μｍ、３０μｍの深さｄにそれぞれエ
ツチングし、それによってそれぞれ開きサイズ０．２５
．０．４．１．５に対して５１０．２５．１０１０．４
’、３０／１．５すなわち２０．２５．２０の関連アス
ペクト比ｄ／ｗを与えた。本発明者らは１Ｏ−ｏｏの範
囲内の選択性をも得た。上記の後者の数字はドープされ
た酸化物マスクすなわち燐珪酸塩ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）
マスクに対して得られた。
な例を考えて、本発明者らは第１表のプロセスを用いて
溝を５μｍ１１０μｍ、３０μｍの深さｄにそれぞれエ
ツチングし、それによってそれぞれ開きサイズ０．２５
．０．４．１．５に対して５１０．２５．１０１０．４
’、３０／１．５すなわち２０．２５．２０の関連アス
ペクト比ｄ／ｗを与えた。本発明者らは１Ｏ−ｏｏの範
囲内の選択性をも得た。上記の後者の数字はドープされ
た酸化物マスクすなわち燐珪酸塩ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）
マスクに対して得られた。
参照エツチングリアクターはガス増強ウェーハー陰極熱
伝導と液体陰極冷却とを併用するのである程度好ましい
。参照磁界増強ＲＦ駆動エツチングリアクター３８内の
ウェーハ支持陰極３６は゛例えば２０−３０℃の温度の
水で冷却することができる。ウェーハと水冷陰極との間
に約４ ｔｏｒｒの実質的に定常圧力でヘリウムガスの
ようなガスを印加する。このことによってウェーハと冷
却陰極との間に高速、均一熱伝導が与えられ、それによ
ってウェーハ温度が、約６０℃に保たれる。単一ウェー
ハを冷却して約２．５〜３．５ ｗａｔｔ／ ａａの高
い出力密度能力を十分に利用することが重要である。
伝導と液体陰極冷却とを併用するのである程度好ましい
。参照磁界増強ＲＦ駆動エツチングリアクター３８内の
ウェーハ支持陰極３６は゛例えば２０−３０℃の温度の
水で冷却することができる。ウェーハと水冷陰極との間
に約４ ｔｏｒｒの実質的に定常圧力でヘリウムガスの
ようなガスを印加する。このことによってウェーハと冷
却陰極との間に高速、均一熱伝導が与えられ、それによ
ってウェーハ温度が、約６０℃に保たれる。単一ウェー
ハを冷却して約２．５〜３．５ ｗａｔｔ／ ａａの高
い出力密度能力を十分に利用することが重要である。
これは通常のＲＩＥエツチング装置の出力密度より１桁
高い大きさである。この高出力密度は、通常、より速い
エツチングおよびより良好なプロフィル制御の利益があ
る。冷却は、共に高温で増加する反りおよび黒色シリコ
ンを防止するのを助けかつその他の点ではプロフィル制
御を容易にする。
高い大きさである。この高出力密度は、通常、より速い
エツチングおよびより良好なプロフィル制御の利益があ
る。冷却は、共に高温で増加する反りおよび黒色シリコ
ンを防止するのを助けかつその他の点ではプロフィル制
御を容易にする。
実例として２−５秒／回転の低速磁界回転はウェーハ表
面にわたって非常に均一なエツチング速度を促進するこ
とも述べて置かねばならない。百をウェーハ表面に平行
にして［×百を与える磁界の使用はエツチング特性およ
び制御を増強する。特に、本明細書中で説明した臭素化
物およびヨウ素化物化学種と組み合わせてこの磁界を使
用するとエツチングを制御しかつウェーハの損傷を少な
くする。磁界が増すとエツチング速度が増し、かくして
、磁界を増加しかつＲＦ出力およびその結果得られるバ
イアス電圧−■。を減少することによって与えられたエ
ツチング速度が得られる。このことばウェーハのイオン
衝撃およびデバイス損傷を減少する。同時に、磁界の増
加はエツチングプロフィル制御を助ける。一般に磁界が
増加するにつれて、側壁の保護析出物が厚（なり（酸素
源が存在するとき）、溝プロフィルにより大きいテーパ
ーとより少ない反りとを与える。磁界を容易に変化させ
ることができるので、このことは深さが増につれてプロ
フィルを変化させる能力を与える。
面にわたって非常に均一なエツチング速度を促進するこ
とも述べて置かねばならない。百をウェーハ表面に平行
にして［×百を与える磁界の使用はエツチング特性およ
び制御を増強する。特に、本明細書中で説明した臭素化
物およびヨウ素化物化学種と組み合わせてこの磁界を使
用するとエツチングを制御しかつウェーハの損傷を少な
くする。磁界が増すとエツチング速度が増し、かくして
、磁界を増加しかつＲＦ出力およびその結果得られるバ
イアス電圧−■。を減少することによって与えられたエ
ツチング速度が得られる。このことばウェーハのイオン
衝撃およびデバイス損傷を減少する。同時に、磁界の増
加はエツチングプロフィル制御を助ける。一般に磁界が
増加するにつれて、側壁の保護析出物が厚（なり（酸素
源が存在するとき）、溝プロフィルにより大きいテーパ
ーとより少ない反りとを与える。磁界を容易に変化させ
ることができるので、このことは深さが増につれてプロ
フィルを変化させる能力を与える。
例えば、非常に狭くて深い溝では、次に誘電体で溝を充
填することを容易にするため、より広い導口を有するこ
とが望ましいことがあり得る。磁界を調節することによ
って与えられるテーパー制御は丁度そのような漏斗形の
口が広く胴が狭い溝を可能にする。
填することを容易にするため、より広い導口を有するこ
とが望ましいことがあり得る。磁界を調節することによ
って与えられるテーパー制御は丁度そのような漏斗形の
口が広く胴が狭い溝を可能にする。
現在、約４９ｓｅｃｍの全ガス流および２０３ｃｃＩＩ
ＩのＨＢｒ、 ５−１０ｓｅｃｍの四弗化珪素、ｌ −
４ｓｅｃｍの酸素、５５ｃｃｎのヘリウムの関連する個
々のガス流および１（１０）ミリトール（ｍＴ）の室圧
力が正確な再現性と複合された高速度およびプロフィル
制御との組み合わせのために好ましい。
ＩのＨＢｒ、 ５−１０ｓｅｃｍの四弗化珪素、ｌ −
４ｓｅｃｍの酸素、５５ｃｃｎのヘリウムの関連する個
々のガス流および１（１０）ミリトール（ｍＴ）の室圧
力が正確な再現性と複合された高速度およびプロフィル
制御との組み合わせのために好ましい。
しかし、本発明の方法は上に挙げたプロセスパラメータ
ー値および範囲に限定されることは全くない。例えば、
経験に基づいて、上記の方法は２５ｓｅｃｍの四弗化珪
素流速および５−５（１０）ミリトールの室圧力を用い
て容易に実施されると信じている。さらに、本発明の方
法はＨＢｒのような主ガスエッチャントの流速に対して
敏感ではなく、該流速を上述したものよりずっと高くす
ることができる。
ー値および範囲に限定されることは全くない。例えば、
経験に基づいて、上記の方法は２５ｓｅｃｍの四弗化珪
素流速および５−５（１０）ミリトールの室圧力を用い
て容易に実施されると信じている。さらに、本発明の方
法はＨＢｒのような主ガスエッチャントの流速に対して
敏感ではなく、該流速を上述したものよりずっと高くす
ることができる。
また、上述したように、流速および他のパラメーターは
本明細書に開示したすべての方法のためでありかつ参照
単一ウェーハエツチングリアクターのためである。また
、本発明の方法はバッチ式リアクターに採用されること
ができ、この場合、バッチ中のウェーハの数に従って流
速比は増加される。
本明細書に開示したすべての方法のためでありかつ参照
単一ウェーハエツチングリアクターのためである。また
、本発明の方法はバッチ式リアクターに採用されること
ができ、この場合、バッチ中のウェーハの数に従って流
速比は増加される。
上記の方法は非常に狭い開きＷに対してもほぼ無限の選
択性、従って非常に高いアスペクト比を与える。例えば
、本発明者らは０．２５μｍの開きを用いて深さ５μｍ
の溝（アスペクト比Ａｒ−５１０，２５＝２０） 、０
．４μｍの幅の開きを用いて深さ１０．ｕｎの溝（アス
ペクト比１０１０．４＝２５）、および１．５μの開き
を用いて深さ３０μｍの溝（Ａｒ−３０／１．５＝２０
）を容易に繰返して得た。
択性、従って非常に高いアスペクト比を与える。例えば
、本発明者らは０．２５μｍの開きを用いて深さ５μｍ
の溝（アスペクト比Ａｒ−５１０，２５＝２０） 、０
．４μｍの幅の開きを用いて深さ１０．ｕｎの溝（アス
ペクト比１０１０．４＝２５）、および１．５μの開き
を用いて深さ３０μｍの溝（Ａｒ−３０／１．５＝２０
）を容易に繰返して得た。
しかし、これらは例としてのみ示したものである。
というのは本発明者らはこれらの特別な開きの寸法に対
しであるいはさらにずっと小さく、より狭い開きに対し
て溝の深さおよびアスペクト比の限界に達していないか
らである。さらに、丸い底プロフィル３６（第６図）は
確実に得られかつ深さ依存性ではない。
しであるいはさらにずっと小さく、より狭い開きに対し
て溝の深さおよびアスペクト比の限界に達していないか
らである。さらに、丸い底プロフィル３６（第６図）は
確実に得られかつ深さ依存性ではない。
単結晶シリコンのＨＩエツチング
第２表はヨウ化水素（ＨＩ ）を用いる単結晶シリコン
のエツチングのためのガス流および他の関連プロセスパ
ラメーターならびに結果を示す。簡単には、ｉｔＪ５０
ＳＣＣｍの全ガス流および１０１０−３０ｓｅのヨウ化
水素、１０−２０ｓｅｃｍの塩素、〇−５ｓｅｃｍの酸
素、Ｑ −２０ｓｅｃｍの四弗化珪素、〇−１０ｓｃｃ
ｍの四塩化珪素の個々のガス流を用いた。
のエツチングのためのガス流および他の関連プロセスパ
ラメーターならびに結果を示す。簡単には、ｉｔＪ５０
ＳＣＣｍの全ガス流および１０１０−３０ｓｅのヨウ化
水素、１０−２０ｓｅｃｍの塩素、〇−５ｓｅｃｍの酸
素、Ｑ −２０ｓｅｃｍの四弗化珪素、〇−１０ｓｃｃ
ｍの四塩化珪素の個々のガス流を用いた。
表に示した高い出力密度および他の操作パラメーターは
０．９−１．２μｍ／分の非常に高い単結晶シリコンエ
ツチング速度、酸化物マスク材料に対するほぼ無限の選
択性および約５ （ｄ／ｗ＝５μ／１μ）のアスペクト
比を与えた。
０．９−１．２μｍ／分の非常に高い単結晶シリコンエ
ツチング速度、酸化物マスク材料に対するほぼ無限の選
択性および約５ （ｄ／ｗ＝５μ／１μ）のアスペクト
比を与えた。
現在の経験は、５−１（１０）ｓｃｃｍのヨウ化水素お
よび５−３ Ｑｓｃｃｍの塩素のおよその範囲内の個々
のガス流を、それぞれ約ｌ Ｑｓｃｃｍ、 ２ Ｑｓｃ
ｃｍ。
よび５−３ Ｑｓｃｃｍの塩素のおよその範囲内の個々
のガス流を、それぞれ約ｌ Ｑｓｃｃｍ、 ２ Ｑｓｃ
ｃｍ。
２Ｑｓｃｃｍの関連する最大の酸素、四弗化珪素、四塩
化珪素流と共に容易に使用できることである。
化珪素流と共に容易に使用できることである。
本発明者らの現在好ましいガス化学種は１０１０５ｅの
塩素および２ｓｅｃｍの酸素でドープされた２０ｓｅｃ
ｍのヨウ化水素であり、四弗化珪素または四塩化珪素は
所要でない。これらのパラメーターは正確な再現性およ
び高いエツチング速度とプロフィル制御との組み合わせ
を与える。
塩素および２ｓｅｃｍの酸素でドープされた２０ｓｅｃ
ｍのヨウ化水素であり、四弗化珪素または四塩化珪素は
所要でない。これらのパラメーターは正確な再現性およ
び高いエツチング速度とプロフィル制御との組み合わせ
を与える。
しかし、本発明の方法は上記のプロセスパラメーター値
および範囲に全く限定されない。例えば、経験に基づく
と、上記の方法は、参照エツチングリアクターで、２５
ｓｅｃｍの四弗化珪素流速および５−５（１０）ミリト
ールの室圧力を用いて容易に実施することができると信
する。本発明の方法は主ガスエッチャントＨＩの流速に
敏感ではなく、上で挙げたものよりずっと高い流速で用
いることができる。また、上述したように、ガス流速比
を含むパラメーターは他のエツチングリアクターに容易
に採用され得る。さらに、本発明の方法はバッチ式リア
クターに採用されることができ、その場合にはバッチ中
のウェーハの数に従って流速比が増加される。
および範囲に全く限定されない。例えば、経験に基づく
と、上記の方法は、参照エツチングリアクターで、２５
ｓｅｃｍの四弗化珪素流速および５−５（１０）ミリト
ールの室圧力を用いて容易に実施することができると信
する。本発明の方法は主ガスエッチャントＨＩの流速に
敏感ではなく、上で挙げたものよりずっと高い流速で用
いることができる。また、上述したように、ガス流速比
を含むパラメーターは他のエツチングリアクターに容易
に採用され得る。さらに、本発明の方法はバッチ式リア
クターに採用されることができ、その場合にはバッチ中
のウェーハの数に従って流速比が増加される。
男−」し−表
゛′±８シリコンのＨｌ工・・チング
左Ｕ叩ととＺ猪来 −石一一皿一全ガス流
、ｓｃｃｍ ５１ ： ＨＩ 、
ｓｃｃｍ １０−３０２ ：Ｃ１ｚ
、ｓｃｃｍ １０−２０３：０２．５Ｃ
ＣＩＩＩ Ｏ−５４：５ｉＦａ、ｓ
ｃｃｍ Ｏ２０５：５ｉＣｊ！ａ 、
ｓｃｃｍ 室圧力、ｍＴ５−２（１０） ＲＦ比出力ＭＨｚ １３．５６出力
密度、讐ａｔｔ／ｃｒ１２．４ ３．６磁界強さ、ｇａ
ｕｓｓ ５０−９０磁界回転、秒／回
転 １．９−３．６マスク材料
二酸化珪素マスクに対する選択性
■シリゴンエフチンク速度、ｌｔ ｍ１分０． ９
− １． ２アスペクト比 〜１
０也の 、ヒ ヒ 種 上記結果から、ＨｌおよびＨＢｒは好ましい臭素化物お
よびヨウ素化物化学種である。ヨウ化水素は唯一の既知
のヨウ素化物ガスである。他の臭素化物化学種ＢｒＦ３
、ＢｒＦ３、ＣｚＦ、２Ｂｒ２、ＣＦ、Ｂｒ 。
、ｓｃｃｍ ５１ ： ＨＩ 、
ｓｃｃｍ １０−３０２ ：Ｃ１ｚ
、ｓｃｃｍ １０−２０３：０２．５Ｃ
ＣＩＩＩ Ｏ−５４：５ｉＦａ、ｓ
ｃｃｍ Ｏ２０５：５ｉＣｊ！ａ 、
ｓｃｃｍ 室圧力、ｍＴ５−２（１０） ＲＦ比出力ＭＨｚ １３．５６出力
密度、讐ａｔｔ／ｃｒ１２．４ ３．６磁界強さ、ｇａ
ｕｓｓ ５０−９０磁界回転、秒／回
転 １．９−３．６マスク材料
二酸化珪素マスクに対する選択性
■シリゴンエフチンク速度、ｌｔ ｍ１分０． ９
− １． ２アスペクト比 〜１
０也の 、ヒ ヒ 種 上記結果から、ＨｌおよびＨＢｒは好ましい臭素化物お
よびヨウ素化物化学種である。ヨウ化水素は唯一の既知
のヨウ素化物ガスである。他の臭素化物化学種ＢｒＦ３
、ＢｒＦ３、ＣｚＦ、２Ｂｒ２、ＣＦ、Ｂｒ 。
ＣＦｚ Ｂｒｚ 、ＣｔＢｒ２Ｆａ 、ＣＨ３Ｂｒ、
Ｃ２Ｈ３Ｂｒは炭素または炭化水素を含み、信頼できな
いエツチング方法を与え、ウェーハおよびリアクター上
ならびにｍ （ｇｒｏｏｖｅ ｏｒ ｔｒｅｎｃｈ）内
に有機ポリマーが生成する。このことは溝の深さを限定
しかつ“汚れた”方法を与える。これらの臭素化物ガス
のほとんどは弗素（より正確には高い弗素：臭素比）を
含み、結果として、酸化物マスクに対する選択性が小さ
い。
Ｃ２Ｈ３Ｂｒは炭素または炭化水素を含み、信頼できな
いエツチング方法を与え、ウェーハおよびリアクター上
ならびにｍ （ｇｒｏｏｖｅ ｏｒ ｔｒｅｎｃｈ）内
に有機ポリマーが生成する。このことは溝の深さを限定
しかつ“汚れた”方法を与える。これらの臭素化物ガス
のほとんどは弗素（より正確には高い弗素：臭素比）を
含み、結果として、酸化物マスクに対する選択性が小さ
い。
上に挙げた他の臭素化物ガスの中で、ＢｒＦ、とＢｒＦ
、は恐らくエッチャントとして“最良”の選択物である
。しかし、これらのガスは両方とも非常に高いＦ：Ｂｒ
比（ＢｒＦｓでは５ ： １ 、ＢｒＦ３では３：１）
を有し、共に高度に有毒であり、かつＢｒＦｚの蒸気圧
は非常に低く、すなわち本質的に液体として存在する。
、は恐らくエッチャントとして“最良”の選択物である
。しかし、これらのガスは両方とも非常に高いＦ：Ｂｒ
比（ＢｒＦｓでは５ ： １ 、ＢｒＦ３では３：１）
を有し、共に高度に有毒であり、かつＢｒＦｚの蒸気圧
は非常に低く、すなわち本質的に液体として存在する。
上で示したように、シリ；ン中の狭く深い溝のような小
フィーチャーのエツチングのためにはＣＦ２Ｂｒ２はＨ
ＩまたはＨＢｒはど望ましくはない。
フィーチャーのエツチングのためにはＣＦ２Ｂｒ２はＨ
ＩまたはＨＢｒはど望ましくはない。
主として、これは炭素と弗素とを含んでいる結果である
。しかし、Ｆ：Ｂｒ比が比較的低い（１： １）ので、
ＣＦ２Ｂｒ２は好ましいＨｌおよびＨＢｒガスよりも低
アグレッシブ性（幅広い）幾何構造に対して有用であろ
う。
。しかし、Ｆ：Ｂｒ比が比較的低い（１： １）ので、
ＣＦ２Ｂｒ２は好ましいＨｌおよびＨＢｒガスよりも低
アグレッシブ性（幅広い）幾何構造に対して有用であろ
う。
゛±８シリコンのＣＦ Ｂｒｔエツチング単結晶シリコ
ンをエツチングするためにＣＦ、Ｂｒ。
ンをエツチングするためにＣＦ、Ｂｒ。
を用い、２０−９０ｓｅｃｍの全ガス流および１０１０
−３ＱｓｃのＣＦｚ Ｂｒ、 、Ｏ−２０ｓｃｃｍの四
弗化珪素、０ ２ＱｓｃｃｍのＣＦ３ Ｂｒ、 １０
−２０ｓｃｃｍの酸素の個々のガス流を５０５０−３Ｏ
０の室圧力で用いた。得られた高エツチング速度はｓ、
ｏｏｏ −１０，（１０）０人／分であった。酸化珪素
マスクに対する選択性は約５−ｉｏ：ｔであった。１μ
ｍ Ｏ） ＠幅Ｗに対して５μｍの溝深さが得られ、関
連アスペクト比５／１を与えた。現在のところ、正確な
再現性、高いエツチング速度およびプロフィル制御の組
み合わせのためには３ＱｓｃｃｍのＣＦ２Ｂｒ２、１Ｑ
ｓｃｃ僧の四弗化珪素、ｌＱｓｃｃｍの酸素の個々のガ
ス流速、１（１０）ｍＴの室圧力、３ｗａｔｔ／ａｎ！
の出力密度、９０ｇａｕｇの磁界が好ましい。
−３ＱｓｃのＣＦｚ Ｂｒ、 、Ｏ−２０ｓｃｃｍの四
弗化珪素、０ ２ＱｓｃｃｍのＣＦ３ Ｂｒ、 １０
−２０ｓｃｃｍの酸素の個々のガス流を５０５０−３Ｏ
０の室圧力で用いた。得られた高エツチング速度はｓ、
ｏｏｏ −１０，（１０）０人／分であった。酸化珪素
マスクに対する選択性は約５−ｉｏ：ｔであった。１μ
ｍ Ｏ） ＠幅Ｗに対して５μｍの溝深さが得られ、関
連アスペクト比５／１を与えた。現在のところ、正確な
再現性、高いエツチング速度およびプロフィル制御の組
み合わせのためには３ＱｓｃｃｍのＣＦ２Ｂｒ２、１Ｑ
ｓｃｃ僧の四弗化珪素、ｌＱｓｃｃｍの酸素の個々のガ
ス流速、１（１０）ｍＴの室圧力、３ｗａｔｔ／ａｎ！
の出力密度、９０ｇａｕｇの磁界が好ましい。
現在の経験は、約１０−５０ｓｃｃｍのＣＦ２Ｂｒ２ガ
ス流速範囲、３Ｑｓｃｃｍの四弗化珪素、２Ｑｓｃｃｍ
の酸素、３ＱｓｃｃｍのＣＦ３Ｂｒの最高ドーパント流
速が５−５−５Ｏ０の範囲内の室圧力と共に用いられる
ことができかつ上述の有効な結果を与えることを示して
いる。
ス流速範囲、３Ｑｓｃｃｍの四弗化珪素、２Ｑｓｃｃｍ
の酸素、３ＱｓｃｃｍのＣＦ３Ｂｒの最高ドーパント流
速が５−５−５Ｏ０の範囲内の室圧力と共に用いられる
ことができかつ上述の有効な結果を与えることを示して
いる。
耶−ぢＬ−表
一層 ±１シリコンＲＩＥ エツチング の ＣＦ２
Ｂｒｚエフチングツ旦皇ス八２スニ久へ／く多に」ξ
−ｍ−−１１−−Ｍ耳−−−−
全ガス流、ｓｃｃｍ ２０−９０１：Ｃ
ＦｚＢｒ２ 、 ｓｃｃｍ １
０ ３０２ ：ＳｉＦ４ 、 ｓｃｃｍ
０−２０３ ：Ｏｚ
、５ＣＣｍ １ ０
−２０４ ： ＣＦ３ Ｂｒ、、 ｓｃｃｍ
Ｏ−２０室圧力、ｍＴ
５０−３（１０）出力密度、ｗａｔｔ／
ｃ＋＋！ ２．４ ３．６磁界強さ、ｇ
ａｕｓ ５０ ９０磁界回転、秒／回
転 ２−５マスク物質
二酸化珪素マスクに対する選択性 ５−１０
：１シリコンエフチング 速度、 人／分
５，（１０）０−１０，（１０）０アスペクト比
５：１（５μｍ／１μ曙）′４：ｇシリコン
エラチン久第４表および第５表は、それぞれ主エツチ
ングガス臭化水素およびヨウ化水素を用いて多結晶シリ
コンをエツチングするために用いられた好ましい流速お
よび他の操作パラメーターを示す。薄い二酸化珪素基層
（ｕｎｄｅｒｌａｙｅｒ）上に厚さ約５（１０）人のポ
リ層（ρｏｌｙ １ａｙｅｒ）を形成させた。この構造
はＭＯＳゲート構造ならびにＭＯＳおよびディジタル多
重層導体構造にしばしば用いられる。開口を有するフォ
トレジストマスクがポリシリコン中に溝をエツチングす
るだめのパターンを提供した。
Ｂｒｚエフチングツ旦皇ス八２スニ久へ／く多に」ξ
−ｍ−−１１−−Ｍ耳−−−−
全ガス流、ｓｃｃｍ ２０−９０１：Ｃ
ＦｚＢｒ２ 、 ｓｃｃｍ １
０ ３０２ ：ＳｉＦ４ 、 ｓｃｃｍ
０−２０３ ：Ｏｚ
、５ＣＣｍ １ ０
−２０４ ： ＣＦ３ Ｂｒ、、 ｓｃｃｍ
Ｏ−２０室圧力、ｍＴ
５０−３（１０）出力密度、ｗａｔｔ／
ｃ＋＋！ ２．４ ３．６磁界強さ、ｇ
ａｕｓ ５０ ９０磁界回転、秒／回
転 ２−５マスク物質
二酸化珪素マスクに対する選択性 ５−１０
：１シリコンエフチング 速度、 人／分
５，（１０）０−１０，（１０）０アスペクト比
５：１（５μｍ／１μ曙）′４：ｇシリコン
エラチン久第４表および第５表は、それぞれ主エツチ
ングガス臭化水素およびヨウ化水素を用いて多結晶シリ
コンをエツチングするために用いられた好ましい流速お
よび他の操作パラメーターを示す。薄い二酸化珪素基層
（ｕｎｄｅｒｌａｙｅｒ）上に厚さ約５（１０）人のポ
リ層（ρｏｌｙ １ａｙｅｒ）を形成させた。この構造
はＭＯＳゲート構造ならびにＭＯＳおよびディジタル多
重層導体構造にしばしば用いられる。開口を有するフォ
トレジストマスクがポリシリコン中に溝をエツチングす
るだめのパターンを提供した。
第４表および第５表に示すように、臭化水素およびヨウ
化水素は、両方共に酸化物基層３８に対して５０：１の
非常に優れた選択性をもって、３．（１０）０−５，（
１０）０人／分の比較的高いエツチング速度（通常のＲ
ＩＥハツチ系エツチング速度は約４（１０）−１，（１
０）０ 人／分である）でシリコンをエツチングする。
化水素は、両方共に酸化物基層３８に対して５０：１の
非常に優れた選択性をもって、３．（１０）０−５，（
１０）０人／分の比較的高いエツチング速度（通常のＲ
ＩＥハツチ系エツチング速度は約４（１０）−１，（１
０）０ 人／分である）でシリコンをエツチングする。
ヨウ化水素は約２．５：１のマスクに対する選択性を与
えたが臭化水素はそれより高く、４ ： １−８ ：
１の範囲内のマスクに対する選択性を与えた。
えたが臭化水素はそれより高く、４ ： １−８ ：
１の範囲内のマスクに対する選択性を与えた。
上記の範囲は例として与えただけである。有効な結果は
これらの範囲だけに限定されないことは本発明者らの現
在の経験から明らかである。さらに、ＨＢｒおよびＨｌ
エツチング化学種のフォトレジストマスクに対する選択
性は高圧および（または）低出力を用いることによって
一層さらに増加されることができ、すなわちアンダーカ
ッティングが無い方法は一層さらに増強され得る。
これらの範囲だけに限定されないことは本発明者らの現
在の経験から明らかである。さらに、ＨＢｒおよびＨｌ
エツチング化学種のフォトレジストマスクに対する選択
性は高圧および（または）低出力を用いることによって
一層さらに増加されることができ、すなわちアンダーカ
ッティングが無い方法は一層さらに増強され得る。
メーニＬ−表
１１シリコンのＨＢｒエツチング
ム竺特ととＺ績来 −皿−−皿一全ガス流、
ｓｃｃｍ １０−１１０１ ： ＨＢ
ｒ、 ｓｃｃｍ Ｉ Ｑ −７５２：
５ｉＦａ 、５ｃｃｎ＋ ０− １０
３：Ｃｌ２ｚ−、ｓｃｃｍ Ｏ−１５
４：０．、ｓｃｃｍ Ｏ−１０室圧
力、ｍＴ１０−２（１０） 出力密度、ｗａｔｔ／ ｃｓ＆ ’ ２．
５− ４磁界強さ、ｇａｕｓ５０−９０ 磁界回転、秒／回転 １．９マスク物質
フォトレジスト基層材料
二酸化珪素マスクに対する選択性
４−８ ： １下層に対する選択性
５０：１シリコンエフチング 速度、 人／分
３，（１０）０ −５，（１０）０第−」
し−友 結８シリコンの■（Ｉエツチング 劇ν胚と辷Ｚ肱果 範−一一皿全ガス流、
ｓｃｃｍ １０ ４５１ ： ＨＩ
、ｓｃｃｍ １０−２０２：Ｃｊ２２
、ｓｃｃｍ ０ ２０３：Ｏｚ、ｓｃ
ｃｍ Ｏ５室圧力、ｍＴ
２０−２（１０）出力密度、１ｙａｔｔ／
ｃｏｌ ２．４ ３．６磁界強さ、ｇａｕ
ｓ ５０ ９０磁界回転、秒／回転
１．９マスク材料
フォトレジスト基層材料 二酸化
珪素マ肋に対する選択性 ２．５基層に
対する選択性 ５０：１シリコンエフチング
速度、 人／分 ３，（１０）０−５．
（１０）０ワング（Ｗａｎｇ） らの名義で１９８５
年１０月１１日に出願された゛珪化物、多結晶シリコン
、ポリサイドをエツチングするための材料および方法”
という名称の同時係属、同一譲受人譲渡、米国特許出願
第７８６．７８３号（該出願はその全体が参照文として
本明細書に含まれる。ものとする）は耐火金属チタン、
タンクノペタングステン、アルミニウムの珪化物をエツ
チングするためおよび多結晶シリコン層上のこれらの珪
化物の複合物をエツチングするためのガス化学種および
聞達するＲＩＥ形式方法に関する。主エツチングガス組
成はＨＣｆｆ ／Ｃβ２である。ＨＣβ／Ｃ１２ガス化
学種はポリシリコンエツチング工程で用いられ、ＢＣｆ
１３含有ＨＣβ／ Ｃｆｌ ２ガス化学種は珪化物のエ
ツチングに用いられ、かくして真空を破ることなく同じ
室内で本質的に連続な珪化物およびポリシリコンエツチ
ング方法を与える。ＨＣβ／Ｃβ２ガス化学種はゲート
酸化物層のような下にある酸化物に対する選択性をもっ
て下にあるポリシリコンの高速異方性エツチングを与え
る。弗素化ガスおよび酸素から選ばれるドーパントガス
の比較的小容量で選択的にドープされたＢＣＩ、含有Ｈ
ＣＩ／Ｃ１，ガス化学種はすべての４種の耐火金属珪化
物を異方性にエツチングするばかりでなく、珪化物−ポ
リシリコンの所要な高エツチング速度比を与えて清浄な
無フィラメントエツチングを与える。さらに、Ｂ Ｃｌ
３ ／ ＨＣｌ ／ Ｃ１２ｚガス化学種は有機フォ
トレジストに対する高い選択性と所望な酸化物エツチン
グ能力（ｅｔｃｈａｂｉｌｉｔｙ）とを与える。より一
般的な用語では、本発明の方法は異方性ポリサイドプロ
フィル、最小線幅損失、清浄性、均一性、再現性の諸要
件と一致する。ポリシリコンに加えて耐火珪化物のエツ
チングに於けるこの酸化物および弗素化ガスでドープし
た塩素化ガス化学種の有効性ならびにポリシリコンおよ
び単結晶シリコンのエツチングに於て本発明の酸素、弗
素化物でドープしたおよび塩素化物でドープした臭素化
物およびヨウ素化物ガス化学種によって得られる優れた
結果に基づいて、当業者はチタン、タンタル、タングス
テン１．アルミニウムの珪化物をエツチングするためお
よびシリコン層上のこれらの珪化物の複合物をエツチン
グするため、ガス流速範囲を含む特殊な操作パラメータ
ーを容易に展開するであろう。
ｓｃｃｍ １０−１１０１ ： ＨＢ
ｒ、 ｓｃｃｍ Ｉ Ｑ −７５２：
５ｉＦａ 、５ｃｃｎ＋ ０− １０
３：Ｃｌ２ｚ−、ｓｃｃｍ Ｏ−１５
４：０．、ｓｃｃｍ Ｏ−１０室圧
力、ｍＴ１０−２（１０） 出力密度、ｗａｔｔ／ ｃｓ＆ ’ ２．
５− ４磁界強さ、ｇａｕｓ５０−９０ 磁界回転、秒／回転 １．９マスク物質
フォトレジスト基層材料
二酸化珪素マスクに対する選択性
４−８ ： １下層に対する選択性
５０：１シリコンエフチング 速度、 人／分
３，（１０）０ −５，（１０）０第−」
し−友 結８シリコンの■（Ｉエツチング 劇ν胚と辷Ｚ肱果 範−一一皿全ガス流、
ｓｃｃｍ １０ ４５１ ： ＨＩ
、ｓｃｃｍ １０−２０２：Ｃｊ２２
、ｓｃｃｍ ０ ２０３：Ｏｚ、ｓｃ
ｃｍ Ｏ５室圧力、ｍＴ
２０−２（１０）出力密度、１ｙａｔｔ／
ｃｏｌ ２．４ ３．６磁界強さ、ｇａｕ
ｓ ５０ ９０磁界回転、秒／回転
１．９マスク材料
フォトレジスト基層材料 二酸化
珪素マ肋に対する選択性 ２．５基層に
対する選択性 ５０：１シリコンエフチング
速度、 人／分 ３，（１０）０−５．
（１０）０ワング（Ｗａｎｇ） らの名義で１９８５
年１０月１１日に出願された゛珪化物、多結晶シリコン
、ポリサイドをエツチングするための材料および方法”
という名称の同時係属、同一譲受人譲渡、米国特許出願
第７８６．７８３号（該出願はその全体が参照文として
本明細書に含まれる。ものとする）は耐火金属チタン、
タンクノペタングステン、アルミニウムの珪化物をエツ
チングするためおよび多結晶シリコン層上のこれらの珪
化物の複合物をエツチングするためのガス化学種および
聞達するＲＩＥ形式方法に関する。主エツチングガス組
成はＨＣｆｆ ／Ｃβ２である。ＨＣβ／Ｃ１２ガス化
学種はポリシリコンエツチング工程で用いられ、ＢＣｆ
１３含有ＨＣβ／ Ｃｆｌ ２ガス化学種は珪化物のエ
ツチングに用いられ、かくして真空を破ることなく同じ
室内で本質的に連続な珪化物およびポリシリコンエツチ
ング方法を与える。ＨＣβ／Ｃβ２ガス化学種はゲート
酸化物層のような下にある酸化物に対する選択性をもっ
て下にあるポリシリコンの高速異方性エツチングを与え
る。弗素化ガスおよび酸素から選ばれるドーパントガス
の比較的小容量で選択的にドープされたＢＣＩ、含有Ｈ
ＣＩ／Ｃ１，ガス化学種はすべての４種の耐火金属珪化
物を異方性にエツチングするばかりでなく、珪化物−ポ
リシリコンの所要な高エツチング速度比を与えて清浄な
無フィラメントエツチングを与える。さらに、Ｂ Ｃｌ
３ ／ ＨＣｌ ／ Ｃ１２ｚガス化学種は有機フォ
トレジストに対する高い選択性と所望な酸化物エツチン
グ能力（ｅｔｃｈａｂｉｌｉｔｙ）とを与える。より一
般的な用語では、本発明の方法は異方性ポリサイドプロ
フィル、最小線幅損失、清浄性、均一性、再現性の諸要
件と一致する。ポリシリコンに加えて耐火珪化物のエツ
チングに於けるこの酸化物および弗素化ガスでドープし
た塩素化ガス化学種の有効性ならびにポリシリコンおよ
び単結晶シリコンのエツチングに於て本発明の酸素、弗
素化物でドープしたおよび塩素化物でドープした臭素化
物およびヨウ素化物ガス化学種によって得られる優れた
結果に基づいて、当業者はチタン、タンタル、タングス
テン１．アルミニウムの珪化物をエツチングするためお
よびシリコン層上のこれらの珪化物の複合物をエツチン
グするため、ガス流速範囲を含む特殊な操作パラメータ
ーを容易に展開するであろう。
かくして、本発明者らは反応性イオンエツチングを用い
て単結晶シリコン中に高アスペクト比のＵ形溝を形成す
るための好ましい方法を説明した。
て単結晶シリコン中に高アスペクト比のＵ形溝を形成す
るための好ましい方法を説明した。
本発明者らはプロセスパラメーターの有効範囲およびエ
ッチャントガス組成のようなパラメーターの範囲をも説
明した。本明細書、特許請求の範囲および図面中に含ま
れる説明に基づいて、本発明の特許請求の範囲によって
定義される本発明の範囲内にある多くの面の中で当業者
は本発明を容易に変更するであろう。
ッチャントガス組成のようなパラメーターの範囲をも説
明した。本明細書、特許請求の範囲および図面中に含ま
れる説明に基づいて、本発明の特許請求の範囲によって
定義される本発明の範囲内にある多くの面の中で当業者
は本発明を容易に変更するであろう。
第１図は好ましいＵ形シリコン溝プロフィルの概略図で
あり、 第２図〜第５図は他の望ましくないかあるいは望ましい
関度が少ない溝プロフィルの概略図であり、 第６図は本発明の方法を用いる単結晶シリコンのエツチ
ングの概略図であり、 第７図は本発明の方法に用いられる準静的、多方向性、
緩徐回転磁界を発生させるための１つの好ましい装置を
示す。
あり、 第２図〜第５図は他の望ましくないかあるいは望ましい
関度が少ない溝プロフィルの概略図であり、 第６図は本発明の方法を用いる単結晶シリコンのエツチ
ングの概略図であり、 第７図は本発明の方法に用いられる準静的、多方向性、
緩徐回転磁界を発生させるための１つの好ましい装置を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ヨウ化水素、臭化水素及びＣＦ＿２Ｂｒ＿２から
選ばれるエッチャントガスを含む反応性ガス混合物を室
中へ連通させることによって生成されるプラズマにシリ
コンボデーを暴露する工程、及びシリコン表面に通常は
平行な磁界を印加する工程とを含む常圧以下の圧力の室
内でシリコンボデーの表面をエッチングする方法。 （２）エッチングの均一性のために磁界をシリコン表面
に平行に保ちながら徐々に回転させる、特許請求の範囲
第（１）項記載の方法。 （３）ヨウ化水素、臭化水素及びＣＦ＿２Ｂｒ＿２から
選ばれるエッチャントガスを含む反応性ガス混合物を室
中へ連通させることによって生成されるプラズマに耐火
性珪化物ボデーを暴露する工程、及び耐火性珪化物表面
に通常は平行な磁界を印加する工程を含む、常圧以下の
圧力の室内で耐火性珪化物ボデーの表面をエッチングす
る方法。 （４）エッチングの均一性のために磁界を珪化物表面に
平行に保ちながら低速度で回転させる、特許請求の範囲
第（３）項記載の方法。 （５）ヨウ化水素、臭化水素及びＣＦ＿２Ｂｒ＿２から
選ばれるエッチャントガスを含む反応性ガス混合物を室
中に連通させることによって生成されるプラズマに複合
物を暴露する工程、及び該複合物の表面に通常は平行な
磁界を印加する工程を含む、常圧以下の圧力の室内で珪
化物層及びシリコン層を含む複合物の暴露表面をエッチ
ングする方法。 （６）エッチングの均一性のために磁界を該表面に平行
に徐々に回転させる、特許請求の範囲第（５）項記載の
方法。 （７）エッチングプロフィルを制御するために磁界の大
きさが選ばれる、特許請求の範囲第（２）項、第（４）
項または第（６）項記載の方法。 （８）エッチング速度を制御するために磁界の大きさが
選ばれる、特許請求の範囲第（２）項、第（４）項また
は第（６）項記載の方法。 （９）該表面の衝撃とその結果生ずる損傷とを減少させ
るために磁界の大きさが選ばれる、特許請求の範囲第（
２）項、第（４）項または第（６）項記載の方法。 （１０）ヨウ化水素、臭化水素及びＣＦ＿２Ｂｒ＿２か
ら選ばれるエッチャントガスを含む反応性ガス混合物を
低圧真空室中へ連通させることによって生成されるプラ
ズマにシリコンボデーを暴露する工程を含む低圧真空室
内でシリコンボデーをエッチングする方法。（１１）エ
ッチングガスが臭化水素である、特許請求の範囲第（１
０）項記載の方法。 （１２）反応性ガスが所定量の弗素化物ガスでドープさ
れた主として臭化水素エッチングガスを含む混合物であ
る、特許請求の範囲第（１０）項記載の方法。 （１３）反応性ガスが１つ以上の所定量の弗素化物ガス
でドープされた主としてＣＦ＿２Ｂｒ＿２を含む混合物
である、特許請求の範囲第（１０）項記載の方法。 （１４）エッチングガスがヨウ化水素である、特許請求
の範囲第（１０）項記載の方法。（１５）反応性ガスが
１つ以上の所定量の塩素化物ガスでドープされた主とし
てヨウ化水素を含む混合物である、特許請求の範囲第（
１０）項記載の方法。 （１６）反応性ガス混合物が希釈剤ガスをも含む、特許
請求の範囲第（１２）項、第（１３）項または第（１５
）項記載の方法。 （１７）反応性ガス混合物が１つ以上の所定量の酸素で
ドープされる、特許請求の範囲第（１６）項記載の方法
。 （１８）反応性ガスがＨＢｒでありかつ弗素化物ガスが
ＳｉＦ＿４である、特許請求の範囲第（１７）項記載の
方法。 （１９）反応性ガスがＨＩでありかつ塩素化物ガスがＣ
ｌ＿２、及びＳｉＣｌ＿４から選ばれる、特許請求の範
囲第（１７）項記載の方法。 （２０）反応性ガスがＣＦ＿２Ｂｒ＿２でありかつ弗素
化物ガスがＳｉＦ＿４、ＳｉＦ＿６及びＣＦ＿３Ｂｒか
ら選ばれる、特許請求の範囲第（１７）項記載の方法。 （２１）予備工程としてＳｉＦ＿４ガスを室中へ連通さ
せてウェーハをエッチング清掃する工程をも含む、特許
請求の範囲第（１８）項、第（１９）項または第（２０
）項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US94449186A | 1986-12-19 | 1986-12-19 | |
| US944491 | 1986-12-19 |
Publications (2)
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| JPS63278339A true JPS63278339A (ja) | 1988-11-16 |
| JPH0793291B2 JPH0793291B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
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| EP (2) | EP0272143B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0793291B2 (ja) |
| AT (1) | ATE177877T1 (ja) |
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