JPS63276895A - エレクトロルミネセント素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセント素子の製造方法Info
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- JPS63276895A JPS63276895A JP62110676A JP11067687A JPS63276895A JP S63276895 A JPS63276895 A JP S63276895A JP 62110676 A JP62110676 A JP 62110676A JP 11067687 A JP11067687 A JP 11067687A JP S63276895 A JPS63276895 A JP S63276895A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロルミネセント素子の製造方法に係り
、特に、化学量論比組成に近い高純度・高結晶性のＺｎ
Ｓ：ＭｎあるいはＺｎ５ｅ：Ｍｎからなる発光膜層を有
する高発光効率・高信頼性のエレクトロルミネセント素
子の製造方法に関する。
、特に、化学量論比組成に近い高純度・高結晶性のＺｎ
Ｓ：ＭｎあるいはＺｎ５ｅ：Ｍｎからなる発光膜層を有
する高発光効率・高信頼性のエレクトロルミネセント素
子の製造方法に関する。
交流型簿膜エレクトロルミネセント（ＡＣＴＦＥＬ）素
子は１通常の場合、対向する電極の一方を担持するガラ
ス基板上に絶縁層に挟持された発光Ｍ（例えばＺｎＳ：
Ｍｎ薄ＩＩＩ）を備えた構造がらなっている。ここで、
該発光層の形成は、従来の技術においては、スパッタリ
ングあるいは電子ビーム蒸着によって行われているが、
いずれの場合も、そのままでは、容認し得る発光特性が
得られず１層形成後に４５０℃以上約２時間の熱処理工
程を必要としていた。また、現在の技術水準においては
、上記方法によって得られる発光層を有する素子は、６
０土駆動、２００ Ｖという高電圧で励振した場合でも
、約２０ｆｔ−Ｌ程度の平均輝度を示すに止まる。励振
電圧を下げるために層厚を薄くすると明るさが減少し、
この場合にも満足な特性が得られない。
子は１通常の場合、対向する電極の一方を担持するガラ
ス基板上に絶縁層に挟持された発光Ｍ（例えばＺｎＳ：
Ｍｎ薄ＩＩＩ）を備えた構造がらなっている。ここで、
該発光層の形成は、従来の技術においては、スパッタリ
ングあるいは電子ビーム蒸着によって行われているが、
いずれの場合も、そのままでは、容認し得る発光特性が
得られず１層形成後に４５０℃以上約２時間の熱処理工
程を必要としていた。また、現在の技術水準においては
、上記方法によって得られる発光層を有する素子は、６
０土駆動、２００ Ｖという高電圧で励振した場合でも
、約２０ｆｔ−Ｌ程度の平均輝度を示すに止まる。励振
電圧を下げるために層厚を薄くすると明るさが減少し、
この場合にも満足な特性が得られない。
また、トリカルボニルメチルシクロペンタジェニルマン
ガン（ＴＣＭ）蒸気の存在下で、アルキル亜鉛であるジ
メチル亜鉛と、カルコゲン元素である硫黄あるいはセレ
ンのいずれか一方の気体状水素化物とを熱基板に作用さ
せ、マンガンをドープしたカルコゲン化亜鉛からなる発
光層を製造する方法が米国特許第４，４９６，６１０号
および特開昭第５８−１７６８９７号に開示されている
。この方法によれば、基板上に亜鉛カルコゲン化物が化
学的に気相成長（ＣＶＤ）ｔ、、同時に、ドーパントで
あるマンガンが拡散するとされており、気相成長雰囲気
を形成する各気体蒸気圧を調整することにより化学量論
的に制御された発光層を形成することができること１面
積が大きい多数枚の基板上に膜質および膜厚の均一な発
光層を同時に成長させ得ることなどの利点がある。
ガン（ＴＣＭ）蒸気の存在下で、アルキル亜鉛であるジ
メチル亜鉛と、カルコゲン元素である硫黄あるいはセレ
ンのいずれか一方の気体状水素化物とを熱基板に作用さ
せ、マンガンをドープしたカルコゲン化亜鉛からなる発
光層を製造する方法が米国特許第４，４９６，６１０号
および特開昭第５８−１７６８９７号に開示されている
。この方法によれば、基板上に亜鉛カルコゲン化物が化
学的に気相成長（ＣＶＤ）ｔ、、同時に、ドーパントで
あるマンガンが拡散するとされており、気相成長雰囲気
を形成する各気体蒸気圧を調整することにより化学量論
的に制御された発光層を形成することができること１面
積が大きい多数枚の基板上に膜質および膜厚の均一な発
光層を同時に成長させ得ることなどの利点がある。
しかし、この製造方法によって得られる発光層の発光効
率は従来のスパッタリングあるいは電子ビーム蒸着法に
よって得られる発光層よりも劣っている。この原因は、
ＴＣＭの熱分解性が悪く、十分に分解させるためには５
５０℃以上の高温を必要とすることおよびＴＣＭの化学
構造中に酸素が存在することにある。すなわち、この製
造方法において１発光体薄膜の最適結晶化温度は３００
〜３８０℃の範囲にあるが、この温度範囲に加熱した基
板上でＣＶＤによる層形成を行った場合、ＴＣＭが完全
に分解せず、例えば、Ｍｎ−０−Ｇｏ、型結合構造を有
する中間分解生成物が発光層中にとり込まれ、このため
、結晶性の高い発光層を得ることができないこと、また
、非発光性中心として働くＺｎＯ：Ｍｎが結晶格子中に
形成されることによる。
率は従来のスパッタリングあるいは電子ビーム蒸着法に
よって得られる発光層よりも劣っている。この原因は、
ＴＣＭの熱分解性が悪く、十分に分解させるためには５
５０℃以上の高温を必要とすることおよびＴＣＭの化学
構造中に酸素が存在することにある。すなわち、この製
造方法において１発光体薄膜の最適結晶化温度は３００
〜３８０℃の範囲にあるが、この温度範囲に加熱した基
板上でＣＶＤによる層形成を行った場合、ＴＣＭが完全
に分解せず、例えば、Ｍｎ−０−Ｇｏ、型結合構造を有
する中間分解生成物が発光層中にとり込まれ、このため
、結晶性の高い発光層を得ることができないこと、また
、非発光性中心として働くＺｎＯ：Ｍｎが結晶格子中に
形成されることによる。
また、４００℃以上の基板温度で層形成を行った場合に
は、反応が、基板面ではなく、基板上面の雰囲気中で急
激に進行するいわゆるブリマチュア反応を起すため、基
板面での結晶成長が阻害され、この場合も、満足な発光
性能が得られない。
は、反応が、基板面ではなく、基板上面の雰囲気中で急
激に進行するいわゆるブリマチュア反応を起すため、基
板面での結晶成長が阻害され、この場合も、満足な発光
性能が得られない。
前項に詳述したように、従来の技術においては、ＡＣＴ
ＦＥＬ素子として満足な品質特性を示すものは得られて
いなかった。
ＦＥＬ素子として満足な品質特性を示すものは得られて
いなかった。
本発明の目的は、上記従来技術にみられる欠点を改善し
、高輝度・高効率・高信頼性の発光層を有するエレクト
ロルミネセント素子を製造する方法を提供することにあ
る。
、高輝度・高効率・高信頼性の発光層を有するエレクト
ロルミネセント素子を製造する方法を提供することにあ
る。
上記目的は、マンガン源としてジ−π−メチルシクロペ
ンタジエニルマンガン（ＤＭＣＰＭ）あるいはジーに一
エチルシクロペンタジェニルマンガン（ＤＥＣＰＭ）を
用い、有機亜鉛化合物の蒸気と、硫黄あるいはセレンの
少なくとも一つのアルキル化物あるいは水素化物の蒸気
とを、熱基板に接触させることによって達成される。
ンタジエニルマンガン（ＤＭＣＰＭ）あるいはジーに一
エチルシクロペンタジェニルマンガン（ＤＥＣＰＭ）を
用い、有機亜鉛化合物の蒸気と、硫黄あるいはセレンの
少なくとも一つのアルキル化物あるいは水素化物の蒸気
とを、熱基板に接触させることによって達成される。
ここで、有機亜鉛化合物としてはジメチル亜鉛あるいは
ジエチル亜鉛を、硫黄のアルキル化物あるいは水素化物
としてはジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄あるいは硫
化水素を、セレンのアルキル化物あるいは水素化物とし
てはジメチルセレンあるいはジエチルセレンあるいはセ
レン化水素を、それぞれ、用いることができる。
ジエチル亜鉛を、硫黄のアルキル化物あるいは水素化物
としてはジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄あるいは硫
化水素を、セレンのアルキル化物あるいは水素化物とし
てはジメチルセレンあるいはジエチルセレンあるいはセ
レン化水素を、それぞれ、用いることができる。
また、有機亜鉛化合物の蒸気および硫黄のアルキル化物
の蒸気の代りに、ジメチル亜鉛あるいはジエチル亜鉛と
ジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄との付加体の蒸気を
用いることができる。
の蒸気の代りに、ジメチル亜鉛あるいはジエチル亜鉛と
ジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄との付加体の蒸気を
用いることができる。
ＤＭＣＰＭあるいはＤＥＣＰＭの蒸気、乃至は該蒸気を
含む水素あるいはヘリウムの存在下で、有機亜鉛化合物
の蒸気と、硫黄あるいはセレンの少なくとも一つのアル
キル化物あるいは水素化物の蒸気とを、適切に選定した
硫黄あるいはセレン対亜鉛モル比で、熱基板に接触させ
ることによって、該基板上に、付活剤としてのマンガン
を含む高輝度・高結晶性の硫化亜鉛（ＺｎＳ ：Ｍｎ）
あるいは硫化セレン（ＺｎＳｅ：Ｍｎ）の発光層が得ら
れる。
含む水素あるいはヘリウムの存在下で、有機亜鉛化合物
の蒸気と、硫黄あるいはセレンの少なくとも一つのアル
キル化物あるいは水素化物の蒸気とを、適切に選定した
硫黄あるいはセレン対亜鉛モル比で、熱基板に接触させ
ることによって、該基板上に、付活剤としてのマンガン
を含む高輝度・高結晶性の硫化亜鉛（ＺｎＳ ：Ｍｎ）
あるいは硫化セレン（ＺｎＳｅ：Ｍｎ）の発光層が得ら
れる。
ここで、反応ガスとの接触時の該基板温度は１００〜３
９０℃、好ましくは２００〜３４０℃、また、反応時の
雰囲気圧力は０．３Ｔｏｒｒ〜１ ａｔｎｚ、、好まし
くは０．６〜２Ｔｏｒｒが望ましいことが実験の結果が
ら得られている。
９０℃、好ましくは２００〜３４０℃、また、反応時の
雰囲気圧力は０．３Ｔｏｒｒ〜１ ａｔｎｚ、、好まし
くは０．６〜２Ｔｏｒｒが望ましいことが実験の結果が
ら得られている。
実施例 １
第２図はＡＣＴＦＥＬ素子の断面図を示すもので、ガラ
ス基板１上に、順次、透明電極（例えば、インジウム・
錫・酸化薄膜； ＩＴＯ）２．絶縁層（例えばＴａ、Ｏ
ｓ／５ｉｎ２）３、発光層４．絶縁層（上記絶縁膜３と
同じ内容）５および金属電極（例えばアルミニウム）６
からなることを示す。
ス基板１上に、順次、透明電極（例えば、インジウム・
錫・酸化薄膜； ＩＴＯ）２．絶縁層（例えばＴａ、Ｏ
ｓ／５ｉｎ２）３、発光層４．絶縁層（上記絶縁膜３と
同じ内容）５および金属電極（例えばアルミニウム）６
からなることを示す。
発光層４の形成は、まず、絶縁層３までを形成させた基
材を、高真空（約Ｉ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ）中、加
熱体上に置き、次いで、約５℃に冷却したＤＭＣＰＭバ
ブラー中を通した水素あるいはヘリウムと、Ｓ／Ｚｎモ
ル流量比１０の硫化水素とジエチル亜鉛とを導入し１反
応時圧力１ 、５ Ｔ ｏｒｒでＺｎＳ ：Ｍｎ薄膜を
絶縁層３の表面に厚さ約５００ｎｍとなるまで成長させ
ることにより行った。なお、この際。
材を、高真空（約Ｉ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ）中、加
熱体上に置き、次いで、約５℃に冷却したＤＭＣＰＭバ
ブラー中を通した水素あるいはヘリウムと、Ｓ／Ｚｎモ
ル流量比１０の硫化水素とジエチル亜鉛とを導入し１反
応時圧力１ 、５ Ｔ ｏｒｒでＺｎＳ ：Ｍｎ薄膜を
絶縁層３の表面に厚さ約５００ｎｍとなるまで成長させ
ることにより行った。なお、この際。
ＤＭＣＰＭ導入はＺｎ原料流量の０．８５重量％で行っ
た。
た。
以上のようにして得た発光層４上に、Ｔａ、Ｏ。
／ Ｓ ｉＯ２からなる絶縁層５、さらに、金属電極６
を形成してエレクトロルミネセント素子を作製し、１５
０Ｖ、 ５０Ｈｚ、ｄｕｔｙ １／１０の交流矩形波電
圧を印加して輝度の測定を行った。
を形成してエレクトロルミネセント素子を作製し、１５
０Ｖ、 ５０Ｈｚ、ｄｕｔｙ １／１０の交流矩形波電
圧を印加して輝度の測定を行った。
対照として、マンガン源としてＤＭＣＰＭの代りにＴＣ
Ｍを用いた場合について、同一条件でエレクトロルミネ
セント素子を作製し、輝度測定を行った。
Ｍを用いた場合について、同一条件でエレクトロルミネ
セント素子を作製し、輝度測定を行った。
以上２種の試料についての１反応時基材温度とＺｎＳ層
の平均結晶粒径１Ｍ中のマンガン濃度（ＺｎＳ：Ｍｎ中
のＭｎ重量％）、および輝度との関係を表１および表２
に、また、反応時基板温度と発光層の平均結晶粒径およ
び層中マンガン濃度との関係を第１図に示した。ここで
、平均結晶粒度はＸ線回折強度半値幅測定に基づく値を
、相対輝度は標準的な電子ビーム蒸着法により作製した
発光層によって得られた輝度を１００とした場合の値を
示す、また、第１図中、７はＤＭＣＰＭを用いた場合の
平均結晶粒径を、８はＤＭＣＰＭを用いた場合の層中マ
ンガン濃度を、９はＴＣＭを用いた場合の層中マンガン
濃度をそれぞれ示す曲線である。
の平均結晶粒径１Ｍ中のマンガン濃度（ＺｎＳ：Ｍｎ中
のＭｎ重量％）、および輝度との関係を表１および表２
に、また、反応時基板温度と発光層の平均結晶粒径およ
び層中マンガン濃度との関係を第１図に示した。ここで
、平均結晶粒度はＸ線回折強度半値幅測定に基づく値を
、相対輝度は標準的な電子ビーム蒸着法により作製した
発光層によって得られた輝度を１００とした場合の値を
示す、また、第１図中、７はＤＭＣＰＭを用いた場合の
平均結晶粒径を、８はＤＭＣＰＭを用いた場合の層中マ
ンガン濃度を、９はＴＣＭを用いた場合の層中マンガン
濃度をそれぞれ示す曲線である。
１５０ ２５ ２００ ０．７２０
０ ３６ ３００ ０．８２５０
４０ ３５０ ０．８３００
４６ ４００ ０．８３５０ ３
４ ３００ ０．８４００ １５
２００ ０．８４３０ １０
１００ ０．８２００ ３６
Ｑ ０３００ ４６ ３０
０．０４３５０ ３４ ４０
０．０８４００ １５ ８０ ０
．１２４５０ １０ ７５ ０．２
これらの結果から、ＴＣＭを用いた場合に比較し、ＤＭ
ＣＰＭを用いた場合の方が輝度的にも優れ、かつ、層構
造的にも安定した素子が得られること、また、ＤＭＣＰ
Ｍを用いた場合、反応時基板温度は１００〜３９０℃の
範囲、好ましくは２００〜３４０℃の範囲が望ましいこ
とが知られる。Ａｊｌ／Ｔａ２Ｏ，（３ｇ０ｎｍ）／
ＳｉＯ，（１２０ｎｍ）／ ＺｎＳ ：Ｍｎ（５００ｎ
ｍ）／ Ｓ ｉｏ、（１２０ｎｍ）／ Ｔａ、Ｏ，（３
ｇ０ｎｍ）／ Ｉ Ｔ○／ガラス構造のＥＬ素子を作製
し、２００ｖ、１ｋＨｚの交流正弦波を印加したところ
、反応時基板温度２８０℃で作製したものが、最大輝度
を示し、その値は２０５０ｆｔ−Ｌであった。
０ ３６ ３００ ０．８２５０
４０ ３５０ ０．８３００
４６ ４００ ０．８３５０ ３
４ ３００ ０．８４００ １５
２００ ０．８４３０ １０
１００ ０．８２００ ３６
Ｑ ０３００ ４６ ３０
０．０４３５０ ３４ ４０
０．０８４００ １５ ８０ ０
．１２４５０ １０ ７５ ０．２
これらの結果から、ＴＣＭを用いた場合に比較し、ＤＭ
ＣＰＭを用いた場合の方が輝度的にも優れ、かつ、層構
造的にも安定した素子が得られること、また、ＤＭＣＰ
Ｍを用いた場合、反応時基板温度は１００〜３９０℃の
範囲、好ましくは２００〜３４０℃の範囲が望ましいこ
とが知られる。Ａｊｌ／Ｔａ２Ｏ，（３ｇ０ｎｍ）／
ＳｉＯ，（１２０ｎｍ）／ ＺｎＳ ：Ｍｎ（５００ｎ
ｍ）／ Ｓ ｉｏ、（１２０ｎｍ）／ Ｔａ、Ｏ，（３
ｇ０ｎｍ）／ Ｉ Ｔ○／ガラス構造のＥＬ素子を作製
し、２００ｖ、１ｋＨｚの交流正弦波を印加したところ
、反応時基板温度２８０℃で作製したものが、最大輝度
を示し、その値は２０５０ｆｔ−Ｌであった。
実施例 ２
高真空（約Ｉ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ）に排気した反
応容器中に、実施例１の場合と同様に絶縁層３までを形
成した基材を置き、ＤＭＣＰＭを含む水素ガスを導入し
、さらに、ジメチル亜鉛と水素化セレンとを導入して、
２００〜４５０℃の範囲の種々の温度に加熱した基材絶
縁膜面と接触させ、Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ結晶層を作製し、得
られた試料について、Ｘ線回折測定、化学量論的組成の
分析、膜中不純物の分析を行った。また、対照として、
マンガン源としてＴＣＭを用いて、同一条件下でＺｎ５
ｅ：Ｍｎ結晶層を作製し、得られた試料について上記と
同様の測定・分析を行った。
応容器中に、実施例１の場合と同様に絶縁層３までを形
成した基材を置き、ＤＭＣＰＭを含む水素ガスを導入し
、さらに、ジメチル亜鉛と水素化セレンとを導入して、
２００〜４５０℃の範囲の種々の温度に加熱した基材絶
縁膜面と接触させ、Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ結晶層を作製し、得
られた試料について、Ｘ線回折測定、化学量論的組成の
分析、膜中不純物の分析を行った。また、対照として、
マンガン源としてＴＣＭを用いて、同一条件下でＺｎ５
ｅ：Ｍｎ結晶層を作製し、得られた試料について上記と
同様の測定・分析を行った。
その結果、ＤＭＣＰＭを用いた場合、反応時基板温度２
８０℃近傍で、平均結晶粒径６００ｎｍの化学量論比組
成に近い高純度Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ結晶層が得られることが
知られた。これに対し、ＴＣＭを用いた場合には、２８
０℃近傍では、不純物としてＭ ｎ −〇−ＣＯ□を混
在する結晶層しか得られないこと、また、反応時基板温
度をさらに高くした場合には結晶化度が低下することが
知られた。
８０℃近傍で、平均結晶粒径６００ｎｍの化学量論比組
成に近い高純度Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ結晶層が得られることが
知られた。これに対し、ＴＣＭを用いた場合には、２８
０℃近傍では、不純物としてＭ ｎ −〇−ＣＯ□を混
在する結晶層しか得られないこと、また、反応時基板温
度をさらに高くした場合には結晶化度が低下することが
知られた。
実施例 ３
高真空（約Ｉ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ）に排気した反応
容器中に、絶縁層３までを形成した基材を置き。
容器中に、絶縁層３までを形成した基材を置き。
ＤＥＣＰＭを含む水素ガスを導入、さらに、ジエチル亜
鉛とジエチル硫黄との付加体の蒸気と、第■族源として
の硫化水素とを導入し、１００〜４５０℃の範囲の種々
の温度に加熱した基材の絶縁層面に接触させ１層の厚さ
約５０Ｏｎ−のＺｎＳ：Ｍｎ結晶層４を形成させた。こ
のＺｎＳ：Ｍｎ層上にＴａ２Ｏ。
鉛とジエチル硫黄との付加体の蒸気と、第■族源として
の硫化水素とを導入し、１００〜４５０℃の範囲の種々
の温度に加熱した基材の絶縁層面に接触させ１層の厚さ
約５０Ｏｎ−のＺｎＳ：Ｍｎ結晶層４を形成させた。こ
のＺｎＳ：Ｍｎ層上にＴａ２Ｏ。
／Ｓｉｎ、からなる厚さ２５０ｎ＋ｍの絶縁層５を形成
し。
し。
さらに態からなる金属電極を形成したエレクトロルミネ
セント素子について２２０Ｖ、 １ｋＨｚの交流正弦波
電圧を印加したところ、反応時基板温度３００℃で作成
した試料が最大輝度を示し、その値は１８００ｆｔ−Ｌ
であった。対照として、マンガン源としてＴＣＭを用い
、同様工程で作製して得たエレクトロルミネセント素子
について上記と同一条件で輝度測定を行ったところ、反
応時基板温度４３０℃のものが最高輝度を示したが、そ
の値は３４０ｆｔ−Ｌと低い値に止まるものであった。
セント素子について２２０Ｖ、 １ｋＨｚの交流正弦波
電圧を印加したところ、反応時基板温度３００℃で作成
した試料が最大輝度を示し、その値は１８００ｆｔ−Ｌ
であった。対照として、マンガン源としてＴＣＭを用い
、同様工程で作製して得たエレクトロルミネセント素子
について上記と同一条件で輝度測定を行ったところ、反
応時基板温度４３０℃のものが最高輝度を示したが、そ
の値は３４０ｆｔ−Ｌと低い値に止まるものであった。
なお、上記付加体として、ジエチル亜鉛とジエチル硫黄
との付加体の他に、ジエチル亜鉛とジメチル硫黄と付加
体、・ジメチル亜鉛とジメチル硫黄 。
との付加体の他に、ジエチル亜鉛とジメチル硫黄と付加
体、・ジメチル亜鉛とジメチル硫黄 。
あるいはジエチル硫黄との付加体を用いても、同様の結
果が得られた。
果が得られた。
以上述べてきたように、本発明の製造方法によれば、従
来技術にみられた発光層中への中間分解生成物の混入、
結晶格子中での非発光中心の形成、発光層中の炭素の高
濃度化、発光層への塊状化マンガンの混入などの発生が
なく、化学量論比組成に近い、高純度・高結晶性のＺｎ
Ｓ：ＭｎあるいはＺｎ５ａ：Ｍｎ発光層を絶縁層上に形
成できるので、低駆動電圧で動作する高発光効率、高信
頼性のエレクトロルミネセント素子を、しかも基板加熱
以外の補助エネルギーを投することなく、得ることがで
きる。
来技術にみられた発光層中への中間分解生成物の混入、
結晶格子中での非発光中心の形成、発光層中の炭素の高
濃度化、発光層への塊状化マンガンの混入などの発生が
なく、化学量論比組成に近い、高純度・高結晶性のＺｎ
Ｓ：ＭｎあるいはＺｎ５ａ：Ｍｎ発光層を絶縁層上に形
成できるので、低駆動電圧で動作する高発光効率、高信
頼性のエレクトロルミネセント素子を、しかも基板加熱
以外の補助エネルギーを投することなく、得ることがで
きる。
なお、本発明の製造方法は、二重絶縁構造の交流エレク
トロルミネセント素子の製造に限らず、直流エレクトロ
ルミネセント素子、ＭＩＳ構造の発光ダイオード、ひい
ては、可視半導体レーザの製造にも適用できる。
トロルミネセント素子の製造に限らず、直流エレクトロ
ルミネセント素子、ＭＩＳ構造の発光ダイオード、ひい
ては、可視半導体レーザの製造にも適用できる。
第１図は、発光層形成反応時基板温度と１発光層平均結
晶粒径および層中マンガン濃度との関係を示す図、第２
図は、二重絶縁構造交流エレクトロルミネセント（ＡＣ
ＴＦＥＬ）素子の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・・
絶縁層 ４・・・発光層重・・絶縁層
６・・・金属電極７・・・ＤＭＣＰＭを用いた場
合の平均結晶粒径８・・・ＤＭＣＰＭを用いた場合の層
中マンガン濃度９・・・ＴＣＭを用いた場合の層中マン
ガン濃度代理人弁理士 中 村 純之助 十１ 図 ５？２図
晶粒径および層中マンガン濃度との関係を示す図、第２
図は、二重絶縁構造交流エレクトロルミネセント（ＡＣ
ＴＦＥＬ）素子の構造を示す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・・
絶縁層 ４・・・発光層重・・絶縁層
６・・・金属電極７・・・ＤＭＣＰＭを用いた場
合の平均結晶粒径８・・・ＤＭＣＰＭを用いた場合の層
中マンガン濃度９・・・ＴＣＭを用いた場合の層中マン
ガン濃度代理人弁理士 中 村 純之助 十１ 図 ５？２図
Claims (6)
- １．ジ−π−アルキルシクロペンタジエニルマンガンの
蒸気、乃至は該蒸気を含む水素あるいはヘリウムの存在
下で、有機亜鉛化合物の蒸気と、硫黄あるいはセレンの
少なくとも一つのアルキル化物あるいは水素化物の蒸気
とを、１００〜３９０℃に加熱した基板に接触させるこ
とにより、該基板上に層中マンガン濃度０．３〜０．８
重量％のマンガンドープ亜鉛カルコゲナイド発光層を成
長させたことを特徴とするエレクトロルミネセント素子
の製造方法。 - ２．上記ジ−π−アルキルシクロペンタジエニルマンガ
ンとしてジ−π−メチルシクロペンタジエニルマンガン
又はジ−π−エチルシクロペンタジエニルマンガンを用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエレ
クトロルミネセント素子の製造方法。 - ３．上記有機亜鉛化合物として、ジメチル亜鉛あるいは
ジエチル亜鉛を用いることを特徴する特許請求の範囲第
１項記載のエレクトロルミネセント素子の製造方法。 - ４．上記硫黄のアルキル化物あるいは水素化物として、
ジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄あるいは硫化水素を
用いることを特徴する特許請求の範囲第１項記載のエレ
クトロルミネセント素子の製造方法。 - ５．上記セレンのアルキル化物あるいは水素化物として
、ジメチルセレンあるいはジエチルセレンあるいはセレ
ン化水素を用いることを特徴する特許請求の範囲第１項
記載のエレクトロルミネセント素子の製造方法。 - ６．上記有機亜鉛化合物の蒸気および硫黄のアルキル化
物の蒸気の代りに、ジメチル亜鉛あるいはジエチル亜鉛
とジメチル硫黄あるいはジエチル硫黄との付加体の蒸気
を用いることを特徴する特許請求の範囲第１項記載のエ
レクトロルミネセント素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110676A JPS63276895A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | エレクトロルミネセント素子の製造方法 |
| US07/423,552 US5026661A (en) | 1987-05-08 | 1989-10-13 | Method of manufacturing zinc chalcogenide semiconductor devices using LP-MOCVD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110676A JPS63276895A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | エレクトロルミネセント素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276895A true JPS63276895A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14541633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110676A Pending JPS63276895A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | エレクトロルミネセント素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5026661A (ja) |
| JP (1) | JPS63276895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163995A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410178A (en) * | 1994-08-22 | 1995-04-25 | Northwestern University | Semiconductor films |
| US6542690B1 (en) * | 2000-05-08 | 2003-04-01 | Corning Incorporated | Chalcogenide doping of oxide glasses |
| EP3508035B1 (en) | 2016-09-02 | 2021-04-21 | Beneq OY | Inorganic tfel display element and manufacturing |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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