JPS63271921A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS63271921A JPS63271921A JP10591287A JP10591287A JPS63271921A JP S63271921 A JPS63271921 A JP S63271921A JP 10591287 A JP10591287 A JP 10591287A JP 10591287 A JP10591287 A JP 10591287A JP S63271921 A JPS63271921 A JP S63271921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafers
- reaction gas
- stage
- susceptors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造装置、特にウェーハに単結晶をエピ
タキシャル成長させるエピタキシャル成長装置に関する
。
タキシャル成長させるエピタキシャル成長装置に関する
。
［従来の技術］
従来、この種のエピタキシャル成長装置は誘導加熱型垂
直リアクタ一方式、或いは放射加熱型シリンダリアクタ
一方式のものがある。誘導加熱型垂直リアクタ一方式は
第２図に示すようにシリコンウェーハ１４を石英ペルジ
ャー１５内のサセプター９上に載置し、誘導コイル１１
をもってシリコンウェーハ１４を加熱しつつ、ガス流入
口１２からの反応ガスを反応ガス吹出ノズル１１より吹
き付けてこれをウェーハ１４の表面に接触させエピタキ
シャル成長を行っていた。
直リアクタ一方式、或いは放射加熱型シリンダリアクタ
一方式のものがある。誘導加熱型垂直リアクタ一方式は
第２図に示すようにシリコンウェーハ１４を石英ペルジ
ャー１５内のサセプター９上に載置し、誘導コイル１１
をもってシリコンウェーハ１４を加熱しつつ、ガス流入
口１２からの反応ガスを反応ガス吹出ノズル１１より吹
き付けてこれをウェーハ１４の表面に接触させエピタキ
シャル成長を行っていた。
また、放射加熱型シリンダリアクタ一方式は第３図に示
すように、サセプター１６の周壁にシリコンウェーハ２
０を載置し、放射型ヒーター１８により加熱しつつ石英
ペルジャー２１の上部ガス流入口１７から下部排気口１
９に向けて反応ガスを流してこれをウェーハ１４の表面
に接触させエピタキシャル成長を行っていた。
すように、サセプター１６の周壁にシリコンウェーハ２
０を載置し、放射型ヒーター１８により加熱しつつ石英
ペルジャー２１の上部ガス流入口１７から下部排気口１
９に向けて反応ガスを流してこれをウェーハ１４の表面
に接触させエピタキシャル成長を行っていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の誘導加熱垂直リアクタ一方式では、ウェ
ーハをサセプター９上に置いてエピタキシャル成長を行
なうので、ウェー八面内の膜厚均一性は優れているが、
一度に処理可能な枚数は、例えば１２５φウエー八では
６枚程度と限られており、多数枚を処理するには時間を
要する。一方、放射加熱型シリンダリアクタ方式ではサ
セプター１６の周壁にウェーハを固定するため、−回で
の処理枚数は多くなるため、エピタキシャル成長時に反
応ガスが上から下へ流れるため、ロット内の面内の膜厚
均一性が良くないという欠点がある。
ーハをサセプター９上に置いてエピタキシャル成長を行
なうので、ウェー八面内の膜厚均一性は優れているが、
一度に処理可能な枚数は、例えば１２５φウエー八では
６枚程度と限られており、多数枚を処理するには時間を
要する。一方、放射加熱型シリンダリアクタ方式ではサ
セプター１６の周壁にウェーハを固定するため、−回で
の処理枚数は多くなるため、エピタキシャル成長時に反
応ガスが上から下へ流れるため、ロット内の面内の膜厚
均一性が良くないという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消する半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述したエピタキシャル成長装置に対し、本発明はウェ
ーハを載置するサセプタ一部を多段とし、かつ、各サセ
プタ一部ごとのウェーハ上の反応ガス濃度分布が一様と
なるようにガス流入ノズルを設けることにより膜厚均一
性の良いウェーハを１回の処理で多数枚製造するという
独創的内容を有する。
ーハを載置するサセプタ一部を多段とし、かつ、各サセ
プタ一部ごとのウェーハ上の反応ガス濃度分布が一様と
なるようにガス流入ノズルを設けることにより膜厚均一
性の良いウェーハを１回の処理で多数枚製造するという
独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明はサセプターのウェーハにノズルからの反応ガス
を吹き付けて該ウェーハにエピタキシャル成長を行う半
導体製造装置において、前記サセプターを複数段に積み
重ね、各段のサセプター毎に反応ガス吹出ノズルを備え
たことを特徴とする半導体製造装置である。
を吹き付けて該ウェーハにエピタキシャル成長を行う半
導体製造装置において、前記サセプターを複数段に積み
重ね、各段のサセプター毎に反応ガス吹出ノズルを備え
たことを特徴とする半導体製造装置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、石英ペルジャー７内に、ウェーハ６を
載置する号セプター１，１・・・を複数段積み重ね、複
数段のサセプター１の中央部分を上下に貫通させてパイ
プ４を設置し、該パイプ４より分岐させた反応ガス吹出
ノズル２を各段のサセプタ−１の上方位置に平行に設置
する。また、各曇ナセプタ−１の裏面に誘導コイル３を
設置し、各誘導コイル３の背面側に磁気シールド板８を
設置する。
載置する号セプター１，１・・・を複数段積み重ね、複
数段のサセプター１の中央部分を上下に貫通させてパイ
プ４を設置し、該パイプ４より分岐させた反応ガス吹出
ノズル２を各段のサセプタ−１の上方位置に平行に設置
する。また、各曇ナセプタ−１の裏面に誘導コイル３を
設置し、各誘導コイル３の背面側に磁気シールド板８を
設置する。
実施例において、サセプター１上にエピタキシャル成長
を行なうウェーハ６を各段ごとに置き、反応ガス吹出ノ
ズル２より反応カスを流す。そのときに最上段以外の各
サセプタ一段において反応ガス濃度分布が一様となるよ
うに各サセプター１上にも反応ガス吹出ノズル２を配管
し、また各サセプタ一段において温度が一定となるよう
に誘導コイル３の下に磁気シールド板８を装着し、磁気
シールド板８をアースしてエピタキシャル成長を行う。
を行なうウェーハ６を各段ごとに置き、反応ガス吹出ノ
ズル２より反応カスを流す。そのときに最上段以外の各
サセプタ一段において反応ガス濃度分布が一様となるよ
うに各サセプター１上にも反応ガス吹出ノズル２を配管
し、また各サセプタ一段において温度が一定となるよう
に誘導コイル３の下に磁気シールド板８を装着し、磁気
シールド板８をアースしてエピタキシャル成長を行う。
［発明の効果］
以上説明したように本発明はウェーハをのせるサセプタ
一部を多段にし、また各段のサセプター上に反応ガスを
流すことにより、−回の処理枚数が従来の誘導加熱型垂
直リアクターでは１２５φで６枚程度に対し、本発明で
はサセプターを複数段とすることにより、多数枚処理を
可能とし、かつ各サセプタ一部ごとに反応ガス吹出ノズ
ルを設けることにより、各ウェーハごとの反応ガス濃度
分布が一様となり、膜厚均一性を良好とすることができ
る効果がおる。
一部を多段にし、また各段のサセプター上に反応ガスを
流すことにより、−回の処理枚数が従来の誘導加熱型垂
直リアクターでは１２５φで６枚程度に対し、本発明で
はサセプターを複数段とすることにより、多数枚処理を
可能とし、かつ各サセプタ一部ごとに反応ガス吹出ノズ
ルを設けることにより、各ウェーハごとの反応ガス濃度
分布が一様となり、膜厚均一性を良好とすることができ
る効果がおる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は従
来の誘導加熱型垂直リアクターエピタキシャル成長装置
の縦断面図、第３図は従来の放射加熱型シリンダリアク
ターエピタキシセル成長装置の縦断面図である。
来の誘導加熱型垂直リアクターエピタキシャル成長装置
の縦断面図、第３図は従来の放射加熱型シリンダリアク
ターエピタキシセル成長装置の縦断面図である。
Claims (1)
- （１）サセプターのウェーハにノズルからの反応ガスを
吹き付けて該ウェーハにエピタキシャル成長を行う半導
体製造装置において、前記サセプターを複数段に積み重
ね、各段のサセプター毎に反応ガス吹出ノズルを備えた
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10591287A JPS63271921A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10591287A JPS63271921A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271921A true JPS63271921A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14420075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10591287A Pending JPS63271921A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019005A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10591287A patent/JPS63271921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012019005A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001839B1 (ko) | 종형 cvd장치 | |
| US6099650A (en) | Structure and method for reducing slip in semiconductor wafers | |
| JP2019519933A (ja) | コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置 | |
| JPS63271921A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0864544A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6383275A (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JPS59149020A (ja) | 縦型反応炉 | |
| JPS59207622A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPS5932123A (ja) | 気相成長法 | |
| JPS6168393A (ja) | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS607378B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS62252931A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置 | |
| JPH11240794A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JPH0577934U (ja) | 横型気相成長装置 | |
| JPH08195353A (ja) | 半導体製造装置のボートカバー | |
| JPS63199412A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01123413A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH042118A (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH0530350Y2 (ja) | ||
| JPH01161719A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS59207899A (ja) | 気相反応容器 | |
| JPH01222438A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0562915A (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JPS58145117A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02152224A (ja) | 気相成長装置 |