JPS6327079A - オプテイカル ポンピング レ−ザ− - Google Patents

オプテイカル ポンピング レ−ザ−

Info

Publication number
JPS6327079A
JPS6327079A JP62159496A JP15949687A JPS6327079A JP S6327079 A JPS6327079 A JP S6327079A JP 62159496 A JP62159496 A JP 62159496A JP 15949687 A JP15949687 A JP 15949687A JP S6327079 A JPS6327079 A JP S6327079A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
optical
optical pumping
laser according
support structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62159496A
Other languages
English (en)
Inventor
ジョン・ハミルトン・クラーク
デニス・レオナード・ワース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BP Corp North America Inc
Original Assignee
BP Corp North America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BP Corp North America Inc filed Critical BP Corp North America Inc
Publication of JPS6327079A publication Critical patent/JPS6327079A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/0915Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
    • H01S3/0933Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of a semiconductor, e.g. light emitting diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はオンティカルポンピングソリッドステードレー
ザーとその製造方法に関する。特に本発明は部品を収容
し且つ該部品の挿入時に該部品を光の経路に活って互に
自動的に整列させるような形状をした支持構造体によっ
て協働的に保持されている前記部品により構成されたレ
ーザーに関する。
(従来の技術とその問題点) 作動レーザーが1960年に初めて実施されて以来、レ
ーザーの大きさやパワーや出力周波数や活性媒体(レー
ザート材料)や励起法等の異なる種々のレーザーが開発
された。殆んどすべての部分においてこれらの装置は精
密装置に分類され且つ熟練工によって手作りされて〜・
る。このような装置が持っている特徴として、レゾネー
タ−とポンプ源(レーザート材料を作るか又は活性化す
るためのエネルギー源)と熱を除(ための装置とを包含
している。例えばガリウムアーシナイドとガリウム・ア
ルミナム・アーシナイドに基づ(ソリステートセミコン
ダクターレーザ一体以外の殆んどすべての市販のレーザ
ーはガス放出技術を基礎にしており且つ大型で非効率的
である。このようなガス放出技術はカーボンディオキサ
イドレーザーのようにガス放出を直接使用するか、また
レーザント材料を励起するために使用しているフラッシ
ュランプのようにガス放出を間接的に使用する。
レーザーのオプティカル部品は割合はなれており(普通
のレーザーでは約15〜800cm)、角度の僅かな不
整列によってレーザーの出力に大きな損失を発生する。
したがって、これらのオプティカル部品を安定的に方向
づけておくためにレーザーレゾネータ−が設計されてい
る。この設計仕様によってレーザーレゾネータ−の製造
に対しインパール、ガラス、みかげ石、鋼、各種セラミ
ックスのような剛性の大きい材料を使用するようになっ
た。
レーザー作動の望ましくない副産物として作り出される
熱もまたレーザーレゾネータ−の設計を拘束してきた。
このような熱によって生ずる温度変化はレゾネータ−を
熱的に歪ませ且つそれによってレゾネータ−の中のオプ
ティカル部品を不整列にする欠点を生ずる。したがって
、従来のレーザーの設計においてこの問題点を低熱膨張
係数の材料例えばインパール、石英、各種セラミックス
を使用することにより解決し、またレゾネータ−を温度
上安定させるため外部冷却装置を使用することによって
解決してきた。
ソリッドレーザント材料を随時ポンピングするか又は励
起するためにフラッジランプ、発光ダイオード、レーザ
ーダイオード、レーザーダイオードアレーを使用するこ
とは広く知られている。このようなソリッドステートレ
ーザーに通常使用されているレーザント材料の中には、
トリバレントニオジムイオンのような活性材料を含んで
いるクリスタルラインやガラスのホスト材料を包含して
いる。ニオジムイオンのための通常のホスト材料はガラ
ス及びイトリウムアルミニウムガーネット(YAGと称
する)を含んでいる。例えばネオジム・ドープドYAG
をオプティカル・ポンピング・ソリッド・ステート・レ
ーザーのレーザント材料として使用されるとぎ、約81
0.nnの波長を有する光を発することによってポンピ
ングされる。
1971年11月30日Rossに与えられた米国特許
第3.624.545号は少くとも1個のセミコンコン
ダクタ−レーザーダイオードによってサイドポンピング
されるYAG棒からなるオプティカル・ポンピング・ソ
リッド・ステート・レーザーについて説明している。同
様に1973年8月14日Cheslerに与えられた
米国特許第3.753.145号はネオジム・ドープド
YAG棒をエンドポンピングするため1個以上の発光セ
ミコンダクターダイオードの使用について説明している
。例えばネオジム・ドープドYAGのようなソリッドレ
ーザント材料をエンドポンピングするため、脈動レーザ
ーダイオードのアレーを使用することが、1976年9
月21日Rosenkrantz等に与えられた米国特
許第3.982.201号に記載されている。
最後にI)、 L、 5ipes、 Appl、  P
hys、 Lett、 。
Vol、47.A2.1985.PP、74−75にネ
オジム・ドープドYAGをエンドポンピングするため緊
密に集中させたセミコンコンダクタ−・レーザー・ダイ
オード・アレーを使用することによって810nmの波
長を有するポンビングラジエーシヲンを1.064 n
mの波長を有するアウトプットラジエーションに非常に
効率的に転換することを報告している。
非線型のオプティカル特性を有する材料は広(知られて
おり且つハーモニックゼネレーターとして作用する性能
を有する。例えば1976年4月6日にBierlen
等に与えられた米国特許第3.949.323号は分子
式M T 10 (X 04 )を有する材料を第2バ
ーそニックゼネレーターとして使用することを示してお
り、この場合Mはに、Rh、TI。
NH4の中の少くとも1個であり、またXはP又はPs
の中の少くとも1個であり、但しNH4が存在するとき
はXは°Pのみである。この一般的分子式はポタジウム
・チタニル・フォスフェート、K T i OP 04
 、特に有効な非線型材料を含んでいる。その他の公知
の非線型オプティカル材料としてはKH2PO,、L 
i NbO3、KNOs 、LiTO3、HIO,、K
B、 O,−4H20及ヒ尿素カアルカ、これらに限定
されるものでない。沢山の異なった等軸結黒体の非線型
オプティカル特性のレビューがSOV、 J、 Qua
ntumEIectron、、 Vol。
7、洗1.1977年1月号、PP、1−13に記載さ
れている。
ソリッドステートレーザーのアウトプットレーザーを2
倍の周波数にするため非線型のオプティカル材料を使用
することができる。例えばポタシウム・チタニル・フォ
スフェートを使用してネオジム・ドープドYAGの1.
064mx波長のアウトプットを2倍の周波数にして波
長532 nmの光を作ることがR,F、  Be1t
etal 、 、 La5erFocus/Eletr
ro −0ptics 、 1985年10月、PP、
120−121に記載されている。
1981年6月30日Rosenbergに与えられた
米国特許第4.276.520号はクリスタルライン・
レーザ一部品料を使用した可搬式のオプティカルポンピ
ングレーザーについて記載している。しかしながら、こ
のレーザーはオプティカルポンプとしてソリッドステー
ト装置ではな(てフラッシュチューブを使用し、且つこ
の特許は各種レーザー部品を収容し且つ挿入時に該部品
をオプティカル経路に沿って互に自動的に整列させろよ
うな形状を持った支持構造体の使用を暗示していない。
(問題点を解決するための手段) 本発明は頑丈で軽量で簡潔なオプティカル・ポンピング
・ソリッド・ステートレーザーを、各種レーザ一部品を
収容してそれらを互に自動的に配列させるような形状を
した支持構造体を使用して、容易に製作することができ
るようにすることを目的としている。この目的のため、
“レーザ一部品″とは任意の中間のアクチブ又はパシプ
なオプティカル部品及びこれらの部品の包装と一緒に、
オプティカルポンプとアウトプットカプラーのことを意
味している。これらの部品はゲインミージャムと任意の
フォーシングエレメントと非線型オプティカルエレメン
トを含んでいるが、オプティカルポンプの電源は含んで
いない。勿論、アウトプットカプラーはレーザーレゾネ
ータ−又はキャビティの端部を形成するミラーを含んで
いる。
本発明の1実施例は支持構造体によって組合せ状態に保
持されるソリッドステート部品を包含し。
前記支持構造体が該部品を収容し且つ前記支持構造体に
前記部品を挿入したときにそれらを自動的に互に整列さ
せるような形状をしているオプティカル・ポンピング・
レーザーである。
本発明の目的は進歩したオプティカル・ポンピング・ソ
リッド・ステート・レーザーを提供することである。
本発明の別の目的は大ぎさが簡潔なオプティカル・ポン
ピング・ソリッド・ステートレーザーを提供することで
ある。
本発明の別の目的は軽量なオプティカル・ポンピング・
ソリッド・ステート・レーザーを提供することである。
本発明の別の目的は衝撃に対し割合鈍感なオプティカル
・ポンピング・ソリッド・ステート・レーザーを提供す
ることである。
本発明の別の目的はオプティカル・ポンピング・ソリッ
ド・ステート・レーザーを容易に組立てるだめの方法を
提供することである。
本発明の別の目的は割合に低い熱膨張係数を有し且つ割
合低い弾性率を有するプラスチックのような材料で、少
くとも1部分を作ることができるオプティカル・ポンピ
ング・ソリッド・ステート・レーザーを提供することで
ある。
本発明の別の目的はオプティカル・ポンピング・ソリッ
ド・ステート・レーザーを多量生産する方法を提供する
ことである。
本発明のなお別の目的はオプティカル・ポンピング・ソ
リッド・ステート・レーザーの製作に当りインジェクシ
ョンモールディング工法の使用方法を提供することであ
る。
(実施例) 本発明は多種類の実施例を作ることかできるか、第1図
乃至第4図に2個の特殊実施例を示している。しかじな
かむ以後の説明は本発明をこの実施例に限定しようとす
るものではない。
第1図と第2図は大体円筒形をした本発明オプティカル
ポンピングレーザーの単一実施例を示す。
第1図はこの実施例の分解図、第2図は断面図である。
第1図と第2図を参照すれば、エレメント1.2からな
るオプティカルポンピング装置から出る光がレンズ3に
よってレーザント材料4上に集められる。前記レーザン
ト材料は表面5に適当な反射被膜を備え且つ前記ポンピ
ング装置(1及び2)から光によってポンピングされる
。表面5上の反射被膜は前記ポンピング装置(1及び2
)によって発生される光に対し高度の透過性を有するが
、しかし前記レーザント材料4のレージングによって発
生される光に対し高度の反射性を持っている。
前記レーザント材料4のレージングによって出される光
は非線型オプティカル材料6を通過して表面8上に適当
な反射被膜を有するアウトプットカプラー7に送られる
。表面8上の反射被膜はレーザント材料4から発せられ
る光に対し高度の反射性を有するが非線型オプティカル
材料6によって作られる周波数修正光に対し大体透過性
を有する。
アウトプットカプラー7はレーザーを通過するアウトプ
ットラジエーションを平行にするのに役立つよう構成さ
れている。
レーザーの各部品、すなわちオプティカルポンピング装
置(1及び2)、レンズ3、レーザント材料4、非線型
オプティカル材料6及びアウトプットカプラー7′が支
持構造体に嵌合している。該支持構造体は2個の部材9
,10から成り、この両部材9.10は互に嵌合して、
前記部品群を大体管状をしたハウジングの中に収容して
いる。前記支持構造体(9及び10)は前記部品群を収
容し且つその収容時に互に自動的に光の経路に沼って整
列させるような形状をしている。
適当なオプティカルポンピング装置はレーザーダイオー
ド、発光ダイオード、レーザーダイオードアレーと任意
の補助的な包装や構造体を含んでいるが、しかしこれに
限定されるものではない。
この目的のため、”オプティカルポンピング装置2と言
う言葉は前述のレーザーダイオード、発光ダイオード、
レーザーダイオードアレーに関連するヒートシンクや包
装を含んでいるが、任意の関連の電源は含んでいない。
例えば、このような装置は通常熱抵抗性及び熱伝導性ヒ
ートシンクに取付けられ且つ金属ハウジングに包まれて
いる。非常に好適なオプティカルポンピング源はヒート
シンク1に取付けられ約810 nmの波長を有する光
を出すガリウム・アルミニウム・アーシナイド・レーザ
ーダイオード2からできている。ヒートシンク1は特性
がパッシブであっても良い。しかしながら、ヒートシン
ク1はまたレーザーダイオード2を一定温度に保ち、か
くしてレーザーダイオード2を最適に作動できるように
するためサーモエレクトリッククーラーを備えても良い
。勿論、作動中にオプティカルポンピング装置が適当な
電源に取付けられる。レーザーダイオード2から出て電
源に入る電線は第1図及び第2図に示していない。
レンズ3はレーザーダイオード2から出る光をレーザン
ト材料4に集中する。この集中作用によって強力なポン
ピングインテンシテイを生じ且つそれに応じてレーザン
ト材料4にフォトン・ツー・フォトン転換効率を高める
。簡単なレンズ3の代りに任意の従来の集光装置を使用
しても良い。例えば、グラデイエントインデックスレン
ズ、ボールレンズ、アスフエリックレンズや組合せレン
ズを使用しても良い。しかしながらレンズ3は本発明に
とって重要でなく、このような集光装置の使用は単に好
適な実施例を示す。
えらばれたオプティカルポンピング装置によって光学的
にポンピングすることができるのであれば、従来の任意
のレーザント材料4を使用しても良い。適当なレーザン
ト材料はこれに限定されるのではないが、アクチブ材料
を塗ったガラス質と結晶質のホスト材料からなるグルー
プから選んだ材料を含んでいる。非常に好適なアクチブ
材料はこれに限定されるものでないが、クロムとチタニ
ウム希土類金属のイオンを含んでいる。特殊例としてネ
オジム・ドープドYAGは810 nmの波長を有する
光を発するオプティカルポンピング装置と組合せて使用
するための非常に好適なレーザント材料4である。この
波長の光でポンピングを行うときネオジム・ドープドY
AGは1.064nmの波長を有する光を発することが
できる。
レーザント材料4は第1図及び第2図に棒として示され
ている。しかしながら、この部品の正確な幾何学的形状
は広範囲に変えることができる。
例えば、前記レーザント材料は必要に応じレンズ状表面
又は斜方六面体にすることもできる。図示していないが
、本発明の好適な実施例はオプティカルポンピング装置
によってエンドボンピングされるレーザント材料の繊維
を使用している。この目的に非常に好適な繊維はこれに
限定されるものでないが、ネオジムのような希土類金属
のイオンでドープドされているガラスオプティカル繊維
を含んでいる。このような繊維の長さを容易に調節する
ことによってオプティカルポンピング装置から出る殆ん
どすべての光を吸収する。若し非常に長い繊維が必要な
らば例えばスプールに巻いて本発明のレーザーの全長を
最適に調節することができる。
レーザント材料4は表面5に反射被膜を有する。
この被膜は普通の特性を備え且つレーザーダイオード2
から出るボンピングラジエーシンをできるだけ多(伝え
、一方し−ザント材料4のレージングによって発生する
ラジエーションに対し良好な反射性を有するようにえら
ばれる。好適な実施例において、この被膜はまたレーザ
ント材料4のレージングによって発せられるラジエーシ
ョンの第2ハーモニツクを非常に良く反射する。この第
2ハーモニツクの良好な反射性は、周波数が2倍になっ
ていない光が表面8上の被膜によって非線型オプティカ
ル材料を通じて後方に反射されたとき、非線型材料6に
よって発せられる2倍周波数のラディエーションのポン
プサイドロスを防止する。
810 nmの波長を有する光でポンピングされるネオ
ジム・ドープドYAG棒4に対し、表面5上の被膜は前
記810nmの光に対し殆んど透過性を有し且つ1.0
64nmの波長を有する光に対し良好な反射性を有する
べきである。非常に好適な実施例において、この被膜は
また前述の1.064nm光の第2ハーモニツク、53
2nmの波長を有する光を良好に反射する。勿論、表面
5上の被膜によって、作られる波長選択ミラーをこの表
面に設ける必要がない。必要に応じ、このミラーをオプ
ティカルポンピング装置とレーザント材料の間の任意の
場所に置くことができ且つ任意の適当な基質上に付着し
た被膜で構成することができる。
レーザント材料4のレージングによって発せられる光が
非線型オプティカル材料6を通過する。
レーザント材料4で発せられる入射光に対して非線型オ
プティカル材料6の結晶構造を適当に方向づけることに
よって、前記入射光の周波数は非線型オプティカル材料
6を通すことによって例えば2倍又は3倍に修正される
。特定の実施例によれば、ネオジム・ドープドYAGレ
ーザント材料4から出る波長1.064nmの光は非線
型オプティカル材料6を通過するときに532 nmの
波長を持った光に転換することができる。非線型材料6
は第1図と第2図に棒として示されているが、この部品
の形状は色々と変えることができる。例えば、前記非線
型オプティカル材料は必要に応じレンズ状表面にするか
、或いは斜方六面体にする。また、このような非線型オ
プティカル部品は前記非線型オプティカル材料の温度を
制御して、その性能なハーモニックゼネレーターとして
最適にするため冷却装置か又は加熱装置を包含すること
ができる。
ポタシウム・チタニル・フォスフェートは非常に良好な
非線型オプティカル材料である。しかしながら、本発明
を実施する際に公知の非線型オプティカル材料のいづれ
を使用しても良い。このような公知の非線型オプティカ
ル材料はこれに限定されるものでないが次のものを含む
。K)(2PO,、L 1Nbox 、L i IOs
 、HIOs 、 KBs Os ・4H20,尿素、
分子式M T i O(XOa )のコンパウンド、こ
の場合Mはに、Rb、Tlからなるグループから選び1
、またXはPとAsからなるグループから選ぶ。非線型
オプティカル材料6は重要なレーザ一部品でなく、その
使用は単に本発明の1実施例である。
非線型オプティカル材料6は第2ハーモニツクゼネレー
ターとして100%効率的でない事実の結果、レーザン
ト材料4からこの部品を通過する光は通常周波数を倍化
した光と無変調光の混合体からできている。レーザント
材料4としてネオジム・ドープドYAGから出る波長1
.064nm の光の場合、非線型オプティカル材料6
を通る光は1.064 nmと532 nm波長の混合
体である。この波長混合体は波長を選たくする表面8上
の反射被膜を有するアウトプットカプラー7に向けられ
る。この被膜は特性が普通のものであり且つ532nm
の光に対し殆んど透過性を有するが、1.064nmの
光に対して良好な反射性を有する。したがって、532
 nmの波長を有する2倍周波数の光のみが前記アウト
プットカプラーから出される。
表面8上の被膜によって作られる波長選た(ミラーは第
1図及び第2図に示す正確なデザインにする必要はなく
、従来のもので良い。例えば、波長せんたくミラーは非
線型オプティカル材料6の表面11上の被膜によって作
ることができる。この場合に、アウトプットカプラー7
を省略するか又はレーザーから出るアウトプットラジエ
ーションを規準するかさもなげれば修正する目的のみを
有するオプティカル装置と交換しても良い。しかしなが
ら、表面8上の被膜によって作られるミラー の凹形は
周波数が倍化しなかった反射光を非線型材料6に戻しレ
ーザント材料4を通り表面5上の被膜5に集中する効果
を有する。前述のように好適な実施例において、この表
面5上の被膜はレーザント材料4のレージングによって
出る2倍周波数の光と無修正光の両方を良好に反射する
。したがって。表面8上の被膜によって反射される無修
正周波数の光は1部分非線型オプティカル材料6を通る
ことによって周波数が2倍になり、このようにして出来
た混合波長が表面5上の被膜から非線型オプティカル材
料6を通って逆に反射され、ここで無修正光の残りが周
波数が倍化され、その2倍周波数の光がアウトプットカ
プラー7から出る。
散乱や吸収のようなプロセスの結果生ずる損失を除いて
、この一連の作業を更に繰り返えすことにより、レーザ
ント材料4のレージングによって生ずる殆んどすべての
光が周波数を倍化されてアウトプットカプラー7から出
る結果を生ずる。
支持構造体(9及び10)は多くのレーザ一部品を収容
し、その部品を挿入時に光経路に沼って自動的に整列さ
せるへこみを備えている。各へこみは特定の部品を収容
できる構造となっているが、その他希望の幾何学的形状
にしても良い。例えばへこみは適当な長さを有するV字
形又はU字形溝であっても良い。前記支持構造体9,1
0はその中にレーザ一部品を挿入したときにそれらの部
品が予定の公差以内で互に配列されるような形状となっ
ている。必要に応じ、これらの公差は比較的大きく、そ
の結果諸部品が互いに大体の距離を置いて配置され、部
品間隔を最終的に調節することによって最適のレーザー
性能を発揮できるようになっている。レーザー性能が最
適化されると、前記部品は通常の機械的な装置、例えば
止めねじや普通の接着剤等を使用して永久的に固定する
ことができる。本発明の好適な実施例はレーザ一部品を
挿入したとぎに該部品を光経路に沿って互に作動的に協
働するように配置するような形状をした支持構造体を使
用している。
前記支持構造体は嵌合する2個の部材9,1゜からでき
ている。これら2個の部材は普通の技術やその組合せ技
術によって互に接着することができる。例えば部材9.
10は1個以上の接着剤によって互に溶接又は接着され
る。またその代りに、部材9,10を機械的な固定装置
、例えばそれ自体部品の中に組入れられるはめ込み式連
結具によって接合することができる。
第1図と第2図に示す支持構造体(9及び10)は実質
的に各種レーザ一部品の周りにある管状構造である。し
かしながら、これは本発明の単なる1実施例であり、任
意の形状にすることかできる。
例えば第1図及び第2図に示すように支持構造体がすべ
てのレーザ一部品を両側の間に包むようにする必要はな
い。必要に応じ、支持構造体を大体扁平な台、皿、とい
、にしても良い。支持構造体の正確な形状はしばしばレ
ーザーの製造上の便宜とその使用目的を考えて決められ
る。
本発明の支持構造体は任意の適当な剛性材料例えば鋼、
セラミックス、ガラス、熱可塑性材料や熱硬化材料で作
る。また、支持構造体は任意の普通の工作法で作ること
ができる。例えば、金属支持構造体は機械加工法又はダ
イキャスチング法によって作り、且つダイキャストのア
ルミニウム支持構造体が特に満足である。本発明の好適
な実施例は1個以上の熱可塑性材料から成る支持構造体
も使用している。適当な熱可塑性材料としてはこれに限
定されるものではないが、ポリビニルクロライド、ナイ
ロン、フルオロカーボン、リニアポリエチレン、ポリウ
レタンプレポリマー、ポリスチレン、ポリプロピレン、
セルローズレジン又はアクリリックレジンを含んでいる
。必要に応じ、このような熱可塑性材料を色々の繊維や
その他の強化剤と共に使用することができる。熱可塑プ
ラスチックとガラスの支持構造体は簡便にインジェクシ
ョンモールジンク法で作ることができる。
第1図及び第2図に示すように、支持構造体をレーザ一
部品の周りに組立てられる2個以上の部材で作ることが
できる。
本発明の光学的にホンピングしたソリッドステートレー
ザーはどんな形状でも良いが、なるべく非常に小型が良
い。例えば多くのレーザ一部品を含む支持構造体の全長
は約20Crn以下が望ましく、なるべくは約10cI
n以下で、特に約5crn以下が良い。このように割合
小型であるから、レーザ一部品用の支持構造体を作るの
にプラスチックが非常に適している。この比較的小さな
形状において、プラスチックの比較的弱い剛性と熱膨張
性は不適切である。
第3図と第4図は本発明の別の1個の実施例を示す。
第3図はこの実施例の分解図、第4図は断面図である。
第3図及び第4図を参照すれば、部品20.21からな
るオプティカルポンピング装置から出る光かレンズ22
によってレーザント材料23に集中され、該レーザント
材料は表面24に適当な反射性被膜!有し且つ前記ボン
ピング装置(20及び21)から出る光によってボンピ
ングされる。表面24上の反射性被膜はボンピング装置
(20及び21)に対し良好な透過性を有するが、レー
ザント材料23のレーシングによって発生される光に対
し良好な反射性がある。 レーザント材料23のレージ
ングによって発せら牡る光はアウトプットカプラー25
に向けられ、これは表面26に適当な反射性被膜を有し
且つそこを通る光を規準するように形状づげられている
表面26上の反射性被膜はレーザ/ト材料23のレージ
ングによって発せられる光のすべてではないがその1部
分を伝播するように選ばれる。例えば、表面26上の被
膜はレーザント材料23によって発せられる光に対し約
95%の反射性を有することかでざる。表面24.26
に使用する適当な反射性被膜は当業者に知られている。
各レーザ一部品すなわちオプティカルポンピング装置(
20及び21)、レンズ22、レーザント材料23、ア
ウトプットカプラー25は支持構造体27の中に嵌入す
る。支持構造体27は各レーザ一部品に対し独特のへこ
みを有し、そのへこみは適当な間隔がおいている。各部
品は前述のへこみに入れると互に自動的に光経路に浴っ
て整列する。必要に応じ、各レーザ一部品を支持構造体
に入れたのち適白な機械的方法JP接着剤によってそこ
に永久的に固定する。
適当な管状ハウジング28が支持構造体27とレーザ一
部品(20及び21)、22.23.25の周りに嵌ま
る。ハウジング28は1端にフランジ29を備え、他端
に端部プラグ30を入れるようになっている。各プラグ
30は溶接により又は1個以上の適当な接着剤を使用し
てハウジング28に取付けることができる。またその代
りに、端部プラグ30を機械的方法でノ・ウジング28
に取付けることができろ。例えばプラグ30とハウジン
グ28はねじを備え、それによって−緒にねじ合せて固
定することができろ。
ハウジング28とプラグ30は適当な材料で作る。この
材料の中には、これに限定されるものでないが、金属、
セラミックス、熱可塑性材料、熱硬化性材料を含んでい
る。
特定の図示実施例によれは、前記オプティカルポンピン
グ装置はヒートシンク20と、810nmの波長を有す
る光を発するガリウム・アルミニウム・アーシナイド・
ダイオードレーザ−21とから成る。レーザーダイオー
ド21から出て電源に通ずる電線は第3図及び第4図に
示されていない。
レーザーダイオード21から出る光はレンズ22によっ
てネオジム・ドープドYAG23の俸に集められ、これ
は1.064nm波長の光を発し、この波長の光はレー
ザーからアウトプットカプラー25を通って平行なビー
ム又はその他適当に散開したビームとして放出される。
第1図及び第2図の実施例とくらべて、第3図及び第4
図の実施例は、(α)非線型オプティカル材料(第1図
及び第2図の6)を使用しない、(hl第1図と第2図
の支持構造体は2個の部材9.10で作られているが第
3図と第4図の支持構造体は1個のセグメントからでき
ている、(Clハウジング28が支持構造体とレーザ一
部品の周りに第3図と第4図の場合は嵌入するが第11
図と第2図の場合は嵌入しない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例の分解図、第2図は第1図の
実施例の断面図、第3図は本発明の別の実施例の分解図
、第4図は第3図の実施例の断面図である。 1・・・ヒートシンク  2・・・レーザーダイオード
3・・・レンズ     4・自し−ザント材料8・・
・表面      9,10・・・支持構造体11・・
・表面艶・・・ヒートシンク 21・・・レーザー   22・・・レンズ23・・・
レーザント材料 24・・・表面25・・・アウトプッ
トカプラー 26・・・表面      27・・・支持構造体28
・・・管状ハウジング 30・・・端部プラグFIG、
 2 FIG、 4

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)支持構造体によって組合せ状態に保持されている
    ソリッドステート部品を包含するオプティカルポンピン
    グレーザーにおいて、前記支持構造体が前記部品を収容
    し且つその中に前記部品を挿入したとき該部品をオプテ
    ィカル経路に沿って自動的に互に配列するように形成さ
    れていることを特徴とするオプティカルポンピングレー
    ザー。
  2. (2)前記部品が前記支持構造体に挿入されたとき予定
    の公差で自動的に互に配列されることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のオプティカルポンピングレーザ
    ー。
  3. (3)前記部品が前記支持構造体に挿入されたとき自動
    的に作動的に協働するよう配列されることを特徴とする
    特許請求の範囲第2項記載のオプティカルポンピングレ
    ーザー。
  4. (4)前記支持構造体が金属とセラミックスとガラスと
    熱可塑性材料と熱硬化性材料からなるグループからえら
    んだ少くとも一つの材料で作られることを特徴とする特
    許請求の範囲第2項記載のオプティカルポンピングレー
    ザー。
  5. (5)前記支持構造体が少くとも1個の熱可塑性材料か
    ら作られていることを特徴とする特許請求の範囲第2項
    記載のオプティカルポンピングレーザー。
  6. (6)前記部品と支持構造体がハウジングの中に収容さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
    オプティカルポンピングレーザー。
  7. (7)前記ハウジングが実質的に管状であることを特徴
    とする特許請求の範囲第6項記載のオプティカルポンピ
    ングレーザー。
  8. (8)前記部品がオプティカルポンピング装置と、該オ
    プティカルポンピング装置によってポンピングされるレ
    ーザント材料とを包含することを特徴とする特許請求の
    範囲第2項記載のオプティカルポンピングレーザー。
  9. (9)前記オプティカルポンピング装置が少くとも1個
    のレーザーダイオードからなることを特徴とする特許請
    求の範囲第8項記載のオプティカルポンピングレーザー
  10. (10)前記レーザーダイオードがガリウムアルミニウ
    ムアーセナイドから作られ且つ前記レーザート材料がネ
    オジム・ドープド・イトリウム・アルミナム・ガーネッ
    トであることを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の
    オプティカルポンピングレーザー。
  11. (11)前記オプティカルポンピング装置が少くとも1
    個の発光ダイオードからなることを特徴とする特許請求
    の範囲第8項記載のオプティカルポンピングレーザー。
  12. (12)前記オプティカルポンピング装置が少くとも1
    個のレーザーダイオードアレーから成ることを特徴とす
    る特許請求の範囲第8項記載のオプティカルポンピング
    レーザー。
  13. (13)前記レーザント材料が希土類金属のイオンでド
    ープドしたガラスオプティカルファイバーからなること
    を特徴とする特許請求の範囲第8項記載のオプティカル
    ポンピングレーザー。
  14. (14)前記オプティカルポンピング装置から出る光を
    前記レーザント材料に集中させるためのオプティカル装
    置を付加的部品として包含することを特徴とする特許請
    求の範囲第8項記載のオプティカルポンピングレーザー
  15. (15)前記オプティカルポンピング装置から出る光が
    前記レーザント材料の棒の端部に集められることを特徴
    とする特許請求の範囲第14項記載のオプティカルポン
    ピングレーザー。
  16. (16)前記オプティカルポンピングレーザーから出る
    光が前記レーザント材料のファイバーの端部に集められ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第14項記載のオプ
    ティカルポンピングレーザー。
  17. (17)前記オプティカルポンピング装置から出る光を
    集めるための前記オプティカル装置がグラデイエントイ
    ンデックスレンズであることを特徴とする特許請求の範
    囲第14項記載のオプティカルポンピングレーザー。
  18. (18)前記レーザント材料から出るアウトプットラジ
    エーシヨンが貫通する非線型オプティカル材料を付加的
    な部品として包含し、前記非線型オプティカル材料が前
    記レーザント材料から出るアウトプットラジェーション
    の周波数を変調することを特徴とする特許請求の範囲第
    8項記載のオプティカルポンピングレーザー。
  19. (19)前記非線型オプティカル材料が前記レーザント
    材料から出るアウトプットラジエーションの周波数を2
    倍にすることを特徴とする特許請求の範囲第18項記載
    のオプティカルポンピングレーザー。
  20. (20)前記レーザント材料がネオジム・ドープドイト
    リウム・アルミナム・ガーネットであり且つ前記非線型
    オプティカル材料がポタシウム・チタニル・フォスフェ
    ートであることを特徴とする特許請求の範囲第18項記
    載のオプティカルポンピングレーザー。
JP62159496A 1986-06-26 1987-06-26 オプテイカル ポンピング レ−ザ− Pending JPS6327079A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US879157 1986-06-26
US06/879,157 US4731795A (en) 1986-06-26 1986-06-26 Solid state laser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6327079A true JPS6327079A (ja) 1988-02-04

Family

ID=25373551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62159496A Pending JPS6327079A (ja) 1986-06-26 1987-06-26 オプテイカル ポンピング レ−ザ−

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4731795A (ja)
EP (1) EP0251718B1 (ja)
JP (1) JPS6327079A (ja)
KR (1) KR890001228A (ja)
AT (1) ATE95643T1 (ja)
AU (1) AU7474387A (ja)
DE (1) DE3787676T2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156583A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Asahi Glass Co Ltd レーザダイオード励起固体レーザ
JPH02161786A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ励起固定レーザ装置
JPH033378A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体レーザ装置
JPH0443692A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 短波長レーザ光源およびその実装方法
US5121404A (en) * 1988-11-16 1992-06-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optically pumped solid laser
JP2021501996A (ja) * 2017-11-02 2021-01-21 レオナルド・エムダブリュ・リミテッドLeonardo MW Ltd 中空導波路レーザ

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4884277A (en) * 1988-02-18 1989-11-28 Amoco Corporation Frequency conversion of optical radiation
US4933947A (en) * 1988-02-18 1990-06-12 Amoco Corporation Frequency conversion of optical radiation
US4884281A (en) * 1988-09-09 1989-11-28 Spectra-Physics, Inc. Low cost/power visible light solid-state laser
JPH02108016A (ja) * 1988-10-18 1990-04-19 Hitachi Metals Ltd 光アイソレータ
DE3836287A1 (de) * 1988-10-25 1990-04-26 Messerschmitt Boelkow Blohm Festkoerperlaser
US5042086A (en) * 1988-11-16 1991-08-20 Dylor Corporation Method and means for transmitting large dynamic analog signals in optical fiber systems
US4897850A (en) * 1989-02-01 1990-01-30 Amoco Corporation Assembly for arranging optical components of a laser
US5029335A (en) * 1989-02-21 1991-07-02 Amoco Corporation Heat dissipating device for laser diodes
US5031182A (en) * 1989-05-18 1991-07-09 Amoco Corporation Single-frequency laser of improved amplitude stability
US4907238A (en) * 1989-06-26 1990-03-06 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for the efficient wavelength conversion of laser radiation
US4964710B1 (en) * 1989-07-27 1994-08-16 Monadnock Optics Inc Disposable rigid endoscope
DE3925201A1 (de) * 1989-07-29 1991-02-07 Messerschmitt Boelkow Blohm Optische bank zur halterung optischer, elektrischer u.a. komponenten
US4979180A (en) * 1989-11-24 1990-12-18 Muncheryan Arthur M Modular interchangeable laser system
US5150376A (en) * 1989-12-20 1992-09-22 Matsushita Electric Indutrial Co., Ltd. Laser source
US5043991A (en) * 1989-12-28 1991-08-27 General Dynamics Corp. Electronics Division Device for compensating for thermal instabilities of laser diodes
US5063566A (en) * 1990-04-30 1991-11-05 Amoco Corporation Internally-doubled, composite-cavity microlaser
US5121188A (en) * 1990-05-16 1992-06-09 Applied Laser Systems Laser module assembly
US5062117A (en) * 1990-07-11 1991-10-29 Amoco Corporation Tailored laser system
US5121402A (en) * 1990-09-28 1992-06-09 The United State Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multiple element ring laser
US5123026A (en) * 1990-11-02 1992-06-16 Massachusetts Institute Of Technology Frequency-doubled, diode-pumped ytterbium laser
JP2738785B2 (ja) * 1991-06-27 1998-04-08 三菱電機株式会社 光磁気記録再生装置
NL9100367A (nl) * 1991-02-28 1992-09-16 Philips Nv Opto-electronische inrichting bevattende een halfgeleiderlaser en een optische isolator.
US5265114C1 (en) * 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
DE4303956C2 (de) * 1993-02-10 1995-06-01 Langner Walter Laser
US5432811A (en) * 1993-03-04 1995-07-11 Tecnal Products, Inc. Laser rod with polyhedron shaped ends
JP3221586B2 (ja) * 1993-04-27 2001-10-22 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
US5509226A (en) * 1993-11-08 1996-04-23 Lasermax Incorporated Firearm with modified take down latch for controlling laser sight
DE4402668A1 (de) * 1994-01-29 1995-08-03 Frohn Hans Willi Transversal gepumpter Festkörperlaser
US5394427A (en) * 1994-04-29 1995-02-28 Cutting Edge Optronics, Inc. Housing for a slab laser pumped by a close-coupled light source
US5450429A (en) * 1994-06-02 1995-09-12 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Efficient linear frequency doubled solid-state laser
US5420876A (en) * 1994-06-02 1995-05-30 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Gadolinium vanadate laser
US5479431A (en) * 1994-06-02 1995-12-26 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Solid-state laser with active etalon and method therefor
US5440574A (en) * 1994-06-02 1995-08-08 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Solid-state laser
US5526373A (en) * 1994-06-02 1996-06-11 Karpinski; Arthur A. Lens support structure for laser diode arrays
US5668825A (en) * 1994-06-02 1997-09-16 Laser Diode Array, Inc. Lens support structure for laser diode arrays
US5554153A (en) * 1994-08-29 1996-09-10 Cell Robotics, Inc. Laser skin perforator
US5685995A (en) * 1994-11-22 1997-11-11 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser functional trimming of films and devices
JP3378103B2 (ja) * 1994-12-28 2003-02-17 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオード励起固体レーザー
US5561684A (en) * 1994-12-29 1996-10-01 Santa Fe Laser Co., Inc. Laser diode pumped solid state laser construction
US5734669A (en) * 1995-02-06 1998-03-31 University Of Central Florida 1.3 μm lasers using Nd3+ doped apatite crystals
GB9518045D0 (en) * 1995-09-05 1995-11-08 Bio Rad Micromeasurements Ltd Optical instruments
DE19646072A1 (de) * 1996-11-08 1998-05-14 Daimler Benz Ag Diodengepumpter, frequenzverdoppelter Festkörperlaser
US5870422A (en) * 1997-07-09 1999-02-09 Trw Inc. Gain generator for high-energy chemical lasers
US6026109A (en) * 1998-01-22 2000-02-15 Cutting Edge Optronics, Inc. High-power, solid-state laser in a cylindrical package
DE19805849A1 (de) * 1998-02-13 1999-09-02 Daimler Chrysler Ag Verfahren zum Aufbauen und Verbinden von optischen Komponenten, insbesondere von optischen Komponenten in einem Laserresonator, und bei diesem Verfahren verwendeter Laserresonator
US6240113B1 (en) 1998-02-27 2001-05-29 Litton Systems, Inc. Microlaser-based electro-optic system and associated fabrication method
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6172997B1 (en) 1998-06-16 2001-01-09 Aculight Corporation Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser
US6289031B1 (en) * 1999-05-14 2001-09-11 Raytheon Company Integrated lightweight optical bench and miniaturized laser transmitter using same
US6373865B1 (en) * 2000-02-01 2002-04-16 John E. Nettleton Pseudo-monolithic laser with an intracavity optical parametric oscillator
US6553051B1 (en) * 2000-10-31 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. System for optically pumping a long wavelength laser using a short wavelength laser
EP1215782A3 (en) * 2000-12-15 2004-01-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. An integrated laser beam synthesizing module for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier
US6690687B2 (en) * 2001-01-02 2004-02-10 Spectrasensors, Inc. Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer
US6891879B2 (en) * 2002-09-23 2005-05-10 Litton Systems, Inc. Microlaser cavity assembly and associated packaging method
US6807219B2 (en) * 2002-11-21 2004-10-19 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies Laser housing having integral mounts and method of manufacturing same
JP2004317566A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Orc Mfg Co Ltd レーザ装置及びレーザ波長変換装置
US7170919B2 (en) * 2003-06-23 2007-01-30 Northrop Grumman Corporation Diode-pumped solid-state laser gain module
US7495848B2 (en) * 2003-07-24 2009-02-24 Northrop Grumman Corporation Cast laser optical bench
EP1507321B1 (en) * 2003-08-11 2006-10-25 Lumera Laser GmbH Solid state laser pumped by a laser diode with a convergent beam
US7003006B2 (en) * 2004-01-26 2006-02-21 Li-Ning You Green diode laser
US7729392B2 (en) * 2005-01-28 2010-06-01 Scientific Materials Corporation Monoblock laser with reflective substrate
US7817704B2 (en) * 2005-03-17 2010-10-19 Scientific Materials Corporation Monoblock laser with improved alignment features
US7839904B1 (en) 2006-01-26 2010-11-23 Scientific Materials Corporation Monoblock laser systems and methods
US7460566B2 (en) * 2006-05-02 2008-12-02 Northrop Grumman Corporation Laser power reduction without mode change
JP5132087B2 (ja) * 2006-06-05 2013-01-30 キヤノン株式会社 光学走査装置
US7586958B2 (en) 2006-09-29 2009-09-08 Northrop Grumman Corporation Electro-opto switching of unpolarized lasers
US7653116B2 (en) * 2008-02-27 2010-01-26 Ipg Photonics Corporation Portable laser head
CN104854764B (zh) * 2012-10-17 2017-12-05 Ipg光子公司 谐振增强频率转换器
US10209604B2 (en) * 2012-10-17 2019-02-19 Ipg Photonics Corporation Resonant enhanced frequency converter
US10811835B2 (en) * 2017-02-16 2020-10-20 University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education Laser system enabled by additive manufacturing
US11349274B2 (en) 2018-10-16 2022-05-31 Lumentum Operations Llc Amplifier assembly
US11881676B2 (en) * 2019-01-31 2024-01-23 L3Harris Technologies, Inc. End-pumped Q-switched laser
IL272460B (en) 2019-03-19 2020-11-30 Omek Optics Ltd Unit magnification microscope

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5511363A (en) * 1978-07-11 1980-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Solid laser system
JPS57198671A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Toshiba Corp Internal multiplication type higher harmonic light generating device
JPS6040093A (ja) * 1983-08-11 1985-03-02 蛇の目ミシン工業株式会社 染色ミシン
JPS6182490A (ja) * 1984-09-29 1986-04-26 Toshiba Corp 外部反射鏡レ−ザ装置
JPS61253878A (ja) * 1985-05-01 1986-11-11 スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド Nd−YAGレ−ザ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4044315A (en) * 1962-01-16 1977-08-23 American Optical Corporation Means for producing and amplifying optical energy
AT265701B (de) * 1963-09-25 1968-10-25 Meopta Narodni Podnik Verfahren zur Herstellung von optischen oder mechanischen zentriert gelagerten Systemen
US3753145A (en) * 1972-06-26 1973-08-14 Bell Telephone Labor Inc Compact end-pumped solid-state laser
US4383318A (en) * 1980-12-15 1983-05-10 Hughes Aircraft Company Laser pumping system
US4546476A (en) * 1982-12-10 1985-10-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fiber optic amplifier
US4553238A (en) * 1983-09-30 1985-11-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Fiber optic amplifier
US4525842A (en) * 1984-02-24 1985-06-25 Myers John D Laser device and method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5511363A (en) * 1978-07-11 1980-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Solid laser system
JPS57198671A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Toshiba Corp Internal multiplication type higher harmonic light generating device
JPS6040093A (ja) * 1983-08-11 1985-03-02 蛇の目ミシン工業株式会社 染色ミシン
JPS6182490A (ja) * 1984-09-29 1986-04-26 Toshiba Corp 外部反射鏡レ−ザ装置
JPS61253878A (ja) * 1985-05-01 1986-11-11 スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド Nd−YAGレ−ザ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5121404A (en) * 1988-11-16 1992-06-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optically pumped solid laser
JPH02156583A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Asahi Glass Co Ltd レーザダイオード励起固体レーザ
JPH02161786A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ励起固定レーザ装置
JPH033378A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体レーザ装置
JPH0443692A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 短波長レーザ光源およびその実装方法
JP2021501996A (ja) * 2017-11-02 2021-01-21 レオナルド・エムダブリュ・リミテッドLeonardo MW Ltd 中空導波路レーザ
US11552440B2 (en) 2017-11-02 2023-01-10 Leonardo UK Ltd Laser

Also Published As

Publication number Publication date
DE3787676D1 (de) 1993-11-11
AU7474387A (en) 1988-01-07
KR890001228A (ko) 1989-03-20
ATE95643T1 (de) 1993-10-15
DE3787676T2 (de) 1994-05-05
EP0251718B1 (en) 1993-10-06
EP0251718A3 (en) 1989-03-29
EP0251718A2 (en) 1988-01-07
US4731795A (en) 1988-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6327079A (ja) オプテイカル ポンピング レ−ザ−
EP0251719B1 (en) Solid state laser and method of making
US4847851A (en) Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser
US5530711A (en) Low threshold diode-pumped tunable dye laser
EP0715774B1 (en) Deep blue microlaser
US5802086A (en) Single cavity solid state laser with intracavity optical frequency mixing
JPH07507901A (ja) ハイパワー小型のダイオードポンプ型チューナブルレーザ
JPS6216588A (ja) レ−ザ装置
US5124999A (en) Laser-diode-pumped solid-state laser
US5420876A (en) Gadolinium vanadate laser
US5539765A (en) High efficiency laser
CA2026379A1 (en) Simultaneous generation of laser radiation at two different frequencies
US4173001A (en) Laser apparatus
WO1990000320A1 (en) Face pumped, looped fibre bundle, phased-array laser oscillator
US6914928B2 (en) Diode array end pumped slab laser
US5838713A (en) Continuously tunable blue microchip laser
WO1994029937A2 (en) Blue microlaser
US5381433A (en) 1.94 μm laser apparatus, system and method using a thulium-doped yttrium-lithium-fluoride laser crystal pumped with a diode laser
CA1164990A (en) Hybrid unstable resonator laser cartridge
CN112688151A (zh) 一种266nm深紫外固体激光器
US20030039293A1 (en) Eye safe monolithic compact laser
JPS605578A (ja) 出力結合鏡
JP2754101B2 (ja) レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JPH04335586A (ja) レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JPH04158588A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置