JPH033378A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH033378A JPH033378A JP13608289A JP13608289A JPH033378A JP H033378 A JPH033378 A JP H033378A JP 13608289 A JP13608289 A JP 13608289A JP 13608289 A JP13608289 A JP 13608289A JP H033378 A JPH033378 A JP H033378A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光情報処理装置やレーザ応用計測装置等に用
いられる超小形の固体レーザ装置に関するものである。
いられる超小形の固体レーザ装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、固体レーザ装置の励起にはアークランプやフラッ
シュランプ等が用いられてきたが、励起効率が低く、レ
ーザ全体の効率が悪いばかりでなく、ランプや固体レー
ザ媒質の放熱のために装置が大形とならざるを得なかっ
た。近年、高出力の半導体レーザが開発されるに及び、
これを固体レーザの励起源として用いられるようになっ
てきた。
シュランプ等が用いられてきたが、励起効率が低く、レ
ーザ全体の効率が悪いばかりでなく、ランプや固体レー
ザ媒質の放熱のために装置が大形とならざるを得なかっ
た。近年、高出力の半導体レーザが開発されるに及び、
これを固体レーザの励起源として用いられるようになっ
てきた。
半導体レーザは、固体レーザ媒質の吸収帯に波長を合わ
せることができるため、励起効率が大幅に改善される。
せることができるため、励起効率が大幅に改善される。
また、余分なスペクトルを吸収しないため、発熱せず、
従って、放熱板を必要としないため、高効率で小形の固
体レーザが得られる。
従って、放熱板を必要としないため、高効率で小形の固
体レーザが得られる。
この種の従来の固体レーザ装置について、半導体レーザ
励起ＹＡＧレーザを例として、第３図の斜視図により説
明する。
励起ＹＡＧレーザを例として、第３図の斜視図により説
明する。
同図において、従来の軸励起方式の半導体レーザ励起Ｙ
ＡＧレーザは、ネオジム（Ｎｄ）を注入したＮｄ：ＹＡ
Ｇロッド１を挟んで、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１の後
端面に形成した平面状の内部反射鏡と、前方に設けた凹
面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＮｄ：ＹＡＧ
レーザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１を励起する半導
体レーザ３と、上記の半導体Ｌ・−ザ３の出射光を上記
のＮｄ：Ｙ、ＡＧロッド１の後端面に集光する集光レン
ズ４とから構成される。
ＡＧレーザは、ネオジム（Ｎｄ）を注入したＮｄ：ＹＡ
Ｇロッド１を挟んで、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１の後
端面に形成した平面状の内部反射鏡と、前方に設けた凹
面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＮｄ：ＹＡＧ
レーザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１を励起する半導
体レーザ３と、上記の半導体Ｌ・−ザ３の出射光を上記
のＮｄ：Ｙ、ＡＧロッド１の後端面に集光する集光レン
ズ４とから構成される。
このように構成された半導体レーザ励起ＹＡＧレーザの
動作を説明すると、Ｎｄを注入したＮｄ：ＹＡＧロッド
１の吸収波長は、８０９止付近にあるため、半導体レー
ザ３の発振波長を８０９ｎｍに合わせると、出射光はほ
とんど吸収され、効率の良い励起が行われる。
動作を説明すると、Ｎｄを注入したＮｄ：ＹＡＧロッド
１の吸収波長は、８０９止付近にあるため、半導体レー
ザ３の発振波長を８０９ｎｍに合わせると、出射光はほ
とんど吸収され、効率の良い励起が行われる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、Ｎｄ：ＹＡＧロッド１は、長さが５ｍな
いし１０ｍ程度で小さいに拘らず、光学系に集光レンズ
−４を、光共振器として外部反射鏡２をそれぞれ用いて
いるため、小形化に限界があるという問題があった。
いし１０ｍ程度で小さいに拘らず、光学系に集光レンズ
−４を、光共振器として外部反射鏡２をそれぞれ用いて
いるため、小形化に限界があるという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、構造の簡単な超
小形の固体レーザ装置を提供するものである。
小形の固体レーザ装置を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、Ｎｄ：ＴＡＧロ
ッドの両端面に凸面鏡を形成して、Ｎｄ：ＹＡＧロッド
自体に光共振器を構成し、さらに、集光レンズにセルフ
ォックレンズを用いるものである。さらに、半導体レー
ザ、セルフォックレンズおよびＮｄ：ＹＡＧロッドをパ
ッケージに収納し、一体化するものである。
ッドの両端面に凸面鏡を形成して、Ｎｄ：ＹＡＧロッド
自体に光共振器を構成し、さらに、集光レンズにセルフ
ォックレンズを用いるものである。さらに、半導体レー
ザ、セルフォックレンズおよびＮｄ：ＹＡＧロッドをパ
ッケージに収納し、一体化するものである。
（作 用）
上記の構成により、構成部品が減少するとともに配置の
間隔が短縮されるので、超小形の固体レーザ装置が得ら
れる。
間隔が短縮されるので、超小形の固体レーザ装置が得ら
れる。
（実施例）
本発明の一実施例を、半導体レーザ励起ＹＡＧレーザを
例として、第１図および第２図により説明する。
例として、第１図および第２図により説明する。
第１図において１本発明による半導体レーザ励起ＹＡＧ
レーザは、外部端子を設けた基台５に固定されたパッケ
ージ６の中に、凸面状の両端面に反射鏡を形成したＮｄ
：ＹＡＧロッド１、集光用のセルフォックレンズ７およ
び励起用の半導体し一ザチップ８を、正確に光軸を合わ
せて紫外線硬化エポキシ樹脂９で固定したものである。
レーザは、外部端子を設けた基台５に固定されたパッケ
ージ６の中に、凸面状の両端面に反射鏡を形成したＮｄ
：ＹＡＧロッド１、集光用のセルフォックレンズ７およ
び励起用の半導体し一ザチップ８を、正確に光軸を合わ
せて紫外線硬化エポキシ樹脂９で固定したものである。
なお、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１は、Ｎｄ濃度１％で
、大きさが長さ５ＩｌｌＩ、直径１ｍｍ、その両端面が
曲率半径３ｍ＋の凸面となっており、その反射率は、励
起側が波長１．０６４で９９．５％以上、波長０．８１
１Ｍで３％以下となるように、出射側が波長１．０６−
で９７％、波長０．８１戸で９９％以上になるようそれ
ぞれ多層膜コーティングが施されている。
、大きさが長さ５ＩｌｌＩ、直径１ｍｍ、その両端面が
曲率半径３ｍ＋の凸面となっており、その反射率は、励
起側が波長１．０６４で９９．５％以上、波長０．８１
１Ｍで３％以下となるように、出射側が波長１．０６−
で９７％、波長０．８１戸で９９％以上になるようそれ
ぞれ多層膜コーティングが施されている。
このように構成された半導体レーザ励起ＹＡＧレーザの
動作は、従来例と変わらないので、その説明を省略する
が、得られるレーザ光の波長は１．０６４−である。
動作は、従来例と変わらないので、その説明を省略する
が、得られるレーザ光の波長は１．０６４−である。
第２図は１本発明による半導体レーザ励起ＹＡＧレーザ
の駆動電流に対するＹＡＧレーザ光出カッ関係図テ、駆
動電流２００ｍＡ テ３０ｍＶ （７） Ｙ Ａ Ｇ
Ｌ／−ザ光が得られた。この時、半導体レーザチップ８
の光出力は１００ｍＷで、半導体レーザ光からＹＡＧレ
ーザ光への変換効率は３０％、電気入力からＹＡＧレー
ザ光への変換効率は８％であった。
の駆動電流に対するＹＡＧレーザ光出カッ関係図テ、駆
動電流２００ｍＡ テ３０ｍＶ （７） Ｙ Ａ Ｇ
Ｌ／−ザ光が得られた。この時、半導体レーザチップ８
の光出力は１００ｍＷで、半導体レーザ光からＹＡＧレ
ーザ光への変換効率は３０％、電気入力からＹＡＧレー
ザ光への変換効率は８％であった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、高効率の超重形
固体レーザ装置が得られ、従って、レーザ応用計測装置
等の小形化に大なる効果を発揮する。
固体レーザ装置が得られ、従って、レーザ応用計測装置
等の小形化に大なる効果を発揮する。
第１図は本発明による固体レーザ装置の斜視断面図、第
２図は駆動電流に対するＹＡＧレーザ光出力を示す関係
図、第３図は従来の固体レーザ装置の構成を示す斜視図
である。 １ ・・・Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５・・・基台、６・
・・パッケージ、 ７・・・セルフォックレンズ、 ８
・・・半導体レーザチップ、９ ・・・紫外線硬化エ
ポキシ樹脂。
２図は駆動電流に対するＹＡＧレーザ光出力を示す関係
図、第３図は従来の固体レーザ装置の構成を示す斜視図
である。 １ ・・・Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５・・・基台、６・
・・パッケージ、 ７・・・セルフォックレンズ、 ８
・・・半導体レーザチップ、９ ・・・紫外線硬化エ
ポキシ樹脂。
Claims (1)
- 半導体レーザと、上記の半導体レーザの出射光の集光レ
ンズと、光共振器を形成する反射鏡および固体レーザ媒
質からなる固体レーザとで構成された固体レーザ装置に
おいて、両端面に光共振器用の反射鏡を形成した固体レ
ーザ媒質を用い、半導体レーザチップ、セルフォックレ
ンズおよび上記の固体レーザ媒質を、光軸が一直線をな
すように、同一パッケージに装着したことを特徴とする
固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13608289A JPH033378A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13608289A JPH033378A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033378A true JPH033378A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15166828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13608289A Pending JPH033378A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7350595B2 (en) | 2001-05-21 | 2008-04-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Drilling device and drilling method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392690A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Solid state laser equipment |
| JPS5852888A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 固体レ−ザ光源装置 |
| JPS6327079A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-02-04 | アモコ・コ−ポレ−ション | オプテイカル ポンピング レ−ザ− |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP13608289A patent/JPH033378A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392690A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Solid state laser equipment |
| JPS5852888A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 固体レ−ザ光源装置 |
| JPS6327079A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-02-04 | アモコ・コ−ポレ−ション | オプテイカル ポンピング レ−ザ− |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7350595B2 (en) | 2001-05-21 | 2008-04-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Drilling device and drilling method |
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