JPS6326921B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6326921B2 JPS6326921B2 JP56180833A JP18083381A JPS6326921B2 JP S6326921 B2 JPS6326921 B2 JP S6326921B2 JP 56180833 A JP56180833 A JP 56180833A JP 18083381 A JP18083381 A JP 18083381A JP S6326921 B2 JPS6326921 B2 JP S6326921B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- coaxial line
- microwave integrated
- conductor
- coaxial
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- Expired
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/202—Coaxial filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電体材料を用いた同軸線路を主構
成要素とし、マイクロ波集積回路用基板上にコン
デンサおよび同軸線路を一体化構成した共振回路
に関するものである。
成要素とし、マイクロ波集積回路用基板上にコン
デンサおよび同軸線路を一体化構成した共振回路
に関するものである。
共振回路を小形化にする方法として、最近、高
誘電体材料を用いた同軸線路があるが、従来は、
同軸TEMモード共振器としては共振周波数の二
分の1波長または4分の一波長の長さのものを用
いている。更に、高Q化用としては、同軸形共振
器が利用されている。マイクロ波集積回路構成に
おいて、各種の回路要素が一つの誘電体基板材料
例えばアルミナセラミツクス材やテフロン材等の
上に一体化構成される時、特に共振回路部で、高
Qを要する場合には、この基板の上に構成される
パターンが例えばスイクロストリツプ線路の様な
共振線路では、Qが低すぎて問題になる場合があ
る。この場合に、従来は、同軸形空洞共振器や立
体線路の配線で、共振回路のQ値を上げる方法が
用いられていたが、マイクロ波集積回路部の構成
としては、この部分だけが、別回路構成になつた
り、ある場合には別筐体となり、構成上繁雑であ
つた。
誘電体材料を用いた同軸線路があるが、従来は、
同軸TEMモード共振器としては共振周波数の二
分の1波長または4分の一波長の長さのものを用
いている。更に、高Q化用としては、同軸形共振
器が利用されている。マイクロ波集積回路構成に
おいて、各種の回路要素が一つの誘電体基板材料
例えばアルミナセラミツクス材やテフロン材等の
上に一体化構成される時、特に共振回路部で、高
Qを要する場合には、この基板の上に構成される
パターンが例えばスイクロストリツプ線路の様な
共振線路では、Qが低すぎて問題になる場合があ
る。この場合に、従来は、同軸形空洞共振器や立
体線路の配線で、共振回路のQ値を上げる方法が
用いられていたが、マイクロ波集積回路部の構成
としては、この部分だけが、別回路構成になつた
り、ある場合には別筐体となり、構成上繁雑であ
つた。
本発明は、上記のような欠点をなくし、マイク
ロ波集積回路の構成上も他の回路部との接続等を
大幅に繁雑にすることなく、かつ、共振回路のQ
値もそれ程低下させずに、小形化したマイクロ波
集積回路用の共振回路を提供するものである。以
下図面を用いてその一実施例を説明する。
ロ波集積回路の構成上も他の回路部との接続等を
大幅に繁雑にすることなく、かつ、共振回路のQ
値もそれ程低下させずに、小形化したマイクロ波
集積回路用の共振回路を提供するものである。以
下図面を用いてその一実施例を説明する。
第1図は本発明の一概念を示すもので、誘電体
を用いた同軸線路部1をマイクロ波集積回路を構
成する基板6に、その一部を挿入し、誘電体同軸
線路1の一方の端面には、導電性金属による被覆
4を形成し、その端面と中心部の円孔の内側にも
導電性金属を被覆し、これらを同電位に接続し、
マイクロ波集積回路の接地導体となる導電パター
ン部5と同じく同電位になるように接続する。他
方、同軸線路の他方の端面は、中心導体部だけを
同じくマイクロ波集積回路基板上の導体パターン
8を介して、コンデンサ9を接続し、さらに集積
回路基板6上の接地パターン部51と接続する。
この場合、同軸線路1の長さは、共振周波数の4
分の一波長より、さらに短かくてよく、かつマイ
クロ波集積回路基板6上の分布定数のパターンを
用いることによつて、Qが高くとれ、同時に、集
積回路基板の中に同軸線路1を挿入保持出来るの
で、全体が小形に出来る。
を用いた同軸線路部1をマイクロ波集積回路を構
成する基板6に、その一部を挿入し、誘電体同軸
線路1の一方の端面には、導電性金属による被覆
4を形成し、その端面と中心部の円孔の内側にも
導電性金属を被覆し、これらを同電位に接続し、
マイクロ波集積回路の接地導体となる導電パター
ン部5と同じく同電位になるように接続する。他
方、同軸線路の他方の端面は、中心導体部だけを
同じくマイクロ波集積回路基板上の導体パターン
8を介して、コンデンサ9を接続し、さらに集積
回路基板6上の接地パターン部51と接続する。
この場合、同軸線路1の長さは、共振周波数の4
分の一波長より、さらに短かくてよく、かつマイ
クロ波集積回路基板6上の分布定数のパターンを
用いることによつて、Qが高くとれ、同時に、集
積回路基板の中に同軸線路1を挿入保持出来るの
で、全体が小形に出来る。
第2図は、第1図の概念を更に詳細に説明する
ための断面図である。誘電体21に、中空部11
を構成し、その内側3及び外側2に導電性被覆を
形成することにより導体部22,23をそれぞれ
構成して同軸伝送線路1を構成する。この線路1
の一方端面に導電被覆4をつけ、外部導体部22
と内部導体部を同電位になる様に接続する。これ
をマイクロ波集積回路用基板6に挿入し、その接
地面5と同軸線路1の片面に設けられた導電被覆
4とを接続する。同軸線路1の他方の面は、その
中心導体部23と、回路用基板6上の導体パター
ン8を通して、コンデンサ素子9を保持し、その
反対側を基板6上の接地導体パターン51に接続
する。集積回路用基板6の裏面の導体パターン7
は、マイクロストリツプ線路構成の場合には、接
地導体として動作し、サスペンデツト線路構成の
場合には、不要であり、この基板全体を金属導体
内に保持する。
ための断面図である。誘電体21に、中空部11
を構成し、その内側3及び外側2に導電性被覆を
形成することにより導体部22,23をそれぞれ
構成して同軸伝送線路1を構成する。この線路1
の一方端面に導電被覆4をつけ、外部導体部22
と内部導体部を同電位になる様に接続する。これ
をマイクロ波集積回路用基板6に挿入し、その接
地面5と同軸線路1の片面に設けられた導電被覆
4とを接続する。同軸線路1の他方の面は、その
中心導体部23と、回路用基板6上の導体パター
ン8を通して、コンデンサ素子9を保持し、その
反対側を基板6上の接地導体パターン51に接続
する。集積回路用基板6の裏面の導体パターン7
は、マイクロストリツプ線路構成の場合には、接
地導体として動作し、サスペンデツト線路構成の
場合には、不要であり、この基板全体を金属導体
内に保持する。
この構成において、コンデンサ素子9は、個別
素子の例を記載したが、集積回路基板6上の導体
パターン8と接地パターン51の間に、間隙を用
いた容量を集積化して、同一基板上に構成するこ
とも出来、その間隙容量の方式として、例えばイ
ンタデジタル形構造の導体パターンによる容量を
用いてもよい。
素子の例を記載したが、集積回路基板6上の導体
パターン8と接地パターン51の間に、間隙を用
いた容量を集積化して、同一基板上に構成するこ
とも出来、その間隙容量の方式として、例えばイ
ンタデジタル形構造の導体パターンによる容量を
用いてもよい。
以下、本発明の具体的実施例を第3図を用いて
説明する。この実施例ではマイクロ波集積回路用
基板6に同軸線路(図示していない)を保持する
孔10を形成し、基板6上の接地導体パターンと
一体の導体部を有する突起55を設け、同軸線路
の中空部にこの突起55を挿入し、導体接地パタ
ーン5と同電位にしたもので同軸線路の位置合わ
せ、保持が容易に出来るという利点を有する。9
0は同軸線路に接続される容量で、この場合は、
基板上に構成された空隙の容量を用いる。51は
接地導体パターンである。
説明する。この実施例ではマイクロ波集積回路用
基板6に同軸線路(図示していない)を保持する
孔10を形成し、基板6上の接地導体パターンと
一体の導体部を有する突起55を設け、同軸線路
の中空部にこの突起55を挿入し、導体接地パタ
ーン5と同電位にしたもので同軸線路の位置合わ
せ、保持が容易に出来るという利点を有する。9
0は同軸線路に接続される容量で、この場合は、
基板上に構成された空隙の容量を用いる。51は
接地導体パターンである。
第4図は、本発明の他の実施例で、同一基板上
に上述の共振回路を複数個並べた場合を示す。集
積回路用基板44に、同軸線路を用いた共振素子
41,42,43を並列にならべ、例えば波器
の様な電子回路を構成するとともに遮蔽効果を一
段と高め、かつマイクロ波集積回路構成を繁雑と
しないため、前述の如く複数個並べた回路を、金
属遮蔽箱45で覆つて、基板に一体化した構成と
したものである。
に上述の共振回路を複数個並べた場合を示す。集
積回路用基板44に、同軸線路を用いた共振素子
41,42,43を並列にならべ、例えば波器
の様な電子回路を構成するとともに遮蔽効果を一
段と高め、かつマイクロ波集積回路構成を繁雑と
しないため、前述の如く複数個並べた回路を、金
属遮蔽箱45で覆つて、基板に一体化した構成と
したものである。
中空の誘電体の内周面、外周面、及び一端部に
導電性被膜が施された誘電体同軸線路と、孔を有
するとともに、その孔側に突出し、接地導体が形
成された突起部を有するマイクロ波集積回路用基
板とを設け、前記孔に前記誘電体同軸線部の一部
を挿入するとともに、前記誘電体同軸線路の導電
性被膜と前記突起部の接地導体とを係合すること
により、従来の同軸線路のみの構成でなく、マイ
クロ波集積回路構成において更に小形化した共振
回路が実現できる利点を有する。
導電性被膜が施された誘電体同軸線路と、孔を有
するとともに、その孔側に突出し、接地導体が形
成された突起部を有するマイクロ波集積回路用基
板とを設け、前記孔に前記誘電体同軸線部の一部
を挿入するとともに、前記誘電体同軸線路の導電
性被膜と前記突起部の接地導体とを係合すること
により、従来の同軸線路のみの構成でなく、マイ
クロ波集積回路構成において更に小形化した共振
回路が実現できる利点を有する。
第1図は本発明の一概念における共振回路の斜
視図、第2図はその断面図、第3図および第4図
は本発明の実施例を示す断面図および斜視図であ
る。 1……同軸線路、4……導電性金属被覆、5…
…導体接地パターン、6……マイクロ波集積回路
用基板、7……裏面導体パターン、9……コンデ
ンサ素子、51……接地パターン。
視図、第2図はその断面図、第3図および第4図
は本発明の実施例を示す断面図および斜視図であ
る。 1……同軸線路、4……導電性金属被覆、5…
…導体接地パターン、6……マイクロ波集積回路
用基板、7……裏面導体パターン、9……コンデ
ンサ素子、51……接地パターン。
Claims (1)
- 1 中空の誘電体の内周面、外周面、及び一端部
に導電性被膜が施された誘電体同軸線路と、孔を
有するとともに、その孔側に突出し、接地導体が
形成された突起部を有するマイクロ波集積回路用
基板とを具備し、前記孔に前記誘電体同軸線路の
一部を挿入するとともに、前記誘電体同軸線路の
導電性被膜と前記突起部の接地導体とを接続固定
した共振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18083381A JPS5881303A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 共振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18083381A JPS5881303A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 共振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5881303A JPS5881303A (ja) | 1983-05-16 |
JPS6326921B2 true JPS6326921B2 (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=16090151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18083381A Granted JPS5881303A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 共振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5881303A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025218U (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-20 | 株式会社村田製作所 | 発振器 |
JPS60260203A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体同軸共振器のプリント基板実装法 |
JPS61208902A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Murata Mfg Co Ltd | Mic型誘電体フイルタ |
JPS63190405A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Fujitsu Ltd | 同軸型誘電体共振器の実装方法 |
US5177458A (en) * | 1991-07-31 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Dielectric filter construction having notched mounting surface |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6121841Y2 (ja) * | 1977-10-28 | 1986-07-01 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP18083381A patent/JPS5881303A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5881303A (ja) | 1983-05-16 |
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