JPS63267744A - 高品質テレフタル酸の製法 - Google Patents
高品質テレフタル酸の製法Info
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- JPS63267744A JPS63267744A JP62101373A JP10137387A JPS63267744A JP S63267744 A JPS63267744 A JP S63267744A JP 62101373 A JP62101373 A JP 62101373A JP 10137387 A JP10137387 A JP 10137387A JP S63267744 A JPS63267744 A JP S63267744A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C63/00—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings
- C07C63/14—Monocyclic dicarboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/16—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation
- C07C51/21—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen
- C07C51/255—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting
- C07C51/265—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with molecular oxygen of compounds containing six-membered aromatic rings without ring-splitting having alkyl side chains which are oxidised to carboxyl groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高品質テレフタル酸の製法に関するものであり
、詳しくは、直接、グリコール成分と反応させてポリエ
ステルを製造した場合に、優れた白度を有するポリマー
を得ることのできる高品質テレフタル酸の製法に関する
ものである。
、詳しくは、直接、グリコール成分と反応させてポリエ
ステルを製造した場合に、優れた白度を有するポリマー
を得ることのできる高品質テレフタル酸の製法に関する
ものである。
(従来技術とその問題点)
近年、ポリエチレンテレフタレート又はポリブチレンテ
レフタレートなどのポリエステルの製造法として、ジメ
チルテレフタレートを出発原料とすることなく、テレフ
タル酸をグリコール成分と直接、反応させる方法(所謂
、直接重合法)が一般的となっているが、ここで原料と
して用いるテレフタル酸としては、できるだけ高品質の
ものが要求されている。
レフタレートなどのポリエステルの製造法として、ジメ
チルテレフタレートを出発原料とすることなく、テレフ
タル酸をグリコール成分と直接、反応させる方法(所謂
、直接重合法)が一般的となっているが、ここで原料と
して用いるテレフタル酸としては、できるだけ高品質の
ものが要求されている。
従来、直接重合用のテレフタル酸としては、例えば、パ
ラキシレンの液相空気酸化により得られた粗テレフタル
酸結晶を一旦、分離回収した後、これを高温高圧下、水
溶媒中に溶解してパラジウム−カーボン触媒の存在下、
水添精製することにより製造する方法が知られている。
ラキシレンの液相空気酸化により得られた粗テレフタル
酸結晶を一旦、分離回収した後、これを高温高圧下、水
溶媒中に溶解してパラジウム−カーボン触媒の存在下、
水添精製することにより製造する方法が知られている。
ところが、この方法で得られる精製テレフタル酸は17
20−≠f Onmの波長において螢光性を発する微量
不純物を含有するので、特に、演色性(光源により色相
に差が生ずる傾向)が問題とされるポリエステルを製造
するための原料としては不向きであった。
20−≠f Onmの波長において螢光性を発する微量
不純物を含有するので、特に、演色性(光源により色相
に差が生ずる傾向)が問題とされるポリエステルを製造
するための原料としては不向きであった。
一方、パラキシレンの液相空気酸化により生成し九テレ
フタル酸結晶を含むスラリーを引き続き、特定条件下で
追酸化することにより、直接重合用のテレフタル酸を製
造する方法が知られている。この方法では1つのプラン
トにおいて高品質のテレフタル酸が得られると言う製造
面からのメリットに加えて、得られるテレフタル酸中に
含有される螢光性不純物が少ないと言うメリットを有す
る。
フタル酸結晶を含むスラリーを引き続き、特定条件下で
追酸化することにより、直接重合用のテレフタル酸を製
造する方法が知られている。この方法では1つのプラン
トにおいて高品質のテレフタル酸が得られると言う製造
面からのメリットに加えて、得られるテレフタル酸中に
含有される螢光性不純物が少ないと言うメリットを有す
る。
しかしながら、一般的にテレフタル酸の品質はアルカリ
透過率で示され、その際の波長は測定感度の面からl4
cO−400 nm程度であるが、前記テレフタル酸の
場合、アルカリ透過率が良好であっても、これを用いて
ポリエステルを裏遺したときのポリマー白変は必ずしも
、十分なものとならないことがあった。
透過率で示され、その際の波長は測定感度の面からl4
cO−400 nm程度であるが、前記テレフタル酸の
場合、アルカリ透過率が良好であっても、これを用いて
ポリエステルを裏遺したときのポリマー白変は必ずしも
、十分なものとならないことがあった。
(発明の課題と解決手段)
本発明者等は上記実情に鑑み、パラキシレンの液相空気
酸化により生成したテレフタル酸を含むスラリーを引き
続き追酸化して直接重合用のテレフタル酸を製造する方
法において、ポリエステルを製造した場合のポリマー白
変をより一層向上させることのできる高品質テレフタル
酸を得るべく種々検討したところ、テレフタル酸の品質
はアルカリ透過率を尺度としたのでは不適切であり、特
に、4c00〜j 00 nmにおける分光反射率を尺
度とすることによりポリマー白変との対応がとれること
に着目し、この知見に基づき更に検討した結果、良好な
ポリマー白変を有するポリエステルを製造するための高
品質テレフタル酸を得るためには、追酸化前のスラリー
中のテレフタル酸結晶の分光反射率をある特定範囲に調
整しなければならないことを見い出し本発明を完成する
に到った。
酸化により生成したテレフタル酸を含むスラリーを引き
続き追酸化して直接重合用のテレフタル酸を製造する方
法において、ポリエステルを製造した場合のポリマー白
変をより一層向上させることのできる高品質テレフタル
酸を得るべく種々検討したところ、テレフタル酸の品質
はアルカリ透過率を尺度としたのでは不適切であり、特
に、4c00〜j 00 nmにおける分光反射率を尺
度とすることによりポリマー白変との対応がとれること
に着目し、この知見に基づき更に検討した結果、良好な
ポリマー白変を有するポリエステルを製造するための高
品質テレフタル酸を得るためには、追酸化前のスラリー
中のテレフタル酸結晶の分光反射率をある特定範囲に調
整しなければならないことを見い出し本発明を完成する
に到った。
(発明の要旨)
すなわち、本発明の要旨は、パラキシレンを酢酸溶媒中
、重金属及び臭素よりなる触媒の存在下、/10−23
0℃の温度で分子状酸素によりパラキシレンの95重量
%以上をテレフタル酸に酸化し、必要に応じて、第1酸
化反応の温度よりも低い温度で分子状酸素により低温追
酸化することにより、下記定義で示される分光反射率が
70%以上で、しかも、反射率比率(≠oo7500)
が0.92以上のテレフタル酸粒子を含有するスラリー
を得、次いで、このスラリーをコ3!〜コタO℃の温度
で分子状酸素により高温追酸化した後、これを晶析し、
次いで、この混合物よりテレフタル酸を回収することを
特徴とする高品質テレフタル酸の製法に存する。
、重金属及び臭素よりなる触媒の存在下、/10−23
0℃の温度で分子状酸素によりパラキシレンの95重量
%以上をテレフタル酸に酸化し、必要に応じて、第1酸
化反応の温度よりも低い温度で分子状酸素により低温追
酸化することにより、下記定義で示される分光反射率が
70%以上で、しかも、反射率比率(≠oo7500)
が0.92以上のテレフタル酸粒子を含有するスラリー
を得、次いで、このスラリーをコ3!〜コタO℃の温度
で分子状酸素により高温追酸化した後、これを晶析し、
次いで、この混合物よりテレフタル酸を回収することを
特徴とする高品質テレフタル酸の製法に存する。
分光反射率=白色光照明法による波長j 00 nmに
おける分光反射率 以下1本発明の詳細な説明する。
おける分光反射率 以下1本発明の詳細な説明する。
本発明で対象となるテレフタル酸の製造法としては、パ
ラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭素を含有する触
媒の存在下、分子状酸素と反応させる方法が挙げられる
。
ラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭素を含有する触
媒の存在下、分子状酸素と反応させる方法が挙げられる
。
本発明では、先ず、通常、上部にコンデンサーを有する
攪拌槽型の第1反応器でノくラキシレンの2!重量−以
上、好ましくはりを重量%以上をテレフタル酸に酸化す
るが、通常、その反広温度は180〜230℃、好まし
くは/’PQ〜コ10℃であり、圧力は数Is/ed
−t o o tey7−1好ましくはlO〜1Oki
/−である。反応温度があまり低いとパラキシレンを十
分に酸化することができず、逆に、あまシ高すぎると高
純度のテレフタル酸が得られないばかりか酢酸溶媒の燃
焼損失が増大するので好ましくない。
攪拌槽型の第1反応器でノくラキシレンの2!重量−以
上、好ましくはりを重量%以上をテレフタル酸に酸化す
るが、通常、その反広温度は180〜230℃、好まし
くは/’PQ〜コ10℃であり、圧力は数Is/ed
−t o o tey7−1好ましくはlO〜1Oki
/−である。反応温度があまり低いとパラキシレンを十
分に酸化することができず、逆に、あまシ高すぎると高
純度のテレフタル酸が得られないばかりか酢酸溶媒の燃
焼損失が増大するので好ましくない。
また、第1反応器での反応時間はパラキシレンのP!重
t%以上がテレフタル酸に酸化できる時間が必要であり
、通常、30〜500分、好ましくは’1O−1jO分
程度である。この酸化反応においては通常、生成したテ
レフタル酸は殆んど結晶として析出する。
t%以上がテレフタル酸に酸化できる時間が必要であり
、通常、30〜500分、好ましくは’1O−1jO分
程度である。この酸化反応においては通常、生成したテ
レフタル酸は殆んど結晶として析出する。
本発明で使用する触媒は通常、コバルト−マンガン−臭
素の三元素を含むものであり1例えば、溶媒に対してコ
バルト金属として/−20〜& 00 ppm−1好ま
しくは/ ! 0〜$ 00 ppmのコバルト化合物
、コバルトに対してマンガン金属として0,3〜i3倍
のマンガン化合物及び溶媒に対して臭素としてjoo−
5000ppm 、好ましくはtoo〜/ j 00
ppmの臭素化合物が使用される。これらの化合物の具
体例としては、酢酸コバルト、ナフテン酸コバルトなど
のコバルト化合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガン
などのマンガン化合物及び臭化水素、臭化ナトリウム、
臭化コバルト、臭化マンガンなどの臭素化合物が挙げら
れる。なお、臭化マンガン、臭化コバルトを使用した場
合には、二種の触媒成分を兼ねることもできる。
素の三元素を含むものであり1例えば、溶媒に対してコ
バルト金属として/−20〜& 00 ppm−1好ま
しくは/ ! 0〜$ 00 ppmのコバルト化合物
、コバルトに対してマンガン金属として0,3〜i3倍
のマンガン化合物及び溶媒に対して臭素としてjoo−
5000ppm 、好ましくはtoo〜/ j 00
ppmの臭素化合物が使用される。これらの化合物の具
体例としては、酢酸コバルト、ナフテン酸コバルトなど
のコバルト化合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガン
などのマンガン化合物及び臭化水素、臭化ナトリウム、
臭化コバルト、臭化マンガンなどの臭素化合物が挙げら
れる。なお、臭化マンガン、臭化コバルトを使用した場
合には、二種の触媒成分を兼ねることもできる。
第1反応器に供給するパラキシレンと溶媒との割合は通
常、パラキシレンに対して一2〜6重量倍であシ、溶媒
があまり少ない場合には、反応器内の攪拌が良好に行な
われず、更に、後述する高温の追酸化が良好に行なわれ
ないので好ましくない。また、酢酸溶媒中には例えば、
20重量%以下の水を含有していてもよい。第1反応器
の液相中に供給する分子状酸素は通常9気でよく、パラ
キシレンに対し分子状酸素として3〜100モル倍の割
合であり、通常、酸化排ガス中の酸素濃度が1.!〜を
容tcsとなるように供給される。
常、パラキシレンに対して一2〜6重量倍であシ、溶媒
があまり少ない場合には、反応器内の攪拌が良好に行な
われず、更に、後述する高温の追酸化が良好に行なわれ
ないので好ましくない。また、酢酸溶媒中には例えば、
20重量%以下の水を含有していてもよい。第1反応器
の液相中に供給する分子状酸素は通常9気でよく、パラ
キシレンに対し分子状酸素として3〜100モル倍の割
合であり、通常、酸化排ガス中の酸素濃度が1.!〜を
容tcsとなるように供給される。
上述の第1酸化反応では反応器からの凝縮性ガスを冷却
して得た凝縮液の一部を反応器に還流することなく系外
に抜き出すことKよりて、反応器内の水分濃度を例えば
%s〜l!重量%と低濃度に調節してもよい。
して得た凝縮液の一部を反応器に還流することなく系外
に抜き出すことKよりて、反応器内の水分濃度を例えば
%s〜l!重量%と低濃度に調節してもよい。
第1反応器で得られたテレフタル酸を含有するスラリー
は高温追酸化するが、本発明では、その前に必要に応じ
て、前記スラリーを通常、パラキシレンを供給すること
なく、第1反応器の反応温度よりも0〜10℃、好まし
くはコ〜30℃低い温度で分子状酸素により予備的な低
温追酸化を行なうと、よシ一層、効果的に高純度のテレ
フタル酸を得ることができるので望ましい。この予備的
な低温追酸化では、主に、反応母液中の酸化中間体が酸
化されるが、この際の処理温度があまり低い場合には、
酸化中間体を十分に酸化することができない。この追酸
化処理の時間は通常、よ〜20分、好ましくは10−4
0分である。また、この低温追酸化で使用する分子状酸
素は反応混合物中に含まれる被酸化物が少量であるので
、その供給量は第1反応器への供給量の///θ〜17
ioooであシ、通常、酸化排ガス中の酸素濃度が/〜
j容t%となる量が好ましい。分子状酸素としては通常
、9気又は不活性ガス、で希釈した空気が用いられる。
は高温追酸化するが、本発明では、その前に必要に応じ
て、前記スラリーを通常、パラキシレンを供給すること
なく、第1反応器の反応温度よりも0〜10℃、好まし
くはコ〜30℃低い温度で分子状酸素により予備的な低
温追酸化を行なうと、よシ一層、効果的に高純度のテレ
フタル酸を得ることができるので望ましい。この予備的
な低温追酸化では、主に、反応母液中の酸化中間体が酸
化されるが、この際の処理温度があまり低い場合には、
酸化中間体を十分に酸化することができない。この追酸
化処理の時間は通常、よ〜20分、好ましくは10−4
0分である。また、この低温追酸化で使用する分子状酸
素は反応混合物中に含まれる被酸化物が少量であるので
、その供給量は第1反応器への供給量の///θ〜17
ioooであシ、通常、酸化排ガス中の酸素濃度が/〜
j容t%となる量が好ましい。分子状酸素としては通常
、9気又は不活性ガス、で希釈した空気が用いられる。
本発明においては、上述のような処理によって得られ九
スラリーを高温追酸化して高品質テレフタル酸を得るが
、本発明ではテレフタル酸の品質を下記定義で示す分光
反射率及び反射率比率を基準として見ることを特徴とし
、液絡的に回収されるテレフタル酸の分光反射率が70
チ以上、望ましくは10%以上で、しかも、反射率比率
(400 / j 00 )がQ、りを以上、望ましく
はOlり41−/、00.tとする必要がある。更に。
スラリーを高温追酸化して高品質テレフタル酸を得るが
、本発明ではテレフタル酸の品質を下記定義で示す分光
反射率及び反射率比率を基準として見ることを特徴とし
、液絡的に回収されるテレフタル酸の分光反射率が70
チ以上、望ましくは10%以上で、しかも、反射率比率
(400 / j 00 )がQ、りを以上、望ましく
はOlり41−/、00.tとする必要がある。更に。
波長! 00 nmに対するtl ! Onmの反射率
比率(4!!0/!00)もOoりt!以上、望ましく
はO,タタ〜/、00 !の値を満1足するのが好まし
い。
比率(4!!0/!00)もOoりt!以上、望ましく
はO,タタ〜/、00 !の値を満1足するのが好まし
い。
この分光反射率及び反射率比率が前記範囲を満足する場
合には、ポリエステルを製造し念際のポリマー自席が常
に良好なものとなるのである。
合には、ポリエステルを製造し念際のポリマー自席が常
に良好なものとなるのである。
分光反射率=白色光照明法による波長j 00 nmに
おける分光反射率 その九め、上記の如き高品質テレフタル酸を製造する皮
めには、高温追酸化に供するスラリー中のテレフタル酸
結晶の分光反射率を7Q%以−ヒ、望ましくけ10%以
上、反射率比率(If00/100)をQ、タコ以上、
望ましくはo、ys〜O0りtに調整することが必要で
ある。更に。
おける分光反射率 その九め、上記の如き高品質テレフタル酸を製造する皮
めには、高温追酸化に供するスラリー中のテレフタル酸
結晶の分光反射率を7Q%以−ヒ、望ましくけ10%以
上、反射率比率(If00/100)をQ、タコ以上、
望ましくはo、ys〜O0りtに調整することが必要で
ある。更に。
波p300nmに対する≠1 Onmの反射率比率(≠
307100)も0027以上、望ましくは0.りt〜
/、00 !の値を満足するのが好ましい。すなわち、
この分光反射率及び反射率比率が低い場合には、このよ
うなテレフタル酸結晶を含むスラリーを高温追酸化して
も、本発明で目的とする高品質テレフタル酸を得ること
は難しく、逆に1分光反射率及び反射甲比率のより高い
ものを得ることは高品質テレフタル酸を得る上で望まし
い方向であるが、そのための製造コストが極端に高くな
り現実的ではない。なお、従来、公知の高温追酸化法に
よるテレフタル酸の製法では、高温追酸化前のテレフタ
ル酸結晶の反射率比率が低かったため、これを高温追酸
化して得たテレフタル酸はポリマー自席の面からは不安
定な点があった。
307100)も0027以上、望ましくは0.りt〜
/、00 !の値を満足するのが好ましい。すなわち、
この分光反射率及び反射率比率が低い場合には、このよ
うなテレフタル酸結晶を含むスラリーを高温追酸化して
も、本発明で目的とする高品質テレフタル酸を得ること
は難しく、逆に1分光反射率及び反射甲比率のより高い
ものを得ることは高品質テレフタル酸を得る上で望まし
い方向であるが、そのための製造コストが極端に高くな
り現実的ではない。なお、従来、公知の高温追酸化法に
よるテレフタル酸の製法では、高温追酸化前のテレフタ
ル酸結晶の反射率比率が低かったため、これを高温追酸
化して得たテレフタル酸はポリマー自席の面からは不安
定な点があった。
このようなテレフタル酸結晶を含有するスラリーを第7
Wl化及び必要に応じて、低温追酸化において調整する
が、そのためのコントロール要因としては、種々の要因
が相互に関係するが、例えば、次のものが挙げられ、こ
ね、らを各々、組合せることにより酸化反応の内容を制
御する必要がある。
Wl化及び必要に応じて、低温追酸化において調整する
が、そのためのコントロール要因としては、種々の要因
が相互に関係するが、例えば、次のものが挙げられ、こ
ね、らを各々、組合せることにより酸化反応の内容を制
御する必要がある。
■ 酸化反応温度及び圧力を上げる
■ 触媒の使用量を増加する
■ 第1酸化の滞留時間を長くする
■ 酸化排ガス中の酸素濃度を高める
次いで、上述のようなテレフタル酸結晶を含有するスラ
リーを高温追酸化するが、この操作は通常、スラリーを
ポンプにより高圧部に圧入しモノ又はマルチチェープの
熱交換器により所定温度に加熱して追酸化する。高温追
酸化の方法は公知法に従って実施でき、例えば、熱交換
器及び/又は高温追酸化反応器に分子状酸素を供給する
方法が採用できる。′d17′?、、高瀉追酸化反応器
としては通常、第1反応器と同タイプのものでよい。
リーを高温追酸化するが、この操作は通常、スラリーを
ポンプにより高圧部に圧入しモノ又はマルチチェープの
熱交換器により所定温度に加熱して追酸化する。高温追
酸化の方法は公知法に従って実施でき、例えば、熱交換
器及び/又は高温追酸化反応器に分子状酸素を供給する
方法が採用できる。′d17′?、、高瀉追酸化反応器
としては通常、第1反応器と同タイプのものでよい。
高温追酸化は23!〜コタO℃、好ましくはコ≠θ〜2
10℃の温度で実施され、その際の圧力は反応混合物を
液相に保持できる圧力が必要であり、通常、JO−10
0に9/−である。
10℃の温度で実施され、その際の圧力は反応混合物を
液相に保持できる圧力が必要であり、通常、JO−10
0に9/−である。
この高温追酸化により、スラリー中のテレフタル酸粒子
の一部が溶解し、その結果、粒子中の酸化中間体が母液
中に抽出され、そして、抽出された酸化中間体が酸化処
理されるのである。
の一部が溶解し、その結果、粒子中の酸化中間体が母液
中に抽出され、そして、抽出された酸化中間体が酸化処
理されるのである。
したがって、高温追酸化の温度があまシ低い場合には、
テレフタル酸粒子中の酸化中間体の抽出が良好に行なわ
れず、逆に%あまり高い場合には、エネルギー的に不利
となるばかりか、着色不純物が生成する恐れがあり好ま
しくない。
テレフタル酸粒子中の酸化中間体の抽出が良好に行なわ
れず、逆に%あまり高い場合には、エネルギー的に不利
となるばかりか、着色不純物が生成する恐れがあり好ま
しくない。
ここで供給する分子状酸素のfは、通常、スラリー中の
テレフタル酸に対して、0.007〜0.3倍モル、好
ましくは0.0 /〜o、i倍モルであり、また、酸化
排ガス中の酸素濃度が実質的にゼロ、例えば、O0j容
t%以下となるようにするのが好ましい。この量があま
り多過ぎると、系内が高温で、被酸化物の量が少ないの
で、酢酸溶媒の燃焼量が増大することとなり、逆K。
テレフタル酸に対して、0.007〜0.3倍モル、好
ましくは0.0 /〜o、i倍モルであり、また、酸化
排ガス中の酸素濃度が実質的にゼロ、例えば、O0j容
t%以下となるようにするのが好ましい。この量があま
り多過ぎると、系内が高温で、被酸化物の量が少ないの
で、酢酸溶媒の燃焼量が増大することとなり、逆K。
あまり少々過ぎると、高温追酸化の効果が十分に得られ
ない。ここで用いる分子状酸素としては、通常、空気又
は不活性ガスで希釈した9気が挙げられる。
ない。ここで用いる分子状酸素としては、通常、空気又
は不活性ガスで希釈した9気が挙げられる。
高温追酸化を終えた反応混合物は、通常、2〜参段の複
数の晶析槽を用いて、順次、降温、降圧し、最終的に得
られる混合物からテレフタル酸結晶を分離するが、この
晶析工程において、混合物の温度がito〜コ30℃の
ゾーン(晶析槽又は移送パイプ中)にて分子状酸素を供
給すると、得られる製品テレフタル酸の品質がより一層
改善されるので望ましい。この分子状酸素の供給量は排
ガス中の酸素濃度がO,S〜を容量チ、好壕しくはコ〜
を容量チとなるように調節される。このゾーンでは反応
混合物の温度が低いため、多量の分子状酸素を供給して
も、酢酸溶媒の燃焼はあまり問題とならない。
数の晶析槽を用いて、順次、降温、降圧し、最終的に得
られる混合物からテレフタル酸結晶を分離するが、この
晶析工程において、混合物の温度がito〜コ30℃の
ゾーン(晶析槽又は移送パイプ中)にて分子状酸素を供
給すると、得られる製品テレフタル酸の品質がより一層
改善されるので望ましい。この分子状酸素の供給量は排
ガス中の酸素濃度がO,S〜を容量チ、好壕しくはコ〜
を容量チとなるように調節される。このゾーンでは反応
混合物の温度が低いため、多量の分子状酸素を供給して
も、酢酸溶媒の燃焼はあまり問題とならない。
晶析処理を終えた混合物は通常、遠心分離などの固液分
離によってテレフタル酸の結晶を回収することができる
。テレフタル酸の結晶は必要に応じて、例えば、水又は
酢酸などにて洗浄したのち乾燥処理され製品となる。一
方、反応母液は通常、蒸留塔に送られ生成水、触媒、副
生物を除去し酢酸を回収する。また、本発明では反応母
液中の副生物、特に、酸化反応を妨害する不純物が極め
て少ないので、反応母液の10−180重量%をそのま
ま第1反応器ヘリサイクルすることもできる。
離によってテレフタル酸の結晶を回収することができる
。テレフタル酸の結晶は必要に応じて、例えば、水又は
酢酸などにて洗浄したのち乾燥処理され製品となる。一
方、反応母液は通常、蒸留塔に送られ生成水、触媒、副
生物を除去し酢酸を回収する。また、本発明では反応母
液中の副生物、特に、酸化反応を妨害する不純物が極め
て少ないので、反応母液の10−180重量%をそのま
ま第1反応器ヘリサイクルすることもできる。
以上、本発明によれば、ポリエステルを製造した場合の
ポリマー白変が優れた高品質テレフタル酸を工業的に安
定して製造することができるので、工業的且つ経済的に
極めて有利なものである。
ポリマー白変が優れた高品質テレフタル酸を工業的に安
定して製造することができるので、工業的且つ経済的に
極めて有利なものである。
(実施例)
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を越えない限シ以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を越えない限シ以下の実施例に限定され
るものではない。
なお、実施例中、「部」とあるのは「重量部」を表わす
。
。
実施例1−φ及び比較例1−コ
第1図に示すフローシートに従ってテレフタル酸を連続
的に製造した。
的に製造した。
還流冷却装置、攪拌装置、原料及び溶媒送入口、空気導
入口及び反応スラリー抜出口を備えた耐圧チタン製の第
1反応器lにパイプrよシパラキシレン1部、水j%を
含む酢酸≠、j部と第1表に示す量の酢酸コバルト(≠
水和物)と酢酸コバルト(≠水和物)に対して/、07
重量倍の酢酸マンガン(F水和物)、酢酸コバルト(4
c水和物)に対してへj1重量倍の臭化水素酸($7%
水溶液)からなる混合物を供給し、第1表に示す滞留時
間、温度、圧力の条件下、酸化ガスとして空気を用い、
酸化反応の排ガス中の01濃度がjvo1%となるよう
に、パイブタより供給し、パイプioより還流液i、z
部を抜き出し、反応器l中の水分濃度を約IO%にコン
トロールしパラキシレンの液相酸化反応を行なった。
入口及び反応スラリー抜出口を備えた耐圧チタン製の第
1反応器lにパイプrよシパラキシレン1部、水j%を
含む酢酸≠、j部と第1表に示す量の酢酸コバルト(≠
水和物)と酢酸コバルト(≠水和物)に対して/、07
重量倍の酢酸マンガン(F水和物)、酢酸コバルト(4
c水和物)に対してへj1重量倍の臭化水素酸($7%
水溶液)からなる混合物を供給し、第1表に示す滞留時
間、温度、圧力の条件下、酸化ガスとして空気を用い、
酸化反応の排ガス中の01濃度がjvo1%となるよう
に、パイブタより供給し、パイプioより還流液i、z
部を抜き出し、反応器l中の水分濃度を約IO%にコン
トロールしパラキシレンの液相酸化反応を行なった。
第1反応器lからの混合物はパイプ13より第1反応器
/と同様の装備を持つ第コ反応器コに連続的に供給した
。第2反応器コでは第1反応器に比べ10℃低い温度、
同じ<3に9/−低い圧力、滞留時間30分の条件下、
酸化反応の排ガス中のO!濃度がII vo1%となる
ようにパイプllがら空気を供給し低部追酸化を行なっ
た。
/と同様の装備を持つ第コ反応器コに連続的に供給した
。第2反応器コでは第1反応器に比べ10℃低い温度、
同じ<3に9/−低い圧力、滞留時間30分の条件下、
酸化反応の排ガス中のO!濃度がII vo1%となる
ようにパイプllがら空気を供給し低部追酸化を行なっ
た。
ここで得られたスラリー中に含有されるテレフタル酸結
晶の分光反射率及び反射率比率を測定したところ第1表
に示す通りの結果であった。
晶の分光反射率及び反射率比率を測定したところ第1表
に示す通りの結果であった。
ま念、実施例/におけるテレフタル酸結晶の310〜7
00 nmの波長での分光反射率を第2図のグラフに示
す。
00 nmの波長での分光反射率を第2図のグラフに示
す。
第コ反応器コからの混合物はパイプ/4Cを通シ、次い
で、ポンプJにより圧力! ! Ay / ad GK
昇圧したのち、パイプ/!の途中で、パイプlコよシ空
気0.07部を加え、更に、モノチェーブ型加熱器≠に
供給し、混合物の温度を270℃まで昇温し、更に、加
熱器≠を出た混合物はパイプ/jを通って第1反応器と
同型の攪拌槽!に供給し、パイプ17よシ空気0.03
部を供給し温度270℃、圧力jjkg/cdG、滞留
時間30分間の条件下、高温追酸化を行なった。
で、ポンプJにより圧力! ! Ay / ad GK
昇圧したのち、パイプ/!の途中で、パイプlコよシ空
気0.07部を加え、更に、モノチェーブ型加熱器≠に
供給し、混合物の温度を270℃まで昇温し、更に、加
熱器≠を出た混合物はパイプ/jを通って第1反応器と
同型の攪拌槽!に供給し、パイプ17よシ空気0.03
部を供給し温度270℃、圧力jjkg/cdG、滞留
時間30分間の条件下、高温追酸化を行なった。
次いで、高温追酸化を終えた混合物を3段(晶析器4.
4’、6“)で順次、常圧まで冷却晶析した後、これを
遠心分離機7で濾過してテレフタル酸結晶を回収した。
4’、6“)で順次、常圧まで冷却晶析した後、これを
遠心分離機7で濾過してテレフタル酸結晶を回収した。
また、第1晶析器6はコOO℃、//に9/−dGの条
件であり、ここでパイプ/lより空気を排ガス中の0部
濃度が≠マo1%となるように供給した。
件であり、ここでパイプ/lより空気を排ガス中の0部
濃度が≠マo1%となるように供給した。
このようにして回収したテレフタル酸について、分光反
射率比率を測定するとともに、このテレフタル酸を用い
てポリエステルを製造した場合のポリマー色調(b値)
を測定したところ、第2表に示す結果を得た。!!た、
実施例1におけるテレフタル酸結晶の3jO〜700
nmの波長での分光反射率を第3図のグラフに示す。
射率比率を測定するとともに、このテレフタル酸を用い
てポリエステルを製造した場合のポリマー色調(b値)
を測定したところ、第2表に示す結果を得た。!!た、
実施例1におけるテレフタル酸結晶の3jO〜700
nmの波長での分光反射率を第3図のグラフに示す。
第−表
比較例3
比較例1の方法において、高温追酸化の温度を27j’
Cとし、滞留時間を≠j分と延長して、同様な方法で処
理したところ、回収されたテレフタル酸の分光反射率は
I A、7 % 、反射率比率は 4’ 00/j00
= 0.2#/、 4c!0/!00==Oj7?
、ポリマー色調(b値)は3.vであった。
Cとし、滞留時間を≠j分と延長して、同様な方法で処
理したところ、回収されたテレフタル酸の分光反射率は
I A、7 % 、反射率比率は 4’ 00/j00
= 0.2#/、 4c!0/!00==Oj7?
、ポリマー色調(b値)は3.vであった。
注l)分光反射率の測定方法
試料のテレフタル酸を石英セルに充填し高滓製作所製、
177−46Jr形カラーバツクシステム17形にて
光源としてキセノンランプを用い白色光照明法により7
00〜!rOnm間でj nmごとの分光反射率を測定
した。
177−46Jr形カラーバツクシステム17形にて
光源としてキセノンランプを用い白色光照明法により7
00〜!rOnm間でj nmごとの分光反射率を測定
した。
注コ)ポリマー色調(b値)の測定方法テレフタル酸1
.1モルとエチレングリコール3.7!そルを二酸化ゲ
ルマニウムo、ooo2rモルと正リン酸0.0002
2モルの存在下、コ3!℃、コ、!辞/−Gの条件でl
コO分間エステル化反応を行ない、次いで、≠j分間で
降圧と昇温を行ない、210℃、/mHyのφ件で72
0分間重合を行なった。
.1モルとエチレングリコール3.7!そルを二酸化ゲ
ルマニウムo、ooo2rモルと正リン酸0.0002
2モルの存在下、コ3!℃、コ、!辞/−Gの条件でl
コO分間エステル化反応を行ない、次いで、≠j分間で
降圧と昇温を行ない、210℃、/mHyのφ件で72
0分間重合を行なった。
このようKして得九ポリマーのチップを石英セルに充填
し、色差計(東京電色■製、TC−jjD型)Kてb値
を測定した。(b値は+が黄色味、−が青色味を意味し
、ポリマー色調としては数値が小さい方が良好なもので
ある。)
し、色差計(東京電色■製、TC−jjD型)Kてb値
を測定した。(b値は+が黄色味、−が青色味を意味し
、ポリマー色調としては数値が小さい方が良好なもので
ある。)
第1図は本発明の実施例で使用した反応装置を示すフロ
ーシートであり、第2図は実施例1で得られた高温追酸
化前におけるスラリー中のテレフタル酸結晶の分光反射
率を示すグラフであり、第3図は実施例1で回収された
テレフタル酸結晶の分光反射率を示すグラフである。 出 μm 人 三菱化成工業株式会社代 理 人
弁理士 長径用 −はか1名 反射子(Z)
ーシートであり、第2図は実施例1で得られた高温追酸
化前におけるスラリー中のテレフタル酸結晶の分光反射
率を示すグラフであり、第3図は実施例1で回収された
テレフタル酸結晶の分光反射率を示すグラフである。 出 μm 人 三菱化成工業株式会社代 理 人
弁理士 長径用 −はか1名 反射子(Z)
Claims (1)
- (1)パラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭素より
なる触媒の存在下、180〜230℃の温度で分子状酸
素によりパラキシレンの 95重量%以上をテレフタル酸に酸化し、必要に応じて
、第1酸化反応の温度よりも低い温度で分子状酸素によ
り低温追酸化することにより、下記定義で示される分光
反射率が 70%以上で、しかも、反射率比率(400/500)
が0.92以上のテレフタル酸粒子を含有するスラリー
を得、次いで、このスラリーを235〜290℃の温度
で分子状酸素により高温追酸化した後、これを晶析し、
次いで、この混合物よりテレフタル酸を回収することを
特徴とする高品質テレフタル酸の製法。 分光反射率=白色光照明法による波長500nmにおけ
る分光反射率 反射率比率(400/500)=(波長400nmおけ
る分光反射率)/(波長500nmおける分光反射率)
(2)回収された高品質テレフタル酸の分光反射率が7
0%以上で、しかも、反射率比率 (400/500)が0.96以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載の高品質テレフタル
酸の製法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62101373A JP2504461B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 高品質テレフタル酸の製法 |
GB8807731A GB2204581B (en) | 1987-04-24 | 1988-03-31 | Process for preparing terephthalic acid of high quality |
US07/177,951 US4877900A (en) | 1987-04-24 | 1988-04-05 | Process for preparing terephthalic acid of high quality |
KR1019880004638A KR880012519A (ko) | 1987-04-24 | 1988-04-23 | 고품질 테레프탈산의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62101373A JP2504461B2 (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 高品質テレフタル酸の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63267744A true JPS63267744A (ja) | 1988-11-04 |
JP2504461B2 JP2504461B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14299009
Family Applications (1)
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