氧化生產芳族二羧酸之能量及環境整合方法
本發明係關於一種藉由經二烷基取代之芳族化合物之液相氧化生產芳族二羧酸之能量效率系統及方法，其收集且再利用觸媒及反應物從而以對環境安全之方式製備芳族二羧酸。該系統且因此該方法之要素可改型至現有化工設備中，以在產出高品質產物之同時獲得增加之能量及生產效率。
液相氧化反應常常用於醛至酸(例如，丙醛至丙酸)之氧化、環己烷至己二酸之氧化、及烷基芳族化合物至醇、酸或二酸之氧化。烷基芳族化合物之氧化的一個重要實例為對二甲苯至對苯二甲酸之液相催化氧化，對苯二甲酸為生產聚對苯二甲酸乙二醇酯(「PET」)之原料。PET係全世界大量使用以製備諸如瓶子、纖維及包裝等之產品之眾所熟知的塑膠。 在液相氧化製程中，液相進料流(stream)及氣相氧化劑流經引入反應器中且在反應器中形成多相反應介質。經引入反應器中之液相進料流含有至少一種可氧化有機化合物，而氣相氧化劑流含有分子氧。經引入反應器中之分子氧之至少一部分溶解至反應介質之液相中，以提供液相反應可用之氧。若多相反應介質之液相含有不足濃度的分子氧(亦即，若反應介質之某些部分係「缺氧的」)，則不合期望之副反應會生成雜質且/或所預期之反應會發生速率之延遲。 若反應介質之液相含有過少的可氧化化合物，則反應速率可能會不合期望地低。此外，若反應介質之液相含有過量濃度的可氧化化合物，則額外的不合期望之副反應會生成雜質。因此，為了在最低成本下獲得高純度之產物，做出了許多努力以實現原材料之有效利用，包括原材料之再利用、最低能量消耗、及最少廢物處理成本。 為了獲得多相氧化反應介質之均勻分佈，液相氧化反應器可裝備有攪動構件，以促使分子氧溶解至反應介質之液相中、維持經溶解之氧在反應介質之液相中的相對均勻濃度、且維持可氧化有機化合物之相對均勻濃度。 因此，反應介質之攪動可藉由機械攪動提供，如連續攪拌反應槽(「CSTR」)中所提供。然而，CSTR具有相對高的投資成本，因為其需要昂貴的馬達、流體密封軸承及驅動軸、及/或複雜的攪拌機構。此外，習知CSTR之旋轉及/或擺動機械部件需要定期維護。與此維護相關的人力及停機時間增加了CSTR之操作成本。然而，即使進行定期維護，CSTR中採用的機械攪動系統亦容易發生機械故障且可能需要在相對短的時間後更換。 氣泡塔反應器提供反應介質之攪動，不需要昂貴且不可靠的機械設備。氣泡塔反應器通常包括細長的直立反應區，其內裝有反應介質。反應區內反應介質之攪動主要藉由上升穿過反應介質之液相的氣泡之自然浮力提供。氣泡塔反應器中提供的這種自然浮力攪動相對於機械攪動反應器，減少了投資及維護成本。此外，基本上不存在與氣泡塔反應器相關的移動機械部件提供了相對於機械攪動反應器，不太容易發生機械故障之氧化系統。 所感興趣的大量氧化產物諸如對苯二甲酸之有效製造不僅涉及氧化製程，而且涉及產物之後處理(work-up)及分離，且在總體製造製程中經常採用串聯或平行進行的多個單元操作。此等操作中之每一者可需要能量輸入或可作為可經捕獲且利用之能量源。此外，控制反應變數及反應物化學計量以優化產物產率及純度且同時使廢物及環境影響降至最低可為在操作中獲得商業成功之關鍵。 對苯二甲酸習知上係藉由對二甲苯之液相氧化而生產。在典型製程中，溶劑液相進料流及氣相氧化劑流經引入具有觸媒系統之一級氧化反應器中且在反應器中形成多相反應介質。存在於液相中的溶劑一般包括諸如乙酸等低分子量有機酸及水。在溶劑經再利用之生產系統中，該溶劑可含有少量雜質，諸如例如，對甲苯甲醛(para-tolualdehyde)、對苯二甲醛、4-羧基苯甲醛(4-CBA)、苯甲酸、對甲苯甲酸、對甲苯甲醛(para-toluic aldehyde)(4-甲基苯甲醛)、α-溴-對甲苯甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、聚芳族化合物、及/或懸浮微粒。 該觸媒為包含鈷、溴、及錳之均質液相系統。 如上所述，一級氧化反應使用氣泡塔反應器提供超過習知連續攪拌反應槽之許多優勢，且採用氣泡塔反應器之氧化製程揭示於例如U.S. 7,355,068、U.S. 7,371,894、U.S. 7,568,361、U.S. 7,829,037、U.S. 7,910,769、U.S. 8,501,986、U.S. 8,685,334、及U.S. 8,790,601，該等專利之內容係以引用之方式併入本文。氣泡塔反應器通常包括細長的直立反應區，其內裝有反應介質，且反應區內反應介質之攪動主要藉由上升穿過反應介質之液相的氣泡之自然浮力提供。氣泡塔反應器中提供的這種自然浮力攪動相對於機械攪動反應器，減少了公共電力、投資及維護成本。 初始氧化反應器系統可包括主要用於氧化液相可氧化化合物之大部分之一級氧化反應器、及視情況地至少一個次級氧化反應器。該次級氧化(亦稱為後氧化或稱為早期氧化蒸煮，如U.S. 7,393,973中(全文以引用之方式併入本文))之主要目的為氧化在進入更苛刻之氧化條件之蒸煮之前，自一級氧化向前至TPA之液相芳族氧化中間物之較大部分。此舉提供在一級氧化後發生的過氧化成碳氧化物之總量之有用減少。 自一級氧化系統取出之產物通常為漿液，該漿液包含粗品對苯二甲酸(CTA)之微粒固相及母液。CTA含有相對高水準之雜質(例如，4-羧基苯甲醛、對甲苯甲酸、芴酮(fluorenone)、及其他有色體)，使其不適合作為生產PET之原料。因此，CTA通常經受純化製程，該純化製程將CTA顆粒轉化成可適用於生產聚對苯二甲酸乙二醇酯之純化對苯二甲酸(PTA)。CTA之該進一步純化可包括氧化蒸煮處理，隨後接著氫化處理。 通常，自一級氧化系統獲得的CTA顆粒在母液中之漿液可含有約10至約50重量百分比之固體CTA顆粒，其餘部分主要為乙酸母液。存在於自一級氧化系統取出之初始漿液中的固體CTA顆粒可含有約400 ppmw至約15,000 ppmw之4-羧基苯甲醛(4-CBA)。 藉由在一連串額外氧化反應器(常常稱為「蒸煮器」)中之氧化蒸煮處理，CTA可經轉化成PTA，其中在比一級及二級氧化反應器中所用溫度稍微更高至顯著更高之溫度下進行進一步的氧化反應。視情況地，CTA顆粒之漿液在前行至蒸煮器單元之前可經受溶劑更換步驟，藉此所更換之溶劑具有降低濃度之芳族雜質及/或改變濃度之觸媒及水，其經再調整以更適合於蒸煮器單元中之氧化觸媒。視情況地，亦可在進入蒸煮器單元之前，在進行或不進行溶劑更換之情況下，調整CTA漿液中固體之質量分數。 為了使沉澱之氧化中間物雜質對一連串蒸煮器中之氧化可用，將顆粒暴露於比一級氧化中更高之溫度以至少部分地溶解CTA顆粒且使雜質暴露於包含經注入蒸煮器中之額外分子氧之液相氧化。當CTA漿液溫度提升至適度高於一級氧化中形成CTA所處之溫度時，小CTA顆粒之高表面積、結晶缺陷(crystalline imperfection)、及超平衡雜質濃度在動力學及熱動力學上有利於對苯二甲酸之部分溶解及正在進行的再結晶。 在蒸煮器系統中進行之進一步氧化意欲降低CTA顆粒中之4-CBA之濃度。蒸煮溫度可高於一級氧化溫度5℃至約90℃且通常可為約150℃至約280℃。 在蒸煮製程之第二效果中，對苯二甲酸顆粒可經歷奧斯瓦爾德熟化(Ostwald Ripening)，其往往提供相較於一級氧化之出口流中之CTA顆粒，具有變窄之粒度分佈之更大顆粒。 在蒸煮製程之第三效果中，再結晶之對苯二甲酸顆粒包含降低濃度之對用於形成對苯二甲酸之催化氧化校正(catalytic oxidative correction)有抗性之許多雜質、諸如聚芳族羧酸物質等雜質，特別包括許多有色物質，尤其2,6-DCF及2,7-DCF。造成該降低之原因係固相與液相之間更接近於抗氧化雜質之平衡分佈，這源自於比初始氧化中更熱之操作溫度以及蒸煮製程期間延長之再結晶時間。若視情況的溶劑更換步驟使用了相對更純之溶劑，諸如例如，自用於移除對二甲苯之氧化所產生的水而使用之溶劑脫水製程得到之蒸餾水性乙酸，則抗氧化雜質之固相濃度之降低得到進一步增強。 在蒸煮處理後，來自氧化蒸煮之純化產物可經結晶且收集在一或多個結晶單元中且藉由過濾分離成母液濾液及濾餅。濾餅經溶劑充分洗滌以移除觸媒及其他雜質，包括在氧化製程期間形成之乙酸甲酯。 然後濾餅可經吹洗以除去所保留之洗滌液及母液且在烘箱系統中乾燥以移除殘留溶劑。 接著可採用習知氫化製程進行進一步純化。經乾燥、洗滌之濾餅在水中再漿化且經催化氫化以將雜質轉化成更合需要且/或可容易分離之化合物。 對苯二甲酸可經由多個結晶步驟自氫化之溶液中選擇性地沉澱，且經分離。 一級氧化、蒸煮、結晶、過濾、乾燥、及純化所需之多個系統要求用於各種操作之熱控制之能量管理、用於管理來自氧化及蒸煮系統之排放蒸氣之頂部系統、空氣氧化劑之供應、及用於收集且再利用溶劑及觸媒之系統。因此，需要進一步整合現有用於二烷基芳族化合物氧化之液相氧化系統以降低總能量需求且同時最大化生產效率及產物產率。還需要開發相較於現有技術，提供有效能量管理、材料再利用、及廢物最少化之新液相氧化系統。
因此，本發明之一目的係在於提供用於在現有二烷基芳族化合物之液相氧化系統中整合能量及材料管理以提供總體降低之能量消耗及顯著改良之生產效率之方法。 本發明之另一目的係在於一種新方法及系統，其用於相較於習知系統，具有顯著降低之能量消耗及顯著改良之生產效率之二烷基芳族化合物之液相氧化系統。 此等及其他目的係由本發明提供，本發明之第一實施例提供一種用於製備芳族二羧酸之連續方法，其包含： 在觸媒存在下，在一級氣泡塔反應器中在乙酸反應介質中用壓縮空氣氧化經二烷基取代之芳族化合物； 自該一級氣泡塔反應器中移除含有觸媒之該三相反應介質之一部分至一供應有壓縮空氣之後氧化氣泡塔單元； 轉移該後氧化之反應介質至一脫氣單元且將該後氧化反應介質分離成頂部氣體及底流漿液； 收集來自該一級氧化反應器及該後氧化反應器中之每一者之頂部氣體與來自該脫氣單元之該頂部氣體且將經合併之頂部氣體引導至一除水塔； 轉移來自該脫氣單元之該底流漿液至一蒸煮單元，其中該底流漿液之溫度經增加至可至少部分溶解沉澱之固體且達成用該底流漿液中存在之空氣及觸媒進一步氧化暴露之中間氧化產物之溫度，以獲得最終氧化漿液； 移除來自該蒸煮單元之頂部氣體至該除水塔； 使該最終氧化漿液結晶以獲得該芳族二羧酸之待過濾漿液； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該待過濾漿液以獲得母液濾液及濾餅； 其中 經傳送至該除水塔之該等頂部氣體在該除水塔中經分離成自該塔之頂部移除之包含蒸汽之廢氣及包含乙酸之底流液體， 收集且利用該包含蒸汽之廢氣之至少一部分能量以驅動一空氣壓縮機將壓縮空氣供應至該氣泡塔一級反應器及該後氧化氣泡塔單元，且 藉由移除自該除水塔廢氣冷凝之水控制該連續氧化之含水量。 在另一態樣，該第一實施例可包含：用乙酸洗滌該濾餅； 使氮氣流動通過該經乙酸洗滌之濾餅以獲得固體濾餅； 乾燥該固體濾餅以移除溶劑； 使該芳族二羧酸之該經乾燥之濾餅在水性介質中再漿化及純化以獲得經純化之二羧酸漿液； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該經純化之水性漿液以獲得該芳族二羧酸之最終濾餅及水性母液濾液； 膜過濾該水性母液濾液以獲得水透過液；及 轉移該水透過液至該除水塔。 在另一態樣，該第一實施例可包含： 使該芳族二羧酸之該經乾燥之濾餅在水性介質中再漿化； 在氫化觸媒存在下用氫氣處理該水性漿液以獲得待結晶之芳族二羧酸漿液； 在一連串至少兩個結晶單元中使該芳族二羧酸結晶； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該經結晶之水性漿液以獲得該芳族二羧酸之最終濾餅及水性母液濾液； 膜過濾該水性母液濾液以獲得水透過液；及 作為水回流轉移該水透過液至該除水塔。 在第二實施例中，本發明之該連續氧化製程進一步包含： 用水洗滌該濾餅以移除溶劑及觸媒； 使氮氣流動通過該經水洗滌之濾餅以獲得固體濾餅； 使該芳族二羧酸之該固體濾餅在水性介質中再漿化及純化以獲得經純化之芳族二羧酸漿液； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該經純化之水性漿液以獲得該芳族二羧酸之最終濾餅及水性母液濾液； 膜過濾該水性母液濾液以獲得水透過液；及 轉移該水透過液至該除水塔。 在該第二實施例之另一型式中，使該二羧酸之該經乾燥之濾餅再漿化及純化包含： 使該芳族二羧酸之該固體濾餅在水性介質中再漿化； 在氫化觸媒存在下用氫氣處理該水性漿液以獲得待結晶之芳族二羧酸漿液； 在一結晶單元中使該芳族二羧酸結晶； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該經結晶之水性漿液以獲得該芳族二羧酸之最終濾餅及水性母液濾液； 膜過濾該水性母液濾液以獲得水透過液；及 作為水回流轉移該水透過液至該除水塔。 在所有以上實施例及其態樣之特定型式中，該經二烷基取代之芳族化合物為對二甲苯且該芳族二羧酸為對苯二甲酸。 上述段落藉由一般性介紹提供，且不意欲限制所附申請專利範圍之範疇。參照以下結合隨附圖式之詳細描述，將最佳理解所描述之實施例以及其他優勢。
如上所述，本發明係關於在經二烷基取代之芳族化合物至對應芳族二羧酸之工業規模連續液相氧化中之能量及材料再利用整合。將要在以下段落中詳細描述之製程描述了對二甲苯(PX)至對苯二甲酸(PTA)之液相氧化，且該描述引用了與PTA製造之具體化學相關之各種中間物及雜質。然而，與該連續PX氧化製程相關之一般經整合之能量管理及再利用系統可應用於任何經二烷基取代之芳族化合物之氧化。 貫穿以下描述，詞語「一」及「一個」等帶有「一或多個」之意義。短語「選自由以下各項組成之群組」、「從以下各項中選出」等包括規定材料之混合物。諸如「含有」等術語為意指「至少包括」之開放術語，除非另外具體指出。文中提及之所有參考案、專利、申請案、試驗、標準、文獻、出版物、手冊、課文、論文等係以引用之方式併入本文。在陳述一數字限值或範圍時，包括端點。另外，具體包括在一數字限值或範圍內之所有數值及子範圍，好像明確地寫出一般。 當描述數字含量時，單位為按重量計之百分比或按重量計之ppm，除非另有規定。當用於描述在反應器內之位置時之術語最下及最上表示反應混合物處在反應器內總高度之上部10%及下部10%。 根據本發明之各種實施例之經整合之氧化、材料再利用及能量管理系統將參照相關之圖示描述。應理解，該等圖示係示意性的且示出所採用的系統及單元操作之佈置及交互。視製造設施之物理結構及對現有系統改型或構造新系統而定，該等系統之實際空間定位及位置可極大地變化。 根據本發明之實施例之經整合之氧化單元系統在圖1中示出且如所指示，包括一材料供應及再利用單元、一氧化單元、一除水單元、一膨脹器單元、一壓縮空氣供應單元、一蒸煮單元、一結晶器單元、一第一過濾單元、一視情況的乾燥單元、一純化單元、一第二過濾單元、及一濾液處理單元。熟悉該項技術者應理解，總體系統可包括用於支持及控制所描述之單元之整合及效能之其他輔助單元，且本發明不意欲限制於圖1中所示之單元。 將參照合適的圖示來描述該等單元系統中之每一者。 圖2示出該材料供應單元，其包括作為主部件之一洗滌酸槽、一濾液槽、一裝有Co/Mn觸媒之觸媒槽、及一HBr供應槽。 洗滌酸槽充當該系統之主要收集點，以再利用來自多個來源之乙酸，如以下描述中所述。然而，所再利用之乙酸之主要來源係來自除水塔(WRC)之底流(2)。洗滌酸槽亦用於收集來自排氣冷凝器(vent condenser)及真空系統(圖2中未示出)之無固體及無觸媒之酸。可自一相關聯之儲存供應(1)向此槽中添加新鮮乙酸，以便維持足夠水準之乙酸以支持在總體整合系統中乙酸之多種用途。較佳地，防止固體或觸媒污染此槽。 洗滌酸可提供用於對下述之一級產物過濾器(棕地)之洗滌。 來自洗滌酸槽之乙酸可作為噴射回流供應至一級氧化反應器之頂部，以防止在廢氣排氣中之固體夾帶(圖3)且促進水作為乙酸/水蒸氣分離而到達廢氣排氣系統。少量乙酸亦供應至向一級氧化器及二級氧化器饋送空氣之壓縮空氣管線以洗滌無固體之管線(未示出)。 來自洗滌酸槽之乙酸亦供應至濾液槽。濾液槽為用於含有觸媒及/或固體之再利用流之收集容器且供應有來自相關聯之觸媒供應槽之鈷、錳及溴化氫(HBr)。 來自洗滌酸槽之乙酸亦可用作第一過濾單元之旋轉壓力過濾器中之濾餅之洗滌液(圖9)。 如所指示，含有乙酸、水鈷、錳及溴之濾液、以及含有固體之任何其他乙酸流經再利用且收集於濾液槽中。 該觸媒為包含鈷、溴、及錳之均質液相系統。系統中觸媒之濃度可藉由監控處於所界定點之組分濃度及在適當時作出調整來控制。熟悉該項技術者可理解此種監控及控制。 所饋送至一級氧化反應器之濾液觸媒混合物之乙酸濃度可為總濾液進料重量之83至96重量%、較佳地85至94重量%、且最佳地88至93重量%。 濾液觸媒水準對於就產率及品質而言之氧化效能係重要的。過量觸媒應當避免，因為一旦觸媒在系統中，損失率可為相當低且可快速脫離控制。 在整個系統中，濾液槽及洗滌酸槽經連接至一製程排氣洗滌器(process vent scrubber)(未示出)，其回收及再利用在排氣至大氣之前來自蒸氣流之乙酸。 如圖3中所示之氧化單元包括一一級氧化反應器、一二級氧化反應器、及一脫氣器。 在對二甲苯之連續液相氧化進料期間，來自濾液槽之含觸媒之濾液、及空氣經饋送至一級氧化反應器(圖3)。所供應至一級氧化反應混合物之壓縮空氣可透過一空氣噴淋環管(air sparger-ring)饋送，該空氣噴淋環管位於一級氧化反應器之一最下區域中，較佳地位於一級氣泡塔氧化反應器中反應介質之總高度之最下10%內。壓縮空氣供應對二甲苯氧化及塔內反應混合物之攪動所需之氧化劑O2
。 以乾重計，經由氣體出口自反應器排出之氣態流出物中氧之時間平均濃度係較佳地處於約0.5至約9莫耳百分比之範圍內、更佳地處於約1至約7莫耳百分比之範圍內、且最佳地處於1.5至5莫耳百分比之範圍內。 經充氣之反應混合物可為基本上均質的且佔用一級氧化反應器之總容積之大約60至98%w、較佳地80至96%w、最佳地85至94%w。 所饋送至一級氧化反應混合物之對二甲苯之純度可為99.5%或更高、較佳地99.6%或更高、且最佳地99.7%或更高。 來自洗滌酸槽之相對無觸媒弱乙酸之再利用溶液透過蒸氣頂空(vapor head space)中之噴嘴饋送，如先前所述。回流流量(flow)可經調整以控制一級氧化器中之總反應體積。回流流之維持可用於控制去往以下段落中所述之除水塔之蒸氣流。該流之混亂會導致除水塔過載及可能對亦在以下段落中所述之廢氣處理系統之損壞。 溫度、壓力、及觸媒水準之組合產生一級氧化反應混合物中對二甲苯至對苯二甲酸之近乎完全之轉化。用於一級氧化之操作參數包括125至200℃、較佳地140至180℃、且最佳地150至170℃之溫度；2至12重量%、較佳地2至16重量%、且最佳地大約3重量%之含水量；300至6000 ppmw、較佳地700至4200 ppmw、且最佳地1200至3000 ppmw之鈷濃度；20至1000 ppmw、較佳地40至500 ppmw、且最佳地50至200 ppmw之錳含量；300至5000 ppmw、較佳地600至4000 ppmw、且最佳地900至3000 ppmw之溴含量。一級氧化反應混合物之總固體含量可為5至40重量%、較佳地10至35重量%、且最佳地15至30重量%。 位於一級氧化反應器之一最上部分中之一側取轉移管連接至二級氧化反應器(後氧化器)且允許經充氣之反應混合物流入後氧化器中，在該後氧化器中，經由一底部噴淋環管饋送額外的壓縮空氣。在最上的一級氧化反應介質內獲得的反應混合物包含粗品對苯二甲酸(CTA)之微粒固相及母液。CTA含有相對高水準之雜質(例如，4-羧基苯甲醛、對甲苯甲酸、芴酮、及其他有色體)。在自一級氧化反應器進入二級氧化反應器之漿液中存在的固體CTA顆粒可含有約15,000 ppm之4-羧基苯甲醛(4-CBA)及/或對甲苯甲酸。 所供應至本發明之氧化反應介質中之總壓縮空氣之大約80至99%經供應至一級氧化反應器且剩餘大約1%至20%經供應至後氧化器。根據本發明之實施例，在後氧化器之後未向系統中添加壓縮空氣或氧。 後氧化器以半塞流(semi-plug flow)方式操作，負責反應去除氧化器反應混合物中之液相對甲苯甲酸。 後氧化器經由向一脫氣器單元之一側取轉移而連接至脫氣器單元，且來自後反應器之經充氣之漿液在脫氣器單元中經分離成液體漿液底流及頂部氣體。 來自後反應器之底流中之CTA具有相對高含量之固相雜質諸如4-CBA。為進一步降低雜質水準，有必要提升溫度以再溶解晶體及反應去除雜質，其為如下所述之蒸煮單元中之蒸煮系統之目的。來自二級氧化反應器之底流漿液經由脫氣器而轉移至蒸煮系統，且頂部蒸氣經傳送至除水單元，如圖3所指示。 如圖4中所示之除水單元包括一除水塔。 除水塔(WRC)提供用於自連續製程系統移除水及控制氧化反應混合物之含水量之主要方法。 來自一級氧化反應器、二級反應器及脫氣器之氧化器單元頂部氣體經傳送至除水塔。WRC可為一裝備有塔盤及/或填料之蒸餾塔。一級氧化及二級氧化之氧化反應係放熱的且所產生的熱量氣化來自反應混合物漿液之乙酸、水及低沸點化合物。此蒸氣，與自一級氧化器、後氧化器及脫氣器中之每一者作為頂部蒸氣獲得的氮氣、未反應之氧、及少量一氧化碳及二氧化碳一起，經引入除水塔之底部。頂部蒸氣具有充足之熱能以操作除水塔。 除接收來自氧化單元之頂部蒸氣外，WRC亦可接收來自蒸煮單元之頂部蒸氣及來自濾液處理單元之膜分離器之膜水透過液。 來自除水塔之底流可包含約90%乙酸及10%水。整個製程中之含水量在該塔之底部經控制。水塔底流之一部分可作為濾餅之乙酸洗滌液直接泵送至旋轉壓力過濾器。 未用作濾餅之洗滌液之過量底流可透過一連串蒸汽發生器或至少一個蒸汽發生器(未示出)傳送，用於在壓縮機蒸汽渦輪機中發電。在蒸汽發生器之後，底流可在一冷卻單元中經冷卻且傳送至洗滌酸槽用於再利用回系統中，如先前所述。 底流之剩餘熱能可在去往洗滌酸槽之途中收集在一連串一或多個熱交換單元(未示出)中。 除水塔廢氣可傳送通過一或多個蒸汽發生器以將蒸氣熱能轉化成製程蒸汽，如圖5中所指示。圖1中僅示出一個發生器；然而，可包括串聯或平行之多個發生器以自氧化製程之放熱能量產生製程蒸汽。然後蒸氣可在冷凝器中經部分冷凝且蒸氣及冷凝液收集在WRC回流槽中，在該回流槽中，未冷凝之廢氣及冷凝液可經分離。在此階段收集的來自頂部蒸氣之冷凝液包含約99 wt%水及痕量乙酸及乙酸甲酯且可作為回流經泵送回除水塔之頂部或可作為廢水排放至廢物池。 廢氣在一高壓吸收器(HPA)中經洗滌以回收廢氣流中所包含之任何剩餘對二甲苯。在HPA之後，廢氣在一或多個預熱器單元中經加熱至150至240℃、較佳地170至220℃，之後經由一蒸氣-液體膨脹器傳送至壓縮空氣單元之廢氣膨脹器系統，在該廢氣膨脹器系統中，該流中所含之能量藉由膨脹回收且用於移動壓縮機組(compressor train)。 圖6示出壓縮空氣單元之示意圖。 空氣壓縮機根據如先前所述之反應需求提供壓縮製程空氣至一級氧化反應器及二級氧化反應器。空氣透過一入口過濾器(未示出)自大氣中取得且在一多級空氣壓縮機中經壓縮。熟悉該項技術者將認識到，可在本發明之界限及邊界內使用不同級數之壓縮機單元。在每一級後，壓縮空氣經冷卻水冷卻且自壓縮空氣冷凝之水在冷卻器間熱交換器中經分離。壓縮機之正常操作條件為301.325至2401.33 kPaA、較佳地401.325至1601.33 kPaA且最佳地601.325至1201.33 kPaA之排出壓力。 為壓縮空氣所需之動力係由一蒸汽渦輪機及接收來自HPA之經預熱廢氣之廢氣膨脹器提供，蒸汽渦輪機及廢氣膨脹器均安裝在與壓縮機相同的軸上。蒸汽渦輪機中所用之蒸汽可在製程內產生，包括自如先前所述來自WRC之頂部氣體之熱能產生，及自如先前所述在轉移至洗滌酸槽期間WRC之底流之熱能產生。 在圖5中所示之膨脹器單元(乾式膨脹器)之替代實施例中，WRC廢氣可如圖7中示意性地示出那般(濕式膨脹器)處理。 離開除水塔之熱頂部蒸氣處於其露點。該流之冷凝可導致形成氫溴酸(HBr)，其為高腐蝕性的。為避免此問題且為有效地回收及利用廢氣流中可用之能量，來自WRC之廢氣流可首先在一或多個氣體預熱器中過熱。廢氣預熱器可使用高壓蒸汽或任何其他傳熱介質。經過熱之WRC廢氣可傳遞通過一蒸氣-液體膨脹器至圖6中所示之壓縮空氣單元廢氣膨脹器(渦輪膨脹器)，以直接回收過熱流中所含之能量。 在離開渦輪膨脹器後，廢氣經傳送至一或多個蒸汽發生器以產生低壓蒸汽。在蒸汽發生器後，所有蒸氣在一冷凝器中經部分冷凝且收集在一除水回流槽中。該水然後可作為回流液體返回至WRC。 馬達發電機可以發電機模式使用，以自氧化製程之正常操作期間可用之剩餘能量產生電能。在壓縮機組啟動期間，馬達-發電機可用作驅動馬達。 在乾式或濕式膨脹器實施例中，在氧化單元中放熱氧化反應中產生值能量經收集且至少用於驅動為一級及二級氧化反應器供應壓縮空氣之空氣壓縮機單元。 圖8中示意性地示出蒸煮單元。 如先前所述，經由脫氣器單元自後氧化器獲得的底流漿液之CTA包含中度高水準之雜質，其可經由進一步氧化而反應以產生對苯二甲酸。來自脫氣單元之後氧化器漿液可處於125至200℃、較佳地140至180℃、且最佳地150至170℃之溫度。為了部分地溶解CTA晶體，漿液可經加熱至180至240℃、較佳地190至220℃、且最佳地200至216℃之溫度。圖8中示出一個加熱器。然而，熟悉該項技術者將認識到，在此階段可使用一連串加熱器。 經加熱之後氧化器漿液底流可經泵送至一蒸煮單元，如圖8中所指示。在蒸煮器中之高溫下，對二甲苯之部分氧化產物(對甲苯甲酸及4-CBA)可經氧化成對苯二甲酸，從而產生對二甲苯至PTA之更完全轉化。關於達成對二甲苯至PTA之高轉化率之主要障礙係與氧擴散至所內含在對苯二甲酸中之4-CBA及對甲苯甲酸相關之傳質限制。為達成高於99%之轉化率，需要克服此等傳質限制。此可藉由在如先前所述180至240℃之溫度範圍內及在790至2515 KPa之壓力下操作蒸煮器單元完成。 根據本發明之實施例，壓縮空氣未供應至蒸煮器以完成氧化蒸煮製程。此可與習知蒸煮系統形成對比，在習知蒸煮系統中，某種形式之氧經直接注入蒸煮反應器中。本發明人意外地發現，在如上所述本發明之控制下，充足的殘留氧經保留在後氧化器漿液底流中，以藉由控制蒸煮反應器內之溫度及壓力而驅動氧化成對苯二甲酸。蒸煮器反應器可裝備有一攪動系統，該攪動系統包括處於一穩定的軸承安裝之軸上之若干軸安裝之葉片，以便提供對漿液之充足攪動。 來自蒸煮器單元之廢氣可經傳遞至WRC用於除水、回收酸、及捕獲利用如先前所述存在的熱能。 在蒸煮器單元中處理後，漿液可經轉移至一結晶槽(結晶器)，在該結晶槽中，溫度經降低至130至200℃、較佳地150至180℃、且最佳地160至170℃之範圍。結晶器可經攪動器攪動以保持固體懸浮。 來自結晶器之廢氣可經傳送至一熱交換加熱器，以便加熱用於在去往蒸煮單元之途中加熱後氧化器漿液底流之蒸汽。用於製備蒸汽之此種熱能控制可藉由一機械蒸氣再壓縮系統完成，該機械蒸氣再壓縮系統之機理係熟悉該項技術者所一般熟知的。圖8中未指示此能量再捕獲。 在結晶單元中處理後，漿液可經轉移至一閃蒸冷卻系統，其包括一真空閃蒸槽(VFT)。在閃蒸冷卻系統中，對來自結晶單元之漿液產物進行受控制之冷卻以避免固體堵塞系統。 進入閃蒸冷卻系統之漿液之固體含量可為20至60重量%、較佳地25至50重量%、且最佳地30至40重量%。 在閃蒸槽中，閃蒸冷卻系統內之溫度可為40至110℃、較佳地50至100℃、最佳地60至90℃。在閃蒸槽中，幾乎所有不可溶的材料經沉澱或自溶液中結晶。在閃蒸槽中產生之蒸氣可經傳遞至一冷凝器系統，在該冷凝器系統中，剩餘乙酸可經回收。任何剩餘的不可冷凝氣體皆可自系統中移除。用於VFT之輔助設備為熟悉該項技術者所熟知之習知設備且在圖8中未示出。 經閃蒸冷卻之產物漿液可經傳送至第一過濾單元，在該第一過濾單元中，形成於結晶器中之固體在一旋轉壓力過濾器中自母液分離。該過濾器係加壓的且由多個活動區構成。在壓力過濾器中，PTA係作為固體濕餅自漿液分離。自所述之旋轉壓力過濾器收集之濾液經傳送至材料供應單元之濾液槽。 如以上段落中所述，在根據本發明之製程中，由於放熱氧化反應而產生的熱能可經捕獲以產生機械能，以至少運轉供應壓縮空氣至一級及二級氧化反應器之空氣壓縮機。此外，連續氧化之含水量且因此氧化之反應性及效率係藉由移除自除水塔廢氣冷凝之水之至少一部分而控制。 因此，在第一實施例中，本發明提供一種用於製備芳族二羧酸之連續方法，其包含： 在觸媒存在下，在一級氣泡塔反應器中在乙酸反應介質中用壓縮空氣氧化經二烷基取代之芳族化合物； 自該一級氣泡塔反應器中移除含有觸媒之該三相反應介質之一部分至一供應有壓縮空氣之後氧化氣泡塔單元； 轉移該後氧化之反應介質至一脫氣單元且將該後氧化反應介質分離成頂部氣體及底流漿液； 收集來自該一級氧化反應器及該後氧化反應器中之每一者之頂部氣體與來自該脫氣單元之該頂部氣體且將經合併之頂部氣體引導至一除水塔； 轉移來自該脫氣單元之該底流漿液至包括串聯之至少兩個蒸煮反應槽之一蒸煮單元，其中該底流漿液之溫度經增加至可至少部分溶解沉澱之固體且達成用該底流漿液中存在之空氣及觸媒進一步氧化暴露之中間氧化產物而不向該蒸煮單元添加空氣之溫度，以獲得最終氧化漿液； 移除來自該蒸煮單元之頂部氣體至該除水塔； 使該最終氧化漿液結晶以獲得該芳族二羧酸之待過濾漿液； 在一旋轉壓力過濾器上過濾該待過濾漿液以獲得母液濾液及濾餅； 其中 經傳送至該除水塔之該等頂部氣體在該除水塔中經分離成自該塔之頂部移除之包含蒸汽之廢氣及包含乙酸之底流液體， 收集且利用該包含蒸汽之廢氣之至少一部分能量以驅動一空氣壓縮機將壓縮空氣供應至該氣泡塔一級反應器及該後氧化氣泡塔單元，且 藉由移除自該除水塔廢氣冷凝之水控制該連續氧化之含水量。 在指定為圖5中示意性地示出之乾式膨脹器之態樣中，經收集且利用以驅動空氣壓縮機之包含蒸汽之廢氣之能量可藉由以下步驟獲得：將來自除水塔之包含蒸汽之廢氣傳送通過至少一個熱交換蒸汽發生器以利用廢氣之熱能產生製程蒸汽及一經熱交換之流；自該經熱交換之流收集及移除經冷凝之水以獲得一加壓之蒸氣流；及將該加壓之蒸氣流傳送至一氣體膨脹器以驅動空氣壓縮機。 在指定為圖7中示意性地示出之濕式膨脹器之態樣中，經收集且利用以驅動空氣壓縮機之包含蒸汽之廢氣之能量可藉由以下步驟獲得：使來自除水塔之包含蒸汽之廢氣在至少一個預熱器中過熱；移除任何；將經過熱之廢氣傳送至一氣體膨脹器以驅動空氣壓縮機；及將來自膨脹器之經膨脹之流傳送至至少一個熱交換蒸汽發生器以產生製程蒸汽及一經熱交換之流；及自該經熱交換之流收集及移除經冷凝之水。 如先前所述，在第一實施例之一個態樣中，該經二烷基取代之芳族化合物為對二甲苯且該芳族二羧酸為對苯二甲酸。 如圖9中示意性地示出，在指定為棕地態樣之第一實施例之態樣中，在旋轉壓力過濾器之第一過濾區中之初始濾餅層可用多次乙酸洗滌操作洗滌，以自最終產物濾餅移除雜質及觸媒。自過濾得到的含有觸媒之母液經收集且轉移至材料單元中之濾液槽。此等母液可視情況地傳送通過諸如燭式過濾機(candle filter)等過濾器以移除固體，之後傳送至濾液槽。洗滌之後可接著在旋轉壓力過濾器之熱氮乾燥區中處理，以至少部分地移除濾餅中存在的乙酸及水。旋轉壓力過濾器係加壓的且包含多個活動的過濾、洗滌及氮氣進料區。然後可將濾餅輸送至一適用於乾燥移除乙酸之乾燥單元，諸如例如，一旋轉空心螺旋乾燥器(hollow screw dryer)，在該乾燥單元中，濾餅經蒸汽加熱以在濾餅通過乾燥器時自其中蒸發實質上全部之乙酸。經氣化之乙酸可透過該項技術中習知的一排氣洗滌器系統移除且經乾燥之粉末經收集且轉移至純化單元。 圖10中示意性地示出指定為綠地實施例之連續氧化製程之第二實施例。根據該實施例，來自VFT之經閃蒸冷卻之產物漿液可經傳送至第一過濾單元中之旋轉壓力過濾器，其中形成於結晶器中之固體在旋轉壓力過濾器中自母液分離。該過濾器係加壓的且由多個活動區構成。然而，不同於棕地態樣，在綠地實施例中，移除母液後在旋轉壓力過濾器之第一過濾區中之初始濾餅用熱水(90至100℃)洗滌，該熱水係回收自在除水塔回流槽中收集之氧化頂部氣體。然後該經水洗滌之濾餅在一乾燥區中處理，該乾燥區提供用於使用穿過布至濾餅之熱氮氣對濾餅進行部分去水。經水洗滌、經部分去水之濾餅自壓力過濾器排出且直接輸送至純化單元而不需要任何進一步的乾燥操作。 自旋轉壓力過濾器收集之母液濾液經傳送至濾液槽，視情況地在去往濾液槽之途中經過濾以移除固體。自旋轉壓力過濾器收集之洗滌水經傳送至WRC。 如先前所述，濾液接收器及轉移管線與一洗滌器系統連通。 圖11示出在棕地及綠地實施例中均使用的一純化單元之示意圖。在棕地製程中，來自乾燥器之經乾燥之濾餅在溶解器槽中溶解，而在綠地製程中，潮濕濾餅在溶解器中溶解。圖11中將兩種材料總體地指定為TA餅。可採用習知氫化製程，其中對苯二甲酸餅溶解在水中且對溶液進行催化氫化以將所保留之雜質轉化成更合需要且/或可容易分離之化合物。氫化可在280至290℃下進行，其中對苯二甲酸處於溶液中且所保留之雜質對反應可用。在氫化處理後，所溶解之對苯二甲酸可經由多個結晶步驟選擇性地自經氫化之溶液沉澱，且所得到的結晶漿液經傳送至第二過濾單元用於經由過濾進行最終分離。圖11中示出一個結晶器；然而，所採用的結晶器之數目可根據製程之設計及控制參數而變化。在多個結晶單元中各級結晶之控制可允許逐步的溫度降低，以促使在經傳送至第二過濾單元進行分離之最終結晶漿液中形成具有目標大小及分佈之產物之顆粒。 圖12示出第二過濾單元之示意圖。最終結晶對苯二甲酸漿液可在一旋轉壓力過濾器上過濾以自濾液分離結晶PTA。旋轉壓力過濾器之各個區可如先前對於第一過濾單元之旋轉壓力過濾器所述那樣進行操作。濾餅可經洗滌且接著用熱氮氣吹洗以移除所保留之水，之後排出用於進一步合成中之效用。母液濾液經收集且接著傳送通過一過濾器以移除任何固體，其穿過過濾器且接著在一膜系統中處理以獲得一水透過液，該水透過液可作為回流液體返回至除水塔。 如上所述，藉由透過蒸汽產生而收集氧化反應中產生之放熱能量及頂部蒸氣之受控制膨脹以驅動壓縮機組，棕地及綠地實施例提供了製程能量需求之顯著降低。另外，藉由如上所述將水性冷凝液及濾液再利用於WRC，顯著節約了水的利用。此外，藉由在WRC處控制製程含水量，氧化製程之效率、以及產物之品質及產率可得以顯著改良。 綠地實施例不僅提供了棕地實施例之能量節省及水節約，而且藉由消除用於移除乙酸之CTA濾餅之耗能乾燥操作，提供了附加的能量節省。此外，消除了乾燥單元之投資成本及操作成本。兩個實施例提供了就能量節省及維護要求而言，超過CSTR反應器的氣泡塔反應器之優勢。 呈現以上描述以使熟悉該項技術者能夠作出及利用本發明，且該描述係在特定應用及其要求之背景下提供。熟習該項技術者將顯而易見此等較佳實施例之各種更改，且本文所界定之一般原則可在並不偏離本發明之精神及範疇之情況下應用於其他實施例及應用。因此，本發明不意欲限制於所示出之實施例，而應當賦予其與文中所揭示之原則及特徵相一致的最廣泛之範疇。圖示中所示之示意圖展示出各個實施例中所使用的主要設備之組織及佈置。然而，熟悉該項技術者應認識到，其他附屬及支持設備在實際操作系統中將為必要的。此等用於支持所示出之單元之功能性設備處於本發明之實施例之範疇內。就此而言，本發明內之某些實施例可未示出經廣泛考慮之本發明之所有益處。
對本公開及其許多附帶優勢之更全面瞭解將容易獲得，因為這藉由結合隨附圖示參照以下詳細描述而變得更好理解，其中： 圖1示出在根據本發明之各種實施例之方法中所採用的單元系統之示意圖。 圖2示出根據本發明之一實施例之材料供應及再利用單元之佈置示意圖。 圖3示出根據本發明之一實施例之氧化單元之佈置示意圖。 圖4示出根據本發明之一實施例之除水單元之佈置示意圖。 圖5示出根據本發明之一實施例之膨脹器單元之佈置示意圖(乾式膨脹器)。 圖6示出根據本發明之一實施例之壓縮空氣供應單元之佈置示意圖。 圖7示出根據本發明之一實施例之替代膨脹器單元之佈置示意圖(濕式膨脹器)。 圖8示出根據本發明之一實施例之蒸煮單元之佈置示意圖。 圖9示出根據本發明之一實施例之第一過濾單元之佈置示意圖(棕地(Brownfield))。 圖10示出根據本發明之一實施例之第一過濾單元之佈置示意圖(綠地(Greenfield))。 圖11示出根據本發明之一實施例之純化單元之佈置示意圖。 圖12示出根據本發明之一實施例之第二過濾單元之佈置示意圖。