JPS63265453A - 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS63265453A JPS63265453A JP62100631A JP10063187A JPS63265453A JP S63265453 A JPS63265453 A JP S63265453A JP 62100631 A JP62100631 A JP 62100631A JP 10063187 A JP10063187 A JP 10063187A JP S63265453 A JPS63265453 A JP S63265453A
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- plating
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
この発明は、集積回路（ＩＣ）チップなどの半導体素子
の組立てに用いられる＊ｍｉ封止型の半導体用リードフ
レームの製造方法に関するものである。
の組立てに用いられる＊ｍｉ封止型の半導体用リードフ
レームの製造方法に関するものである。
この種の半導体用リードフレームは、第２図に示すよう
に、所定数に区分されたリードフレーム素体としてのフ
レーム枠５と、このフレーム枠の中央部分に支持された
半導体素子載置部６と、該載置部６に搭載される半導体
素子の各々の電極端子をワイヤ線を介して外部へ導出す
るための外部接続用の複数のリード７を具備し、これら
リード７が、半導体素子載置部６の周辺にそれぞれ所定
の間隔をもって放射状に配設された内部リード部８と、
該内部リード部８の他端側に互いに連接して平行に配設
された外部リード部９により構成されている。また前記
各リード７の中間部分には、これらリード７の離間位置
を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外部
へ漏出するのを防止するためにタイバー１０が一体に連
結されている。
に、所定数に区分されたリードフレーム素体としてのフ
レーム枠５と、このフレーム枠の中央部分に支持された
半導体素子載置部６と、該載置部６に搭載される半導体
素子の各々の電極端子をワイヤ線を介して外部へ導出す
るための外部接続用の複数のリード７を具備し、これら
リード７が、半導体素子載置部６の周辺にそれぞれ所定
の間隔をもって放射状に配設された内部リード部８と、
該内部リード部８の他端側に互いに連接して平行に配設
された外部リード部９により構成されている。また前記
各リード７の中間部分には、これらリード７の離間位置
を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外部
へ漏出するのを防止するためにタイバー１０が一体に連
結されている。
ところで、このようなリードフレームを用いて半導体装
置を製造する場合、半導体素子の組立てに際しては、リ
ードフレームに部分的なボンディング用金属メッキを施
すことが行われる。
置を製造する場合、半導体素子の組立てに際しては、リ
ードフレームに部分的なボンディング用金属メッキを施
すことが行われる。
これら従来の方ｉによる半導体用リードフレームは、第
３図（＆）〜（ｅ）に示すような過程により製造されて
いた。すなわち、第３図（、）に示す鉄ニツケル合金、
又は銅合金などの金属箔１を第３図（ｂ）において示す
ようにリードフレーム形状に加工する工程８１により成
形された半導体用リードフレームを第３図（ｅ）に示す
部分的なボンディング用金属メッキ２を施す工程Ｓ！を
経た後、第２図に示すような半導体用リードフレームが
製造されていた。図中、第３図（ｂ）、（ｅ）は第３図
（ａ）に示したｃ−ｃ’断面から示した図である。部分
的なボンディング用金属メッキ２を施す工程８２におい
ては、第４図に示すように、リードフレームの一方の面
にそのチップボンディングエリアを含む領域１１（第２
図参照）を確保すべく形成されたマスク１３を配し、他
方の面にスポンジなどの弾性材料によるリードフレーム
押さえ部材１４を圧接することにより、上記領域１１内
の半導体素子載置部６および内部リード部８に金２ｗＩ
なとのボンディング用金属メッキ２が付着されている。
３図（＆）〜（ｅ）に示すような過程により製造されて
いた。すなわち、第３図（、）に示す鉄ニツケル合金、
又は銅合金などの金属箔１を第３図（ｂ）において示す
ようにリードフレーム形状に加工する工程８１により成
形された半導体用リードフレームを第３図（ｅ）に示す
部分的なボンディング用金属メッキ２を施す工程Ｓ！を
経た後、第２図に示すような半導体用リードフレームが
製造されていた。図中、第３図（ｂ）、（ｅ）は第３図
（ａ）に示したｃ−ｃ’断面から示した図である。部分
的なボンディング用金属メッキ２を施す工程８２におい
ては、第４図に示すように、リードフレームの一方の面
にそのチップボンディングエリアを含む領域１１（第２
図参照）を確保すべく形成されたマスク１３を配し、他
方の面にスポンジなどの弾性材料によるリードフレーム
押さえ部材１４を圧接することにより、上記領域１１内
の半導体素子載置部６および内部リード部８に金２ｗＩ
なとのボンディング用金属メッキ２が付着されている。
なお、第４図中筒号１５はメッキ液の流れ方向を示す。
そして、このメッキ後、その半導体素子載置部６に半導
体素子（図示せず）をチップボンディングし、該半導体
素子の各々の電極端子とリード７の各内部リード部８と
のワイヤボンディングを行う。次いで通常、樹脂封止工
程にて半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部８
を樹脂封止した後、フレーム枠５およびタイバー１０を
切離することによす、樹脂封止型半導体装置が製造され
る。なお、第２図中、点線で囲まれた領域１２は半導体
封止用樹脂領域を示し、この樹脂領域１２内に含まれる
半導体素子載置部６の一部をなすリード片６ａも通常内
部リード部と称している。
体素子（図示せず）をチップボンディングし、該半導体
素子の各々の電極端子とリード７の各内部リード部８と
のワイヤボンディングを行う。次いで通常、樹脂封止工
程にて半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部８
を樹脂封止した後、フレーム枠５およびタイバー１０を
切離することによす、樹脂封止型半導体装置が製造され
る。なお、第２図中、点線で囲まれた領域１２は半導体
封止用樹脂領域を示し、この樹脂領域１２内に含まれる
半導体素子載置部６の一部をなすリード片６ａも通常内
部リード部と称している。
しかし、上記した従来の半導体用リードフレームの製造
方法においては、リードフレーム形状に加工された半導
体用リードフレームに部分的なボンディング用金属メッ
キ２を施す場合に、内部リード部８の側面８ａとリード
フレーム押さえ部材１４との間の空間１６（第４図参照
）にメッキ液が流れ込み、金属メッキが析出しやすい。
方法においては、リードフレーム形状に加工された半導
体用リードフレームに部分的なボンディング用金属メッ
キ２を施す場合に、内部リード部８の側面８ａとリード
フレーム押さえ部材１４との間の空間１６（第４図参照
）にメッキ液が流れ込み、金属メッキが析出しやすい。
これは隣接するリード７間のピッチが縮小化するに伴っ
て著しくなり、特に半導体用樹ｍ領域１２外に到達した
場合には、金属メッキと封止用ｔ！Ｒ脂の密着力の問題
から半導体の信頼性を低下させる問題点があった。また
、ボンディング用金属メッキの下地メッキとして異種金
属メッキを施し、樹膿封止後、下地メッキを薬品により
剥離した場合には、薬品により剥離されないボンディン
グ用金属メッキがヒゲ状となり、他の外部リード９に接
触するという問題点があった。また、部分的なボンディ
ング用金属メッキを施す際に、リードフレーム押さえ部
材１４に圧接された半導体素子載置部６および内部リー
ド部８が変形するという問題点があった。
て著しくなり、特に半導体用樹ｍ領域１２外に到達した
場合には、金属メッキと封止用ｔ！Ｒ脂の密着力の問題
から半導体の信頼性を低下させる問題点があった。また
、ボンディング用金属メッキの下地メッキとして異種金
属メッキを施し、樹膿封止後、下地メッキを薬品により
剥離した場合には、薬品により剥離されないボンディン
グ用金属メッキがヒゲ状となり、他の外部リード９に接
触するという問題点があった。また、部分的なボンディ
ング用金属メッキを施す際に、リードフレーム押さえ部
材１４に圧接された半導体素子載置部６および内部リー
ド部８が変形するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボンディング用金属メッキをその領域内にと
どめるとともに半導体素子及び内部リードの変形のない
信頼度の高いかつ精度の高い半導体装置を得ることので
きる半導体用リードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
たもので、ボンディング用金属メッキをその領域内にと
どめるとともに半導体素子及び内部リードの変形のない
信頼度の高いかつ精度の高い半導体装置を得ることので
きる半導体用リードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
この発明に係る半導体用リードフレームの製造方法は、
半導体素子載置部および各内部リード部となる位置にボ
ンディング用金属メッキを施した後、リードフレーム形
状に加工する製造方法を採用したものである。
半導体素子載置部および各内部リード部となる位置にボ
ンディング用金属メッキを施した後、リードフレーム形
状に加工する製造方法を採用したものである。
この発明においては、リードフレーム用金属箔に部分的
なボンディング用金属メッキを施した後、リードフレー
ム形状に加工することにより、金属メッキの内部リード
側面部での金属メッキ領域外への漏れを防止することが
できるとともに、半導体素子載置部及び内部リードの変
形を防止することができる。
なボンディング用金属メッキを施した後、リードフレー
ム形状に加工することにより、金属メッキの内部リード
側面部での金属メッキ領域外への漏れを防止することが
できるとともに、半導体素子載置部及び内部リードの変
形を防止することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による半導
体用リードフレームの製造工程を示す概略フローである
。この実施例による半導体用リードフレームは、金ニツ
ケル合金又は銅合金の金属箔１に位置決め用の穴３加工
を施す位置決め穴加工工程Ｓ１と、位置決め六３を利用
し、金属箔１に部分的なボンディング用金属メッキ２を
施す金属メッキ工程Ｓ２！！た後フォトエツチングプロ
セスによりリードフレーム形状を形成するフォトエツチ
ング工程８３におけるレジスト４を塗布する工程Ｓ３１
、エッチング工程Ｓ３２．レジスト除去工程Ｓ３ｓによ
り、第２図のような半導体用リードフレームを成形する
ものである。
体用リードフレームの製造工程を示す概略フローである
。この実施例による半導体用リードフレームは、金ニツ
ケル合金又は銅合金の金属箔１に位置決め用の穴３加工
を施す位置決め穴加工工程Ｓ１と、位置決め六３を利用
し、金属箔１に部分的なボンディング用金属メッキ２を
施す金属メッキ工程Ｓ２！！た後フォトエツチングプロ
セスによりリードフレーム形状を形成するフォトエツチ
ング工程８３におけるレジスト４を塗布する工程Ｓ３１
、エッチング工程Ｓ３２．レジスト除去工程Ｓ３ｓによ
り、第２図のような半導体用リードフレームを成形する
ものである。
また第１図（ｅ）、 （ｄ）、 （ｅ）は第１図（ｂ）
のＡ−Ａ’断面から示した図である。
のＡ−Ａ’断面から示した図である。
なお、上記実施例では部分的なボンディング用金属メッ
キ２を第１図（ｄ）に示すエツチング工程Ｓ３ｙにより
取り除かれる部分にまで施していたが、半導体素子載置
部６及び内部リード８などのボンディングに必要な部分
にのみ部分的なボンディング用金属メッキ２を施しても
よいことは勿論であり、ボンディング用金属メッキ材料
の節約ができる。
キ２を第１図（ｄ）に示すエツチング工程Ｓ３ｙにより
取り除かれる部分にまで施していたが、半導体素子載置
部６及び内部リード８などのボンディングに必要な部分
にのみ部分的なボンディング用金属メッキ２を施しても
よいことは勿論であり、ボンディング用金属メッキ材料
の節約ができる。
以上のようにこの発明によれば、部分的な金属メッキを
リードフレーム形状形成前に実施する製造方法をとるこ
とにより、金属メッキ領域外へのメッキ漏れが防止でき
ると共に半導体素子載置部及び内部リード部の変形を防
止することができ、信頼度の高い、精度の高い半導体用
リードフレームを得られる効果がある。
リードフレーム形状形成前に実施する製造方法をとるこ
とにより、金属メッキ領域外へのメッキ漏れが防止でき
ると共に半導体素子載置部及び内部リード部の変形を防
止することができ、信頼度の高い、精度の高い半導体用
リードフレームを得られる効果がある。
第１図（＆）〜（ｅ）は、この発明の一実施例による半
導、体用リードフレームの製造フロー図、第２図−図、
第４図は従来の半導体用リードフレームに部分的な金属
メッキを施す場合の第２図のＢ −Ｂ’断面図である。 Ｓｌ・・・位置決め穴加工工程、Ｓ２・・・部分的なボ
ンディング用金属メッキ工程、Ｓ３・・・フォトエツチ
ング工程、Ｓ３１・・・レジスト塗布工程、Ｓ３２・・
・エツチング工程、Ｓ３３・・・レジスト除去工程、１
・・・半導体用リードフレーム用金属箔、２・・・部分
的なボンディング用金属メッキ、４・・・レジスト、５
・・フレーム枠、６ ・半導体素子載置部、７・・・リ
ード、８・・・内部リード、９・・・外部リード、１０
・・・タイバー、１１・・・ボンディング用金属メッキ
領域、１２・・・半導体封止用樹脂領域、１３・・・マ
スク、１４・・・リードフレーム押さえ部材。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増雄（外２名） 第３図 第４図 １°事件０表示 特願昭 ６２−１００６３１号２
、発明の名称 半導体用リードフレームの製造方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和６２年７月２８日（発送日）
６、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書筒９頁１５行目に「第１図（ａ） 〜（ｅ
）は、この発明の一実施例による半導体リードフレーム
の製造フロー図」とあるを、「第１図はこの発明の一実
施例による半導体リードフレームの製造フロー図」と補
正する。 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ６２−１００６３１号２
、発明の名称 半導体用リードフレームの製造方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ゛＼μノ仏、・ ５、補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第７頁第６行目に「金ニツケル合金」と
あるを、「鉄ニツケル合金」と補正する。 （２）図面第４図を別紙のとおり補正する。 ７、添付書類 （１）補正図面 １通第４
図
導、体用リードフレームの製造フロー図、第２図−図、
第４図は従来の半導体用リードフレームに部分的な金属
メッキを施す場合の第２図のＢ −Ｂ’断面図である。 Ｓｌ・・・位置決め穴加工工程、Ｓ２・・・部分的なボ
ンディング用金属メッキ工程、Ｓ３・・・フォトエツチ
ング工程、Ｓ３１・・・レジスト塗布工程、Ｓ３２・・
・エツチング工程、Ｓ３３・・・レジスト除去工程、１
・・・半導体用リードフレーム用金属箔、２・・・部分
的なボンディング用金属メッキ、４・・・レジスト、５
・・フレーム枠、６ ・半導体素子載置部、７・・・リ
ード、８・・・内部リード、９・・・外部リード、１０
・・・タイバー、１１・・・ボンディング用金属メッキ
領域、１２・・・半導体封止用樹脂領域、１３・・・マ
スク、１４・・・リードフレーム押さえ部材。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増雄（外２名） 第３図 第４図 １°事件０表示 特願昭 ６２−１００６３１号２
、発明の名称 半導体用リードフレームの製造方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和６２年７月２８日（発送日）
６、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書筒９頁１５行目に「第１図（ａ） 〜（ｅ
）は、この発明の一実施例による半導体リードフレーム
の製造フロー図」とあるを、「第１図はこの発明の一実
施例による半導体リードフレームの製造フロー図」と補
正する。 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ６２−１００６３１号２
、発明の名称 半導体用リードフレームの製造方法 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ゛＼μノ仏、・ ５、補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第７頁第６行目に「金ニツケル合金」と
あるを、「鉄ニツケル合金」と補正する。 （２）図面第４図を別紙のとおり補正する。 ７、添付書類 （１）補正図面 １通第４
図
Claims (2)
- （１）少なくとも半導体素子を搭載する半導体素子載置
部と、該半導体素子載置部の周辺にそれぞれ所定の間隔
をもって配設された複数のリードをフレーム枠に一体に
連結してなる半導体用リードフレームにおいて、前記半
導体素子載置部および各リードのボンディング用金属メ
ッキを施すべき内部リード部となる位置にボンディング
用金属メッキを施した後、前記半導体用リードフレーム
の形状に加工することを特徴とする半導体用リードフレ
ームの製造方法。 - （２）半導体用リードフレームの形状をフォトエッチン
グ加工により実施することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100631A JPS63265453A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| KR1019880000023A KR880013238A (ko) | 1987-04-22 | 1988-01-06 | 반도체용 리이드 플레임의 제조방법 |
| DE3813701A DE3813701A1 (de) | 1987-04-22 | 1988-04-22 | Verfahren zur herstellung eines leiterrahmens fuer halbleitervorrichtungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100631A JPS63265453A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265453A true JPS63265453A (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=14279184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100631A Pending JPS63265453A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265453A (ja) |
| KR (1) | KR880013238A (ja) |
| DE (1) | DE3813701A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283644A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
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| JPH0220149A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Fujitsu Ltd | パケット通信における送受信制御方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1249360A (en) * | 1967-12-30 | 1971-10-13 | Sony Corp | Lead assembly and method of making the same |
| DE2419157C3 (de) * | 1974-04-20 | 1979-06-28 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Metallischer Träger für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
| FR2466860A1 (fr) * | 1979-10-05 | 1981-04-10 | Radiotechnique Compelec | Procede de soudure d'un cristal semi-conducteur sur un support metallique et dispositif semi-conducteur comportant un cristal de silicium et un support nickele reunis par ce procede |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100631A patent/JPS63265453A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-06 KR KR1019880000023A patent/KR880013238A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-04-22 DE DE3813701A patent/DE3813701A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JPH03283644A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880013238A (ko) | 1988-11-30 |
| DE3813701A1 (de) | 1988-11-03 |
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