JPS63263783A - 超電導発光体 - Google Patents
超電導発光体Info
- Publication number
- JPS63263783A JPS63263783A JP62097316A JP9731687A JPS63263783A JP S63263783 A JPS63263783 A JP S63263783A JP 62097316 A JP62097316 A JP 62097316A JP 9731687 A JP9731687 A JP 9731687A JP S63263783 A JPS63263783 A JP S63263783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- light
- injected
- light emitting
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1683—Solid materials using superconductivity, e.g. provided with Josephson junctions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超電導体を利用した発光体に係り、特に作成
容易な超電導発光体に関する。
容易な超電導発光体に関する。
［従来の技術］
従来、レーザ等の発光体に関しては、アプライド・フィ
ジックス・レターズ、３９．（１９８１年）第７８６頁
から第７８８頁（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ。
ジックス・レターズ、３９．（１９８１年）第７８６頁
から第７８８頁（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、、３９ （１９７８）ｐｐ、７８６−７８
８）において論じられている如く、半導体を材料とする
レーザが主に用いられていた。
８）において論じられている如く、半導体を材料とする
レーザが主に用いられていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上記従来技術は、半導体結晶を用いているため、完全な
半導体結晶を作製しなければ、キャリアが格子欠陥等に
捕獲されてしまい、発光効率が極端に低下する欠点があ
った。
半導体結晶を作製しなければ、キャリアが格子欠陥等に
捕獲されてしまい、発光効率が極端に低下する欠点があ
った。
本発明の目的は、セラミックス等の比較的容易に作製す
ることができる材料を用いてレーザ等の発光体を作製す
ることにある。
ることができる材料を用いてレーザ等の発光体を作製す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的は、超電導体中のクーパ一対が生成するフェル
ミレベル°を中心とするエネルギーギャップを利用する
ことにより、達成される。超電導状態は、その有限のコ
ヒーレンス長のため、セラミックスのような単結晶でな
い物質でも容易に形成される長所を有する。第１図は、
クーパ一対のエネルギーギャップ間の遷移を用いた発光
ダイオード、またはレーザの構成を示したもので、常電
導体から高いエネルギー状態の電子が超電導体に注入さ
れ、いわゆる準粒子を形成する。この注入された準粒子
はエネルギーギャップ２Δに対応する光を放出して超電
導状態に遷移する。注入電子が多数であれば、遷移は誘
導発光的に行なわれ、いわゆるレーザ発振が生じるが、
注入電子が比較的少数であれば、発光ダイオードとして
働く、このように、セラミックス等の結晶性の劣悪な物
質でも、発光あるいは、レーザ発振が生じることになる
。
ミレベル°を中心とするエネルギーギャップを利用する
ことにより、達成される。超電導状態は、その有限のコ
ヒーレンス長のため、セラミックスのような単結晶でな
い物質でも容易に形成される長所を有する。第１図は、
クーパ一対のエネルギーギャップ間の遷移を用いた発光
ダイオード、またはレーザの構成を示したもので、常電
導体から高いエネルギー状態の電子が超電導体に注入さ
れ、いわゆる準粒子を形成する。この注入された準粒子
はエネルギーギャップ２Δに対応する光を放出して超電
導状態に遷移する。注入電子が多数であれば、遷移は誘
導発光的に行なわれ、いわゆるレーザ発振が生じるが、
注入電子が比較的少数であれば、発光ダイオードとして
働く、このように、セラミックス等の結晶性の劣悪な物
質でも、発光あるいは、レーザ発振が生じることになる
。
ここで、常電導体と超電導体との間に、絶縁体をはさん
でも、常電導体からの準粒子の注入は可能である。また
、注入する準粒子の数を増加させるだめには、Ｊ’＋Ｆ
電導体のフェルミレベルが超電導体のフェルミレベルよ
り高いことが望ましい。
でも、常電導体からの準粒子の注入は可能である。また
、注入する準粒子の数を増加させるだめには、Ｊ’＋Ｆ
電導体のフェルミレベルが超電導体のフェルミレベルよ
り高いことが望ましい。
また、超電導体を光共振器とすれば、容易にレーザ作用
が実現する。
が実現する。
［実施例コ
以下１本発明の一実施例を説明する。第１図に示した構
成で、超電導体にＹ ２ Ｂ ａ Ｃｕ Ｏ７セラミツ
クスを用い、キャビティ長ｆｌｌｏｏμｍ、キャビティ
の高さｄを５μｍで形成した。キャビティの幅は２０μ
ｍとした。この超電導体にＡＱを厚さ１０００人で蒸着
し、準粒子を注入する帯電導体とした結果、波長３５μ
ｍの光を５０ｎＷ発振した。常電導体と超電導体の間に
ＡＱ２０３膜を１０人形成した場合は、注入電流１００
ｍＡで出力０．２ｍＷを得た。また、キャビティの一面
に。
成で、超電導体にＹ ２ Ｂ ａ Ｃｕ Ｏ７セラミツ
クスを用い、キャビティ長ｆｌｌｏｏμｍ、キャビティ
の高さｄを５μｍで形成した。キャビティの幅は２０μ
ｍとした。この超電導体にＡＱを厚さ１０００人で蒸着
し、準粒子を注入する帯電導体とした結果、波長３５μ
ｍの光を５０ｎＷ発振した。常電導体と超電導体の間に
ＡＱ２０３膜を１０人形成した場合は、注入電流１００
ｍＡで出力０．２ｍＷを得た。また、キャビティの一面
に。
反射防止膜として反射率９０％の多層膜を形成したとこ
ろ、この面からの光出力が０．６ｍＷに増加した。
ろ、この面からの光出力が０．６ｍＷに増加した。
［発明の効果コ
本発明によれば、超電導体を発光体として用いるため比
較的にその作成が容易であるという効果がある。
較的にその作成が容易であるという効果がある。
第１図は１本発明の発光ダイオードあるいはレーザの構
成を示す図である。 １・・・超電導体、２・・・常電導体。
成を示す図である。 １・・・超電導体、２・・・常電導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超電導体から成る部分を有し、この超電導体に電子
を注入することによってこの超電導体から光を発光せし
めることを特徴とする超電導発光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の超電導発光体において
、前記超電導体に注入する電子は常電導体を介して注入
することを特徴とする超電導体光体。 ３、特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の超電導
発光体において、前記超電導体は多結晶体からなること
を特徴とする超電導体光体。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項若しくは第３項記載
の超電導発光体において、前記超電導体は光共振器であ
ることを特徴とする超電導発光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097316A JPS63263783A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 超電導発光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097316A JPS63263783A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 超電導発光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263783A true JPS63263783A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14189079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62097316A Pending JPS63263783A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 超電導発光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413333A2 (en) | 1989-08-18 | 1991-02-20 | Hitachi, Ltd. | A superconductized semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517500A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-06 | Kraftwerk Union Ag | Measuring sonde of boiling water type nuclear reactor |
| JPS63250878A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導レ−ザ |
| JPS63262881A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導装置 |
| JPS63262882A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導装置の動作方法 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62097316A patent/JPS63263783A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517500A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-06 | Kraftwerk Union Ag | Measuring sonde of boiling water type nuclear reactor |
| JPS63250878A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導レ−ザ |
| JPS63262881A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導装置 |
| JPS63262882A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導装置の動作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413333A2 (en) | 1989-08-18 | 1991-02-20 | Hitachi, Ltd. | A superconductized semiconductor device |
| US5455451A (en) * | 1989-08-18 | 1995-10-03 | Hitachi, Ltd. | Superconductized semiconductor device using penetrating Cooper pairs |
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