JPS63262882A - 超電導装置の動作方法 - Google Patents

超電導装置の動作方法

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JPS63262882A
JPS63262882A JP62097976A JP9797687A JPS63262882A JP S63262882 A JPS63262882 A JP S63262882A JP 62097976 A JP62097976 A JP 62097976A JP 9797687 A JP9797687 A JP 9797687A JP S63262882 A JPS63262882 A JP S63262882A
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Yasuhiko Takemura
保彦 竹村
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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    • H01S5/0622Controlling the frequency of the radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明は超電導材料を用いたレーザ発振装置を用いた動
作方法に関する。
「従来の技術」 従来、超電導材料を用いたアクティブ素子としては、ジ
ョセフソン接合素子のみが知られる。これまでは、この
素子を用いて電気的な論理回路およびメモリ等への応用
のみが検討されていた。
「従来の問題点」 特にこのジョセフソン素子は超高速動作をするため、電
気的なスイッチング素子としての有効利用が考えられる
のみであった。
本発明人はかかるジョセフソン接合型の動作を調べてい
くうち、この接合を利用してレーザ発光をさせ得ること
を見出した。
本発明はかかるレーザ光(実際には赤外線)装置を提供
するにある。
「問題を解決する手段」 本発明はかかる問題を解決するもので、ジョセフソン接
合素子において、一対を構成する電極の上面および下面
以外の端面に対し、鏡(ミラー)を配設する。そしてそ
の1つの端面の鏡をハーフミラ−とすることにより、そ
こよりレーザ光を外部に発生させんとするレーザ発振器
の動作方法に関する。
即ち、本発明は、超電導材料、特にTcが75に以上の
高温で動作する酸化物超電導材料を用いてレーザ光を発
振させんとするものである。
第1図は、本発明に用いるためのジョセフソン接合素子
を示す。即ち、下側の第1の超電導材料(1)、トンネ
ル電流を流し得る厚さの透光性被膜(透光性、特にレー
ザ光の吸収損失の少ない材料が選ばれる) (2) 、
さらにその上に第2の超電導材料(3)を設け、その上
下の超電導材料に一対の電気エネルギ供給手段(15)
 、 (16)を設けている。
かかる超電導材料のエネルギバンド図を第2図に示す。
第2図(A)は外部電圧の印加のない場合、または弱い
電圧の印加がある場合である。図面において、超電導材
料(1) 、 (3) 、その間に介在した透光性被膜
(2)を有する。
これはフェルミ面(7)と通常の伝導帯(6)とを有す
る。そしてレベル(4)には凝縮したクーパーペアのレ
ベル(5)を有する。ここで双方の超電導材料(1) 
、 (3)に電圧を加えると、ある電圧まではそれぞれ
の間に電位差を生ぜず、電子対は自由電子のように流れ
、量子力学の波動性により、被膜(2)中をトンネル効
果により通り抜ける。
ここに、より高い交流またはパルス電圧を印加すると、
この左右の超電導体間に電位差(ΔV)が生ずる。この
時、例えば、第1の超電導材料(1)より第2の超電導
材料(3)に電子対が移る場合、「エネルギ保存の法則
」により光(10)を発光する。
この波長は、 hν=2eΔV で示される。
ここではhニブランクの定数 e:電気素量 Δ■:電位差 シ:先の振動数 さらにここに交流を加え、その電位差(ΔV)を大きく
すると、最大V(通常の金属の伝導帯の下側と凝縮した
クーパーペアのレベル(4)との差)までの電位差を生
ぜしめ得る。そしてそれに対応した波長の光(10)を
発光し得る。酸化物超電導体はTcoが約100Kを有
するため、波長λ(1/ νでも示される)も10− 
hca+−’程度の波長を得ることができる。
またここで外部より印加した電圧を可変すると、結果と
して発光波長をも可変し得る。
一般にレーザ発光は、逆転分野が必要であることが知ら
れている。しかし本発明においては、第2図(B)に示
す如く、右側の超電導材料はクーパーベアの多い超電導
材料を用い、また左側の超電導材料中には不純物を多(
してクーパーベアを少なくせ、容易にかかる逆転分布を
成就し得る。
第3図にこの原理を用いた本発明のレーザ発振器を示す
。この図面は第1および第2の酸化物超電導体<1) 
、 (3)を有する。そしてその間にはトンネル電流を
流し得る絶縁体(2)を設けている。その端部の3方は
ミラー(鏡)(12)にて取り囲み、光が外部にもれな
いようにしている。また内部で発光した光を100χ効
率よく反射するようにしている。
他の一端部は光の透過が多少あるハーフミラ−(11)
を設けていく。
ここにおいて、電気供給端子(15) 、 (16)に
強い電圧を印加する。するとこの超電薄体の中で発光し
た光はミラー(11) 、 (12)で反射し、外部に
光をリークできない、そしてこの外部より加えられた電
圧によって決められるΔVによって定められた波長の光
をより高密度化し、臨界状態においてハーフミラ−(1
1)を透過して発光をさせることができる。
以下に図面に従ってその実施例を示す。
「実施例1」 第1図に本発明で用いるジョセフソン素子型レーザ発振
器を示す。
酸化物超電導材料として、例えば、(A+−x Bx)
yCuzOiv、x = 0〜L 7−2.0〜4.0
好ましくは2.5〜3.5.2 = 1〜4好ましくは
1.5〜3.5.W= 4〜10好ましくは6〜8を有
する。AはY(イツトリウム)、Gd(ガドリニウム)
、Yb(インテルビウム)、Eu(ユーロピウム)、T
b(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホ
ルミウム)、Er(エルビウム)、Tm(ツリウム)、
Lu(ルテニウム)、Sc(スカンジウム)またはその
他の元素周期表ma族の1つまたは複数種類より選ばれ
る。BはRa(ラジウム)、Ba(バリウム)、Sr(
ストロンチウム)、Ca(カルシウムMg(マグネシウ
ム)、Be(ベリリウム)の元素周期表11a族より選
ばれる。特に、その具体例として、(YBaz)Cui
Ob 〜aを用いた。
この超電導材料は単結晶であることが好ましい。
このため、Y S Z + r T io 3等の基板
上にスパッタ法を用いたエピタキシャル成長法を用いる
ことも有効である。またブリッジマン法等により単結晶
のタブレットを作ることも有効である。
これらに対し、この後透光性被膜を構成させるため、例
えば金属のアルミニウム、タンタルまたは半導体の珪素
を真空蒸着法または光CVD法を用い、5〜50人例え
ば10人の厚さに形成した。さらにこれら全体を400
〜1000℃11〜100時間、例えば600℃で5時
間アニールをし、同時に金属アルミニウム、タンタルま
たは半導体の珪素を酸化させた。
すると例えば、アルミニウムを用いる場合、この結果形
成された酸化アルミニウムの下側の酸化物超電導材料の
表面近傍における酸素濃度を、内部(バルク)と概略同
一とすることができ、表面においても超電導特性を有せ
しめ得る。
さらにこの表面にスパッタ法、気相法、スクリーン印刷
法等により第2の超電導材料(3)を第1の超電導材料
と同一主成分材料により形成させた。
次にこれらをフォトエツチング法により、第3図にく示
す如く、その周辺部に対し損傷を与えることなくエツチ
ングし、透光性被膜の端面を露呈させた。さらにこの表
面における3方を光を完全に遮蔽し100χ反射するミ
ラーを銀またはアルミニウムにより形成した。
この時、銀またはアルミニウムと酸化物との間の反応を
防ぐため、透光性酸化物を5〜50人の厚さに形成して
もよい。かかる端面(1)はハーフミラ−をこれら恨ま
たはアルミニウムの周りに30〜300人例えば50人
の厚さに形成した。
かくして第3図の超電導材料を用いたレーザ発振器を作
ることができた。
さらにここに電圧を印加した。そしてこのΔ■(第2図
に示す)として数十mVを印加し、ハーフミラ−により
赤外線の反射を観察することができた。またTcoとし
て室温またはそれ以上での温度を有せしめることが可能
であるならば、可視光の発光も不可能ではない。
この特性は酸化物セラミックスのTcoの向上とともに
、可視光またはそれに近い波長の光を発光させ得る。ま
たレーザ光の発光を、透光性被膜特に酸化物または窒化
物絶縁膜の作製により、連続発振または電気エネルギの
光エネルギへの変換効率の向上を行い得る。
本発明の第3図において、第1の酸化物超電導性材料を
基板として用いた場合を示し、発光面はこの基板と平行
方向に発光させた。しかし基板をysz等の絶縁物基板
とし、ここに薄膜状に選択的に第1の超電導材料を形成
し、超電導レーザの集積化構成をさせることもできる。
また光を基板と垂直方向に発光させてもよい。
「効果」 本発明により、電圧に依存するレーザ光の発光が可能と
なった。さらにこのレーザ光の発光を固体素子として行
い得る。
このため、これまで知られていた半導体レーザにおいて
は固体電子ディバイスという特長を有しなから特定の波
長しか発光できなかったが、これとは異なる分野への新
しい応用が可能であろう。
また波長の可変するレーザとして色素レーザまた色中心
レーザが知られている。しかしこれらは回折格子等の波
長可変素子を必要とし、制御が不便である。この点、本
発明は印加する電圧/電流により精密に制御し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に用いるジョセフソン接合素子の縦断面
図を示す。 第2図は本発明の発光の動作原理を示す。 第3図は本発明の超電導素子を用いたレーザ発振器の斜
視図を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、第1および第2の超電導材料と、その間に介在する
    絶縁膜とを有するジョセフソン接合素子において、前記
    素子の端面にレーザ共鳴用の鏡を設けるとともに、前記
    ジョセフソン接合素子に電圧を印加せしめることにより
    、前記絶縁膜でレーザ発光をせしめることを特徴とする
    超電導装置の動作方法。 2、特許請求の範囲第1項において、外部より印加した
    交流電圧によって波長を可変せしめることを特徴とする
    超電導装置の動作方法。 3、特許請求の範囲第1項において、超電導材料はTc
    o(抵抗が零となる温度)が75K以上を有し、レーザ
    光として赤外光または可視光を発光せしめることを特徴
    とする超電導装置の動作方法。
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