JPH0515314B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0515314B2 JPH0515314B2 JP61229535A JP22953586A JPH0515314B2 JP H0515314 B2 JPH0515314 B2 JP H0515314B2 JP 61229535 A JP61229535 A JP 61229535A JP 22953586 A JP22953586 A JP 22953586A JP H0515314 B2 JPH0515314 B2 JP H0515314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tunnel barrier
- superconductor
- barrier layer
- nbn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N [N].[Ar] Chemical compound [N].[Ar] PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、トンネル型ジヨセフソン接合素子に
関する。
関する。
（従来の技術）
ジヨセフソン接合素子で構成される論理回路や
記憶回路は半導体回路に比べ消費電力が小さく、
高速で動作するという大きな利点を有している。
回路の集積化に伴ない、こうした利点を最大限に
活用できるジヨセフソン接合素子の開発が求めら
れている。高速動作のためにジヨセフソン接合素
子に要求される主な特性として、ギヤツプ電圧が
大きいこと、接合容量が小さいこと、サブギヤツ
プリーク電流が小さいことがあげられる。これら
の特性はエネルギーギヤツプの大きな超伝導体
層、すなわち超伝導転移温度Tcの大きな超伝導
体層と誘電率の小さいトンネル障壁層を用いて、
しかも超伝導体層とトンネル障壁層との間の低
Tcまたはノーマルな性質を示す遷移領域をでき
るだけ薄くすることによつて実現される。こうし
た目的に最適なジヨセフソン接合素子として、超
伝導体層にNbN膜を用い、トンネル障壁層に金
属または半導体の酸化膜を用いたものが注目され
ている。NbN膜の場合、各種スパツタ法により
Tcの高い膜（Tc＝15K）が100℃以下の比較的低
い基板温度で得られることから、トンネル障壁層
の形成後に超伝導体層を被着する際にも、超伝導
体層とトンネル障壁層との熱反応が他の高Tc超
伝導体膜に比べて進行しにくく、良好な接合特性
が期待できる。
記憶回路は半導体回路に比べ消費電力が小さく、
高速で動作するという大きな利点を有している。
回路の集積化に伴ない、こうした利点を最大限に
活用できるジヨセフソン接合素子の開発が求めら
れている。高速動作のためにジヨセフソン接合素
子に要求される主な特性として、ギヤツプ電圧が
大きいこと、接合容量が小さいこと、サブギヤツ
プリーク電流が小さいことがあげられる。これら
の特性はエネルギーギヤツプの大きな超伝導体
層、すなわち超伝導転移温度Tcの大きな超伝導
体層と誘電率の小さいトンネル障壁層を用いて、
しかも超伝導体層とトンネル障壁層との間の低
Tcまたはノーマルな性質を示す遷移領域をでき
るだけ薄くすることによつて実現される。こうし
た目的に最適なジヨセフソン接合素子として、超
伝導体層にNbN膜を用い、トンネル障壁層に金
属または半導体の酸化膜を用いたものが注目され
ている。NbN膜の場合、各種スパツタ法により
Tcの高い膜（Tc＝15K）が100℃以下の比較的低
い基板温度で得られることから、トンネル障壁層
の形成後に超伝導体層を被着する際にも、超伝導
体層とトンネル障壁層との熱反応が他の高Tc超
伝導体膜に比べて進行しにくく、良好な接合特性
が期待できる。
従来例として、上田らによつて1985年に発表さ
れた電子通信学会技術報告のCPM85−２ ７〜
12ページの論文などがある。ここで提案されたジ
ヨセフソン接合素子は、第２図に示すように、基
板２１上に形成されたNbNでなる第１の超伝導
体層２２と、この第１の超伝導体層２２上に形成
されたトンネル障壁層２３と、このトンネル障壁
層２３を介して第１の超伝導体層２２と対向して
形成されたNbNでなる第２の超伝導体層２４と
で構成されている。トンネル障壁層２３はまず数
10ÅのAl膜を被着した後、その表面を酸化して
形成される。このように、第１の超伝導体層２２
上に金属層を被着した後、その表面を酸化を含む
ガス雰囲気で熱酸化やプラズマ酸化してトンネル
障壁層２３を形成する方法は、酸化膜そのものを
被着する方法に比べて基板面内での酸化膜厚の均
一性及び制御性が優れていることから一般によく
用いられる。
れた電子通信学会技術報告のCPM85−２ ７〜
12ページの論文などがある。ここで提案されたジ
ヨセフソン接合素子は、第２図に示すように、基
板２１上に形成されたNbNでなる第１の超伝導
体層２２と、この第１の超伝導体層２２上に形成
されたトンネル障壁層２３と、このトンネル障壁
層２３を介して第１の超伝導体層２２と対向して
形成されたNbNでなる第２の超伝導体層２４と
で構成されている。トンネル障壁層２３はまず数
10ÅのAl膜を被着した後、その表面を酸化して
形成される。このように、第１の超伝導体層２２
上に金属層を被着した後、その表面を酸化を含む
ガス雰囲気で熱酸化やプラズマ酸化してトンネル
障壁層２３を形成する方法は、酸化膜そのものを
被着する方法に比べて基板面内での酸化膜厚の均
一性及び制御性が優れていることから一般によく
用いられる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記ジヨセフソン接合素子の構
造では、NbNでなる第１の超伝導体層２２とト
ンネル障壁層２３となるAl膜が直接接触してい
る。そのため窒化の生成エネルギーの小さいAl
がNbNからＮ原子を奪う反応が起こり、第１の
超伝導体層２２表面に化学量論的組成よりもＮ原
子の少ない低Tc層またはノーマル層が形成され
る。
造では、NbNでなる第１の超伝導体層２２とト
ンネル障壁層２３となるAl膜が直接接触してい
る。そのため窒化の生成エネルギーの小さいAl
がNbNからＮ原子を奪う反応が起こり、第１の
超伝導体層２２表面に化学量論的組成よりもＮ原
子の少ない低Tc層またはノーマル層が形成され
る。
このようにして、第１の超伝導体層２２とトン
ネル障壁層２３との間の遷移領域が広がる結果、
ジヨセフソン接合素子のギヤツプ電圧が減少する
という問題やサブギヤツプリーク電流が増加する
という問題を生じる。また、トンネル障壁層２３
と第２の超伝導体層２４との間でもNbNの被着
条件次第で前述と同様なAlの窒化反応を生じ、
接合特性を劣化させる。前述の従来例と同様な目
的でトンネル障壁層に適用される金属の多くは窒
化の生成エネルギーがNbの値より小さいために
Alの場合と同じ問題を生じる。
ネル障壁層２３との間の遷移領域が広がる結果、
ジヨセフソン接合素子のギヤツプ電圧が減少する
という問題やサブギヤツプリーク電流が増加する
という問題を生じる。また、トンネル障壁層２３
と第２の超伝導体層２４との間でもNbNの被着
条件次第で前述と同様なAlの窒化反応を生じ、
接合特性を劣化させる。前述の従来例と同様な目
的でトンネル障壁層に適用される金属の多くは窒
化の生成エネルギーがNbの値より小さいために
Alの場合と同じ問題を生じる。
本発明の目的は、このような従来の欠点を取り
除いたジヨセフソン接合素子を提供することにあ
る。
除いたジヨセフソン接合素子を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、基板上に形成されたNbNで
なる第１の超伝導体層と、この第１の超伝導体層
上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル
障壁層を介して前記第１の超伝導体層と対向して
形成されたNbNでなる第２の超伝導体層とを基
本構成要素とするジヨセフソン接合素子におい
て、前記第１の超伝導体層と前記トンネル障壁層
との間または前記トンネル障壁層と前記第２の超
伝導体層との間の少なくとも一方にクーパー対の
侵入深さ以下の膜厚のSiまたはGeでなる補助層
を介在させ、しかも前記トンネル障壁層が金属ま
たは半導体の酸化、窒化、フツ化のいずれかの化
学反応により形成された絶縁性の化合物で、前記
化学反応における酸素、窒素、フツ素ー原子当り
の生成エネルギーがSiまたはGeに対する同一反
応よりも小さいことを特徴とするジヨセフソン接
合素子が得られる。
なる第１の超伝導体層と、この第１の超伝導体層
上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル
障壁層を介して前記第１の超伝導体層と対向して
形成されたNbNでなる第２の超伝導体層とを基
本構成要素とするジヨセフソン接合素子におい
て、前記第１の超伝導体層と前記トンネル障壁層
との間または前記トンネル障壁層と前記第２の超
伝導体層との間の少なくとも一方にクーパー対の
侵入深さ以下の膜厚のSiまたはGeでなる補助層
を介在させ、しかも前記トンネル障壁層が金属ま
たは半導体の酸化、窒化、フツ化のいずれかの化
学反応により形成された絶縁性の化合物で、前記
化学反応における酸素、窒素、フツ素ー原子当り
の生成エネルギーがSiまたはGeに対する同一反
応よりも小さいことを特徴とするジヨセフソン接
合素子が得られる。
（作用）
本発明による構造では、NbNでなる第１の超
伝導体層とトンネル障壁層との間、またはトンネ
ル障壁層とNbNでなる第２の超伝導体層との間
の少なくとも一方にクーパー対の侵入深さ以下の
膜厚をもつSiまたはGeでなる補助層が設けられ
ている。そのため、トンネル障壁層の構成原子で
ある金属または半導体の方がNbより窒素一原子
当り窒化の生成エネルギーが小さい場合でも、上
記金属または半導体が第１、第２の超伝導体層か
らＮ原子を奪う反応は補助層によつて防止され
る。また、補助層に用いたSiまたはGeの窒素一
原子当りの窒化の生成エネルギーがNbの値と同
等かそれ以上であるため、第１、第２の超伝導体
層と補助層との反応は進行しにくい。さらに、補
助層の膜厚がクーパー対の侵入深さ以下であるこ
とから、プロキシミテイ効果により第１、第２の
超伝導体材料であるNbNの超伝導特性が保持さ
れ、しかもサブギヤツプリーク電流の小さいジヨ
セフソン接合素子が形成できる。
伝導体層とトンネル障壁層との間、またはトンネ
ル障壁層とNbNでなる第２の超伝導体層との間
の少なくとも一方にクーパー対の侵入深さ以下の
膜厚をもつSiまたはGeでなる補助層が設けられ
ている。そのため、トンネル障壁層の構成原子で
ある金属または半導体の方がNbより窒素一原子
当り窒化の生成エネルギーが小さい場合でも、上
記金属または半導体が第１、第２の超伝導体層か
らＮ原子を奪う反応は補助層によつて防止され
る。また、補助層に用いたSiまたはGeの窒素一
原子当りの窒化の生成エネルギーがNbの値と同
等かそれ以上であるため、第１、第２の超伝導体
層と補助層との反応は進行しにくい。さらに、補
助層の膜厚がクーパー対の侵入深さ以下であるこ
とから、プロキシミテイ効果により第１、第２の
超伝導体材料であるNbNの超伝導特性が保持さ
れ、しかもサブギヤツプリーク電流の小さいジヨ
セフソン接合素子が形成できる。
第１の超伝導体層上に金属または半導体を被着
した後、その酸化、窒化、フツ化のいずれかの化
学反応によつて形成されたトンネル障壁層は基板
面内での膜厚の均一性及び制御性が優れている。
また、上記化学反応における酸素、窒素、フツ素
一原子当りの生成エネルギーがSiまたはGeにお
ける同一反応の値よりも小さな値をもつ金属や半
導体の化合物を用いることによつて補助層とトン
ネル障壁層との反応を大幅に軽減することができ
る。
した後、その酸化、窒化、フツ化のいずれかの化
学反応によつて形成されたトンネル障壁層は基板
面内での膜厚の均一性及び制御性が優れている。
また、上記化学反応における酸素、窒素、フツ素
一原子当りの生成エネルギーがSiまたはGeにお
ける同一反応の値よりも小さな値をもつ金属や半
導体の化合物を用いることによつて補助層とトン
ネル障壁層との反応を大幅に軽減することができ
る。
（実施例）
本発明の実施例を図面で参照して詳細に説明す
る。
る。
このジヨセフソン接合素子は第１図に示すよう
に、絶縁体基板あるいは表面に絶縁体を有する基
板１１上に形成されたNbNでなる第１の超伝導
体層１２と、この第１の超伝導体層１２上に形成
されたSiまたはGeでなる第１の補助層１３と、
この第１の補助層１３上に形成されたトンネル障
壁層１４と、このトンネル障壁層１４を介して第
１の補助層１３と対向して形成されたSiまたは
Geでなる第２の補助層１５と、この第２の補助
層１５上に形成されたNbNでなる第２の超伝導
体層１６とで構成されている。第１、第２の超伝
導体層１２，１６はアルゴン−窒素雰囲気中で
Nbターゲツトをスパツタして得られた膜厚2000
ÅのNbN膜である。この膜のTcは15〜16Kであ
る。第１、第２の補助層１３，１５は膜厚約50Å
の電子ビーム蒸着膜である。トンネル障壁層１４
には、まず数10ÅのAl膜をスパツタした後、そ
の表面を純酸素雰囲気中で熱酸化して形成された
Al酸化膜が用いられる。
に、絶縁体基板あるいは表面に絶縁体を有する基
板１１上に形成されたNbNでなる第１の超伝導
体層１２と、この第１の超伝導体層１２上に形成
されたSiまたはGeでなる第１の補助層１３と、
この第１の補助層１３上に形成されたトンネル障
壁層１４と、このトンネル障壁層１４を介して第
１の補助層１３と対向して形成されたSiまたは
Geでなる第２の補助層１５と、この第２の補助
層１５上に形成されたNbNでなる第２の超伝導
体層１６とで構成されている。第１、第２の超伝
導体層１２，１６はアルゴン−窒素雰囲気中で
Nbターゲツトをスパツタして得られた膜厚2000
ÅのNbN膜である。この膜のTcは15〜16Kであ
る。第１、第２の補助層１３，１５は膜厚約50Å
の電子ビーム蒸着膜である。トンネル障壁層１４
には、まず数10ÅのAl膜をスパツタした後、そ
の表面を純酸素雰囲気中で熱酸化して形成された
Al酸化膜が用いられる。
本実施例によれば、第１、第２の超伝導体層１
２，１６とトンネル障壁層１４との間にそれぞれ
第１、第２の補助層１３，１５が設けてあるた
め、第１、第２の超伝導体層１２，１６とトンネ
ル障壁層１４との反応は第１、第２の補助層１
３，１５によつて防止される。また、補助層に用
いたSi，Geの窒化反応における窒素一原子当り
の生成エネルギーはそれぞれ−59，−3.8kcal／
molで、Nbの同一反応における値−56kcal／mol
と同等か、それ以上である。そのため、Siまたは
Geが超伝導体層のNbNと接触していても、Siま
たはGeがNbNからＮ原子を奪う反応は進行しに
くい。さらに、補助層の膜厚が約50Åと、クーパ
ー対の侵入深さ以下にされることによりNbN／
NbN接合素子の本来のギヤツプ電圧を保持し、
しかもサブギヤツプリーク電流の小さいジヨセフ
ソン接合素子が得られる。
２，１６とトンネル障壁層１４との間にそれぞれ
第１、第２の補助層１３，１５が設けてあるた
め、第１、第２の超伝導体層１２，１６とトンネ
ル障壁層１４との反応は第１、第２の補助層１
３，１５によつて防止される。また、補助層に用
いたSi，Geの窒化反応における窒素一原子当り
の生成エネルギーはそれぞれ−59，−3.8kcal／
molで、Nbの同一反応における値−56kcal／mol
と同等か、それ以上である。そのため、Siまたは
Geが超伝導体層のNbNと接触していても、Siま
たはGeがNbNからＮ原子を奪う反応は進行しに
くい。さらに、補助層の膜厚が約50Åと、クーパ
ー対の侵入深さ以下にされることによりNbN／
NbN接合素子の本来のギヤツプ電圧を保持し、
しかもサブギヤツプリーク電流の小さいジヨセフ
ソン接合素子が得られる。
本実施例でトンネル障壁層１４を形成するため
に用いたAlの酸化反応における酸素一原子当り
の生成エネルギーは−130kcal／molで、Si，Ge
の同一反応における値−108，−63kcal／molより
大きな絶対値をもつためAl酸化膜と超伝導体層
との反応も生じない。以上のことから、各層界面
で遷移領域の薄い良好なジヨセフソン接合素子が
形成できる。
に用いたAlの酸化反応における酸素一原子当り
の生成エネルギーは−130kcal／molで、Si，Ge
の同一反応における値−108，−63kcal／molより
大きな絶対値をもつためAl酸化膜と超伝導体層
との反応も生じない。以上のことから、各層界面
で遷移領域の薄い良好なジヨセフソン接合素子が
形成できる。
本実施例では、補助層を第１の超伝導体層１２
とトンネル障壁層１４との間、トンネル障壁層１
４と第２の超伝導体層１６との間の双方に設けた
が、成膜条件に応じてどちらか一方でもその効果
は大きい。特に、トンネル障壁層１４を金属また
は半導体の被着後の酸化、窒化またはフツ化によ
つて形成する場合には、第１の超伝導体層１２と
トンネル障壁層１４との間に補助層を設けること
は両者間の反応を防ぐのに非常に有効である。さ
らに、本実施例では、トンネル障壁層１４にAl
被着後酸化して形成したAl酸化膜を用いたが、
他の金属や半導体を酸化、窒化またはフツ化の各
反応により形成した絶縁膜、被着した絶縁膜や半
導体膜でも同様な効果が得られる。特にトンネル
障壁層１４の構成原子である金属または半導体の
方がSi，Geよりも上記各反応に対する生成エネ
ルギーが小さい場合にはトンネル障壁層１４はよ
り安定である。
とトンネル障壁層１４との間、トンネル障壁層１
４と第２の超伝導体層１６との間の双方に設けた
が、成膜条件に応じてどちらか一方でもその効果
は大きい。特に、トンネル障壁層１４を金属また
は半導体の被着後の酸化、窒化またはフツ化によ
つて形成する場合には、第１の超伝導体層１２と
トンネル障壁層１４との間に補助層を設けること
は両者間の反応を防ぐのに非常に有効である。さ
らに、本実施例では、トンネル障壁層１４にAl
被着後酸化して形成したAl酸化膜を用いたが、
他の金属や半導体を酸化、窒化またはフツ化の各
反応により形成した絶縁膜、被着した絶縁膜や半
導体膜でも同様な効果が得られる。特にトンネル
障壁層１４の構成原子である金属または半導体の
方がSi，Geよりも上記各反応に対する生成エネ
ルギーが小さい場合にはトンネル障壁層１４はよ
り安定である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、NbNで
なる超伝導体層とトンネル障壁層との間にコヒー
レンス長以下の膜厚を有するSiまたはGeでなる
補助層が設けられているため、超伝導体層とトン
ネル障壁層との反応で生じる低Tc層やノーマル
層を介在することなく、NbN本来のギヤツプ電
圧をもち、サブギヤツプリーク電流の小さいジヨ
セフソン接合素子が得られる。また、Si，Geと
比較して、反応の生成エネルギーが小さな金属ま
たは半導体を酸化、窒化またはフツ化して形成し
た化合物をトンネル障壁層に用いることにより、
その化学的な安定性、膜厚の均一性及び制御性が
さらに改善されたジヨセフソン接合素子が得られ
る。
なる超伝導体層とトンネル障壁層との間にコヒー
レンス長以下の膜厚を有するSiまたはGeでなる
補助層が設けられているため、超伝導体層とトン
ネル障壁層との反応で生じる低Tc層やノーマル
層を介在することなく、NbN本来のギヤツプ電
圧をもち、サブギヤツプリーク電流の小さいジヨ
セフソン接合素子が得られる。また、Si，Geと
比較して、反応の生成エネルギーが小さな金属ま
たは半導体を酸化、窒化またはフツ化して形成し
た化合物をトンネル障壁層に用いることにより、
その化学的な安定性、膜厚の均一性及び制御性が
さらに改善されたジヨセフソン接合素子が得られ
る。
第１図は本発明のジヨセフソン接合素子を示す
断面図、第２図は従来のジヨセフソン接合素子を
示す断面図である。 図において、１１，２１は基板、１２，２２は
NbNでなる第１の超伝導体層、１３はSiまたは
Geでなる第１の補助層、１４，２３はトンネル
障壁層、１５はSiまたはGeでなる第２の補助層、
１６，２４はNbNでなる第２の超伝導体層であ
る。
断面図、第２図は従来のジヨセフソン接合素子を
示す断面図である。 図において、１１，２１は基板、１２，２２は
NbNでなる第１の超伝導体層、１３はSiまたは
Geでなる第１の補助層、１４，２３はトンネル
障壁層、１５はSiまたはGeでなる第２の補助層、
１６，２４はNbNでなる第２の超伝導体層であ
る。
Claims (1)
- １ 基板上に形成されたNbNでなる第１の超伝
導体層と、この第１の超伝導体層上に形成された
トンネル障壁層と、このトンネル障壁層を介して
前記第１の超伝導体層と対向して形成された
NbNでなる第２の超伝導体層とを基本構成要素
とするジヨセフソン接合素子において、前記第１
の超伝導体層と前記トンネル障壁層との間または
前記トンネル障壁層と前記第２の超伝導層との間
の少なくとも一方にクーパー対の侵入深さ以下の
膜厚のSiまたはGeでなる補助層を介在させ、し
かも前記トンネル障壁層が金属または半導体の酸
化、窒化、フツ化のいずれかの化学反応により形
成された化合物で、前記化学反応における酸素、
窒素フツ素一原子当りの生成エネルギーがSiまた
はGeに対する同一反応よりも小さいことを特徴
とするジヨセフソン接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229535A JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229535A JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386485A JPS6386485A (ja) | 1988-04-16 |
| JPH0515314B2 true JPH0515314B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=16893691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229535A Granted JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386485A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005075436A2 (en) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors of glutaminyl cyclase |
| WO2008065141A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors of glutaminyl cyclase |
| WO2008104580A1 (en) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Probiodrug Ag | New use of glutaminyl cyclase inhibitors |
| EP2175013A1 (en) | 2000-12-07 | 2010-04-14 | DSM IP Assets B.V. | Protein hydrolysates enriched in peptides having a carboxy terminal proline residue |
| WO2011107530A2 (en) | 2010-03-03 | 2011-09-09 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors |
| WO2011110613A1 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | Probiodrug Ag | Heterocyclic inhibitors of glutaminyl cyclase (qc, ec 2.3.2.5) |
| WO2011131748A2 (en) | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors |
| WO2012123563A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Probiodrug Ag | Benz imidazole derivatives as inhibitors of glutaminyl cyclase |
| EP3461819A1 (en) | 2017-09-29 | 2019-04-03 | Probiodrug AG | Inhibitors of glutaminyl cyclase |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990977A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-05-25 | スペリ・コ−ポレ−シヨン | 超伝導トンネルジヤンクシヨン素子 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229535A patent/JPS6386485A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990977A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-05-25 | スペリ・コ−ポレ−シヨン | 超伝導トンネルジヤンクシヨン素子 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2175013A1 (en) | 2000-12-07 | 2010-04-14 | DSM IP Assets B.V. | Protein hydrolysates enriched in peptides having a carboxy terminal proline residue |
| WO2005075436A2 (en) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors of glutaminyl cyclase |
| WO2008065141A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors of glutaminyl cyclase |
| WO2008104580A1 (en) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Probiodrug Ag | New use of glutaminyl cyclase inhibitors |
| EP2481408A2 (en) | 2007-03-01 | 2012-08-01 | Probiodrug AG | New use of glutaminyl cyclase inhibitors |
| WO2011107530A2 (en) | 2010-03-03 | 2011-09-09 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors |
| WO2011110613A1 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-15 | Probiodrug Ag | Heterocyclic inhibitors of glutaminyl cyclase (qc, ec 2.3.2.5) |
| WO2011131748A2 (en) | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Probiodrug Ag | Novel inhibitors |
| WO2012123563A1 (en) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Probiodrug Ag | Benz imidazole derivatives as inhibitors of glutaminyl cyclase |
| EP3461819A1 (en) | 2017-09-29 | 2019-04-03 | Probiodrug AG | Inhibitors of glutaminyl cyclase |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6386485A (ja) | 1988-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4464701A (en) | Process for making high dielectric constant nitride based materials and devices using the same | |
| US4432035A (en) | Method of making high dielectric constant insulators and capacitors using same | |
| JPS60153158A (ja) | キャパシタ誘電体膜の製造方法 | |
| JPH0515314B2 (ja) | ||
| JP3133110B2 (ja) | 炭素系化合物及び半導体素子 | |
| JPH0517714B2 (ja) | ||
| JPS63239990A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPS6047478A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JP2517085B2 (ja) | 超電導薄膜 | |
| JP4795671B2 (ja) | 超伝導体積層構造及びその作製方法 | |
| JP3106620B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法及び容量素子の製造方法 | |
| JPH02186682A (ja) | ジョセフソン接合装置 | |
| JP3241798B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法 | |
| JPH054828B2 (ja) | ||
| JP2899287B2 (ja) | ジョセフソン素子 | |
| JP2538664B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Konishi et al. | Improved characteristics of Nb3Ge tunnel junctions using sputter‐deposited amorphous‐silicon barrier | |
| JPH02271686A (ja) | ジョセフソン接合素子及びその製造方法 | |
| JP2976427B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPH0283986A (ja) | 超伝導ダイオード | |
| JPH02192402A (ja) | 酸化物超伝導材料の保護膜の形成方法 | |
| KR950004595B1 (ko) | YBa₂Cu₃O_y 기판을 이용한 죠셉슨 터널접합(tunnel junction) 제조방법 | |
| JPH01179779A (ja) | 複合酸化物超電導体の保護方法 | |
| JP2691065B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JPS63262882A (ja) | 超電導装置の動作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |