JPS63262470A - 気相反応装置 - Google Patents

気相反応装置

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Publication number
JPS63262470A
JPS63262470A JP9796887A JP9796887A JPS63262470A JP S63262470 A JPS63262470 A JP S63262470A JP 9796887 A JP9796887 A JP 9796887A JP 9796887 A JP9796887 A JP 9796887A JP S63262470 A JPS63262470 A JP S63262470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
partition plate
chamber
wafer
reactor
preliminary chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP9796887A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryutaro Umeno
梅野 龍太郎
Keiichi Nagasaki
恵一 長崎
Masayuki Hachitani
昌幸 蜂谷
Hiroshi Aikawa
相川 博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP9796887A priority Critical patent/JPS63262470A/ja
Publication of JPS63262470A publication Critical patent/JPS63262470A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明
はN2ガスの供給される予備室またはロードロック室を
有するゝト導体製造用の気相反応装置に関する。
[従来の技術] ウェハに膜付等を行うための気相反応装置において、反
応炉内ヘウェハを搬入したり、あるいは、反応炉内から
ウェハを搬出したりするために、反応炉の適当な箇所に
密閉式の予備室またはロードロック室が配設されている
予備室と反応炉とはゲートバルブを介して隔てられてい
る。すなわち、反応炉ヘウェハを出し入れする場合、こ
のゲートバルブを開閉し、予備室と反応炉とを連通させ
る。また、予備室には当然、大気中のウェハ搬送系とウ
ェハのやり取りを好うためのフタが設けられている。
予備室内にウェハを供給または払い出す場合、予備室内
と室外のウェハ搬送系に圧力差があると、フタ開閉に支
障が発生したり、圧力差により気流が発生するので、予
備室内にN2ガスを送入し圧力調整が行われている。
しかし、圧力差による気流の発生は防lにできるが、予
備室内へ送入されるN2ガス流により予備室の底面等に
堆積している塵埃または異物等がまきあげられることが
ある。
また、ウェハは、駆動機構により進退可能に構成された
搬送手段に保持されて移送される。この搬送手段の移動
によっても、前記と同様な予備室内における異物まきあ
げの問題が発生する。
このようなsN2ガス流および/または搬送手段により
まきあげられた異物は、搬送手段に保持されているウェ
ハの表面に落下・付着する恐れがある。これら異物がウ
ェハに付着すると蒸着膜にピンホールを生じたりして半
導体素子の製造歩留りを著しく低下させるという欠点が
あった。
[発明の目的] 従って、本発明の目的は予備室内における異物のまきあ
げを防止できるように構成された予備室を有する気相反
応装置を提′供することである。
[問題点を解決するための手段] 前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成す
るための手段として、この発明は、反応炉と、この反応
炉に対してゲートバルブを介して連通または密閉される
予備室とを有する気相反応装置において、前記予備室は
有孔仕切板により長手方向に二分されており、該仕切板
よりド側には・ウェハ搬送手段を進退させるための駆動
系が配設されていて、該仕切板よりもl−側にはウェハ
を保持するウェハ搬送手段とN2ガス送入口とが配設さ
れていることを特徴とする気相反応装置を提供する。
[作用] 前記のように、本発明の気相反応装置では、予備室の内
部が長手方向に有孔仕切り板で二分されている。
発塵源となる、ウェハ搬送手段の駆動系、例えば、ウェ
ハ搬送手段のガイド軸あるいは駆動モータ等は仕切り板
よりも下側に配設する。一方、ウェハを保持するウェハ
搬送手段は、この仕切り板よもl−側に配設する。この
ようにすれば、駆動系により発塵、まきあげられた異物
は仕切り板で遮断され、仕切り板よりも1−側にあるウ
ェハ搬送り段およびこれに保持されたウェハに落下−付
着することは効果的に防止される。
また、予備室の圧力調整用のN2ガスは仕切り板よりも
」−側の部分に吹き出される。このため、駆動系により
発塵された異物がN2ガス送入により巻きあげられるこ
きはない。
[実施例] 以下、図面を参照しながら本発明の気相反応装置の一例
について更に詳細に説明する。
第1図は本発明の気相反応装置の−・例の部分概要断面
図である。
第1図において、10は気相反応装置の反応炉であり、
20はこの反応炉に接続されている予備室である。反応
炉と予備室とはゲートバルブ30により隔離されている
。このゲートバルブが開」されると、予備室は反応炉と
連通状態になり、閉卯されると−r備室は密閉状態にな
る。
予備室の内部は仕切り板40で長手方向に二分されてい
る。上側の室42にはウェハ搬送手段50が配設される
。ウェハ52はこのウェハ搬送手段の先端側11面に保
持されて反応炉内へ搬入、あるいは反応炉から搬出され
る。下側の室44には前記ウェハ搬送り段50を進退さ
せるための駆動系60が配設される。駆動系は例えば、
ウェハ搬送P段を支持する支持部材62をガイド軸64
に沿って前後進させる駆動モータ66により構成するこ
とができる。これら以外の駆動系構成手段も当然使用で
きる。例えば、エアーシリンダあるいはポールスクリュ
ウ等も使用できる。第1図において、68aおよび88
bはガイド軸の支柱である。
予備室内はウェハの出し入れを行うため、圧力を0 、
4 Torr程度から大気圧まで変化される。このため
、仕切り板40は気体を通過させることができるように
有孔構造になっている。例えば、パンチングプレート、
メツシュプレート、有孔平板等を使用できる。巻きあげ
異物の遮断効果を高めるために開孔面積はあまり大きす
ぎないほうが好ましい。図示されていないが、この仕切
り板のSli。
面部分にはウェハ搬送手段の支持部材が11通し、前後
進できるようにするための溝が穿設されている。
別法として、仕切り板−1−に異物が堆積することを防
ぐために、山形等の傾斜を持った複数の部材を連結して
仕切り板とすることもできる。
予備室内の圧力を調整するためのN2ガス送入丁段70
が配設されている。このN2ガス送入手段70のガス吹
出しL172は仕切り板40よりもl−側に位置しなけ
ればならない。第1図ではN2ガス送入手段70は予備
室底面より持ち上げているが、ガス吹出しロア2が仕切
り板40より上部にあれば、予備室の側壁あるいは天井
部に設けることもできる。゛ 予備室の圧力調整を円滑に行えるようにするため、予備
室の底面に排気ダクト80を設けることができる。この
排気ダクトは図示されていないが工場の排気系または独
S’/、 L/た真空ポンプ等の排気手段に接続されて
いる。
本発明の気相反応装置は反応炉に予備室が接続されてい
るタイプの半導体製造用のものであれば全てについて適
用できる。例えば、常圧、減圧またはプラズマCV f
)装置、ドライエツチング装置。
エピタキシャル成長装置、PVDによる金属膜被着装置
、酸化・拡散装置等においても同様に実施できる。
[発明の効果] 以を説明したように、本発明の気相反応装置では、予備
室の内部が長手方向に有孔仕切り板で部分されている。
発塵源となる、ウェハ搬送手段の駆動系、例えば、ウェ
ハ搬送手段のガイド軸あるいは駆動モータ等は仕切り板
よりも下側に配設する。一方、ウェハを保持するウェハ
搬送手段は、この仕切り板よも上側に配設する。このよ
うにすれば、駆動系により発塵、まきあげられた異物は
仕切り板で遮断され、仕切り板よりも上側にあるウェハ
搬送手段およびこれに保持されたウェハに落下・付着す
ることは効果的に防止される。
また、予備室の圧力調整用のN2ガスは仕切り板よりも
に側の部分に吹き出される。このため、駆動系により発
塵された異物がN2ガス送入により巻きあげられること
はない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の気相反応装置の一例の部分概要断面図
である。 lO・・・反応炉、20・・・予備室、30・・・ゲー
トバルブ、40・・・有孔仕切り板、42・・・上側室
。 44・・・ド側室、50・・・ウェハ搬送手段。 52・・・ウェハ、60・・・駆動系、62・・・ウェ
ハ搬送手段支持部材、64・・・ガイド軸、66・・・
駆動モータ、68aおよび68b・・・支柱、70・・
・N2ガス送入手段、72・・・N2ガス吹出し口、8
0・・・排気ダクト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)反応炉と、この反応炉に対してゲートバルブを介
    して連通または密閉される予備室とを有する気相反応装
    置において、前記予備室は有孔仕切板により長手方向に
    二分されており、該仕切板より下側にはウェハ搬送手段
    を進退させるための駆動系が配設されていて、該仕切板
    よりも上側にはウェハを保持するウェハ搬送手段とN_
    2ガス送入口とが配設されていることを特徴とする気相
    反応装置。
  2. (2)予備室の底面には排気ダクトが更に配設されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の気相
    反応装置。
JP9796887A 1987-04-21 1987-04-21 気相反応装置 Pending JPS63262470A (ja)

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JPS63262470A true JPS63262470A (ja) 1988-10-28

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JP (1) JPS63262470A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5316794A (en) * 1992-12-11 1994-05-31 Applied Materials, Inc. Method for servicing vacuum chamber using non-reactive gas-filled maintenance enclosure
US5378283A (en) * 1992-12-04 1995-01-03 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Treating device
JP2007204823A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5378283A (en) * 1992-12-04 1995-01-03 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Treating device
US5316794A (en) * 1992-12-11 1994-05-31 Applied Materials, Inc. Method for servicing vacuum chamber using non-reactive gas-filled maintenance enclosure
US5411593A (en) * 1992-12-11 1995-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for servicing vacuum chamber using non-reactive gas filled maintenance enclosure
JP2007204823A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置

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