KR20030000773A - 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템 - Google Patents

반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20030000773A
KR20030000773A KR1020010036892A KR20010036892A KR20030000773A KR 20030000773 A KR20030000773 A KR 20030000773A KR 1020010036892 A KR1020010036892 A KR 1020010036892A KR 20010036892 A KR20010036892 A KR 20010036892A KR 20030000773 A KR20030000773 A KR 20030000773A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
chamber
transfer chamber
purge
purge line
Prior art date
Application number
KR1020010036892A
Other languages
English (en)
Inventor
강병진
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020010036892A priority Critical patent/KR20030000773A/ko
Publication of KR20030000773A publication Critical patent/KR20030000773A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼를 요구되는 각 챔버 위치로 이송토록 하는 로봇이 설치되는 트랜스퍼챔버 내부의 압력 상태를 요구되는 수준으로 형성함에 있어서, 트랜스퍼챔버 내부에 잔존하는 파티클의 유동을 방지하도록 하여 공정챔버를 포함한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 하는 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템에 관한 것으로서, 이를 위한 특징적 구성은, 로드락챔버와 공정챔버를 포함한 각 챔버와 선택적으로 연통하여 소정 구획 형성되고, 내부에 각 챔버로 웨이퍼를 이송 위치시키도록 하는 로봇이 설치된 트랜스퍼챔버와; 상기 트랜스퍼챔버의 일측에 상기 트랜스퍼챔버 내부에 인가되는 제어신호에 따라 선택적으로 진공압을 조절토록 연통 연결되는 진공/퍼지라인과; 상기 진공/퍼지라인이 연결되는 상기 트랜스퍼챔버 내부에 상기 진공/퍼지라인으로부터 공급되는 퍼지가스가 상기 트랜스퍼챔버 내부에 균일하게 분포되게 하는 디퓨저;가 설치되어 이루어진다. 이러한 구성에 따르면, 진공/퍼지라인으로부터 공급되는 퍼지가스가 어느 일 방향으로 편중되지 않고 균일하게 트랜스퍼챔버 내부의 압력을 높이게 됨에 따라 트랜스퍼챔버 내부에 존재하는 파티클 등이 와류에 의해 공정챔버로 유동하여 공정챔버와 웨이퍼를 오염 또는 손상시키는 등의 문제를 예방할 수 있게 된다.

Description

반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템{vent/purge system of semiconductor device manufacturing equipment}
본 발명은 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 요구되는 각 챔버 위치로 이송토록 하는 로봇이 설치되는 트랜스퍼챔버 내부의 압력 상태를 요구되는 수준으로 형성함에 있어서, 트랜스퍼챔버 내부에 잔존하는 파티클의 유동을 방지하도록 하여 공정챔버를 포함한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 하는 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하는 일련의 과정을 통해 이루어진다.
이렇게 반도체장치로 제조되기까지 웨이퍼는 카세트에 복수개씩 탑재되어 각 공정을 수행하는 각각의 제조설비로 이송되고, 또한, 이들 웨이퍼는 각 공정을 수행하는 반도체장치 제조설비 내에서도 그 내부에 설치된 로봇에 의해 일 매씩 인출되어 요구되는 위치로 이송되는 과정을 거치게 된다.
여기서, 상술한 반도체장치 제조설비 및 그 내에서의 웨이퍼 이송 관계에 따른 종래 기술을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1에 도시된 구성은, 일반적인 멀티챔버 구조를 갖는 반도체장치 제조설비(10)의 구성으로서, 복수 웨이퍼(W)가 탑재된 카세트(K)가 투입 위치되는 로드락챔버(12)가 있고, 이 로드락챔버(12) 내부는 구비된 도어수단(14a)을 통해 밀폐된 분위기를 이루게 된다.
또한, 로드락챔버(12)의 소정 부위에는 카세트(K)의 투입 및 인출에 대응하여 그 내부를 선택적으로 소정의 진공압 분위기로 형성하기 위한 진공압 제공수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)이 연통 연결된다.
그리고 로드락챔버(12)의 다른 일측 부위에는 소정 크기의 공간을 구획하는 트랜스퍼챔버(18)가 그 사이에 구비된 도어수단(14b)에 의해 선택적으로 연통하도록 연결되고, 이 트랜스퍼챔버(16)의 내부 소정 위치에는 로드락챔버(12)의 테이블(16) 상에 위치된 카세트(K)로부터 웨이퍼(W)를 일 매씩 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키도록 하는 로봇(20)이 설치된다.
이러한 로봇(20)의 일반적인 구성은, 도 1에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼챔버(18)의 중심 부위를 기준하여 각 방향으로 회전 가능하게 설치되며, 일측으로 자바라 형상의 로봇암(22)과 이 로봇암(22)에 의해 연결 설치되어 웨이퍼(W)를 일 매씩 선택적으로 고정 지지하게 되는 로봇척(24)이 구비된 구성을 이룬다.
한편, 상술한 트랜스퍼챔버(18)의 소정 측부에는 로봇(20)의 구동에 의해 이송되는 웨이퍼(W)에 대하여 공정을 수행하는 공정챔버(26)와 이 공정챔버(26)에서의 공정 수행 전·후 과정에서 웨이퍼(W)를 냉각 또는 가열시키는 등의 선·후 처리 과정을 수행하는 보조챔버(28) 등이 선택적으로 연통하게 설치되는 구성을 이룬다.
이러한 관계에 있어서, 공정챔버(26)의 내부는 파티클 등의 불순물로부터 웨이퍼(W)를 격리시키기 위해서와 안정적인 공정 수행을 목적으로 그 내부를 진공압 분위기를 이루며, 트랜스퍼챔버(18)는 공정챔버(26)의 진공압 분위기를 유지시키기 위하여 동일 또는 유사한 진공압 분위기를 이루게 된다.
또한, 로드락챔버(12)는 카세트(K)의 투입 및 인출에 따른 상압 분위기와 진공압 분위기를 선택적으로 형성하게 된다.
이에 따라 상술한 로봇(20)에 의한 웨이퍼(W)의 이송은 로드락챔버(12)를 포함한 각 챔버(18, 26, 28)에 별도의 진공압 형성 과정을 수행하지 않고 빠르게 진행될 수 있는 것이다.
이러한 진공압 형성관계에 있어서, 공정챔버(26) 내부의 진공압은 공정시 요구되는 공정가스의 공급에 의해 낮은 수준의 진공압 분위기를 이루게 되고, 트랜스퍼챔버(18)는 상대적으로 공정챔버(26)에 비교하여 고진공압 상태에 있게 된다.
이때 트랜스퍼챔버(18)와 공정챔버(26) 사이의 도어수단(14b)을 개방하게 되면, 공정챔버(26) 내부에 분포되어 있는 미반응 가스 또는 반응에 의한 폴리머 등의 부산물은 상대적으로 고진공압 분위기를 이루는 트랜스퍼챔버(18)로 유동하게 되고, 트랜스퍼챔버(18) 내부의 각 구성은 부산물에 의해 오염되거나 손상되는 결과를 초래하게 된다.
따라서 단일 공정을 마친 공정챔버(26) 내부는 보다 고진공 상태를 이루도록함이 요구되고, 상대적으로 트랜스퍼챔버(18)에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 일측으로부터 연통 연결된 진공/퍼지라인(30)을 통해 퍼지가스가 공급하여 상호 보완적으로 소정의 진공압 분위기를 이루게 된다.
이때 트랜스퍼챔버(18) 내부로의 퍼지가스 공급은, 트랜스퍼챔버(18) 내에 존재하는 파티클 등의 불순물이 공정챔버(26)로 유동하여 공정챔버(26)를 포함한 웨이퍼(W)의 오염을 방지하도록 안정적으로 공급될 것이 요구되며, 이에 따라 트랜스퍼챔버(18) 내부로 이어지는 진공/퍼지라인(30) 상에는 퍼지가스의 공급을 안정적으로 공급하도록 하는 디퓨저(diffuser)(32)가 설치된 구성을 이룬다.
한편, 도 2에 도시된 미설명 부호 34a는 진공/퍼지라인(30)을 통해 제공되는 진공압을 콘트롤러(도면의 단순화를 위하여 생략함)로부터 인가되는 제어신호에 따라 선택적으로 차단하도록 하는 벤트 밸브수단이고, 34b는 진공/퍼지라인(30)을 통해 공급되는 퍼지가스를 콘트롤러로부터 인가되는 제어신호에 따라 선택적으로 차단하도록 하는 퍼지 벨브수단이다.
그러나, 종래 기술에 따른 디퓨저(32)의 구성은, 도 3에 도시된 바와 같이, 진공/퍼지라인(30)과 연통하게 개방되는 부위가 알루미늄 재질의 판 상에 그 일측으로 경사를 이루는 것으로서, 이러한 구성의 디퓨저(32)를 통해 공급되는 퍼지가스는 트랜스퍼챔버(18) 내의 전역에 균일하게 퍼지도록 공급되지 않고, 개방된 부위가 편심됨에 의해 일측 방향으로 편중되어 유동하게 됨으로써 오히려 트랜스퍼챔버(18) 내부의 파티클 등의 불순물을 부상시키게 된다.
이렇게 부상하는 불순물은, 다시 상대적으로 저압인 공정챔버(26)로 유동하여 공정챔버(26) 및 공정을 마친 웨이퍼(W)를 오염 또는 손상시키는 문제를 유발하게 된다.
이러한 공정챔버(26) 및 웨이퍼(W)의 오염은 계속되는 반도체장치 제조수율의 저하와 제품의 품질을 저하시키는 결과를 초래하게 된다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 진공/퍼지라인을 통한 퍼지가스가 트랜스퍼챔버 내부 전역에 대하여 일측으로 편중됨과 그에 따른 와류 현상을 방지하도록 하여 균일한 압력으로 공급이 이루어지도록 함으로써 공정챔버를 비롯한 웨이퍼의 오염 및 손상을 사전에 예방하도록 하는 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템을 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 반도체장치 제조설비의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체장치 제조설비 중 트랜스퍼챔버의 구성과 이들 구성의 구동 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 종래의 디퓨저의 구성을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 제조설비 12: 로드락챔버
14a, 14b: 도어수단 16: 테이블
18: 트랜스퍼챔버20: 로봇
22: 로봇암 24: 로봇척
26: 공정챔버28: 보조챔버
30: 진공/퍼지라인32, 40a, 40b: 디퓨저
34a, 34b: 밸브수단42a, 42b: 관통홀
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 특징적 구성은, 트랜스퍼챔버 내부에 잔존하는 파티클의 유동을 방지하도록 하여 공정챔버를 포함한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 하는 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템에 관한 것으로서, 이를 위한 특징적 구성은, 로드락챔버와 공정챔버를 포함한 각 챔버와 선택적으로 연통하여 소정 구획 형성되고, 내부에 각 챔버로 웨이퍼를 이송 위치시키도록 하는 로봇이 설치된 트랜스퍼챔버와; 상기 트랜스퍼챔버의 일측에 상기 트랜스퍼챔버 내부에 인가되는 제어신호에 따라 선택적으로 진공압을 조절토록 연통 연결되는진공/퍼지라인과; 상기 진공/퍼지라인이 연결되는 상기 트랜스퍼챔버 내부에 상기 진공/퍼지라인으로부터 공급되는 퍼지가스가 상기 트랜스퍼챔버 내부에 균일하게 분포되게 하는 디퓨저;가 설치되어 이루어진다.
또한, 상기 디퓨저는 상기 트랜스퍼챔버 내부로 이어지는 상기 진공/퍼지라인의 끝단에 복수의 관통홀이 형성된 원통 형상 또는 돔 형상으로 형성토록 함이 바람직하다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 나타낸 사시도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 개략적으로 나타낸 사시도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템의 구성은, 도 4 도는 도 5에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼챔버(18) 내부로 연통하여 이어지는 진공/퍼지라인(30)의 단부에는 진공/퍼지라인(30)을 통해 공급되는 퍼지가스를 트랜스퍼챔버(18) 내부의 전역에 대한 각 방향으로 공급하도록 하는 디퓨저(40a, 40b)가 설치된다.
이러한 디퓨저(40a, 40b)의 구성 중 먼저 도 4에 도시된 디퓨저(40a)의 구성을 살펴보면, 세라믹 재질로 진공/퍼지라인(30)의 단부로부터 연장된 원통 형상으로 그 측벽에 각 방향으로 동일한 미소 직경의 관통홀(42a)이 복수개 형성된 구성을 이룬다.
또한, 도 5에 도시된 디퓨저(40b)의 구성은, 세라믹 재질로 진공/퍼지라인(30)의 단부로부터 연장된 돔 형상으로 그 측벽에 각 방향으로 동일한 미소 직경의 관통홀(42b)이 복수개 형성된 구성을 이룬다.
이러한 구성에 의하면, 진공/퍼지라인(30)으로부터 공급되는 퍼지가스가 미소 직경의 각 관통홀(42a, 42b)을 통해 분압되어 트랜스퍼챔버(18) 내부의 전역으로 균일하게 분포되게 되고, 이에 따라 트랜스퍼챔버(18) 내에 잔존하는 파티클 등의 불순물은 공기의 흐름을 적게 받아 부상하지 않고 안정적인 상태를 유지하게 된다.
이를 통해 트랜스퍼챔버(18)와 공정챔버(26) 사이는 상호 압력 분압이 안정적으로 이루어지게 되어 공정챔버(26) 내의 오염과 웨이퍼(W)의 오염 및 손상이 방지될 수 있는 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면, 진공/퍼지라인을 통한 퍼지가스가 트랜스퍼챔버 내부에 설치되는 디퓨저의 측부에 형성된 미소 직경의 복수 관통홀을 통해 트랜스퍼챔버 내부의 전역에 일측으로 편중됨과 그에 따른 와류 현상의 발생 없이 균일한 압력으로 공급됨으로써 트랜스퍼챔버에서 공정챔버로의 불순물 유동이 방지되어 공정챔버를 비롯한 웨이퍼의 오염 및 손상을 사전에 예방하게 되는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (3)

  1. 로드락챔버와 공정챔버를 포함한 각 챔버와 선택적으로 연통하여 소정 구획 형성되고, 내부에 각 챔버로 웨이퍼를 이송 위치시키도록 하는 로봇이 설치된 트랜스퍼챔버와; 상기 트랜스퍼챔버의 일측에 상기 트랜스퍼챔버 내부에 인가되는 제어신호에 따라 선택적으로 진공압을 조절토록 연통 연결되는 진공/퍼지라인과; 상기 진공/퍼지라인이 연결되는 상기 트랜스퍼챔버 내부에 상기 진공/퍼지라인으로부터 공급되는 퍼지가스가 상기 트랜스퍼챔버 내부에 균일하게 분포되게 하는 디퓨저;가 설치되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 디퓨저는 상기 트랜스퍼챔버 내부로 이어지는 상기 진공/퍼지라인의 끝단에 복수의 관통홀이 형성된 원통 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 디퓨저는 상기 트랜스퍼챔버 내부로 이어지는 상기 진공/퍼지라인의 끝단에 복수의 관통홀이 형성된 돔 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템.
KR1020010036892A 2001-06-27 2001-06-27 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템 KR20030000773A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036892A KR20030000773A (ko) 2001-06-27 2001-06-27 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036892A KR20030000773A (ko) 2001-06-27 2001-06-27 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030000773A true KR20030000773A (ko) 2003-01-06

Family

ID=27711375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010036892A KR20030000773A (ko) 2001-06-27 2001-06-27 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030000773A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738588B1 (ko) * 2005-03-08 2007-07-12 (주)엠피기술산업 교량용 신축이음장치
KR101358865B1 (ko) * 2011-12-14 2014-02-06 주성엔지니어링(주) 모니터링 장치 및 이를 이용한 모니터링 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738588B1 (ko) * 2005-03-08 2007-07-12 (주)엠피기술산업 교량용 신축이음장치
KR101358865B1 (ko) * 2011-12-14 2014-02-06 주성엔지니어링(주) 모니터링 장치 및 이를 이용한 모니터링 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5628828A (en) Processing method and equipment for processing a semiconductor device having holder/carrier with flattened surface
US7311784B2 (en) Plasma processing device
US6402848B1 (en) Single-substrate-treating apparatus for semiconductor processing system
KR20100065127A (ko) 진공 처리 시스템 및 기판 반송 방법
KR102396430B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113223914B (zh) 基板处理设备及基板处理方法
US11056367B2 (en) Buffer unit, and apparatus for treating substrate with the unit
JP3258885B2 (ja) 成膜処理装置
JP3342118B2 (ja) 処理装置
US11569110B2 (en) Buffer unit, and apparatus and method for treating substrate with the unit
JP3253002B2 (ja) 処理装置
US9418866B2 (en) Gas treatment method
KR20030000773A (ko) 반도체장치 제조설비의 진공/퍼지시스템
JP3996002B2 (ja) 真空処理装置
CN112768334B (zh) 基板处理设备
US20030066605A1 (en) Air exhaust system of a chamber for manufacturing semiconductor device
KR102334531B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007165475A (ja) 基板処理装置
KR20210008549A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
US20090025631A1 (en) Gas-tight module and exhaust method therefor
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
US20240071783A1 (en) Apparatus for treating substrate
US20230020539A1 (en) Symmetric semiconductor processing chamber
KR102290913B1 (ko) 기판 처리 장치
JPS61214513A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination