JPS63261232A - 光スイツチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光通信の分野等で用いられる光スイッチに係
り、％番こ光集積回路に用いて好適な光スイッチに関す
る。

〔従来の技術〕

従来、光スイッチとしては、光の反射面を半導体の中へ
電流注入番こよる屈折率低下現象を用いた全反射によっ
て形成することが行なわれてきた。

第１図は、これらの光スイッチの概念図を示したもので
、光のＸ型光導波路の一方から導入され、反対側の２つ
の出口のうち一方から出射する。このような光スイッチ
はオプトエレクトロニクス１（１９８６年〕第１３７頁
から１５２頁（（０ｐｔｏｌｅｌｃｔｒｏｎｉｃｓ、　
　　（１９８６）　ｐｐ、　１３７−１ｆｉ２４こおい
て論じられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、しかしながら、全反射の臨界角を１０
°報度までしか大きくすることができず素子化にあたっ
て、小型化に問題があり、マトリ、７ツクス光スイツチ
形成に際してコンパクトなデバイスが形成できないとい
う欠点があった。

本発明の目的は、第１図に示したＸ型光導波路の交差角
θを太きくシ、素子の小型化を図ることが可能な光スイ
ッチを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、光の反射面２を超伝導物質で形成すればよ
いことが種々の実験で明らかになった。

〔作用〕

この場合、超伝導物質で形成された反射面は、超伝導状
態のとき光の完全反射面として働き、電流あるいは磁場
等によって常伝導状態にすれば、光を透過する物質とし
て働き、すなわち光のスイッチングがおこる。また、光
を透過させるためには、反射面の厚さをある値以下にす
る必要がある。

更に、光を反射させずに透過だけさせるには、反射面に
無反射コーチラングをほどこすことも有効である。

〔実施例〕

実施例１ 第１図に示すようなＸ形光スイッチを作製した。

導波路１は、ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長１．
０μｍ）で形成し、その他はＩｎＰで形成した。

光の反射部２は、導波路の交すした部分を線状番こ気相
エッチで幅４００　Ａｔこエツチングし、その部分にＹ
Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７セラミクスをスパック法でうめ込み形
成した。電極３は、この反射部の上部にと基板の底に形
成した。交差部での断面形状を第２図（こ示す。

電極に電流を流さないとき、光の完全反射は温度７７°
にで交差角θが９０°まで生じた。また、電流を流さな
いときは、光の９０％が透過した。

したがって、本発明番こよる光スイッチは消光比１０ｄ
Ｂで動作することを確めた。また磁界を５０テスラ印加
しても消光比１０ｄＢで光スイッチか動作することを確
めた。

実施例２ 実施例１と同じ構造で導波路材料を８１０２ガラス、Ｌ
　ｉ　ＮｂＯ３中（こＴｉ拡散した材料、ＰｂＬａＺｒ
ＴｉＯ３系セラミクス、ＧａＡｓ半導材料で形成しても
、実施例１と同様消光比１０ｄＢ以上で光スイッチか生
じることを確めた。

〔発明の効果〕

本発明によれば反射率の極めて高い反射部を有する光導
波路の光スイッチを形成することができるので、光損失
が極めて小さく、効率の良い光スイッチか実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、Ｘ型光スイッチの概念図、第２図はＸ型光ス
イッチの交差部での断面形状を示す図である。 符号の説明 １・・・光導波路、２・・・光反射面、３・・・電極代
理人　弁理士　小　川　勝　男 竿１図 第２月

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、超伝導体を反射面とする光スイッチ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光スイッチにおいて、
   反射面の超伝導体に、電流、磁界のいずれかを印加して
   光スイッチを行なうことを特徴とする光スイッチ。