JPS6156329A - 熱光スイツチ - Google Patents
熱光スイツチInfo
- Publication number
- JPS6156329A JPS6156329A JP17904184A JP17904184A JPS6156329A JP S6156329 A JPS6156329 A JP S6156329A JP 17904184 A JP17904184 A JP 17904184A JP 17904184 A JP17904184 A JP 17904184A JP S6156329 A JPS6156329 A JP S6156329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- heating element
- spacer layer
- element electrode
- light guide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、温度変化を与えることで光の進路を変化させ
る熱光スイッチに関する。
る熱光スイッチに関する。
光信号などの進路を切り換える光スィッチとして、機械
式のものが知られているが、素子が大型で柵整が面倒な
うえ、動作速度が遅い。これに対し導波型の光スィッチ
は、電極間に電圧を印加することで光の進路を切り換え
るもので、高速動作が可能である。第３図はこの導波型
光スイッチの平面図である。導波型光スイッチは、Ｙカ
フ ）ＬｉＮｂＯｘ にオブ酸リチウム）等の単結晶
基板上１にＴｉ （チタン）の熱拡散により、幅１０μ
ｍ、厚さ４μｍ程度の高屈折率の交差形溝波路２ａ、２
ｂを形成し、該交差部２ｃ上に、交差点の中心を境にし
て、例えば２〜３μ頂程度のギャップＧをおいて、平行
状態に対向している平行電極３ａ、３ｂを形成した構成
になっている。この構成においていま、レーザダイオー
ドＬＤから、導波路２ｂに入射した光は、平行電極３ａ
、３ｂ間に電圧が印加されていない状態では、導波路２
ｂのみを直進する。ところがこの導波路２ａ、２ｂは、
電界の印加によって屈折率が変化するという電気光学効
果があるため、電極３ａ、３ｂ間に電圧を印加すると、
平行電極３ａ、３ｂ間の境界部に屈折率の低い壁ができ
、レーザダイオードＬＤから入射した信号光は、この壁
で全反射してもう一方の導波路２ａに切り換わる。
式のものが知られているが、素子が大型で柵整が面倒な
うえ、動作速度が遅い。これに対し導波型の光スィッチ
は、電極間に電圧を印加することで光の進路を切り換え
るもので、高速動作が可能である。第３図はこの導波型
光スイッチの平面図である。導波型光スイッチは、Ｙカ
フ ）ＬｉＮｂＯｘ にオブ酸リチウム）等の単結晶
基板上１にＴｉ （チタン）の熱拡散により、幅１０μ
ｍ、厚さ４μｍ程度の高屈折率の交差形溝波路２ａ、２
ｂを形成し、該交差部２ｃ上に、交差点の中心を境にし
て、例えば２〜３μ頂程度のギャップＧをおいて、平行
状態に対向している平行電極３ａ、３ｂを形成した構成
になっている。この構成においていま、レーザダイオー
ドＬＤから、導波路２ｂに入射した光は、平行電極３ａ
、３ｂ間に電圧が印加されていない状態では、導波路２
ｂのみを直進する。ところがこの導波路２ａ、２ｂは、
電界の印加によって屈折率が変化するという電気光学効
果があるため、電極３ａ、３ｂ間に電圧を印加すると、
平行電極３ａ、３ｂ間の境界部に屈折率の低い壁ができ
、レーザダイオードＬＤから入射した信号光は、この壁
で全反射してもう一方の導波路２ａに切り換わる。
この導波型光スイッチを光通信などに利用する場合、こ
のような導波型光スイッチを１つの基板に複数形成する
ことが多いが、前記のように基板１として単結晶の材料
が必要なため、多数の光スィッチで構成される大型の装
置を得ることが困難である。
のような導波型光スイッチを１つの基板に複数形成する
ことが多いが、前記のように基板１として単結晶の材料
が必要なため、多数の光スィッチで構成される大型の装
置を得ることが困難である。
これに対し結晶を使用しないで光スイツチ機能を実現で
きるものとして、ガラス基板に光ガイドを形成して成る
熱光スイッチ（サーモオプティカルスイッチ）が知られ
ている。この熱光スイッチは、基板材料の大きさの制約
は受けないので、大型化が可能であるが、多数の光スィ
ッチを接近して配設し集積化すると、隣接する光スィッ
チの温度の影響を受は易く、温度の影響を受けないよう
に各光スィッチの間隔を拡げると装置が大型となり、ま
た隣接する光スィッチが冷却してから駆動するように駆
動周期を長くすると、動作速度が低下するという欠点が
ある。
きるものとして、ガラス基板に光ガイドを形成して成る
熱光スイッチ（サーモオプティカルスイッチ）が知られ
ている。この熱光スイッチは、基板材料の大きさの制約
は受けないので、大型化が可能であるが、多数の光スィ
ッチを接近して配設し集積化すると、隣接する光スィッ
チの温度の影響を受は易く、温度の影響を受けないよう
に各光スィッチの間隔を拡げると装置が大型となり、ま
た隣接する光スィッチが冷却してから駆動するように駆
動周期を長くすると、動作速度が低下するという欠点が
ある。
本発明の技術的課題は、大型化が容易な熱光スイッチに
おけるこのような問題を解消し、多数の光スィッチを接
近して高密度に配置しても、動作速度を低下させること
なしに駆動できるようにすることにある。
おけるこのような問題を解消し、多数の光スィッチを接
近して高密度に配置しても、動作速度を低下させること
なしに駆動できるようにすることにある。
この技術的課題を解決するために講じた本発明による技
術的手段は、温度変化によって光の屈折率が変化する材
料からなる光ガイドと、咳光ガイドに温度変化を与える
発熱体電極とを有する熱光スイッチであって、金属ない
し半導体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に
、電気的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその
上に前記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のス
ペーサ層を介して発熱体電極を設けた構成になっている
。
術的手段は、温度変化によって光の屈折率が変化する材
料からなる光ガイドと、咳光ガイドに温度変化を与える
発熱体電極とを有する熱光スイッチであって、金属ない
し半導体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に
、電気的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその
上に前記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のス
ペーサ層を介して発熱体電極を設けた構成になっている
。
この技術的手段によれば、発熱体電極に通電してない状
態では、光ガイドに入射して来た光はその光ガイドを直
進するが、発熱体電極に通電して、その下方の光ガイド
の交差部が加熱されると、該交差部の屈折率が低下して
、入射光は他方の光ガイドに反射される。また発熱体電
極への通電を止めると、入射光は再び元の光ガイドに切
り換わって直進する。
態では、光ガイドに入射して来た光はその光ガイドを直
進するが、発熱体電極に通電して、その下方の光ガイド
の交差部が加熱されると、該交差部の屈折率が低下して
、入射光は他方の光ガイドに反射される。また発熱体電
極への通電を止めると、入射光は再び元の光ガイドに切
り換わって直進する。
このように発熱体電極で光ガイドの交差部に温度変化を
与えることで、光スイツチ動作が行われる。本発明の場
合、光ガイドや発熱体電極は、金属や半導体などのよう
な熱の良導体からなる基板上に設けられているため、発
熱体電極への通電を停止した際の光ガイドの交差部の放
熱が迅速に行われる。そのため交差部の温度変化による
スイッチング動作を短い周期で高速に行うことができ、
かつ各熱光スイッチを接近して配設しても、隣接する熱
光スイッチに及ぼす熱的な影響が小さく、高集積化が可
能となる。
与えることで、光スイツチ動作が行われる。本発明の場
合、光ガイドや発熱体電極は、金属や半導体などのよう
な熱の良導体からなる基板上に設けられているため、発
熱体電極への通電を停止した際の光ガイドの交差部の放
熱が迅速に行われる。そのため交差部の温度変化による
スイッチング動作を短い周期で高速に行うことができ、
かつ各熱光スイッチを接近して配設しても、隣接する熱
光スイッチに及ぼす熱的な影響が小さく、高集積化が可
能となる。
次に本発明による熱光スイッチが実際上どのように具体
化されるかを実施例で説明する。第１図は本発明による
熱光スイッチの実施例を示す斜視図、第２図は同熱光ス
ィッチの断面図である。４は基板であり、金属やシリコ
ンなどの半導体のような熱伝導性に優れた材料でできて
いる。この基板４上に、５ｉ０２などのような電気的に
絶縁性を有する材料から成る第１のスペーサ層５が、蒸
着やスバフタなどの手法で形成されている。そしてこの
スペーサＮ５の上に、光ガイドを構成するためのコア層
２が形成されている。このコア層２を、第３図や第１図
のようにＸ字状に交差させることで、光ガイド２Ａ、２
Ｂが形成されている。この光ガイド２Ａ、２Ｂの材料と
しては、屈折率が大きく且つ温度変化によって屈折率が
変化する材料、例えば５ｉ０２にＴｉをドープして成る
Ｔｉ Ｓｔ ０２などのようなガラス系の材料が通して
いる。光ガイド２Ａ、２Ｂの上には、更に第２のスペー
サ層６が、電気的に絶縁性をもった５ｉ０２などの蒸着
ないしスバフタなどの手法で形成されている。第１図で
は、この第２のスペーサ層６を省略した状態で表されて
いる。第２のスペーサ層６を挟んで光ガイド２Ａ。
化されるかを実施例で説明する。第１図は本発明による
熱光スイッチの実施例を示す斜視図、第２図は同熱光ス
ィッチの断面図である。４は基板であり、金属やシリコ
ンなどの半導体のような熱伝導性に優れた材料でできて
いる。この基板４上に、５ｉ０２などのような電気的に
絶縁性を有する材料から成る第１のスペーサ層５が、蒸
着やスバフタなどの手法で形成されている。そしてこの
スペーサＮ５の上に、光ガイドを構成するためのコア層
２が形成されている。このコア層２を、第３図や第１図
のようにＸ字状に交差させることで、光ガイド２Ａ、２
Ｂが形成されている。この光ガイド２Ａ、２Ｂの材料と
しては、屈折率が大きく且つ温度変化によって屈折率が
変化する材料、例えば５ｉ０２にＴｉをドープして成る
Ｔｉ Ｓｔ ０２などのようなガラス系の材料が通して
いる。光ガイド２Ａ、２Ｂの上には、更に第２のスペー
サ層６が、電気的に絶縁性をもった５ｉ０２などの蒸着
ないしスバフタなどの手法で形成されている。第１図で
は、この第２のスペーサ層６を省略した状態で表されて
いる。第２のスペーサ層６を挟んで光ガイド２Ａ。
２Ｂの交差部の真上に、発熱体電極７が設けられている
。この発熱体電極７は、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔ
ａ） 、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ ）などのように電気抵
抗の大きい材料が適している。発熱体電極７は、光ガイ
ド２Ａと２Ｂとの交差部に沿う形で延びており、一端に
リードパターン８１を介して端子９１が接続されている
。発熱体電極７の他端は、リードパターン８２を介して
前記基ｔＦｉ４に接続されている。
。この発熱体電極７は、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔ
ａ） 、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ ）などのように電気抵
抗の大きい材料が適している。発熱体電極７は、光ガイ
ド２Ａと２Ｂとの交差部に沿う形で延びており、一端に
リードパターン８１を介して端子９１が接続されている
。発熱体電極７の他端は、リードパターン８２を介して
前記基ｔＦｉ４に接続されている。
したがって第２のスペーサ層６には、リードパターン８
２を通すための窓穴１０が開けられている。
２を通すための窓穴１０が開けられている。
この構成において、クラッド層の役目をする第１のスペ
ーサ層５および第２のスペーサ層６より、コア層の役目
をする光ガイド２Ａ、 ２Ｂの屈折率が大きいため、レ
ーザダイオードＬＤがら光信号を光ガイド２Ｂに入射さ
せると、該光ガイド２Ｂを直進して、出力側の光ガイド
２Ｂｏから出射する。ところが発熱体電極７に通電して
発熱させると、光ガイド２八、２Ｂの交差部が加熱され
ることで屈折率が変化し、発熱体電極７に沿って屈折率
の低い壁ができ、レーザダイオードＬＤから入射した信
号光は、この壁１ で全反射されてもう一方
の光ガイド２Ａｏに切り換わる。発熱体電極７への通電
を止めて放熱させると、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の
温度が低下し、信号光の進路は再び元の光ガイドＺＢｏ
側に切り換ねる。
ーサ層５および第２のスペーサ層６より、コア層の役目
をする光ガイド２Ａ、 ２Ｂの屈折率が大きいため、レ
ーザダイオードＬＤがら光信号を光ガイド２Ｂに入射さ
せると、該光ガイド２Ｂを直進して、出力側の光ガイド
２Ｂｏから出射する。ところが発熱体電極７に通電して
発熱させると、光ガイド２八、２Ｂの交差部が加熱され
ることで屈折率が変化し、発熱体電極７に沿って屈折率
の低い壁ができ、レーザダイオードＬＤから入射した信
号光は、この壁１ で全反射されてもう一方
の光ガイド２Ａｏに切り換わる。発熱体電極７への通電
を止めて放熱させると、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の
温度が低下し、信号光の進路は再び元の光ガイドＺＢｏ
側に切り換ねる。
このように発熱体電極７への通電をオン・オフすること
で、光ガイド２Ａ、 ２Ｂの交差部における光の屈折率
を変化させ、光スイツチ作用を行わせる。
で、光ガイド２Ａ、 ２Ｂの交差部における光の屈折率
を変化させ、光スイツチ作用を行わせる。
したがって光スィッチを高速動作させるには、交差部の
温度変化が高速で行われることが必要である。すなわち
短時間に交差部が所定温度まで上昇したり、所定温度ま
で低下することが必要である。
温度変化が高速で行われることが必要である。すなわち
短時間に交差部が所定温度まで上昇したり、所定温度ま
で低下することが必要である。
本発明では、光ガイド２Ａ、２Ｂを形成する基板４とし
て、金属や半導体などのような熱伝導に優れた材料を使
用しているため、発熱体電極７への通電を停止すると、
発熱体電極７および光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の熱は
、熱伝導に優れた基板４によって急速に放熱される。そ
のため光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の光スイツチ動作部
の放熱が早まり、光スイッチの駆動周期を短くして高速
動作させることができる。また多数の光スイ・チを接近
して配設 １し集積化しても、光ガイド２Ａ
、２Ｂの交差部の放熱が高速で行われるので、隣接する
光スィッチへの影響が抑制され、この点からも駆動周期
を短くし、高速化できる。ちなみに光ガイド２Ａ、 ２
Ｂのパターンの厚さを１μｍ〜１００ μｍ程度と薄ク
シ、かつ第１のスペーサ層５を１〜３μｍ程度とするこ
とで、交差部の放熱はｍ１ｃｒｏ、ｓｅｃ、のオーダで
高速放熱されることが確認された。冷却水を循環させて
強制冷却する冷却装置に基板４を重ねて熱的に結合する
と、交差部の放熱速度は更に高速となる。
て、金属や半導体などのような熱伝導に優れた材料を使
用しているため、発熱体電極７への通電を停止すると、
発熱体電極７および光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の熱は
、熱伝導に優れた基板４によって急速に放熱される。そ
のため光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の光スイツチ動作部
の放熱が早まり、光スイッチの駆動周期を短くして高速
動作させることができる。また多数の光スイ・チを接近
して配設 １し集積化しても、光ガイド２Ａ
、２Ｂの交差部の放熱が高速で行われるので、隣接する
光スィッチへの影響が抑制され、この点からも駆動周期
を短くし、高速化できる。ちなみに光ガイド２Ａ、 ２
Ｂのパターンの厚さを１μｍ〜１００ μｍ程度と薄ク
シ、かつ第１のスペーサ層５を１〜３μｍ程度とするこ
とで、交差部の放熱はｍ１ｃｒｏ、ｓｅｃ、のオーダで
高速放熱されることが確認された。冷却水を循環させて
強制冷却する冷却装置に基板４を重ねて熱的に結合する
と、交差部の放熱速度は更に高速となる。
また図示例のように、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の付
近で第１のスペーサ層５に窓穴１０を開け、各発熱体電
極７の片方の端子をコモン端子として、直接基板４に接
続することで、各光スィッチを小型化でき、総ての光ス
ィッチをこのような構成とすることで、各光スィッチを
極めて接近して配設し、高集積化が可能となる。かつ高
集積化しても隣接光スイッチとの間の熱的影響が解消さ
れることで、高速かつ高集積の光スイツチ装置を実現で
きる。そして単結晶を使用する光スィッチと違って、金
属ないし半導体基板を使用できるので、極めて大型の装
置が得られる。
近で第１のスペーサ層５に窓穴１０を開け、各発熱体電
極７の片方の端子をコモン端子として、直接基板４に接
続することで、各光スィッチを小型化でき、総ての光ス
ィッチをこのような構成とすることで、各光スィッチを
極めて接近して配設し、高集積化が可能となる。かつ高
集積化しても隣接光スイッチとの間の熱的影響が解消さ
れることで、高速かつ高集積の光スイツチ装置を実現で
きる。そして単結晶を使用する光スィッチと違って、金
属ないし半導体基板を使用できるので、極めて大型の装
置が得られる。
以上のように本発明によれば、光スィッチの基板材料と
して、単結晶を使用しないで済むので、基板の制約を受
けることがなく大型化が可能である。また基板の放熱効
果が大きいので、光スイツチ部の放熱を迅速に行うこと
が可能で、スイッチング動作が高速に行われ、しかも接
近して多数の光スィッチを配設することが可能で、高集
積化を実現できる。
して、単結晶を使用しないで済むので、基板の制約を受
けることがなく大型化が可能である。また基板の放熱効
果が大きいので、光スイツチ部の放熱を迅速に行うこと
が可能で、スイッチング動作が高速に行われ、しかも接
近して多数の光スィッチを配設することが可能で、高集
積化を実現できる。
第１図は本発明による熱光スイッチの実施例を示す斜視
図、第２図は同熱光スィッチの要部断面図、第３図は従
来の導波型光スイッチの平面図である。 図において、４は基板、５は第１のスペーサ層、６は第
２のスペーサ層、７は発熱体電極、８１９１はリードパ
ターン、９１は端子、１ｏは窓穴をそれぞれ示す。 出願人 富士通株式会社 代理人 青柳 稔手続補正
書 ２１発明の名称 熱光スイッチ ３、補正をする者 代表者 山 本 卓 眞 図面第４図を追加。 明細書 １、発明の名称 熱光スイッチ ２、特許請求の範囲 ［１）温度変化によって光の屈折率が変化する材料から
なる光ガイドと、該光ガイドに温度変化を与える発熱体
電極とを有する熱光スイッチであって、金属ないし半導
体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に、電気
的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその上に前
記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のスペーサ
層を介して発熱体電極を設けたことを特徴とする熱光ス
イッチ。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は、温度変化を与えることで光の進路を変化させ
る熱光スイッチに関する。 〔従来技術とその問題点〕 光信号などの進路を切り換える光スィッチとして、機械
式のものが知られているが、素子が大型で調整が面倒な
うえ、動作速度が遅い。これに対し導波型の光スィッチ
は、平面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成でき
るため量産タイプであり、各種機能を一体化することが
できて、光学系の調整が容易である。また導波路型光ス
イッチとして通常使われているＬｉＮｂＯ３光スィッチ
では、電極間に電圧を印加することで光の進路を切り換
えるもので、高速動作が可能である。第３図はこの導波
型光スイッチの二側を示す平面図である。 この導波型光スイッチは、ＹカットＬｉＮｂ Ｏ３にオ
ブ酸リチウム）等の単結晶基板１上にＴｉ （チタン）
の熱拡散により、幅８μｍ、厚さ４μｍ程度の高屈折率
の交差形導波路２ａ、２ｂを形成し、該交差部２Ｃ上に
、交差点の中心を境にして、例えば４〜６μｍ程度のギ
ャップＧをおいて、平行状態に対向している平行電極３
ａ、 ３ｂを形成した構成になっている。 電極に電圧を印加することにより、電極間に電界が加わ
り、この部分の屈折率が変化する。このような交差導波
路では、交差角、ガイド幅、屈折率などのパラメータの
選択により、一方の入射線路から入射した光を出射側の
２つの線路の一方に集中して導波させることが可能であ
る。このため、電極３ａ、３ｂに電圧を印加し、電極間
の屈折率を変化させることで直進まはた分岐路に光パワ
ーをスイッチすることができる。 この導波型光スイッチを光通信などに利用する場合、こ
のような導波型光スイッチを１つの基板に複数形成する
ことが多いが、前記のように基板１として単結晶の材料
が必要なため、多数の光スイッチで構成される大型の装
置を得ることが困難である。 これに対し結晶を使用しないで光スイツチ機能を実現で
きるものとして、ガラス基板に光ガイドを形成して成る
熱光スイッチ（サーモオプティカルスイッチ）が知られ
ている。この熱光スイッチ３２．！工Ｈｏヵ。８ （７
）ｉ！Ｊａ”Ｊ ＆ｔ＊＆ｔｆｉ ６、。７、ヵ
１・型化が可能であるが、多数の光スィッチを接近して
配設し集積化すると、隣接する光スィッチの温度の影響
を受は易く、温度の影響を受けないように各光スィッチ
の間隔を拡げると装置が大型となり、また隣接する光ス
ィッチが冷却してから駆動するように駆動周期を長くす
ると、動作速度が低下するという欠点がある。 〔本発明の技術的課題〕 本発明の技術的課題は、大型化が容易な熱光スイッチに
おけるこのような問題を解消し、多数の光スィッチを接
近して高密度に配置しても、動作速度を低下させること
−なしに駆動できるようにすることにある。 〔発明の技術的手段〕 この技術的課題を解決するために講じた本発明による技
術的手段は、温度変化によって光の屈折率が変化する材
料からなる光ガイドと、該光ガイドに温度変化を与える
発熱体電極とを有する熱光スイッチであって、金属ない
し半導体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に
、電気的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその
上に前記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のス
ペーサ層を介して発熱体電極を設けた構成になっている
。 〔技術的手段の作用〕 この技術的手段によれば、発熱体電極に通電してない状
態では、光ガイドに入射して来た光はその光ガイドを直
進するが、発熱体電極に通電して、その下方の光ガイド
の交差部が加熱されると、該交差部の屈折率が低下して
、入射光は他方の光ガイドに導波される。また発熱体電
極への通電を止めると、入射光は再び元の光ガイドに切
り換わって直進する。このスイッチでは、屈折率Δｎの
変化に対して直進状態と分岐状態が周期的に現れるため
、必ずしも通電のオフ状態をスイッチの動作状態として
使用する必要はない。 このように発熱体電極で光ガイドの交差部に温度変化を
与えることで、光スイツチ動作が行われる。本発明の場
合、光ガイドや発熱体電極は、金属や半導体などのよう
な熱の良導体からなる基板上に設けられているため、発
熱体電極への通電を停止した際の光ガイドの交差部の放
熱が迅速に行われる。そのため交差部の温度変化による
スイッチング動作を短い周期で高速に行うことができ、
かつ各熱光スイッチを接近して配設しても、隣接する熱
光スイッチに及ぼす熱的な影響が小さく、高集積化が可
能となる。 〔発明の実施例〕 次に本発明による熱光スイッチが実際上どのように具体
化されるかを実施例で説明する。第１図は本発明による
熱光スイッチの実施例を示す斜視図、第２図は同熱光ス
ィッチの断面図である。４は基板であり、金属やシリコ
ンなどの半導体のような熱伝導性に優れた材料でできて
いる。この基板４上に、５ｉ０２などのような電気的に
絶縁性を有する材料から成る第１のスペーサ層５が、蒸
着やスパッタなどの手法で形成されている。そしてこの
スペーサ層５の上に、光ガイドを構成するためのコアＦ
ｉ２が形成されている。このコアＦｉ２を、第３図や第
１図のようにＸ字状に交差させることで、光ガイド２Ａ
、 ２Ｂが形成されている。この光ガイド２八、２Ｂの
材料としては、屈折率が大きく且つ温度変化によって屈
折率が変化する材料、例えば５ｉ０２にＴｉをドープし
て成るＴｉ Ｓｔ ０２などのようなガラス系の材料が
適している。光ガイド２Δ、２Ｂの上には、更に第２の
スペーサ層６が、電気的に絶縁性をもった５ｉ０２など
の蒸着ないしスパッタなどの手法で形成されている。第
１図では、この第２のスペーサ層６を省略した状態で表
されている。第２のスペーサ層６を挟んで光ガイド２Ａ
。 ２Ｂの交差部の真上に、発熱体電極７が設けられている
。この発熱体電極７は、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔ
ａ） 、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ ）などのように電気抵
抗の大きい材料が適している。発熱体電極７は、光ガイ
ド２Ａと２Ｂとの交差部に沿う形で延びており、一端に
リードパターン８１を介して端子９１が接続されている
。発熱体電極７の他端は、リードパターン８２を介して
前記基板４に接続されている。 したがって第２のスペーサ層６には、リードパターン８
２を通すための窓穴１０が開けられている。 この構成において、クラッド層の役目をする第１のスペ
ーサ層５および第２のスペーサ層６より、コア層の役目
をする光ガイド２Ａ、２Ｂの屈折率が大きいため、レー
ザダイオードＬＤから光信号を光ガイド２Ｂに入射させ
ると、該光ガイド２Ｂを直進して、出力側の光ガイド２
Ｂｏから出射する。ところが発熱体電極７に通電して発
熱させると、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部が加熱される
ことで、交差部の屈折率が変化しレーザダイオードＬＤ
から入射した信号光は、もう一方の光ガイド２Ａｏに切
り換わる。発熱体電極７への通電を止めて放熱させると
、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の温度が低下し、信号光
の進路は再び元の光ガイド２Ｂｏ側に切り換わる。 このように発熱体電極７への通電をオン・オフすること
で、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部における光の屈折率を
変化させ、光スイツチ作用を行わせる。 したがって光スィッチを高速動作させるには、交差部の
温度変化が高速で行われることが必要である。すなわち
短時間に交差部が所定温度まで上昇したり、所定温度ま
で低下することが必要である。 本発明では、光ガイド２Ａ、２Ｂを形成する基板４とし
て、金属や半導体などのような熱伝導に優れた材料を使
用しているため、発熱体電極７への通電を停止すると、
発熱体電極７および光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の熱は
、熱伝導に優れた基板４によって急速に放熱される。そ
のため光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の光スイツチ動作部
の放熱が早まり、光スィッチの駆動周期を短くして高速
動作させることができる。また多数の光スィッチを接近
して配設し集積化しても、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部
の放熱が高速で行われるので、隣接する光スィッチへの
影響が抑制され、この点からも駆動周期を短くし、高速
化できる。ちなみに光ガイド２Ａ、 ２Ｂのパターンの
厚さを０．５μｍ〜１０μｍ程度と薄くし、がっ第１の
スペーサＮ５を１〜３μｍ程度とすることで、交差部の
放熱はｍ１ｃｒｏ、 ｓｅｃ、のオーダで高速放熱され
ることが確認された。冷却水を循環させて強制冷却する
冷却装置に基板４を重ねて熱的に結合すると、交差部の
放熱速度は更に高速となる。 また図示例のように、光ガイド２Ａ、 ２Ｂの交差部の
付近で第１のスペーサ層５に窓穴１０を開け、各発熱体
電極７の片方の端子をコモン端子として、直接基板４に
接続することで、各光スィッチを小型化でき、総ての光
スィッチをこのような構成とすることで、各光スィッチ
を極めて接近して配設し、高集積化が可能となる。かつ
高集積化しても隣接光スイッチとの間の熱的影響が解消
されることで、高速かつ高集積の光スイツチ装置を実現
できる。そして単結晶を使用する光スィッチと違って、
金属ないし半導体基板を使用できるので、極めて大型の
装置が得られる。 更に第４図に示すよ−うに、リードパターンを用いない
で、窓穴１０中で発熱体金属７を基板４と直接接着させ
ることにより、さらに放熱効果を増大させ、高速のスイ
ッチングを可能とすることができる。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、光スィッチの基板材料と
して、単結晶を使用しないで済むので、５ 基板
の制約を受けることがなく大型化が可能である。また基
板の放熱効果が大きいので、光スイツチ部の放熱を迅速
に行うことが可能で、スイッチング動作が高速に行われ
、しかも接近して多数の光スィッチを配設することが可
能で、高集積化を実現できる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明による熱光スイッチの実施例を示す斜視
図、第２図は同熱光スィッチの要部断面図、第４図は本
発明による熱光スイッチの他の実施例を示す斜視図と平
面図、第３図は従来の導波型光スイッチの平面図である
。 図において、４は基板、５は第１のスペーサ層、６は第
２のスペーサ層、７は発熱体電極、８１．９１はリード
パターン、９１は端子、１０は窓穴をそれぞれ示す。
図、第２図は同熱光スィッチの要部断面図、第３図は従
来の導波型光スイッチの平面図である。 図において、４は基板、５は第１のスペーサ層、６は第
２のスペーサ層、７は発熱体電極、８１９１はリードパ
ターン、９１は端子、１ｏは窓穴をそれぞれ示す。 出願人 富士通株式会社 代理人 青柳 稔手続補正
書 ２１発明の名称 熱光スイッチ ３、補正をする者 代表者 山 本 卓 眞 図面第４図を追加。 明細書 １、発明の名称 熱光スイッチ ２、特許請求の範囲 ［１）温度変化によって光の屈折率が変化する材料から
なる光ガイドと、該光ガイドに温度変化を与える発熱体
電極とを有する熱光スイッチであって、金属ないし半導
体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に、電気
的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその上に前
記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のスペーサ
層を介して発熱体電極を設けたことを特徴とする熱光ス
イッチ。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明は、温度変化を与えることで光の進路を変化させ
る熱光スイッチに関する。 〔従来技術とその問題点〕 光信号などの進路を切り換える光スィッチとして、機械
式のものが知られているが、素子が大型で調整が面倒な
うえ、動作速度が遅い。これに対し導波型の光スィッチ
は、平面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成でき
るため量産タイプであり、各種機能を一体化することが
できて、光学系の調整が容易である。また導波路型光ス
イッチとして通常使われているＬｉＮｂＯ３光スィッチ
では、電極間に電圧を印加することで光の進路を切り換
えるもので、高速動作が可能である。第３図はこの導波
型光スイッチの二側を示す平面図である。 この導波型光スイッチは、ＹカットＬｉＮｂ Ｏ３にオ
ブ酸リチウム）等の単結晶基板１上にＴｉ （チタン）
の熱拡散により、幅８μｍ、厚さ４μｍ程度の高屈折率
の交差形導波路２ａ、２ｂを形成し、該交差部２Ｃ上に
、交差点の中心を境にして、例えば４〜６μｍ程度のギ
ャップＧをおいて、平行状態に対向している平行電極３
ａ、 ３ｂを形成した構成になっている。 電極に電圧を印加することにより、電極間に電界が加わ
り、この部分の屈折率が変化する。このような交差導波
路では、交差角、ガイド幅、屈折率などのパラメータの
選択により、一方の入射線路から入射した光を出射側の
２つの線路の一方に集中して導波させることが可能であ
る。このため、電極３ａ、３ｂに電圧を印加し、電極間
の屈折率を変化させることで直進まはた分岐路に光パワ
ーをスイッチすることができる。 この導波型光スイッチを光通信などに利用する場合、こ
のような導波型光スイッチを１つの基板に複数形成する
ことが多いが、前記のように基板１として単結晶の材料
が必要なため、多数の光スイッチで構成される大型の装
置を得ることが困難である。 これに対し結晶を使用しないで光スイツチ機能を実現で
きるものとして、ガラス基板に光ガイドを形成して成る
熱光スイッチ（サーモオプティカルスイッチ）が知られ
ている。この熱光スイッチ３２．！工Ｈｏヵ。８ （７
）ｉ！Ｊａ”Ｊ ＆ｔ＊＆ｔｆｉ ６、。７、ヵ
１・型化が可能であるが、多数の光スィッチを接近して
配設し集積化すると、隣接する光スィッチの温度の影響
を受は易く、温度の影響を受けないように各光スィッチ
の間隔を拡げると装置が大型となり、また隣接する光ス
ィッチが冷却してから駆動するように駆動周期を長くす
ると、動作速度が低下するという欠点がある。 〔本発明の技術的課題〕 本発明の技術的課題は、大型化が容易な熱光スイッチに
おけるこのような問題を解消し、多数の光スィッチを接
近して高密度に配置しても、動作速度を低下させること
−なしに駆動できるようにすることにある。 〔発明の技術的手段〕 この技術的課題を解決するために講じた本発明による技
術的手段は、温度変化によって光の屈折率が変化する材
料からなる光ガイドと、該光ガイドに温度変化を与える
発熱体電極とを有する熱光スイッチであって、金属ない
し半導体などの熱伝導性に優れた材料からなる基板上に
、電気的絶縁体から成る第１のスペーサ層を設けてその
上に前記光ガイドを形成し、該光ガイドの上に第２のス
ペーサ層を介して発熱体電極を設けた構成になっている
。 〔技術的手段の作用〕 この技術的手段によれば、発熱体電極に通電してない状
態では、光ガイドに入射して来た光はその光ガイドを直
進するが、発熱体電極に通電して、その下方の光ガイド
の交差部が加熱されると、該交差部の屈折率が低下して
、入射光は他方の光ガイドに導波される。また発熱体電
極への通電を止めると、入射光は再び元の光ガイドに切
り換わって直進する。このスイッチでは、屈折率Δｎの
変化に対して直進状態と分岐状態が周期的に現れるため
、必ずしも通電のオフ状態をスイッチの動作状態として
使用する必要はない。 このように発熱体電極で光ガイドの交差部に温度変化を
与えることで、光スイツチ動作が行われる。本発明の場
合、光ガイドや発熱体電極は、金属や半導体などのよう
な熱の良導体からなる基板上に設けられているため、発
熱体電極への通電を停止した際の光ガイドの交差部の放
熱が迅速に行われる。そのため交差部の温度変化による
スイッチング動作を短い周期で高速に行うことができ、
かつ各熱光スイッチを接近して配設しても、隣接する熱
光スイッチに及ぼす熱的な影響が小さく、高集積化が可
能となる。 〔発明の実施例〕 次に本発明による熱光スイッチが実際上どのように具体
化されるかを実施例で説明する。第１図は本発明による
熱光スイッチの実施例を示す斜視図、第２図は同熱光ス
ィッチの断面図である。４は基板であり、金属やシリコ
ンなどの半導体のような熱伝導性に優れた材料でできて
いる。この基板４上に、５ｉ０２などのような電気的に
絶縁性を有する材料から成る第１のスペーサ層５が、蒸
着やスパッタなどの手法で形成されている。そしてこの
スペーサ層５の上に、光ガイドを構成するためのコアＦ
ｉ２が形成されている。このコアＦｉ２を、第３図や第
１図のようにＸ字状に交差させることで、光ガイド２Ａ
、 ２Ｂが形成されている。この光ガイド２八、２Ｂの
材料としては、屈折率が大きく且つ温度変化によって屈
折率が変化する材料、例えば５ｉ０２にＴｉをドープし
て成るＴｉ Ｓｔ ０２などのようなガラス系の材料が
適している。光ガイド２Δ、２Ｂの上には、更に第２の
スペーサ層６が、電気的に絶縁性をもった５ｉ０２など
の蒸着ないしスパッタなどの手法で形成されている。第
１図では、この第２のスペーサ層６を省略した状態で表
されている。第２のスペーサ層６を挟んで光ガイド２Ａ
。 ２Ｂの交差部の真上に、発熱体電極７が設けられている
。この発熱体電極７は、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔ
ａ） 、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ ）などのように電気抵
抗の大きい材料が適している。発熱体電極７は、光ガイ
ド２Ａと２Ｂとの交差部に沿う形で延びており、一端に
リードパターン８１を介して端子９１が接続されている
。発熱体電極７の他端は、リードパターン８２を介して
前記基板４に接続されている。 したがって第２のスペーサ層６には、リードパターン８
２を通すための窓穴１０が開けられている。 この構成において、クラッド層の役目をする第１のスペ
ーサ層５および第２のスペーサ層６より、コア層の役目
をする光ガイド２Ａ、２Ｂの屈折率が大きいため、レー
ザダイオードＬＤから光信号を光ガイド２Ｂに入射させ
ると、該光ガイド２Ｂを直進して、出力側の光ガイド２
Ｂｏから出射する。ところが発熱体電極７に通電して発
熱させると、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部が加熱される
ことで、交差部の屈折率が変化しレーザダイオードＬＤ
から入射した信号光は、もう一方の光ガイド２Ａｏに切
り換わる。発熱体電極７への通電を止めて放熱させると
、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の温度が低下し、信号光
の進路は再び元の光ガイド２Ｂｏ側に切り換わる。 このように発熱体電極７への通電をオン・オフすること
で、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部における光の屈折率を
変化させ、光スイツチ作用を行わせる。 したがって光スィッチを高速動作させるには、交差部の
温度変化が高速で行われることが必要である。すなわち
短時間に交差部が所定温度まで上昇したり、所定温度ま
で低下することが必要である。 本発明では、光ガイド２Ａ、２Ｂを形成する基板４とし
て、金属や半導体などのような熱伝導に優れた材料を使
用しているため、発熱体電極７への通電を停止すると、
発熱体電極７および光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の熱は
、熱伝導に優れた基板４によって急速に放熱される。そ
のため光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部の光スイツチ動作部
の放熱が早まり、光スィッチの駆動周期を短くして高速
動作させることができる。また多数の光スィッチを接近
して配設し集積化しても、光ガイド２Ａ、２Ｂの交差部
の放熱が高速で行われるので、隣接する光スィッチへの
影響が抑制され、この点からも駆動周期を短くし、高速
化できる。ちなみに光ガイド２Ａ、 ２Ｂのパターンの
厚さを０．５μｍ〜１０μｍ程度と薄くし、がっ第１の
スペーサＮ５を１〜３μｍ程度とすることで、交差部の
放熱はｍ１ｃｒｏ、 ｓｅｃ、のオーダで高速放熱され
ることが確認された。冷却水を循環させて強制冷却する
冷却装置に基板４を重ねて熱的に結合すると、交差部の
放熱速度は更に高速となる。 また図示例のように、光ガイド２Ａ、 ２Ｂの交差部の
付近で第１のスペーサ層５に窓穴１０を開け、各発熱体
電極７の片方の端子をコモン端子として、直接基板４に
接続することで、各光スィッチを小型化でき、総ての光
スィッチをこのような構成とすることで、各光スィッチ
を極めて接近して配設し、高集積化が可能となる。かつ
高集積化しても隣接光スイッチとの間の熱的影響が解消
されることで、高速かつ高集積の光スイツチ装置を実現
できる。そして単結晶を使用する光スィッチと違って、
金属ないし半導体基板を使用できるので、極めて大型の
装置が得られる。 更に第４図に示すよ−うに、リードパターンを用いない
で、窓穴１０中で発熱体金属７を基板４と直接接着させ
ることにより、さらに放熱効果を増大させ、高速のスイ
ッチングを可能とすることができる。 〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、光スィッチの基板材料と
して、単結晶を使用しないで済むので、５ 基板
の制約を受けることがなく大型化が可能である。また基
板の放熱効果が大きいので、光スイツチ部の放熱を迅速
に行うことが可能で、スイッチング動作が高速に行われ
、しかも接近して多数の光スィッチを配設することが可
能で、高集積化を実現できる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明による熱光スイッチの実施例を示す斜視
図、第２図は同熱光スィッチの要部断面図、第４図は本
発明による熱光スイッチの他の実施例を示す斜視図と平
面図、第３図は従来の導波型光スイッチの平面図である
。 図において、４は基板、５は第１のスペーサ層、６は第
２のスペーサ層、７は発熱体電極、８１．９１はリード
パターン、９１は端子、１０は窓穴をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 温度変化によって光の屈折率が変化する材料からなる光
ガイドと、該光ガイドに温度変化を与える発熱体電極と
を有する熱光スイッチであって、金属ないし半導体など
の熱伝導性に優れた材料からなる基板上に、電気的絶縁
体から成る第１のスペーサ層を設けてその上に前記光ガ
イドを形成し、該光ガイドの上に第２のスペーサ層を介
して発熱体電極を設けたことを特徴とする熱光スイッチ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904184A JPS6156329A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 熱光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904184A JPS6156329A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 熱光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156329A true JPS6156329A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0511294B2 JPH0511294B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=16059080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17904184A Granted JPS6156329A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 熱光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946262A (en) * | 1987-11-23 | 1990-08-07 | Staat Der Nederlanden (Staatsbedrijf Der Posterijen, Telegrafie En Telefonie) | Method and device for controlling a beam of light |
| EP1178349A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-06 | Corning Incorporated | Integrated thermo-optical silica switch |
| WO2002086614A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif optique |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893035A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17904184A patent/JPS6156329A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893035A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946262A (en) * | 1987-11-23 | 1990-08-07 | Staat Der Nederlanden (Staatsbedrijf Der Posterijen, Telegrafie En Telefonie) | Method and device for controlling a beam of light |
| EP1178349A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-06 | Corning Incorporated | Integrated thermo-optical silica switch |
| US6600848B2 (en) | 2000-08-02 | 2003-07-29 | Corning Incorporated | Integrated thermo-optical silica switch |
| WO2002086614A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif optique |
| US6961493B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511294B2 (ja) | 1993-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950006328B1 (ko) | 광기능소자 및 그 구동방법 | |
| US6603893B1 (en) | Method and apparatus for switching an optical beam in a semiconductor substrate | |
| JPS6254991A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH10333190A (ja) | 光スイッチ | |
| JP2017161591A (ja) | 屈折率制御素子、光位相シフタ、光スイッチ、及び屈折率制御素子の製造方法 | |
| JPS5872919A (ja) | 光スイツチアレイ | |
| JPS6156329A (ja) | 熱光スイツチ | |
| EP0105693B1 (en) | Bipolar voltage controlled optical switch using intersecting waveguide | |
| JP4330318B2 (ja) | ２つの非共面光導波路アレイを含む光スイッチ | |
| JP2940141B2 (ja) | 導波型光制御デバイス | |
| JP6300209B2 (ja) | 光偏向素子及び光偏向装置 | |
| JPH07120631A (ja) | 光導波路型部品 | |
| JPS5895330A (ja) | 光スイツチ | |
| JP2687362B2 (ja) | 光スイッチング素子 | |
| JPS5897028A (ja) | 光導波路スイツチ | |
| JPS60243642A (ja) | 光スイツチ | |
| JP3534385B2 (ja) | 熱光学スイッチ | |
| JPS6156328A (ja) | 光偏向器 | |
| JPS6086530A (ja) | 導波路形光スイツチ | |
| JPS5893036A (ja) | 光分岐デバイス | |
| JP2801351B2 (ja) | 光機能素子およびその駆動方法 | |
| JPH01201628A (ja) | 光スイッチ | |
| JPH0361932B2 (ja) | ||
| JPH0713685B2 (ja) | 交叉導波路型光スイッチ | |
| JPS62145224A (ja) | 光導波路素子 |