JPS5895330A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
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- JPS5895330A JPS5895330A JP19243981A JP19243981A JPS5895330A JP S5895330 A JPS5895330 A JP S5895330A JP 19243981 A JP19243981 A JP 19243981A JP 19243981 A JP19243981 A JP 19243981A JP S5895330 A JPS5895330 A JP S5895330A
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- Japan
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- optical
- optical waveguide
- refractive index
- waveguide
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光スィッチに関し、可動部を持たず且つ電話（
クロストーク）を小さくし得るよう改良したものである
。
クロストーク）を小さくし得るよう改良したものである
。
従来技術に係る光スイツチｔ−第１図〜第４図に示す。
このうち第１図はＬｉＮｂＯ３にＴｉを拡散した導波路
１．２を用いた方向性結合形光スイッチである（樽茶、
蓄力「方向性結合形スイッチを用いた双安定光スィッチ
の検討」光音ニレ研資料、ｏ ｏ １ 、 ＯＱＥ
７９−１４６、ＰＰ、７−１２．１ ’：） ７９ ）
。このタイグの光スィッチは、導波路１．２上にある電
極３，４に電圧を印加することによシミ気光学効釆によ
って生じる導波路１．２の結合定数の変化を利用してＰ
ｏから入つ九九をＰｓ ａしくはＰ２にスイッチさせる
ものである。このような方向性結合器形のクロストーク
は一２６ｄＢ、挿入損失は４．６ ｄＢである。
１．２を用いた方向性結合形光スイッチである（樽茶、
蓄力「方向性結合形スイッチを用いた双安定光スィッチ
の検討」光音ニレ研資料、ｏ ｏ １ 、 ＯＱＥ
７９−１４６、ＰＰ、７−１２．１ ’：） ７９ ）
。このタイグの光スィッチは、導波路１．２上にある電
極３，４に電圧を印加することによシミ気光学効釆によ
って生じる導波路１．２の結合定数の変化を利用してＰ
ｏから入つ九九をＰｓ ａしくはＰ２にスイッチさせる
ものである。このような方向性結合器形のクロストーク
は一２６ｄＢ、挿入損失は４．６ ｄＢである。
第２しＩに示す光スィッチは、＃膜光４波路内の高屈折
率領域と低屈折率領域の境界での光の全反射゛を利用す
るものである（ Ｈ，Ｔａｒｕｉ 、 Ｍ。
率領域と低屈折率領域の境界での光の全反射゛を利用す
るものである（ Ｈ，Ｔａｒｕｉ 、 Ｍ。
Ｋｏｂａｙａａｈｉ ａｎｄ Ｔ、Ｋａａａｉ、”Ｔｏ
ｔａｌ ｒｅｆｒｅａｔｉｏｎｏｐｔｉｃａｌ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｗ１ｔｃｈ ” ｒ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ 拳 ＋ｖｏ１．１７
、Ｎ１１２ 、ＰＰ、７７−７９．１９８１ ）。即ち
、第２図において斜綜部で示す低屈折率領域５の薄膜の
屈折率ｎ２ は、他の領域である高屈折率領域６の屈
折率ｎ２よシ小さくなっている。可動ｈ′ｆｋＬ体（ｍ
ｏｖａｂｌｅ ｄｉａｌｅｃｔｒｉｃ ｃｈｉｐ ）
７が離れているときには、Ｉｖ１度”０で低屈折率領域
５に入射した光は、 の条件が満足されているときには全反射される。
ｔａｌ ｒｅｆｒｅａｔｉｏｎｏｐｔｉｃａｌ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｗ１ｔｃｈ ” ｒ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ 拳 ＋ｖｏ１．１７
、Ｎ１１２ 、ＰＰ、７７−７９．１９８１ ）。即ち
、第２図において斜綜部で示す低屈折率領域５の薄膜の
屈折率ｎ２ は、他の領域である高屈折率領域６の屈
折率ｎ２よシ小さくなっている。可動ｈ′ｆｋＬ体（ｍ
ｏｖａｂｌｅ ｄｉａｌｅｃｔｒｉｃ ｃｈｉｐ ）
７が離れているときには、Ｉｖ１度”０で低屈折率領域
５に入射した光は、 の条件が満足されているときには全反射される。
ただし、β及び！は高屈折率領域６の伝搬定数及び可動
誘電体７が無いときの低屈折率領域５の伝搬定数である
。これに対して可１１ＩＩ籾電体７が薄膜に接すると低
屈折率領域５の伝搬定数β“はβ′よシ大きくなる。し
たがって式（１）の条件は成立しなくなシ光は低屈折率
領域６を透過するーこの棟の薄膜全反射形光スイッチは
この様な原理に基づいて可動誘電体７を薄膜に接したり
離したシすることによって光の通路を切シ換えるもので
ある。また、この柚の光スィッチのクロストークは−２
８ｄＢ 、挿入損失は３ｄＢである。
誘電体７が無いときの低屈折率領域５の伝搬定数である
。これに対して可１１ＩＩ籾電体７が薄膜に接すると低
屈折率領域５の伝搬定数β“はβ′よシ大きくなる。し
たがって式（１）の条件は成立しなくなシ光は低屈折率
領域６を透過するーこの棟の薄膜全反射形光スイッチは
この様な原理に基づいて可動誘電体７を薄膜に接したり
離したシすることによって光の通路を切シ換えるもので
ある。また、この柚の光スィッチのクロストークは−２
８ｄＢ 、挿入損失は３ｄＢである。
一般に光スィッチのクロストークは一６０ｄＢ以下が要
求されるが、方向性結合器形光スイッチや全反射形光ス
イッチは光導波路の不完全性による散乱により一６０ｄ
Ｂ以下のクロストークを得ることは困’ＡＩｋである。
求されるが、方向性結合器形光スイッチや全反射形光ス
イッチは光導波路の不完全性による散乱により一６０ｄ
Ｂ以下のクロストークを得ることは困’ＡＩｋである。
第３図（ａ） 、 （ｂ）は液晶を用いた光スィッチで
、第３図（ａ）が電源８を開放した状態、第３図（ｂ）
が投入した状態である（ Ｒ−Ａ、５ｏｒｅｆどｌ、ｏ
ｗ−ｃｒｏａａ−ｔａｌｋ２ Ｘ２ ｏｐｔｉｃａｌ
ｗｉｔｃｈ”＋ Ｏｐｔ、＋Ｌｅｔｔ、＋ｖｏ１．６＋
Ｎａ６ 、 ＰＰ、２７５−２７７、１９８１ ）。液
晶９は電圧を印加することによって分子の配向状態を変
えることが出来、それによって光の偏光方向を変えるこ
とが出来る。第３図（ａ） 、 （ｂ）では、このよう
な液晶９と偏向方向によって反射あるいは透過特性が異
なる組み合わせプリズム１０を用いて光のスイッチを行
なうもの、である。この光スィッチではクロストークは
一２７ｄＢ、挿入損失は２．５ ｄＢ である。このよ
うに液晶９を用いる光スィッチにおいては、液晶分子に
よる散乱のためにクロストークを一６０ｄＢ以下にする
ことは困難である。
、第３図（ａ）が電源８を開放した状態、第３図（ｂ）
が投入した状態である（ Ｒ−Ａ、５ｏｒｅｆどｌ、ｏ
ｗ−ｃｒｏａａ−ｔａｌｋ２ Ｘ２ ｏｐｔｉｃａｌ
ｗｉｔｃｈ”＋ Ｏｐｔ、＋Ｌｅｔｔ、＋ｖｏ１．６＋
Ｎａ６ 、 ＰＰ、２７５−２７７、１９８１ ）。液
晶９は電圧を印加することによって分子の配向状態を変
えることが出来、それによって光の偏光方向を変えるこ
とが出来る。第３図（ａ） 、 （ｂ）では、このよう
な液晶９と偏向方向によって反射あるいは透過特性が異
なる組み合わせプリズム１０を用いて光のスイッチを行
なうもの、である。この光スィッチではクロストークは
一２７ｄＢ、挿入損失は２．５ ｄＢ である。このよ
うに液晶９を用いる光スィッチにおいては、液晶分子に
よる散乱のためにクロストークを一６０ｄＢ以下にする
ことは困難である。
第４図は光ファイバ入りＩＩＭｌｌと元ファイバ出線１
２の間をレンズ系によって平行ビームとし、相方が交差
する位置に反射プリズム１３を出し入れすることによっ
てスイッチ作用を行なうものである（ Ｈ，Ｙａｍａｍ
ｏｔ ｏ 、 Ｍ−Ｙｏｋｏｙａｍａ 、 Ｈ。
２の間をレンズ系によって平行ビームとし、相方が交差
する位置に反射プリズム１３を出し入れすることによっ
てスイッチ作用を行なうものである（ Ｈ，Ｙａｍａｍ
ｏｔ ｏ 、 Ｍ−Ｙｏｋｏｙａｍａ 、 Ｈ。
Ｏｇｉｗａｒａ ａｎｄ Ｍ、Ｙｏｓｈｉｄａ、 ”
Ｌａｒｇｅ−ａ’ｃａｌｅ ａｎｄｌｏｗ−１ｏｓｓ
ｏｐｔｉｃａｌ ５ｗ１ｔｃｈ ｍａｔｒｉｘ ｆｏｒ
ｏｐｔｉｃａｌｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ
”＋ Ｊｏｕｒ、ｏｆ Ｏｐｔ、Ｃｏｍｍｕｎ、。
Ｌａｒｇｅ−ａ’ｃａｌｅ ａｎｄｌｏｗ−１ｏｓｓ
ｏｐｔｉｃａｌ ５ｗ１ｔｃｈ ｍａｔｒｉｘ ｆｏｒ
ｏｐｔｉｃａｌｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍｓ
”＋ Ｊｏｕｒ、ｏｆ Ｏｐｔ、Ｃｏｍｍｕｎ、。
ｖｏｌ、１ 、ｔａ２．ＰＰ、７４−７９．１９８０）
ｏ この様なマ） ＩＪクス・スイッチは不要光の散乱
が非常に小さいためクロストークは−６０ｄＢ以下であ
り、クロストークの点では要求条件を満たしている。
ｏ この様なマ） ＩＪクス・スイッチは不要光の散乱
が非常に小さいためクロストークは−６０ｄＢ以下であ
り、クロストークの点では要求条件を満たしている。
また挿入損失も０．９５ｄＢと小さい。しかし、１．０
ＸＩＯのスイッチ−マトリクスを構成するためには１０
０個の反射プリズム、およびそれらを駆動するための回
路が各プリズムに対して必要であるため製置が高価で大
規模のものとなシ、また消費電力も大きいという欠点を
有している。
ＸＩＯのスイッチ−マトリクスを構成するためには１０
０個の反射プリズム、およびそれらを駆動するための回
路が各プリズムに対して必要であるため製置が高価で大
規模のものとなシ、また消費電力も大きいという欠点を
有している。
本発明は、上記従来技術に鑑み、可動部分を除去し同時
に低クロストークも達成し得る光スィッチを提供するこ
とを目的とする。
に低クロストークも達成し得る光スィッチを提供するこ
とを目的とする。
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する１、
第５図はｌＸ４（Ｎ＝４）の光スィッチを示す。同図に
示すように、光ファイバ入シＩｉ！ｌ！２１の端部はＬ
ｉＮｂ０ａ基板２２の一端部に固着してあシ、とのＬｉ
Ｎｂ０ｇ基板２２０他端部には光フアイバ出線３９，４
０．４１．４２が互いに平行となって夫々の端部を固着
しである。かくて光ファイバ入シ１１ｉＡ２１と各光フ
ァイバ出！３９〜４２とは前記ＬｉＮｂ０ａ基板２２上
に形成されたＴｉ拡散の光導波路２６，２７．２８，２
９．３０によシ連絡されるとともに、各先導波路２６〜
３０の選択はＡｔ電極２３，２４．２５に印加する電圧
の組み合せによシ行なわれる。光導波路２７〜３０の途
中には、これらの屈折率ｎｌよシ低屈折率（ｎ３）のバ
リア層３１，３２．．３３゜３４が交差して斜めに設け
られてお９、且つ夫々の交点のバリア層３１〜３４には
電圧の印加。
第５図はｌＸ４（Ｎ＝４）の光スィッチを示す。同図に
示すように、光ファイバ入シＩｉ！ｌ！２１の端部はＬ
ｉＮｂ０ａ基板２２の一端部に固着してあシ、とのＬｉ
Ｎｂ０ｇ基板２２０他端部には光フアイバ出線３９，４
０．４１．４２が互いに平行となって夫々の端部を固着
しである。かくて光ファイバ入シ１１ｉＡ２１と各光フ
ァイバ出！３９〜４２とは前記ＬｉＮｂ０ａ基板２２上
に形成されたＴｉ拡散の光導波路２６，２７．２８，２
９．３０によシ連絡されるとともに、各先導波路２６〜
３０の選択はＡｔ電極２３，２４．２５に印加する電圧
の組み合せによシ行なわれる。光導波路２７〜３０の途
中には、これらの屈折率ｎｌよシ低屈折率（ｎ３）のバ
リア層３１，３２．．３３゜３４が交差して斜めに設け
られてお９、且つ夫々の交点のバリア層３１〜３４には
電圧の印加。
によシ発生するＮｉ−Ｃｒ薄膜である発熱体３５゜３６
．３７．３８が搭載されている。
．３７．３８が搭載されている。
かかる本実施例において光ファイバ入シ緑２１からの光
が、電極２３〜２５に印加する電圧の組み合わせによっ
て光導波路２７〜３０のうち所望のものに導かれるとと
は第１図に示す従来技術の場合と同じである。しかし、
第１図に示す光スィッチでは光のスイッチング機能と低
クロストークとを同時に達成しようとしていたために、
導波路の散乱によってクロストークが制限されていた。
が、電極２３〜２５に印加する電圧の組み合わせによっ
て光導波路２７〜３０のうち所望のものに導かれるとと
は第１図に示す従来技術の場合と同じである。しかし、
第１図に示す光スィッチでは光のスイッチング機能と低
クロストークとを同時に達成しようとしていたために、
導波路の散乱によってクロストークが制限されていた。
これに対して、本実施例では低クロストークを達成する
几めに発熱体３５〜３８を搭載したバリア層３１〜３４
を設けている。
几めに発熱体３５〜３８を搭載したバリア層３１〜３４
を設けている。
第６図はバリア層３１〜３４０部分を拡大した図である
。同図においては、光導波路２７、バリアー３１、発熱
体３５を夫々の代表とじて示しである。なお、同図中４
３は光吸収体である。
。同図においては、光導波路２７、バリアー３１、発熱
体３５を夫々の代表とじて示しである。なお、同図中４
３は光吸収体である。
このときバリア層３１と光導波路２７のなす角φは
９０°−φ＝θ≧１ｌｎ−’ （ｎａ／ｎｔ） ・”
−（２）を満足するように配置されているので光導波
路２７を伝搬して来た光は境界で全反射される。
−（２）を満足するように配置されているので光導波
路２７を伝搬して来た光は境界で全反射される。
全反射された光は他の光導波路２８〜３０に悪影響を与
えないようにするために、光吸収体４３（例えは黒色の
液体あるいはテープ）によって吸収する。第７図は発熱
体３５に８０Ｖの電圧（５０Ｈｚ）を印加したときの光
の透過の様子を示す。ＬｉＮｂ０ｉ単結晶においては、
１００℃の温度変化で５〜６ Ｘ １０−３の屈折率変
化を得ることが出来る（巻毛、小山、ｒ ＬｉＮｂＯ３
の屈折率温度依存性を利用した光スィッチ」応用物理学
会秋期全国大会、９ｐ−Ｍ−１０）。Ｎｉ−Ｃｒ薄膜か
らなる発熱体３５０発熱によシバリア励３１の屈折率が
上昇したことにより、式（２）の関係が成立しなくな９
、光はバリア〜３１を透過して出射端よ多光ファイバ出
線３９に進む。
えないようにするために、光吸収体４３（例えは黒色の
液体あるいはテープ）によって吸収する。第７図は発熱
体３５に８０Ｖの電圧（５０Ｈｚ）を印加したときの光
の透過の様子を示す。ＬｉＮｂ０ｉ単結晶においては、
１００℃の温度変化で５〜６ Ｘ １０−３の屈折率変
化を得ることが出来る（巻毛、小山、ｒ ＬｉＮｂＯ３
の屈折率温度依存性を利用した光スィッチ」応用物理学
会秋期全国大会、９ｐ−Ｍ−１０）。Ｎｉ−Ｃｒ薄膜か
らなる発熱体３５０発熱によシバリア励３１の屈折率が
上昇したことにより、式（２）の関係が成立しなくな９
、光はバリア〜３１を透過して出射端よ多光ファイバ出
線３９に進む。
いま、第５図において光ファイバ人υ線２１と、光フア
イバ出線３９を接続する場合を考えよう。方向性結合器
の電極２３と２４に印加する電圧を調整することによっ
て光を導波路２７に導くことが出来る。同時に、発熱体
３５にも電圧を印加することによって光をファイバ出縁
３９に導くことが出来るわけである。
イバ出線３９を接続する場合を考えよう。方向性結合器
の電極２３と２４に印加する電圧を調整することによっ
て光を導波路２７に導くことが出来る。同時に、発熱体
３５にも電圧を印加することによって光をファイバ出縁
３９に導くことが出来るわけである。
この時、他の光フアイバ出線４０，４１．４２に漏れる
光（クロストーク）について検討する。
光（クロストーク）について検討する。
従来技術の項で述べ是ように、散乱等によって本来導波
されるべきではない光導波路に行く光の童は約−２５〜
−３０ｄＢである。したがって、光導波路２９．３０に
行く光の量は−２５〜−３０ｄＢである。また、光導波
路２８に行く光の量も−２５〜−３０ｄＢである。光導
波路２７以外の導波路を進む光に対しては、各々のバリ
ア層３２〜３４に装荷された発熱体３６〜３８に電圧が
印加されていないため、導波路２８〜３０とバリア層３
２〜３４の境界で全反射される。従来技術の第２図で示
した様に薄膜全反射型スイッチのクロストークはそれ自
身で約−２５〜−３０ｄＢである。したがって、光導波
路２８〜３０を進む漏れ光が光フアイバ出線３０〜３２
に達する蓋は−５０〜−６０ｄＢとなる。Ｎｉ−Ｃｒ薄
膜の発熱によるバリア層３１〜３４の屈折率変化の応答
時間は数ｎ１８のオーダであシ、Ｎｉ−Ｃｒ薄膜の熱容
量を小さくすることによってさらに高速化出来ると考え
られる。
されるべきではない光導波路に行く光の童は約−２５〜
−３０ｄＢである。したがって、光導波路２９．３０に
行く光の量は−２５〜−３０ｄＢである。また、光導波
路２８に行く光の量も−２５〜−３０ｄＢである。光導
波路２７以外の導波路を進む光に対しては、各々のバリ
ア層３２〜３４に装荷された発熱体３６〜３８に電圧が
印加されていないため、導波路２８〜３０とバリア層３
２〜３４の境界で全反射される。従来技術の第２図で示
した様に薄膜全反射型スイッチのクロストークはそれ自
身で約−２５〜−３０ｄＢである。したがって、光導波
路２８〜３０を進む漏れ光が光フアイバ出線３０〜３２
に達する蓋は−５０〜−６０ｄＢとなる。Ｎｉ−Ｃｒ薄
膜の発熱によるバリア層３１〜３４の屈折率変化の応答
時間は数ｎ１８のオーダであシ、Ｎｉ−Ｃｒ薄膜の熱容
量を小さくすることによってさらに高速化出来ると考え
られる。
以上実施例とともに具体的に説明したように本発明によ
ればクロスト−フカ“二６０ ｄＢ程度以下で可動部分
を持たない光スィッチを実現することが出来る。バリア
層が一段では十分なりロストークが得られない場合には
バリア層を被数段配置しても良い。
ればクロスト−フカ“二６０ ｄＢ程度以下で可動部分
を持たない光スィッチを実現することが出来る。バリア
層が一段では十分なりロストークが得られない場合には
バリア層を被数段配置しても良い。
第１図はＬｉ ＮｂＯｓを用いた従来技術に係る方向性
結合形光スイッチ、第２図は従来技術に係る薄膜全反射
形光スイッチ、第３図は従来技術に係る液晶を用いた光
スィッチ、第４図は反射プリズムを用いた従来技術に係
るマトリクス・ス図であり、Ｎｉ−Ｃｒ薄腺に電流が流
れていないために光が全反射されている様子上表わし、
菓７図はＮ４６図と同じ部分であるが発熱体による温度
上昇によって光が通過している様子を示す拡大図である
。 図面中、 ２１は光ファイバ入り線、 ２３．２４．２５は！極、 ２６．２７．２８，２９．３０は光導波路、３１．３２
，３３．３４はバリア層、 ３５．３６，３７．３８は発熱体、 ３９．４０，４１．４２は光フアイバ出線である。 ％針山願人 日本電信１ｉ！話公社 代理人弁理士 ゛光層 士 部（他１名）第２凶
結合形光スイッチ、第２図は従来技術に係る薄膜全反射
形光スイッチ、第３図は従来技術に係る液晶を用いた光
スィッチ、第４図は反射プリズムを用いた従来技術に係
るマトリクス・ス図であり、Ｎｉ−Ｃｒ薄腺に電流が流
れていないために光が全反射されている様子上表わし、
菓７図はＮ４６図と同じ部分であるが発熱体による温度
上昇によって光が通過している様子を示す拡大図である
。 図面中、 ２１は光ファイバ入り線、 ２３．２４．２５は！極、 ２６．２７．２８，２９．３０は光導波路、３１．３２
，３３．３４はバリア層、 ３５．３６，３７．３８は発熱体、 ３９．４０，４１．４２は光フアイバ出線である。 ％針山願人 日本電信１ｉ！話公社 代理人弁理士 ゛光層 士 部（他１名）第２凶
Claims (1)
- 平行する二つの光導波路間のモード結合定数を光導波路
の上若しくは近傍に配設された＠極に電圧を印加し電気
光学効果を介して変化させることによって一方の光導波
路から入射した光を二本の光導波路のうちの所望の光導
波路へ切シ換えることのできる方向性結合器が各々の光
導波路に継続して多段に配設され、最初の一本の光導波
路に入射した光をＮ＝２ｎ本の所望の光導波路に切シ換
え得るようにしたものにおいて、Ｎ本の光導波路の各々
において出射端に到る壕での中途に光導波路のコアの屈
折率よシ低い屈折率を有し上部に発熱体を搭載したバリ
ア層が光導波路に対して斜めに交差しており、前記発熱
体に電流を流さない時はバリア層と光導波路の境界で光
は全反射され、前記発熱体にＴｉ１ｌＬｋを匠した時に
は熱によってバリア層の屈折率が笈化し光導波路に伝搬
してきた光が出射端に４かれるようにしたことを特徴と
する光スィッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243981A JPS5895330A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243981A JPS5895330A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895330A true JPS5895330A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16291318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19243981A Pending JPS5895330A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895330A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076722A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-01 | Nec Corp | マトリクス光スイツチ |
| JPS6167838A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | 導波路型光スイツチ |
| JPS6290627A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nec Corp | 光スイツチ回路 |
| JPS62119504A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | 光導波路デイバイス |
| JPS62119517A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | 熱光学素子 |
| US4787692A (en) * | 1987-03-13 | 1988-11-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Electro optical switch architectures |
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-
1981
- 1981-11-30 JP JP19243981A patent/JPS5895330A/ja active Pending
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