JPS62119517A - 熱光学素子 - Google Patents
熱光学素子Info
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- JPS62119517A JPS62119517A JP26030285A JP26030285A JPS62119517A JP S62119517 A JPS62119517 A JP S62119517A JP 26030285 A JP26030285 A JP 26030285A JP 26030285 A JP26030285 A JP 26030285A JP S62119517 A JPS62119517 A JP S62119517A
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- JP
- Japan
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- silicone
- temperature
- refractive index
- light
- thermo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
本発明は、シリコーン（有機ケイ素化合物の重合体）の
大きな熱光学効果を利用したものであり。
大きな熱光学効果を利用したものであり。
このシリコーンと他の物質とを密着させて、これらの温
度を変化さ−Ｕ゛ることにより、−に記２つの物質量の
屈折率差を上記温度変化に伴い大きく変化させることを
可能にして、入射した光の進路を大きな角度で切換える
ことができるようにしたものである。
度を変化さ−Ｕ゛ることにより、−に記２つの物質量の
屈折率差を上記温度変化に伴い大きく変化させることを
可能にして、入射した光の進路を大きな角度で切換える
ことができるようにしたものである。
（産業上の利用分野〕
本発明は、熱光学効果、すなわち熱により屈折率が変化
する性質を利用した熱光学素子に係り。
する性質を利用した熱光学素子に係り。
特には複数の光導波路間の光スィッチ等に利用される熱
光学素子に関する。
光学素子に関する。
従来、電気光学効果、磁気光学効果あるいは音響光学効
果を利用した導波路型の光スィッチは周知であるが、こ
れらは偏光依存性を持つため、入射光を一定の偏光状態
に処理し直す必要があり。
果を利用した導波路型の光スィッチは周知であるが、こ
れらは偏光依存性を持つため、入射光を一定の偏光状態
に処理し直す必要があり。
この処理が非常に複雑であった。
そこで近来、偏光とは無関係に動作させることができる
。熱光学効果を利用した光スィッチが提案されている。
。熱光学効果を利用した光スィッチが提案されている。
例えば第５図に示すように。
１．１Ｎｂｏ ３又はＳｉＯ２等の基板１上にＴ＋拡散
あるいはイオン交換等により導波路２．３をわずかな角
度θ１ （く１°）で交差させて形成し、それらの交差
部分の上方あるいは下方にヒータ４を配設したものであ
る。ヒータ４をオンすれば、導波路２゜３のヒータ４と
対応する部分が加熱され、その部分の屈折率が変化する
ようになっている。
あるいはイオン交換等により導波路２．３をわずかな角
度θ１ （く１°）で交差させて形成し、それらの交差
部分の上方あるいは下方にヒータ４を配設したものであ
る。ヒータ４をオンすれば、導波路２゜３のヒータ４と
対応する部分が加熱され、その部分の屈折率が変化する
ようになっている。
同図において、ヒータ４がオフの状態では屈折率が各部
分で一様であるため、導波路２に矢印Ａ方向から入射し
た光１１は交差部分を通過して導波路２内を光７！２と
してそのまま直進する。一方。
分で一様であるため、導波路２に矢印Ａ方向から入射し
た光１１は交差部分を通過して導波路２内を光７！２と
してそのまま直進する。一方。
ヒータ４をオンにした場合ｔ、ｌ：、 −１−述したよ
うに交差部分の屈折率が変化して屈折率が生じるので。
うに交差部分の屈折率が変化して屈折率が生じるので。
上記の光１１は交差部分で全反射して、光７！３として
導波路３内を進行することになる。このように、ヒータ
４のオン、オフを制御することにより。
導波路３内を進行することになる。このように、ヒータ
４のオン、オフを制御することにより。
光の進路を切換えることができるものである。
上述したような従来の光スィッチにおいては。
各導波路を同一材料で形成し３部分的に屈折率変化を起
こさせていたにすぎず、しかもそれら導波路を形成する
材料の屈折率の温度係数（温度変化に対する屈折率変化
の割合： ｄｎ／ ｄｔ）が小さい。
こさせていたにすぎず、しかもそれら導波路を形成する
材料の屈折率の温度係数（温度変化に対する屈折率変化
の割合： ｄｎ／ ｄｔ）が小さい。
そのため、上述した交差部分とその他の部分との間に大
きな屈折率差を持たせることができず、上述したような
交差部分での全反射の臨界角が非常に大きくなってしま
う。従って、第５図に示した導波路２，３の交差角θ１
を大きくとることができず、約１°程度が限度であるた
め、実用性に欠けるものであった。
きな屈折率差を持たせることができず、上述したような
交差部分での全反射の臨界角が非常に大きくなってしま
う。従って、第５図に示した導波路２，３の交差角θ１
を大きくとることができず、約１°程度が限度であるた
め、実用性に欠けるものであった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、光の進路を大きな
角度で切換えることができ、光スイツチ以外にも多くの
用途を持つ、非常に実用性に冨んだ熱光学素子を提供す
ることを目的とする。
角度で切換えることができ、光スイツチ以外にも多くの
用途を持つ、非常に実用性に冨んだ熱光学素子を提供す
ることを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、シリコーンと、
これよりも屈折率の温度係数の小さな他の物質とを密着
し、温度可変手段により少なくとも上記シリコーンの温
度を変化させるようにしたものである。
これよりも屈折率の温度係数の小さな他の物質とを密着
し、温度可変手段により少なくとも上記シリコーンの温
度を変化させるようにしたものである。
シリコーンは屈折率の温度係数（ｄｎ／ｄｔ）が非常に
大きく、従来の光スィッチに使用されている材料と比較
すると数桁はぢがう。そのため、温度係数の小さな物質
とシリコーンとを密着して、シリコーンまたはそれらの
双方を加熱すれば、それらの物質量に大きな屈折率差が
生じる。このとき。
大きく、従来の光スィッチに使用されている材料と比較
すると数桁はぢがう。そのため、温度係数の小さな物質
とシリコーンとを密着して、シリコーンまたはそれらの
双方を加熱すれば、それらの物質量に大きな屈折率差が
生じる。このとき。
それらの物質の境界面において全反射が可能となり、し
かもその臨界角は非常に小さくなる。従って、シリコー
ンの温度を変化させることにより。
かもその臨界角は非常に小さくなる。従って、シリコー
ンの温度を変化させることにより。
光の進路を大きな角度で切換えることができるようにな
る。
る。
以下８本発明の実施例について２図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図（ａｌおよび（ｂｌば１本発明を導波路型の光ス
ィッチに適用した場合の一実施例を示す平面図。
ィッチに適用した場合の一実施例を示す平面図。
−〇−
およびその拡大Ａ−Ａ断面図である。
同図（ａｌにおいて、基板１１上には、角度θ２（〜３
０°）で交差された導波路１２．１３が形成されている
。これらの導波路１２．１３は、同図（ｂｌに示すよう
に、実際に有効な光の通過するＴｉ ｘ Ｓｉ＋、ｘ
Ｏ２等でできた中央部１２ａ、１３ａ。
０°）で交差された導波路１２．１３が形成されている
。これらの導波路１２．１３は、同図（ｂｌに示すよう
に、実際に有効な光の通過するＴｉ ｘ Ｓｉ＋、ｘ
Ｏ２等でできた中央部１２ａ、１３ａ。
その外側を覆うＳｉＯ２等でできた外側上部１２ｂ。
１、３ ｂおよび外側下部１２ｃ、１３ｃとから構成さ
れている。導波路１２．１３の交差部分には。
れている。導波路１２．１３の交差部分には。
同図（ａｌ、 ｆｂ）に示すように、上記中央部１２ａ
と他方の中央部１．３８とを仕切るように平板上のシリ
コーンの一種であるシリコンゴム１４が設けられている
。更に、シリコンゴム１４の下方であって基板１１上に
は、上記交差部分のほぼ全域にわたってヒータ１５が配
設されている。
と他方の中央部１．３８とを仕切るように平板上のシリ
コーンの一種であるシリコンゴム１４が設けられている
。更に、シリコンゴム１４の下方であって基板１１上に
は、上記交差部分のほぼ全域にわたってヒータ１５が配
設されている。
次に、上記構成からなる光スィッチの製造工程について
、第２図［ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。まず、同
図（８）に示すように、 Ｓｉ等でできた基板１１上に
Ｔａ２Ｎ（チン化クンクル）あるいはＷ（タングステン
）等を蒸着することにより、ヒータ１５を形成する。次
に、同図（１））に示すように、基板１１およびヒータ
１５上に、ＣＶＤ等により層厚的４μｍのＳｉＯ２層１
６を形成する。このＳｉＯ２層１６は、第１図ｆｂｌに
示した導波路１２．１３の外側下部１２ｃ、１３ｃに相
当する。次に同図（Ｃ１に示すように、Ｓｉ０２層１６
の上にスパッタ等により層厚的１０μｍのＴｉ ｘ Ｓ
Ｉ’＋−ｘ Ｏ２（二酸化チタンー二酸化シリコン混合
物）層１７を形成する。これは、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の
混合比で任意の屈折率を得ることができるようにしてい
る。次に、同図（ｄ）に示すように、八ｐで所定領域を
バターニングした後、 ＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ Ｊｏｎ Ｉｐｔｃｈｉｎｇ）等でチャネル化し、第
１図に示した導波１＋’３１２．１３の中央部１２ａ、
１３ａを形成する。なお、上記のバターニングは交差角
約３０°のＸ字状に行い、その交差部分がヒータ１５の
丁度真上に位置するように行う。その後、第２図（Ｃり
に示すように、Ｓｉ０２層１６および一１二記中央部１
２ａ、１３ａ上からＣＶＤ等により層厚的４１ｔｍのＳ
ｔＯ２層１８を形成する。この状態で、２つの導波１／
８１２．１３が完成し＋ Ｔ！ ｘ Ｓ 、−ｘ Ｏ２
でできた屈折率の大きな中央部１２ａ、１３ａの外周を
、屈折率の小さなＳｉ０２層１６．１８で包んだ構成と
なる。
、第２図［ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。まず、同
図（８）に示すように、 Ｓｉ等でできた基板１１上に
Ｔａ２Ｎ（チン化クンクル）あるいはＷ（タングステン
）等を蒸着することにより、ヒータ１５を形成する。次
に、同図（１））に示すように、基板１１およびヒータ
１５上に、ＣＶＤ等により層厚的４μｍのＳｉＯ２層１
６を形成する。このＳｉＯ２層１６は、第１図ｆｂｌに
示した導波路１２．１３の外側下部１２ｃ、１３ｃに相
当する。次に同図（Ｃ１に示すように、Ｓｉ０２層１６
の上にスパッタ等により層厚的１０μｍのＴｉ ｘ Ｓ
Ｉ’＋−ｘ Ｏ２（二酸化チタンー二酸化シリコン混合
物）層１７を形成する。これは、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の
混合比で任意の屈折率を得ることができるようにしてい
る。次に、同図（ｄ）に示すように、八ｐで所定領域を
バターニングした後、 ＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ Ｊｏｎ Ｉｐｔｃｈｉｎｇ）等でチャネル化し、第
１図に示した導波１＋’３１２．１３の中央部１２ａ、
１３ａを形成する。なお、上記のバターニングは交差角
約３０°のＸ字状に行い、その交差部分がヒータ１５の
丁度真上に位置するように行う。その後、第２図（Ｃり
に示すように、Ｓｉ０２層１６および一１二記中央部１
２ａ、１３ａ上からＣＶＤ等により層厚的４１ｔｍのＳ
ｔＯ２層１８を形成する。この状態で、２つの導波１／
８１２．１３が完成し＋ Ｔ！ ｘ Ｓ 、−ｘ Ｏ２
でできた屈折率の大きな中央部１２ａ、１３ａの外周を
、屈折率の小さなＳｉ０２層１６．１８で包んだ構成と
なる。
その後、第２図（ｆｌに示すように、導波路１２゜１３
の交差部分において、中央部１２ａ、１３ａの境界面に
所定幅の溝１９を形成する。そして最後に、上記の溝１
９内にシリコンゴムを充填することにより、第１図に示
した導波路型の光スィッチが完成する。
の交差部分において、中央部１２ａ、１３ａの境界面に
所定幅の溝１９を形成する。そして最後に、上記の溝１
９内にシリコンゴムを充填することにより、第１図に示
した導波路型の光スィッチが完成する。
次に、第１図（ａｌに基づき９以上のようにして形成さ
れた光スィッチの作用を説明する。
れた光スィッチの作用を説明する。
シリコンゴム１４は中央部１２ａ、１３ａを形成するＴ
ｉ ｘＳｔ、、 ０２よりも屈折率の温度係数が非常に
大きく、温度が上昇すると屈折率がＴｉ ｘ Ｓｉ、、
０２と比較して非常に小さくなる。但し。
ｉ ｘＳｔ、、 ０２よりも屈折率の温度係数が非常に
大きく、温度が上昇すると屈折率がＴｉ ｘ Ｓｉ、、
０２と比較して非常に小さくなる。但し。
常温においてはシリコンゴム１４とＴｌ ｘ Ｓｉ＋−
ｘ Ｏ２の屈折率差はほとんどない。
ｘ Ｏ２の屈折率差はほとんどない。
第１図（ａ）において、ヒータ１５がオフの状態では、
シリコンゴム１４と導波路１２．１３の屈折率はほぼ等
しいので、導波路１２に矢印Ｂ方向から入射した光ｊ！
ＩＩはほとんどシリコンゴム１４をそのまま通過して、
導波路１２内を光Ｉｌ＋２として直進する。
シリコンゴム１４と導波路１２．１３の屈折率はほぼ等
しいので、導波路１２に矢印Ｂ方向から入射した光ｊ！
ＩＩはほとんどシリコンゴム１４をそのまま通過して、
導波路１２内を光Ｉｌ＋２として直進する。
一方、ヒータ１５をオンすれば、シリコンゴム１４が加
熱されるので、導波路１２．１３との間で大きな屈折率
差が生じる。なお、シリコンゴム１４の領域に対し、ヒ
ータ１５によって加熱される領域は広く、導波路１２．
１３の一部までにも及ぶが、シリコンゴム１４の屈折率
変化に対し導波路１２．１３の屈折率変化は無視しうる
程度のものである。そのためこの場合、上記の光β１１
のほとんどは、導波路１２とシリコンゴム１４との境界
面において小さな入射角でも全反射され。
熱されるので、導波路１２．１３との間で大きな屈折率
差が生じる。なお、シリコンゴム１４の領域に対し、ヒ
ータ１５によって加熱される領域は広く、導波路１２．
１３の一部までにも及ぶが、シリコンゴム１４の屈折率
変化に対し導波路１２．１３の屈折率変化は無視しうる
程度のものである。そのためこの場合、上記の光β１１
のほとんどは、導波路１２とシリコンゴム１４との境界
面において小さな入射角でも全反射され。
光Ａｓ３としても導波路１；（内を進行することになる
。
。
ここで第３図に、」二連した導波路１２．１３の交差角
θ２を２９° ３６′にとった場合の、上記の入射した
光Ｎ＋＋の光ＮＰ１１に対する直進する光Ａ１２の光量
Ｐ１２及び全反射する光ｆｆ１３の光量Ｐ１３の割合を
、ヒータ１５による温度変化との関係で示す。同図によ
れば、温度が約２０°Ｃのときは、全反射する光！＋３
はほとんどなく（１０］ｏｇ（Ｐ ＋ ３／Ｐ ＋ ＋
） ＜ −２０［ｄＢコ）、光４＋＋のほとんどは光７
！１２として直進することがわかる（１０１ｏｇ（Ｐ
ｌ ２ ／ Ｐ １＋二Ｏ［ｄＢ））。
θ２を２９° ３６′にとった場合の、上記の入射した
光Ｎ＋＋の光ＮＰ１１に対する直進する光Ａ１２の光量
Ｐ１２及び全反射する光ｆｆ１３の光量Ｐ１３の割合を
、ヒータ１５による温度変化との関係で示す。同図によ
れば、温度が約２０°Ｃのときは、全反射する光！＋３
はほとんどなく（１０］ｏｇ（Ｐ ＋ ３／Ｐ ＋ ＋
） ＜ −２０［ｄＢコ）、光４＋＋のほとんどは光７
！１２として直進することがわかる（１０１ｏｇ（Ｐ
ｌ ２ ／ Ｐ １＋二Ｏ［ｄＢ））。
ところが、温度を１００“Ｃ以上上げると、直進する光
１１２の光量Ｐ１２は著しく減少し、逆に全反射する光
ｌ１Ｉ３の光量Ｐ１３が増加し、温度を約３０℃にすれ
ば光７！１１の殆どは全反射されることがわかる（１０
１ｏｇ Ｐ ｌ ３／Ｐ ｌ ｌ＞ ２０ （ｄＢ）
）。
１１２の光量Ｐ１２は著しく減少し、逆に全反射する光
ｌ１Ｉ３の光量Ｐ１３が増加し、温度を約３０℃にすれ
ば光７！１１の殆どは全反射されることがわかる（１０
１ｏｇ Ｐ ｌ ３／Ｐ ｌ ｌ＞ ２０ （ｄＢ）
）。
従って、ヒータ１５を制御することにより温度を２０°
Ｃと１３０°Ｃとで変化させれば、入射した光β１１の
進行方向を（約３０°）容易に切換えて、直進光β１２
あるいは全反射光Ｉ！１３として取出すことかできる。
Ｃと１３０°Ｃとで変化させれば、入射した光β１１の
進行方向を（約３０°）容易に切換えて、直進光β１２
あるいは全反射光Ｉ！１３として取出すことかできる。
このように上記光スィッチは３０°という大きな角度で
光の進行方向を切換えることができるので。
光の進行方向を切換えることができるので。
これらをマトリクス状に複数組合わせることによす、多
チャンネルのマトリクススイッチを構成することができ
る。なお、スイッチング速度もマイクロ秒（μｓｅｃ
）オーダーが可能であり、比較的゛高速のスイッチを得
ることができる。
チャンネルのマトリクススイッチを構成することができ
る。なお、スイッチング速度もマイクロ秒（μｓｅｃ
）オーダーが可能であり、比較的゛高速のスイッチを得
ることができる。
なお、上記実施例でばヒータ１５をシリコンゴム１４の
下方に形成したが、」１方に形成してもかまわない。た
だし１ シリコーンは熱で体積がある程度増加すること
を考慮し、第１図（ｂｌに示したように上方を覆わずに
開放しておく方が望ましい。
下方に形成したが、」１方に形成してもかまわない。た
だし１ シリコーンは熱で体積がある程度増加すること
を考慮し、第１図（ｂｌに示したように上方を覆わずに
開放しておく方が望ましい。
また、ヒータ１５でシリコンゴム１４のみを加熱するよ
うしてもよいが、第１図に示したようにその周辺の部分
をも広く加熱してもかまわない。これは、前述したよう
に、シリコンゴム１４の屈折率の温度係数が周辺の物質
とは比較にならないほど大きいからである。
うしてもよいが、第１図に示したようにその周辺の部分
をも広く加熱してもかまわない。これは、前述したよう
に、シリコンゴム１４の屈折率の温度係数が周辺の物質
とは比較にならないほど大きいからである。
次に、第４図に９本発明を空間ビーム型の光スィッチに
適用した場合の一実施例を示す。同図（ａｌはその平面
図であり、同ＩＩ ｆｂｌはその＋３−Ｂ断面図である
。同図においては、シリコンゴム２１をＳｉＯ２等のガ
ラス部２２．２３で左右から挟み。
適用した場合の一実施例を示す。同図（ａｌはその平面
図であり、同ＩＩ ｆｂｌはその＋３−Ｂ断面図である
。同図においては、シリコンゴム２１をＳｉＯ２等のガ
ラス部２２．２３で左右から挟み。
それらの下部前面に対してヒータ２４を配設した構成と
なっている。本実施例においても、第１図に示した実施
例と同様にヒータ２４をオン、オフすることにより、入
射した光１１２＋を光４２２または光１２３として直進
または大きな角度で全反射させることができる。従って
、簡易な構成にもかかわらず、クロストーク特性の良い
光スィッチを実現できる。
なっている。本実施例においても、第１図に示した実施
例と同様にヒータ２４をオン、オフすることにより、入
射した光１１２＋を光４２２または光１２３として直進
または大きな角度で全反射させることができる。従って
、簡易な構成にもかかわらず、クロストーク特性の良い
光スィッチを実現できる。
また、シリコーンの種類は多数あるが光学素子において
は光ファイバなどのコート材として用いられているシリ
コンゴムが特に有効である。また。
は光ファイバなどのコート材として用いられているシリ
コンゴムが特に有効である。また。
本発明はシリコーンとヒータを合わせ持つ事を特徴とし
ており、全反射によるスイッチング素子に限定したもの
ではなく、屈折率を変化させて機能する方向性結合型ス
イッチ、変調器など応用は広い。
ており、全反射によるスイッチング素子に限定したもの
ではなく、屈折率を変化させて機能する方向性結合型ス
イッチ、変調器など応用は広い。
以上説明したように本発明によれば、屈折率の温度係数
（ｄｎ／ｄｔ）の非常に大きなシリコーンの熱光学効果
を利用することにより、シリコーンとこれに密着された
他の物質との間の屈折率差を。
（ｄｎ／ｄｔ）の非常に大きなシリコーンの熱光学効果
を利用することにより、シリコーンとこれに密着された
他の物質との間の屈折率差を。
１３一
温度変化に基づいて大きく変化させることを可能にして
いる。そのため、これら二つの物質の境昇面において、
ある温度状態では小ざな入１・１角で入射した光を全反
則させ、また他の温度状態ではそのまま直進させること
が可能となるので、温度を変化させるだけで光の進行方
向を高速で、かつ大きな角度で容易に切換えることがで
きる。更に。
いる。そのため、これら二つの物質の境昇面において、
ある温度状態では小ざな入１・１角で入射した光を全反
則させ、また他の温度状態ではそのまま直進させること
が可能となるので、温度を変化させるだけで光の進行方
向を高速で、かつ大きな角度で容易に切換えることがで
きる。更に。
本発明は熱光学効果を利用したものなので、偏光依存性
が全くなく、光通信回路の途中にも容易に組込むことが
できる。従って本発明に係る熱光学素子は、前述した光
スイツチ以外にも更に多くの用途が期待でき、非常に実
用性に冨んでいる。
が全くなく、光通信回路の途中にも容易に組込むことが
できる。従って本発明に係る熱光学素子は、前述した光
スイツチ以外にも更に多くの用途が期待でき、非常に実
用性に冨んでいる。
第１図（ａ）及び（ｂｌは本発明を導波路型の光スィッ
チに通用した場合の一実施例を示す平面図、及びその拡
大Ａ−Ａ断面図。 第２図（ａｌ〜（ｆ）ば同実施例の製造工程を示す説明
図。 第３図は同実施例における温度と光出力との関係を示す
グラフ。 第４図（ａ＋およびｆｂｌは本発明を空間ビーム型の光
スイツチに適用した場合の一実施例を示す平面図。 及びそのＢ−Ｂ断面図。 第５図は従来の導波路型の光スィッチを示す平面図であ
る。 １２．１３・・・導波路。 １４・・・シリコンゴム。 １５・・・ヒータ。 ２１・・・シリコンゴム。 ２２．２３・・・ガラス部。 ２４・・・ヒータ。 ℃ Φ Ｔ ５惠 浅 （０Ｃ） 第３図 第４図
チに通用した場合の一実施例を示す平面図、及びその拡
大Ａ−Ａ断面図。 第２図（ａｌ〜（ｆ）ば同実施例の製造工程を示す説明
図。 第３図は同実施例における温度と光出力との関係を示す
グラフ。 第４図（ａ＋およびｆｂｌは本発明を空間ビーム型の光
スイツチに適用した場合の一実施例を示す平面図。 及びそのＢ−Ｂ断面図。 第５図は従来の導波路型の光スィッチを示す平面図であ
る。 １２．１３・・・導波路。 １４・・・シリコンゴム。 １５・・・ヒータ。 ２１・・・シリコンゴム。 ２２．２３・・・ガラス部。 ２４・・・ヒータ。 ℃ Φ Ｔ ５惠 浅 （０Ｃ） 第３図 第４図
Claims (6)
- （１）シリコーンと、該シリコーンよりも屈折率の温度
係数の小さな他の物質とを密着し、少なくとも前記シリ
コーンの温度を変化させる温度可変手段を備えてなる熱
光学素子。 - （２）前記温度可変手段が前記シリコーンに密着された
前記他の物質の温度をも変化させることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の熱光学素子。 - （３）前記温度可変手段による温度の変化に応じて、前
記シリコーンと前記他の物質の各屈折率が、それぞれ等
しいかあるいはほぼ等しい状態と前記シリコーン側から
の入射光が前記他の物質との境界面で全反射するだけの
差を持つ状態とに変化することを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項記載の熱光学素子。 - （４）前記温度可変手段による温度の変化に応じて、前
記シリコーンと前記他の物質との境界面での光の反射量
が変化することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第３項のいずれか一つに記載の熱光学素子。 - （５）前記温度可変手段による温度の変化が雰囲気温度
より高い２点で変化することを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第４項のいずれか一つに記載の熱光学素子
。 - （６）前記温度可変手段がヒータであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一つに記
載の熱光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26030285A JPS62119517A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 熱光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26030285A JPS62119517A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 熱光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119517A true JPS62119517A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17346146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26030285A Pending JPS62119517A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 熱光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119517A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553025A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-05 | Hitachi Cable Ltd | 導波路型光スイツチ |
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-
1985
- 1985-11-20 JP JP26030285A patent/JPS62119517A/ja active Pending
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