JPS63300218A - 光バイパススイッチモジュ−ル - Google Patents
光バイパススイッチモジュ−ルInfo
- Publication number
- JPS63300218A JPS63300218A JP62133372A JP13337287A JPS63300218A JP S63300218 A JPS63300218 A JP S63300218A JP 62133372 A JP62133372 A JP 62133372A JP 13337287 A JP13337287 A JP 13337287A JP S63300218 A JPS63300218 A JP S63300218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- optical
- output
- input
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ループ形光ローカルエリアネットワークに於
いて、ループとノード間に挿入されてループとノードの
接続/切り離しを行なうと共に光信号の変調を行なう光
バイパススイッチデータリンクモジュールに関する。
いて、ループとノード間に挿入されてループとノードの
接続/切り離しを行なうと共に光信号の変調を行なう光
バイパススイッチデータリンクモジュールに関する。
[従来の技術]
光ローカルエリアネットワーク(光LAN )の一方式
として、ループ形光LANがある。この方式は第3図に
示したようにループライン13に、多数のノード14を
接続し、ノード14間で通信を行なう方式である。
として、ループ形光LANがある。この方式は第3図に
示したようにループライン13に、多数のノード14を
接続し、ノード14間で通信を行なう方式である。
ここで、あるノード14が故障や保守のため停止する場
合その影響が全体に及ぶのを防ぐために。
合その影響が全体に及ぶのを防ぐために。
光パイノクススイッチ10が使用されている。このスイ
ッチ10ば、2人力2出力端子を有し通常はループライ
ンからの信号をノード14のレシーバ11に、またノー
ド14のトランスミッタ12がらの信号をループライン
に送出するように端子が接続されている。ところが、パ
イノクスが必要な場合は、ループラインの入力信号がス
イッチ1o中で折返されて、そのままループラインに出
力するように端子間の切換が行なわれている。
ッチ10ば、2人力2出力端子を有し通常はループライ
ンからの信号をノード14のレシーバ11に、またノー
ド14のトランスミッタ12がらの信号をループライン
に送出するように端子が接続されている。ところが、パ
イノクスが必要な場合は、ループラインの入力信号がス
イッチ1o中で折返されて、そのままループラインに出
力するように端子間の切換が行なわれている。
この種の光スィッチ10としては、従来、光学素子の可
動部を有するメカニカル形式の光スィッチが用いられて
きた(例えば、青白、他“光ファイバリンク用2×2光
スイツチ”昭55年度電子通信学会総合全国大会講演予
稿集42211)。
動部を有するメカニカル形式の光スィッチが用いられて
きた(例えば、青白、他“光ファイバリンク用2×2光
スイツチ”昭55年度電子通信学会総合全国大会講演予
稿集42211)。
[発明が解決しようとする問題点]
さて、この種の機械式スイッチは低損失で、低漏話(−
50dB以下)であるが、切換動作の信頼性という点で
は十分ではない。即ち、ループ形光LANではノードの
切り離しはごく間欠的であシ。
50dB以下)であるが、切換動作の信頼性という点で
は十分ではない。即ち、ループ形光LANではノードの
切り離しはごく間欠的であシ。
場合によっては、数年に1度ということもある。
可動部を有する形式ではこの間に可動部分あるいは可動
部に接触している部分に何らかの変質が生じ、切換動作
特性が劣化し易い。
部に接触している部分に何らかの変質が生じ、切換動作
特性が劣化し易い。
これ故に、磁気光学効果や電気光学効果を利用したノン
メカニカルな光スィッチが検討されているが、現在報告
されている構成のものは、いずれも漏話量が−20〜3
0 dB程度にとどまり、光LANで必要とされる漏話
量(−50dB以下)を満足していない。
メカニカルな光スィッチが検討されているが、現在報告
されている構成のものは、いずれも漏話量が−20〜3
0 dB程度にとどまり、光LANで必要とされる漏話
量(−50dB以下)を満足していない。
また、バイパス切換に必要とされる切換時間は通常数1
0m5ec以内であればよいので、上記のノンメカニカ
ルな光スィッチの有する高速切換性能は有効に利用され
ていない。光信号の変調は光源であるLDあるいはLE
Dによっている。
0m5ec以内であればよいので、上記のノンメカニカ
ルな光スィッチの有する高速切換性能は有効に利用され
ていない。光信号の変調は光源であるLDあるいはLE
Dによっている。
そこで2本発明の技術的課題は上記欠点に鑑み。
低漏話が実現できると共に2発光素子自体の変調帯域に
係らず広帯域なデジタリンク用光バイパススイッチモノ
ユニルを提供することである。
係らず広帯域なデジタリンク用光バイパススイッチモノ
ユニルを提供することである。
[発明の概要コ
第1図に示すとおシ9本発明の光バイパススイッチモジ
ュールは、誘電体又は半導体基板1上に。
ュールは、誘電体又は半導体基板1上に。
モノリシックに形成された3個の縦続接続されたlX2
(1人力2出力又は2入力1出力)の第1゜第2及び第
3の電気光学効果スイッチ素子2,3゜4と9発光素子
6受光素子5及び1対の入出カファイバフ、8から構成
されている。
(1人力2出力又は2入力1出力)の第1゜第2及び第
3の電気光学効果スイッチ素子2,3゜4と9発光素子
6受光素子5及び1対の入出カファイバフ、8から構成
されている。
受光素子5は第1のスイッチ素子2の一出力側に接続さ
れる。発光素子6は第3のスイッチ素子4の一入力端に
接続される。また、入力側光ファイ・ぐ7は第1のスイ
ッチ素子2の一入力端に、出力側光ファイバ8は第3の
スイッチ素子4の一出力側に接続される。ここで、バイ
パスモードの時には、3つのスイッチ素子2,3.4す
べてに。
れる。発光素子6は第3のスイッチ素子4の一入力端に
接続される。また、入力側光ファイ・ぐ7は第1のスイ
ッチ素子2の一入力端に、出力側光ファイバ8は第3の
スイッチ素子4の一出力側に接続される。ここで、バイ
パスモードの時には、3つのスイッチ素子2,3.4す
べてに。
駆動電圧が印加されず、入力側ファイバ7からの光は、
3つのスイッチ素子2,3.4を経て出力側ファイバ8
に結合する。
3つのスイッチ素子2,3.4を経て出力側ファイバ8
に結合する。
一方、ノーマルモードの時には、3つのスイッチ素子2
.3.4すべてに駆動電圧が印加され。
.3.4すべてに駆動電圧が印加され。
入力側ファイバ7からの光は第1のスイッチ素子2をへ
て受光素子に結合し、第1のスイッチ素子2でのクロス
トークとして漏れ出た光は、第2のスイッチ素子3によ
り遮断される。発光素子6からの光は、第3のスイッチ
素子4を経て、出力側ファイバ8に結合する。この時発
光素子5に変調電流信号が印加されず、単に一定光(C
W光)が出ている場合、第3のスイッチ素子4に変調電
圧信号を印加して、外部変調方式のモノニールとするこ
とが出来る。
て受光素子に結合し、第1のスイッチ素子2でのクロス
トークとして漏れ出た光は、第2のスイッチ素子3によ
り遮断される。発光素子6からの光は、第3のスイッチ
素子4を経て、出力側ファイバ8に結合する。この時発
光素子5に変調電流信号が印加されず、単に一定光(C
W光)が出ている場合、第3のスイッチ素子4に変調電
圧信号を印加して、外部変調方式のモノニールとするこ
とが出来る。
発光素子6に変調電流信号を供給する従来の直接変調方
式では、普通のLEDを用いた場合、数十Mb/ s程
度の帯域が限界である。一方2本発明に係るモジュール
では、外部変調方式が適用できるので、普通のLEDを
用IAでも第3のスイッチ素子4の帯域(数百Mb〜数
Gb/s)まで変調可能であり、きわめて広帯域なモノ
ニールとすることができる。
式では、普通のLEDを用いた場合、数十Mb/ s程
度の帯域が限界である。一方2本発明に係るモジュール
では、外部変調方式が適用できるので、普通のLEDを
用IAでも第3のスイッチ素子4の帯域(数百Mb〜数
Gb/s)まで変調可能であり、きわめて広帯域なモノ
ニールとすることができる。
また、上記の構成にすれば、漏話の問題も解決できる。
即ち、ノーマルモード時の入力側ファイバ7から入るラ
イン側信号の、出力側ファイバ8への漏れは、第3の光
スイツチ素子4を単に光路切換として機能させる場合、
第1.2.3のスイッチ素子2,3.4の漏話の総和と
なり、また。
イン側信号の、出力側ファイバ8への漏れは、第3の光
スイツチ素子4を単に光路切換として機能させる場合、
第1.2.3のスイッチ素子2,3.4の漏話の総和と
なり、また。
第3の光スイツチ素子4を変調器として機能させる場合
、第1と第2のスイッチ素子2.3の漏話の和となる1
つのスイッチ素子の漏話を、現状の電気光学効果スイッ
チで得られている普通の値−25dBとすると、前者の
使い方では一75dB、後者の使い方では一50dBが
本モジュールでは実現できる。
、第1と第2のスイッチ素子2.3の漏話の和となる1
つのスイッチ素子の漏話を、現状の電気光学効果スイッ
チで得られている普通の値−25dBとすると、前者の
使い方では一75dB、後者の使い方では一50dBが
本モジュールでは実現できる。
一方、ノーマルモードの時の送出信号の受光素子5への
漏れは、原理上では送出信号が出力側ファイバ8の近端
、又は遠端で反射した光のまわり込みが主要因となる。
漏れは、原理上では送出信号が出力側ファイバ8の近端
、又は遠端で反射した光のまわり込みが主要因となる。
出力側ファイバ8からの反射光は第3.2.1のスイッ
チ素子4,3.2(漏話成分)と入力側ファイバ7の近
端又は遠端反射をへて、第1のスイッチ素子2を通過し
て。
チ素子4,3.2(漏話成分)と入力側ファイバ7の近
端又は遠端反射をへて、第1のスイッチ素子2を通過し
て。
受光素子5に入射する。この時の漏話は、スイッチ素子
3個の漏話分(−75dB)、2ケ所のフレネル反射損
(−25dB)の和−100dBとなり、全く問題ない
。なお、パイi<?スモーr時は発光素子6゜受光素子
5とも通常使用しないので、漏話の問題は生じない。ま
た、パイi<?メモ−2時には、入力光は3ケのスイッ
チ素子2,3.4を通過することになるが、導波路形ス
イッチの場合、スイッチ素子自体の損失は小さい(0,
2dB以下)ので大きな問題とはならない。
3個の漏話分(−75dB)、2ケ所のフレネル反射損
(−25dB)の和−100dBとなり、全く問題ない
。なお、パイi<?スモーr時は発光素子6゜受光素子
5とも通常使用しないので、漏話の問題は生じない。ま
た、パイi<?メモ−2時には、入力光は3ケのスイッ
チ素子2,3.4を通過することになるが、導波路形ス
イッチの場合、スイッチ素子自体の損失は小さい(0,
2dB以下)ので大きな問題とはならない。
[実施例]
次に9本発明の一実施例について述べる。
第2図は本発明を適用した光バイパススイッチモジュー
ルの構成を示したものである。モジュール本体基板1に
は、ニオブ酸リチウム(L+Nb03)(0,5X20
X60mm)Tiを熱拡散して導波路を形成した。その
後S iO2のバッファ層をつけた後金属電極14を蒸
着して3つのΔβ反転形スイッチ素子(素子長16 w
m 、 スイッチ電圧6V)2,3.4を形成した。ス
イッチ素子2,3.4は駆動電圧が印加時はl?ラレル
モードに、電圧印加がない時はクロスパーモードになる
よう導波路パラメータを設定した。光ファイバ7.8.
15は、受光素子側16を除いてはモーシフイールド径
10μmの偏波保持ファイバを使用している。受光素子
側はコア径50μmのマルチモードファイバを使用して
いる。
ルの構成を示したものである。モジュール本体基板1に
は、ニオブ酸リチウム(L+Nb03)(0,5X20
X60mm)Tiを熱拡散して導波路を形成した。その
後S iO2のバッファ層をつけた後金属電極14を蒸
着して3つのΔβ反転形スイッチ素子(素子長16 w
m 、 スイッチ電圧6V)2,3.4を形成した。ス
イッチ素子2,3.4は駆動電圧が印加時はl?ラレル
モードに、電圧印加がない時はクロスパーモードになる
よう導波路パラメータを設定した。光ファイバ7.8.
15は、受光素子側16を除いてはモーシフイールド径
10μmの偏波保持ファイバを使用している。受光素子
側はコア径50μmのマルチモードファイバを使用して
いる。
光源には波長13μmの半導体レーデ、受光素子5にば
Ge−APDを用いている。
Ge−APDを用いている。
入出力ファイバ間挿入損失、2.5dB、入力ファイバ
ー受光器間損失、 1.8dB、光源ファイ・ぐ−出力
ファイバ間損失1.9dB、ノーマルモード時の入出力
ファイバ間漏話ば、第3のスイッチ素子4を単に光路切
換器として使用した時−70dBが得られた。
ー受光器間損失、 1.8dB、光源ファイ・ぐ−出力
ファイバ間損失1.9dB、ノーマルモード時の入出力
ファイバ間漏話ば、第3のスイッチ素子4を単に光路切
換器として使用した時−70dBが得られた。
また、第3のスイッチ素子4を光変調器として使用した
時、IGb/bの高速応答が得られ、この時の漏話は−
50dBであった。
時、IGb/bの高速応答が得られ、この時の漏話は−
50dBであった。
なお、ニオブ酸リチウム基板の代りに、半導体基板(例
えばInP基板)を用いると3ケのスイッチ素子の他に
第1のスイッチ素子2の一出力側に受光素子5(例えば
InGaAs −PD )を、また、第3のスイッチ素
子4の一入力端に発光素子6(例えばInGaAsP−
LD )をモノリシックに形成することも可能である。
えばInP基板)を用いると3ケのスイッチ素子の他に
第1のスイッチ素子2の一出力側に受光素子5(例えば
InGaAs −PD )を、また、第3のスイッチ素
子4の一入力端に発光素子6(例えばInGaAsP−
LD )をモノリシックに形成することも可能である。
また発光素子6.受光素子5及びスイッチ素子2,3.
4の駆動信号処理電子回路をもモノリシックに形成する
ととも可能である。
4の駆動信号処理電子回路をもモノリシックに形成する
ととも可能である。
[発明の効果]
以上、詳細に説明したように2本発明の光バイ/? ス
スイッチモジュールは、モノリシックに形成され縦続に
配置された3ケの導波路形光スイッチ素子と、ライン入
出力ファイバ及び1発光、受光素子から構成され、3ケ
のスイッチ素子に駆動電圧が印加されてない時は、バイ
パスモードとなり。
スイッチモジュールは、モノリシックに形成され縦続に
配置された3ケの導波路形光スイッチ素子と、ライン入
出力ファイバ及び1発光、受光素子から構成され、3ケ
のスイッチ素子に駆動電圧が印加されてない時は、バイ
パスモードとなり。
電圧印加時はノーマルモードになる。この時1発光素子
が接続された第3のスイッチ素子を外部電圧変調器とし
て用いることも可能である。このために、低漏話が実現
できるとともに、第3のスイッチ素子を外部変調器とし
て使用する場合2発光素子自体の変調帯域が狭くても広
帯域な(高速応答な)データリンク用光バイパススイッ
チモジュールが実現できる、 以下余日
が接続された第3のスイッチ素子を外部電圧変調器とし
て用いることも可能である。このために、低漏話が実現
できるとともに、第3のスイッチ素子を外部変調器とし
て使用する場合2発光素子自体の変調帯域が狭くても広
帯域な(高速応答な)データリンク用光バイパススイッ
チモジュールが実現できる、 以下余日
第1図は本発明の光パイl?ススイッチモジュールの基
本構成を示す図、第2図は本発明の一実施を示した図、
第3図は、ループ形光ローカルエリアネットワー□りの
基本構成を示す図である。 1・・・基板、2・・・第1のスイッチ素子、3・・・
第2のスイッチ素子、4・・・第3のスイッチ素子、5
・・・受光素子、6・・・発光素子、7・・・入力側フ
ァイバ。 8・・・出力側ファイバ、9・・・導波路、10・・・
パイ/4’ススイッチ、11・・・レシーバ、12・・
・トランスミッタ、13・・・ルーグライン、14・・
・ノード、15・・・光ファイバ、16・・・光ファイ
バ。 第1図 第3図 1】 12
本構成を示す図、第2図は本発明の一実施を示した図、
第3図は、ループ形光ローカルエリアネットワー□りの
基本構成を示す図である。 1・・・基板、2・・・第1のスイッチ素子、3・・・
第2のスイッチ素子、4・・・第3のスイッチ素子、5
・・・受光素子、6・・・発光素子、7・・・入力側フ
ァイバ。 8・・・出力側ファイバ、9・・・導波路、10・・・
パイ/4’ススイッチ、11・・・レシーバ、12・・
・トランスミッタ、13・・・ルーグライン、14・・
・ノード、15・・・光ファイバ、16・・・光ファイ
バ。 第1図 第3図 1】 12
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、モノリシックに形成された3個の縦続接続された第
1、第2、第3の導波路形1入力2出力又は2入力1出
力光スイッチ素子と発光素子、受光素子及び1対の入出
力光ファイバを有し、入力側光ファイバ及び受光素子を
第1のスイッチ素子に接続し、出力側光ファイバ及び発
光素子を第3のスイッチ素子に接続し、第1と第3のス
イッチ素子の間に第2のスイッチ素子を配置した光バイ
パススイッチモジュールであって入出力光ファイバ間が
結合するバイパスモードの時には、第1、第2及び第3
のスイッチ素子すべてに駆動電圧が印加されず、一方、
入力側光ファイバと受光素子及び発光素子と出力側光フ
ァイバとがそれぞれ結合するノーマルモードの時には、
第1、第2及び第3のスイッチ素子すべてに電圧が印加
されて動作することを特徴とする光バイパススイッチモ
ジュール。 2、特許請求の範囲第1項記載の光バイパススイッチモ
ジュールに於いて、発光素子に直流電流を印加してCW
発振させ、第3のスイッチ素子に変調信号電圧を印加し
て光信号を送出することを特徴とする光バイパススイッ
チモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62133372A JP2609610B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光バイパススイッチモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62133372A JP2609610B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光バイパススイッチモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63300218A true JPS63300218A (ja) | 1988-12-07 |
JP2609610B2 JP2609610B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=15103187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62133372A Expired - Lifetime JP2609610B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光バイパススイッチモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2609610B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000002085A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Commutateur optique matriciel et multiplexeur optique a insertion-extraction |
JPWO2005078970A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2008-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 光伝送システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5895330A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
JPS61185731A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 偏波面保存光フアイバ形バイパススイツチ |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP62133372A patent/JP2609610B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5895330A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
JPS61185731A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 偏波面保存光フアイバ形バイパススイツチ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000002085A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Commutateur optique matriciel et multiplexeur optique a insertion-extraction |
US6597830B1 (en) | 1998-07-01 | 2003-07-22 | Nec Corporation | Matrix optical switch and optical ADM |
JPWO2005078970A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2008-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 光伝送システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2609610B2 (ja) | 1997-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2125751C (en) | Polarization independent transmissive/reflective optical switch | |
US4815803A (en) | Optical signal network with node by-pass switching capability | |
US5185831A (en) | Optical waveguide device | |
US4998791A (en) | Integrated optical switches with very high extinction ratios | |
JPS63300218A (ja) | 光バイパススイッチモジュ−ル | |
CN110784194B (zh) | 基于单微环谐振器光开关的全光d触发器 | |
US5321782A (en) | Directional coupler type optical function element | |
JP2858744B2 (ja) | 多チヤンネル光スイツチ及びその駆動方法 | |
JPH05224044A (ja) | モニタ付導波路型光デバイス | |
JPH0513289B2 (ja) | ||
US6498885B1 (en) | Semiconductor nonlinear waveguide and optical switch | |
JPS6076722A (ja) | マトリクス光スイツチ | |
JP2903700B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
JP2900569B2 (ja) | 光導波路デバイス | |
JP2630052B2 (ja) | マトリクス光スイッチ | |
JP2998373B2 (ja) | 光制御回路 | |
El-Akkari et al. | Electrooptical channel waveguide matrix switch using total internal reflection | |
JPS6328410Y2 (ja) | ||
JPS6122360Y2 (ja) | ||
JP2912039B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JP2903702B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
JP2000068943A (ja) | 光伝送装置 | |
Peters | SS‐TDMA switch matrices using optical technology | |
JPS6344208B2 (ja) | ||
JPS62262834A (ja) | 光線路スイツチ |