JPS63300218A - 光バイパススイッチモジュ−ル - Google Patents

光バイパススイッチモジュ−ル

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JPS63300218A
JPS63300218A JP62133372A JP13337287A JPS63300218A JP S63300218 A JPS63300218 A JP S63300218A JP 62133372 A JP62133372 A JP 62133372A JP 13337287 A JP13337287 A JP 13337287A JP S63300218 A JPS63300218 A JP S63300218A
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switch
optical
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ループ形光ローカルエリアネットワークに於
いて、ループとノード間に挿入されてループとノードの
接続/切り離しを行なうと共に光信号の変調を行なう光
バイパススイッチデータリンクモジュールに関する。
[従来の技術] 光ローカルエリアネットワーク(光LAN )の一方式
として、ループ形光LANがある。この方式は第3図に
示したようにループライン13に、多数のノード14を
接続し、ノード14間で通信を行なう方式である。
ここで、あるノード14が故障や保守のため停止する場
合その影響が全体に及ぶのを防ぐために。
光パイノクススイッチ10が使用されている。このスイ
ッチ10ば、2人力2出力端子を有し通常はループライ
ンからの信号をノード14のレシーバ11に、またノー
ド14のトランスミッタ12がらの信号をループライン
に送出するように端子が接続されている。ところが、パ
イノクスが必要な場合は、ループラインの入力信号がス
イッチ1o中で折返されて、そのままループラインに出
力するように端子間の切換が行なわれている。
この種の光スィッチ10としては、従来、光学素子の可
動部を有するメカニカル形式の光スィッチが用いられて
きた(例えば、青白、他“光ファイバリンク用2×2光
スイツチ”昭55年度電子通信学会総合全国大会講演予
稿集42211)。
[発明が解決しようとする問題点] さて、この種の機械式スイッチは低損失で、低漏話(−
50dB以下)であるが、切換動作の信頼性という点で
は十分ではない。即ち、ループ形光LANではノードの
切り離しはごく間欠的であシ。
場合によっては、数年に1度ということもある。
可動部を有する形式ではこの間に可動部分あるいは可動
部に接触している部分に何らかの変質が生じ、切換動作
特性が劣化し易い。
これ故に、磁気光学効果や電気光学効果を利用したノン
メカニカルな光スィッチが検討されているが、現在報告
されている構成のものは、いずれも漏話量が−20〜3
0 dB程度にとどまり、光LANで必要とされる漏話
量(−50dB以下)を満足していない。
また、バイパス切換に必要とされる切換時間は通常数1
0m5ec以内であればよいので、上記のノンメカニカ
ルな光スィッチの有する高速切換性能は有効に利用され
ていない。光信号の変調は光源であるLDあるいはLE
Dによっている。
そこで2本発明の技術的課題は上記欠点に鑑み。
低漏話が実現できると共に2発光素子自体の変調帯域に
係らず広帯域なデジタリンク用光バイパススイッチモノ
ユニルを提供することである。
[発明の概要コ 第1図に示すとおシ9本発明の光バイパススイッチモジ
ュールは、誘電体又は半導体基板1上に。
モノリシックに形成された3個の縦続接続されたlX2
(1人力2出力又は2入力1出力)の第1゜第2及び第
3の電気光学効果スイッチ素子2,3゜4と9発光素子
6受光素子5及び1対の入出カファイバフ、8から構成
されている。
受光素子5は第1のスイッチ素子2の一出力側に接続さ
れる。発光素子6は第3のスイッチ素子4の一入力端に
接続される。また、入力側光ファイ・ぐ7は第1のスイ
ッチ素子2の一入力端に、出力側光ファイバ8は第3の
スイッチ素子4の一出力側に接続される。ここで、バイ
パスモードの時には、3つのスイッチ素子2,3.4す
べてに。
駆動電圧が印加されず、入力側ファイバ7からの光は、
3つのスイッチ素子2,3.4を経て出力側ファイバ8
に結合する。
一方、ノーマルモードの時には、3つのスイッチ素子2
.3.4すべてに駆動電圧が印加され。
入力側ファイバ7からの光は第1のスイッチ素子2をへ
て受光素子に結合し、第1のスイッチ素子2でのクロス
トークとして漏れ出た光は、第2のスイッチ素子3によ
り遮断される。発光素子6からの光は、第3のスイッチ
素子4を経て、出力側ファイバ8に結合する。この時発
光素子5に変調電流信号が印加されず、単に一定光(C
W光)が出ている場合、第3のスイッチ素子4に変調電
圧信号を印加して、外部変調方式のモノニールとするこ
とが出来る。
発光素子6に変調電流信号を供給する従来の直接変調方
式では、普通のLEDを用いた場合、数十Mb/ s程
度の帯域が限界である。一方2本発明に係るモジュール
では、外部変調方式が適用できるので、普通のLEDを
用IAでも第3のスイッチ素子4の帯域(数百Mb〜数
Gb/s)まで変調可能であり、きわめて広帯域なモノ
ニールとすることができる。
また、上記の構成にすれば、漏話の問題も解決できる。
即ち、ノーマルモード時の入力側ファイバ7から入るラ
イン側信号の、出力側ファイバ8への漏れは、第3の光
スイツチ素子4を単に光路切換として機能させる場合、
第1.2.3のスイッチ素子2,3.4の漏話の総和と
なり、また。
第3の光スイツチ素子4を変調器として機能させる場合
、第1と第2のスイッチ素子2.3の漏話の和となる1
つのスイッチ素子の漏話を、現状の電気光学効果スイッ
チで得られている普通の値−25dBとすると、前者の
使い方では一75dB、後者の使い方では一50dBが
本モジュールでは実現できる。
一方、ノーマルモードの時の送出信号の受光素子5への
漏れは、原理上では送出信号が出力側ファイバ8の近端
、又は遠端で反射した光のまわり込みが主要因となる。
出力側ファイバ8からの反射光は第3.2.1のスイッ
チ素子4,3.2(漏話成分)と入力側ファイバ7の近
端又は遠端反射をへて、第1のスイッチ素子2を通過し
て。
受光素子5に入射する。この時の漏話は、スイッチ素子
3個の漏話分(−75dB)、2ケ所のフレネル反射損
(−25dB)の和−100dBとなり、全く問題ない
。なお、パイi<?スモーr時は発光素子6゜受光素子
5とも通常使用しないので、漏話の問題は生じない。ま
た、パイi<?メモ−2時には、入力光は3ケのスイッ
チ素子2,3.4を通過することになるが、導波路形ス
イッチの場合、スイッチ素子自体の損失は小さい(0,
2dB以下)ので大きな問題とはならない。
[実施例] 次に9本発明の一実施例について述べる。
第2図は本発明を適用した光バイパススイッチモジュー
ルの構成を示したものである。モジュール本体基板1に
は、ニオブ酸リチウム(L+Nb03)(0,5X20
X60mm)Tiを熱拡散して導波路を形成した。その
後S iO2のバッファ層をつけた後金属電極14を蒸
着して3つのΔβ反転形スイッチ素子(素子長16 w
m 、 スイッチ電圧6V)2,3.4を形成した。ス
イッチ素子2,3.4は駆動電圧が印加時はl?ラレル
モードに、電圧印加がない時はクロスパーモードになる
よう導波路パラメータを設定した。光ファイバ7.8.
15は、受光素子側16を除いてはモーシフイールド径
10μmの偏波保持ファイバを使用している。受光素子
側はコア径50μmのマルチモードファイバを使用して
いる。
光源には波長13μmの半導体レーデ、受光素子5にば
Ge−APDを用いている。
入出力ファイバ間挿入損失、2.5dB、入力ファイバ
ー受光器間損失、 1.8dB、光源ファイ・ぐ−出力
ファイバ間損失1.9dB、ノーマルモード時の入出力
ファイバ間漏話ば、第3のスイッチ素子4を単に光路切
換器として使用した時−70dBが得られた。
また、第3のスイッチ素子4を光変調器として使用した
時、IGb/bの高速応答が得られ、この時の漏話は−
50dBであった。
なお、ニオブ酸リチウム基板の代りに、半導体基板(例
えばInP基板)を用いると3ケのスイッチ素子の他に
第1のスイッチ素子2の一出力側に受光素子5(例えば
InGaAs −PD )を、また、第3のスイッチ素
子4の一入力端に発光素子6(例えばInGaAsP−
LD )をモノリシックに形成することも可能である。
また発光素子6.受光素子5及びスイッチ素子2,3.
4の駆動信号処理電子回路をもモノリシックに形成する
ととも可能である。
[発明の効果] 以上、詳細に説明したように2本発明の光バイ/? ス
スイッチモジュールは、モノリシックに形成され縦続に
配置された3ケの導波路形光スイッチ素子と、ライン入
出力ファイバ及び1発光、受光素子から構成され、3ケ
のスイッチ素子に駆動電圧が印加されてない時は、バイ
パスモードとなり。
電圧印加時はノーマルモードになる。この時1発光素子
が接続された第3のスイッチ素子を外部電圧変調器とし
て用いることも可能である。このために、低漏話が実現
できるとともに、第3のスイッチ素子を外部変調器とし
て使用する場合2発光素子自体の変調帯域が狭くても広
帯域な(高速応答な)データリンク用光バイパススイッ
チモジュールが実現できる、 以下余日
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光パイl?ススイッチモジュールの基
本構成を示す図、第2図は本発明の一実施を示した図、
第3図は、ループ形光ローカルエリアネットワー□りの
基本構成を示す図である。 1・・・基板、2・・・第1のスイッチ素子、3・・・
第2のスイッチ素子、4・・・第3のスイッチ素子、5
・・・受光素子、6・・・発光素子、7・・・入力側フ
ァイバ。 8・・・出力側ファイバ、9・・・導波路、10・・・
パイ/4’ススイッチ、11・・・レシーバ、12・・
・トランスミッタ、13・・・ルーグライン、14・・
・ノード、15・・・光ファイバ、16・・・光ファイ
バ。 第1図 第3図 1】 12

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、モノリシックに形成された3個の縦続接続された第
    1、第2、第3の導波路形1入力2出力又は2入力1出
    力光スイッチ素子と発光素子、受光素子及び1対の入出
    力光ファイバを有し、入力側光ファイバ及び受光素子を
    第1のスイッチ素子に接続し、出力側光ファイバ及び発
    光素子を第3のスイッチ素子に接続し、第1と第3のス
    イッチ素子の間に第2のスイッチ素子を配置した光バイ
    パススイッチモジュールであって入出力光ファイバ間が
    結合するバイパスモードの時には、第1、第2及び第3
    のスイッチ素子すべてに駆動電圧が印加されず、一方、
    入力側光ファイバと受光素子及び発光素子と出力側光フ
    ァイバとがそれぞれ結合するノーマルモードの時には、
    第1、第2及び第3のスイッチ素子すべてに電圧が印加
    されて動作することを特徴とする光バイパススイッチモ
    ジュール。 2、特許請求の範囲第1項記載の光バイパススイッチモ
    ジュールに於いて、発光素子に直流電流を印加してCW
    発振させ、第3のスイッチ素子に変調信号電圧を印加し
    て光信号を送出することを特徴とする光バイパススイッ
    チモジュール。
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