JPS6086530A - 導波路形光スイツチ - Google Patents
導波路形光スイツチInfo
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- JPS6086530A JPS6086530A JP19491783A JP19491783A JPS6086530A JP S6086530 A JPS6086530 A JP S6086530A JP 19491783 A JP19491783 A JP 19491783A JP 19491783 A JP19491783 A JP 19491783A JP S6086530 A JPS6086530 A JP S6086530A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- heater
- waveguide
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光線路中に挿入され、元の通断あるいは光路
の切り替え全制御する導波路形光スイ。
の切り替え全制御する導波路形光スイ。
チに関する。
従来の導波路形光スイッチとしては、電気光学結晶中に
近接して形成された２本の導波路間の結合係数ｔ１上記
電気光学結晶表面に形成された電極に電圧全印加して制
御することにより元を切り替える方向性結合器形や、同
様の原理で片方向の導波路の位相定数を変化させること
全利用するバランスドブリッジ形等が主なものである。
近接して形成された２本の導波路間の結合係数ｔ１上記
電気光学結晶表面に形成された電極に電圧全印加して制
御することにより元を切り替える方向性結合器形や、同
様の原理で片方向の導波路の位相定数を変化させること
全利用するバランスドブリッジ形等が主なものである。
さらに熱による屈折率変化を利用したバランスドブリッ
ジ形のものが提案されている（１キ学技報０ＱＥ８２−
６７）。
ジ形のものが提案されている（１キ学技報０ＱＥ８２−
６７）。
従来のこれらの導波路形光スイッチは、次の様な欠点？
持つ。すなわちいずれも三次元導波路形成のための拡散
工程を含むため、作製工程が複雑となる。あるいは使用
する基板が拡故により屈折率制御のできる素材に限定さ
れる。また漏話量や導波損失全区域するために導波路パ
ターンに高い寸法精度が要求され、特に多分岐形スイッ
チを構成する場合、多くの菓子が必要となり、構成が複
雑となる。さらに、熱による屈折率変化を利用するもの
については、従来構造では屈折率変化の及ぶ範囲が導波
路の厚さにほぼ等しくなければならないため、導波路の
厚さが増すにつれてスイッチング速度が遅くなると同時
に消費電力も増加する。
持つ。すなわちいずれも三次元導波路形成のための拡散
工程を含むため、作製工程が複雑となる。あるいは使用
する基板が拡故により屈折率制御のできる素材に限定さ
れる。また漏話量や導波損失全区域するために導波路パ
ターンに高い寸法精度が要求され、特に多分岐形スイッ
チを構成する場合、多くの菓子が必要となり、構成が複
雑となる。さらに、熱による屈折率変化を利用するもの
については、従来構造では屈折率変化の及ぶ範囲が導波
路の厚さにほぼ等しくなければならないため、導波路の
厚さが増すにつれてスイッチング速度が遅くなると同時
に消費電力も増加する。
本発明の目的は、従来の導波路形光スイッチの持つ上記
欠点を克服し、構造が単純で作製の容易な導波路形光ス
イッチを提供することにある１木発明によれば、基板と
、この基板上に形成された第１の層と、この第１の層の
上に形成され温度の上昇と共にその屈折率が増加する第
２の層と、この第２の層の上に形成されたストリップ状
のヒータとを含み、前記ヒータに電ｆＲ，全通断じて第
１の層の前記ヒータ下部にあたる部分に三次元導波路全
形成もしくは消滅させることを特徴とする導波路形光ス
イッチが得られる。
欠点を克服し、構造が単純で作製の容易な導波路形光ス
イッチを提供することにある１木発明によれば、基板と
、この基板上に形成された第１の層と、この第１の層の
上に形成され温度の上昇と共にその屈折率が増加する第
２の層と、この第２の層の上に形成されたストリップ状
のヒータとを含み、前記ヒータに電ｆＲ，全通断じて第
１の層の前記ヒータ下部にあたる部分に三次元導波路全
形成もしくは消滅させることを特徴とする導波路形光ス
イッチが得られる。
次に本発明の実施例を図面ｔ−診照して詳細に説明する
。
。
＠１図は本発明に係る導波路形光スイッチの原理的構成
金示す斜視図である。
金示す斜視図である。
図において、屈折率ｒｌｔ”を有する基板ｌと、基板上
に形成された屈折率ｎ２を有する層鵞と、層２の上に形
成された屈折率ｎｓ ｔ″有する層３と。
に形成された屈折率ｎ２を有する層鵞と、層２の上に形
成された屈折率ｎｓ ｔ″有する層３と。
層３の上に形成されたストリップ状のヒータ４から成る
。
。
今、屈折率ｎ３が温度Ｔに対し正の勾配（ｄｎ３／ｄＴ
〉０）ヲ持ち、 基板ｌ１層２．およびヒータ４と層３
ｔ−覆う媒質の屈折率１ｍ０間Ｋｎ２）ｎ、 、 ｎｍ
の関係が有るとする０丁なわち、基板１および層３に挾
まれた層２内に光が閉じ込められ、スラブ導波路が形成
されているとする（ｎｍ＞ｎ２であっても層３の厚さ全
適当に選ぶことによ）１層２内に光が閉じこめられる）
、このとき、ヒータ４に通電すると層３のうちヒータ４
の直下にあたる部分の温度が上昇し、埒の部分の屈折率
が増加する。
〉０）ヲ持ち、 基板ｌ１層２．およびヒータ４と層３
ｔ−覆う媒質の屈折率１ｍ０間Ｋｎ２）ｎ、 、 ｎｍ
の関係が有るとする０丁なわち、基板１および層３に挾
まれた層２内に光が閉じ込められ、スラブ導波路が形成
されているとする（ｎｍ＞ｎ２であっても層３の厚さ全
適当に選ぶことによ）１層２内に光が閉じこめられる）
、このとき、ヒータ４に通電すると層３のうちヒータ４
の直下にあたる部分の温度が上昇し、埒の部分の屈折率
が増加する。
この結果１層３の屈折率の増加した部分の直下にあたる
層２０部分の実効屈折率が増加し５面方向に対してもこ
の部分に元が閉じこめられ、三次元導波路が形成される
。
層２０部分の実効屈折率が増加し５面方向に対してもこ
の部分に元が閉じこめられ、三次元導波路が形成される
。
次に第２図（ａ） 、 （ｂ）ｈ第３図（ａ）、 （ｂ
）、 ｆｃ）および第４図を用いて第１図に示す導波路
形光スイッチの動作を詳しく説明する。第２図１８）は
第１図に示す導波路形光スイッチの一部横断面図である
。今。
）、 ｆｃ）および第４図を用いて第１図に示す導波路
形光スイッチの動作を詳しく説明する。第２図１８）は
第１図に示す導波路形光スイッチの一部横断面図である
。今。
ヒータ４に通電し層３０層２および基板Ｉｔ−熱したと
すると、伝熱理論が示す様に温度上昇は熱源からの距離
により急速に減少するため、温度上昇は熱源であるヒー
タ４に最も近い層３内においてても、温度変化に伴なう
屈折率変化は層３内において著しい。
すると、伝熱理論が示す様に温度上昇は熱源からの距離
により急速に減少するため、温度上昇は熱源であるヒー
タ４に最も近い層３内においてても、温度変化に伴なう
屈折率変化は層３内において著しい。
したがって、ヒータ４に通電したときの層３のＸ軸方向
の屈折率分布、ｙ軸方向の屈折率分布状態はそれぞれ第
２因ｉｂ）および（Ｃ）に示す様に階段状変化に近似で
きる０図中Δｎ３は層３の屈折率増加量である。第２図
（ａ）で示される系のヒータ４の下部にあたる層２の実
効屈折率”ｅｆｆＣ光が伝搬する方向の屈折率）は、ス
トリップ膜装荷形光導波路における実効屈折率の計算方
法（等側屈折率法）の応用によりめられる（Ａｐｐｌ、
Ｏｐｔ、Ｖｏｌ、１λ３２２（１９７４）／Ａｐｐ１．
ｏｐｔ、ＶＯｌ、１５，１７９（１９７６）参照）。
の屈折率分布、ｙ軸方向の屈折率分布状態はそれぞれ第
２因ｉｂ）および（Ｃ）に示す様に階段状変化に近似で
きる０図中Δｎ３は層３の屈折率増加量である。第２図
（ａ）で示される系のヒータ４の下部にあたる層２の実
効屈折率”ｅｆｆＣ光が伝搬する方向の屈折率）は、ス
トリップ膜装荷形光導波路における実効屈折率の計算方
法（等側屈折率法）の応用によりめられる（Ａｐｐｌ、
Ｏｐｔ、Ｖｏｌ、１λ３２２（１９７４）／Ａｐｐ１．
ｏｐｔ、ＶＯｌ、１５，１７９（１９７６）参照）。
以下にその方法を説明する・
まず、第２図（ａｌに示す系を第３図（ａｌに示すよう
に層３の屈折率の変化した領域ｌとその他の領域■に分
ける。第３図ｔａｌにおいて”ｍはヒータ４および層３
を覆う媒質の屈折率である。領域Ｉおよび１はｙ方向の
屈折率分布状態が異なるため、それぞれの領域の層２内
における実効屈折率が異なる。この実効屈折率の相違の
ため、領域Ｉの層２から見た領域Ｉの層２の屈折率は、
０３では無く。
に層３の屈折率の変化した領域ｌとその他の領域■に分
ける。第３図ｔａｌにおいて”ｍはヒータ４および層３
を覆う媒質の屈折率である。領域Ｉおよび１はｙ方向の
屈折率分布状態が異なるため、それぞれの領域の層２内
における実効屈折率が異なる。この実効屈折率の相違の
ため、領域Ｉの層２から見た領域Ｉの層２の屈折率は、
０３では無く。
領域■および■のｙ方向と同様の屈折率分布を持った第
３図（ｂ）および（Ｃ）に示す４層スラブ導波路におけ
る層２の実効屈折率をＪｅｆｆおよび”１ｅｆｆとして
１次式 ％式％） （１） で表現される等測的な屈折率ｎ ６ ｇとなる。ただし
、ヒータ４の屈折率ｎ４は十分大きいとした・すなわち
層２の実効屈折率は、ヒータ４の厚さに依存せず、層２
から見た薄膜ヒータ４の厚さは無限大とみなせるものと
する。
３図（ｂ）および（Ｃ）に示す４層スラブ導波路におけ
る層２の実効屈折率をＪｅｆｆおよび”１ｅｆｆとして
１次式 ％式％） （１） で表現される等測的な屈折率ｎ ６ ｇとなる。ただし
、ヒータ４の屈折率ｎ４は十分大きいとした・すなわち
層２の実効屈折率は、ヒータ４の厚さに依存せず、層２
から見た薄膜ヒータ４の厚さは無限大とみなせるものと
する。
以上のことから第３図ｆａｌに示す糸は、これと等価な
第４図に示す系に置き換えられる。すなわち。
第４図に示す系に置き換えられる。すなわち。
第３図（ａｌの系において領域■の層２の屈折率ｔ−ｎ
ｅｑに置き換え、ヒータ４の厚さ全無限大に置き換えた
系を不質的に同一であると見なせる。第４図において１
層２のうち屈折率がｎ＝で示される部分の実効屈折率”
ｅｆｆはＭａｒｃａｔ目ｉ の提案した方ｍＣＢ、Ｓ、
Ｔ、Ｊ、ＶＯ１，４８，２０７１（１９６９））Ｋより
められる。すなわちＥｐ、モードの実効屈折率は次式を
満足する。
ｅｑに置き換え、ヒータ４の厚さ全無限大に置き換えた
系を不質的に同一であると見なせる。第４図において１
層２のうち屈折率がｎ＝で示される部分の実効屈折率”
ｅｆｆはＭａｒｃａｔ目ｉ の提案した方ｍＣＢ、Ｓ、
Ｔ、Ｊ、ＶＯ１，４８，２０７１（１９６９））Ｋより
められる。すなわちＥｐ、モードの実効屈折率は次式を
満足する。
・・・・・・・・・ （３）
ただし ｂＹ ＝”ｙ 、ｂｘ ＝ｋｎｘ−−−−＝
（４）ｂ ｌ ｙ：ｋ （Ｉｌｌ ２−ｎ ｙ ２−ｎ
１２） ”／２・・・・・・・・・ （５） Ｐ３ｙ”ｋ”２２− ｎｙ２−（ｎ３＋ｕ３）２１１ｚ
４・・・・・・・・・ （６） Ｐ １ｘ”””ｋ （ｎ ２ ” −ｎ ｘ ”−ｎ
ｅ ｑ ”） １／２・・・・・・・・・ （７） ｎｅ（ｆ”（ｎ□２−ｎｙ２−ｎｙ２）１／２・・・・
・・・・・ （８） ここに、 ｋ＝ｒ−λは真空中の光の波長、Ｄは層２の
厚さ、ｔは層３の厚さ、Ｗはヒ ータの幅、 ｔｌｘは光伝搬方向に垂直で層面に平行な
方向Ｘの屈折率、 ｎｙは層２の厚さ方向ｙの屈折率で
ある。
（４）ｂ ｌ ｙ：ｋ （Ｉｌｌ ２−ｎ ｙ ２−ｎ
１２） ”／２・・・・・・・・・ （５） Ｐ３ｙ”ｋ”２２− ｎｙ２−（ｎ３＋ｕ３）２１１ｚ
４・・・・・・・・・ （６） Ｐ １ｘ”””ｋ （ｎ ２ ” −ｎ ｘ ”−ｎ
ｅ ｑ ”） １／２・・・・・・・・・ （７） ｎｅ（ｆ”（ｎ□２−ｎｙ２−ｎｙ２）１／２・・・・
・・・・・ （８） ここに、 ｋ＝ｒ−λは真空中の光の波長、Ｄは層２の
厚さ、ｔは層３の厚さ、Ｗはヒ ータの幅、 ｔｌｘは光伝搬方向に垂直で層面に平行な
方向Ｘの屈折率、 ｎｙは層２の厚さ方向ｙの屈折率で
ある。
第５図はｎ１＝２．１４． ｎｚ＝２．．１４２．１１
ｇ ＝２．２゜ｎａ＞＞ｌｅ ｒｌ、ｎ＝１． ｎ＝６
．ａｍ、 Ｗ＝５μｍ、 ｔ＝３．ｇｍとしたときの第
３図ｔｂ１． （Ｃ）にそれぞれ示す層３の屈折率ｎ３
の増加量Δｎ３に対するＥ’ｏｏモードでの層２の実効
屈折率”１ｅｆｆ、”１ｅｆｆと、第４図に示す層２の
うち屈折率がｎ＝の部分の実効屈折率”ｅｆｆの変化を
示したものである。
ｇ ＝２．２゜ｎａ＞＞ｌｅ ｒｌ、ｎ＝１． ｎ＝６
．ａｍ、 Ｗ＝５μｍ、 ｔ＝３．ｇｍとしたときの第
３図ｔｂ１． （Ｃ）にそれぞれ示す層３の屈折率ｎ３
の増加量Δｎ３に対するＥ’ｏｏモードでの層２の実効
屈折率”１ｅｆｆ、”１ｅｆｆと、第４図に示す層２の
うち屈折率がｎ＝の部分の実効屈折率”ｅｆｆの変化を
示したものである。
第４図の系におけるカットオフ条件は
”ｅｆｆ り”１ｅｆｆ ”−（９）
である、Δｎ３が小さく ”１ｅｆｆ≦”１ｅｆｆ と
なる範囲では力、トオ７条件が満足されておル、光はＸ
方向に閉じ込められない、△ｎ３が大きくなり”１ｅｆ
ｆ ＞”１ｅｆｆとなる範囲では”ｅｆｆ ＞ ”１ｅ
ｆｆ となり光はＸ方向に閉じ込められ層２内ＩＣ３次元導波
路が形成される。
なる範囲では力、トオ７条件が満足されておル、光はＸ
方向に閉じ込められない、△ｎ３が大きくなり”１ｅｆ
ｆ ＞”１ｅｆｆとなる範囲では”ｅｆｆ ＞ ”１ｅ
ｆｆ となり光はＸ方向に閉じ込められ層２内ＩＣ３次元導波
路が形成される。
以上の説明では簡単のためヒータの屈折率は十分大きい
と仮定したが、この仮定を満たさなくとも各部の屈折率
を適当に選ぶことにより同様の議論が成り立りことは言
うまでもない。
と仮定したが、この仮定を満たさなくとも各部の屈折率
を適当に選ぶことにより同様の議論が成り立りことは言
うまでもない。
第６図は本発明に係る導波路形光スイッチの笑施例で１
×６スイツチを示す、この光スイッチはヒータ４に分岐
部６を設はゼ分岐し、電源５から分岐したヒータへ供給
する電流をスイ、チアで順次切替えるようにしたもので
、ヒータの電流回路に対応した層２内の位置に前述した
３次元導波路が発生して光路が切り替えられる。この場
合、ヒータへの電流を断てば３次元導波路が消滅し１元
は層３の面方向に広がるため光シャ、り機能を行なわせ
ることができる。またヒータの分岐の枝に同時に通電す
ることにより光分岐としても用いることができる。
×６スイツチを示す、この光スイッチはヒータ４に分岐
部６を設はゼ分岐し、電源５から分岐したヒータへ供給
する電流をスイ、チアで順次切替えるようにしたもので
、ヒータの電流回路に対応した層２内の位置に前述した
３次元導波路が発生して光路が切り替えられる。この場
合、ヒータへの電流を断てば３次元導波路が消滅し１元
は層３の面方向に広がるため光シャ、り機能を行なわせ
ることができる。またヒータの分岐の枝に同時に通電す
ることにより光分岐としても用いることができる。
素材としては、基板ｌおよび層２にはほとんどの透明性
素材０層３にはガラス、透明性セラミック、ＬｉＮｂ０
ａ括晶など、ヒータには金属薄膜ヒータが使用できる。
素材０層３にはガラス、透明性セラミック、ＬｉＮｂ０
ａ括晶など、ヒータには金属薄膜ヒータが使用できる。
したがって発明に係る導波路形路形光スイッチでは、従
来の主な三次元導波路形成に用いられている拡散工程を
必らずしも必要としないため、その作製工程が単純化で
き、二次元導波路ｔ−構成できる基板素材すべてが使用
可能となる。また本発明は熱に依る屈折率変化を利用し
たものであるた持つものすべてが使用可能である。さら
にヒータで発生した熱は層の面方向にもわずかに広かる
ため、ヒータのエツジ粗さによる光の散乱が緩和される
。また基板上の第１の層２のヒータの下部にあたる部分
の実効屈折率ｆｌｅｆｆ が力、トオ７条件を満足し、
”１ｅｆｆ＜”１ｅｆｆが成り立つ場合。
来の主な三次元導波路形成に用いられている拡散工程を
必らずしも必要としないため、その作製工程が単純化で
き、二次元導波路ｔ−構成できる基板素材すべてが使用
可能となる。また本発明は熱に依る屈折率変化を利用し
たものであるた持つものすべてが使用可能である。さら
にヒータで発生した熱は層の面方向にもわずかに広かる
ため、ヒータのエツジ粗さによる光の散乱が緩和される
。また基板上の第１の層２のヒータの下部にあたる部分
の実効屈折率ｆｌｅｆｆ が力、トオ７条件を満足し、
”１ｅｆｆ＜”１ｅｆｆが成り立つ場合。
ｎｅｇ＞ｎ２ となるため層２の面方向に広がった光は
ヒータ下部にあたる層２の部分に入り込みにくくなり漏
話量が低減され、層３の厚さは、その下に形成される導
波路の厚さに関係なく選べるため、Ｊ傷３の厚さを変え
て層３の熱容ｉｔ変えることに１よりスイッチング速度
および消費電力もまた導波路厚さに依らず選ぶことがで
きる。
ヒータ下部にあたる層２の部分に入り込みにくくなり漏
話量が低減され、層３の厚さは、その下に形成される導
波路の厚さに関係なく選べるため、Ｊ傷３の厚さを変え
て層３の熱容ｉｔ変えることに１よりスイッチング速度
および消費電力もまた導波路厚さに依らず選ぶことがで
きる。
第１図は本発明に係る導波路形光スイッチの原理的な構
造を示す斜視図、第２図（ａ）は不発明に係る導波路形
光スイッチの断面図、同図（ｂ）、 （Ｃ１は断面屈折
率分布を示す線図、第３図および第４図は不発明に係る
導波路形光スイッチの原理説明図、第５図は屈折率の計
算結果を示す図、第６図は本発明の実施例を示す斜視図
である。 １・・・・・基板、２・・・・・・層、３・・−・・層
、４・・・・・ヒータ、５・・・・−・電源、６・・・
分岐部、７・・・・切替スイ、チ。 銘 ／ 図 ｔ１２） ／へ 、７． ）？、 Ｉｆ 局 、３ 図 １ １ １ １ １ １ ｌ ＩＩ １ ｊ ４ 図 乙η３（Ｘｙθ−ｆ） ｚ ｓ 図 ｚ ６ 図
造を示す斜視図、第２図（ａ）は不発明に係る導波路形
光スイッチの断面図、同図（ｂ）、 （Ｃ１は断面屈折
率分布を示す線図、第３図および第４図は不発明に係る
導波路形光スイッチの原理説明図、第５図は屈折率の計
算結果を示す図、第６図は本発明の実施例を示す斜視図
である。 １・・・・・基板、２・・・・・・層、３・・−・・層
、４・・・・・ヒータ、５・・・・−・電源、６・・・
分岐部、７・・・・切替スイ、チ。 銘 ／ 図 ｔ１２） ／へ 、７． ）？、 Ｉｆ 局 、３ 図 １ １ １ １ １ １ ｌ ＩＩ １ ｊ ４ 図 乙η３（Ｘｙθ−ｆ） ｚ ｓ 図 ｚ ６ 図
Claims (1)
- 基板と、この基板上に形成され７Ｉｃｇ１１．１の層と
、この第１の層の上に形成され温度の上昇と共にその屈
折率が増加する第２の層と、この第２の層の上に形成さ
れたストリップ状のヒータとを含み、前記ヒータに電流
を通断して前記第１の層の前記ヒータ下部ｔＣあたる部
分に三次元導波路全形成もしくは消滅させること全特徴
とする導波路形光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19491783A JPS6086530A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 導波路形光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19491783A JPS6086530A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 導波路形光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086530A true JPS6086530A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16332488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19491783A Pending JPS6086530A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 導波路形光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086530A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122528U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-04 | 澁谷工業株式会社 | ロータリーストツパの位置変更装置 |
| GB2359898A (en) * | 2000-03-04 | 2001-09-05 | Bookham Technology Ltd | An integrated optical waveguide |
| WO2002023264A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif optique |
| US6961493B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19491783A patent/JPS6086530A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122528U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-04 | 澁谷工業株式会社 | ロータリーストツパの位置変更装置 |
| GB2359898A (en) * | 2000-03-04 | 2001-09-05 | Bookham Technology Ltd | An integrated optical waveguide |
| WO2002023264A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif optique |
| US7184631B2 (en) | 2000-09-18 | 2007-02-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| US6961493B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-11-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
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