JPS63260818A

JPS63260818A - 酸化物超電導材料及びその製法

Info

Publication number: JPS63260818A
Application number: JP62093102A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Ogushi; 大串　哲彌; Yoshinori Shiraku; 善則白楽
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-04-17
Filing date: 1987-04-17
Publication date: 1988-10-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、酸化物超電導材料及びその製法に係り、特に
高い超電導転移温度を有する酸化物電導材料及びその製
法に関する。

〔従来の技術〕

従来、酸化物超電導材料及びそのｉＩ法については、ツ
ァイト　シュリフト　フユーア　フィジイーク　Ｂ６４
　（１９８６年）第１８９頁から第１９３頁（Ｚ　ｅｉ
ｔｓｃｈｒｉｆｔ　　ｆｕｒ　　Ｐ　ｈｙｓｉｋ　　Ｂ
　６４（１９８６）ｐｐ１８９−１９３）、サイエンス
２３５　（１９８７）第５６７頁から第５６９頁（Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、２３５　　（１９８７）ｐｐ５６７−５６
９）、フィジカル　レウ゛ニー　レターズ　５８（１９
８７）第９０８頁から第９１０頁（Ｐ　ｈｙｓｉｅａｌ
Ｒｅｖｉｅｗ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ　　５８　（１９８７
）　　ｐｐ９０８−９１０）において論じられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、１００Ｋ以上の超電導転移温度を有す
る酸化物超電導材料及びその製法について配慮がされて
おらず、これらの材料を超電導状態で使用する場合には
、液体窒素温度（７８Ｋ）レベルに冷却しなければなら
ないという問題があった。

本発明の目的は、１５０に以上の超電導転移温度を有す
る酸化物超電導材料及びその製法を得ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の第１の特徴は、下式で示されるペロブスカイト
状結晶構造を有し、式中のし元素は元素周期表のＶａ族
元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタ
ル（Ｔａ）　、またはＩＶａ族元素るチタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚ　ｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中から
選ばれた少なくとも一つであり１式中のＡ元素はバリウ
ム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃ
ａ）などのアルカリ土類金属元素の中から選ばれた少な
くとも一つの元素であり、さらに酸素（Ｏ）及び酸素空
孔により形成される八面体結晶構造の中心部に銅（Ｃｕ
）元素が位置する酸化物超電導材料にある。

（ＬｚＡｉ−ｚ）ｊ　Ｃｕ　Ｏ’Ｊ　　　　　　　　・
”・・”　（１）但し、この式で、Ｘは、Ｏ＜　ｘ　＜　１であり。

■は、ｉ＝１．Ｔ、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき、０＜ｙ≦３ｉ王または２のとき、Ｏ＜　ｙ≦４である。

本発明の第２の特徴は、バリウム（Ｂａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類
金属の群から選ばれた少なくとも一つの元素をＡ元素と
し、元素周期表のＶａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、
ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、または■族元素で
あるチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウ
ム（Ｈｆ）の群から選ばれた少なくとも一つの元素をＬ
元素とし、前記り元素の酸化物または純金属の粉末、へ
元素の炭酸化物の粉末、及び銅（Ｃｕ）元素の酸化物ま
たはその純金属の粉末を所望の化学量論組成で混合し、
その混合粉末を真空中または酸化性雰囲気中で高温度に
加熱して反応させ、その後その混合反応物を焼結させて
、上記（１）式で示されるペロブスカイト状結晶構造を
有する酸化物超電導材料を製作する方法にある。

本発明の第３の特徴は、バリウム（Ｂａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類
金属の中から選ばれた少なくとも一つの元素をＡ元素と
し１元素周期表のＶａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、
ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元
素であるチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフ
ニウム（Ｈｆ）の群から選ばれた少なくとも一つの元素
及びスカンジウム（Ｓｃ）、イツトリウム（Ｙ）。

またはランタン（Ｌａ）などのランタノイド元素の群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素からなる混合元素をＬ
元素とし、前記り元素の酸化物または純金属の粉末、Ａ
元素の炭酸化物の粉末、及び銅（Ｃｕ）元素の酸化物ま
たはその純金属の粉末を所望の化学量論組成で混合し、
その混合粉末を真空中または酸化性雰囲気中において高
温度に加熱して反応させ、その後その混合反応物を焼結
させて、上記（１）式で示されるペロブスカイト状結晶
構造を有する酸化物超電導材料を製作する方法にある。

本発明の第４の特徴は、バリウム（Ｂａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類
金属の群から選ばれた少なくとも一つの元素をＡ元素と
し、元素周期表のＶａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、
ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元
素であるチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフ
ニウム（Ｈｆ）の中から選ばれた少なくとも一つの元素
をＬ元素とし、基板としてケイ素（Ｓｉ）、アルミナ（
Ａ　Ｑ２０３）　、酸化ケイ素（ＳｉＯ□）、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ，）の
少なくとも一つを用い、この基板上に銅（Ｃｕ）元素の
金属薄膜を形成し、この上に前記り元素とＡ元素の混合
物のＩＩＩ（Ｌ）ＬＡよ−λ膜、但し、Ｏ＜　ｘ　＜　
１　）を堆積させ、次に熱処理して前記元素を反応させ
ることにより、前記基板上に上記（１）式で示されるペ
ロブスカイト状結晶構造を有する酸化物超電導膜を形成
する酸化物超電導材料の製法にある。

本発明の第５の特徴は、バリウム（Ｂａ）、ストロンチ
ウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類
金属の中から選ばれた少なくとも一つの元素をＡ元素と
し５元素周期表のＶａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、
ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元
素であるチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフ
ニウム（Ｈｆ）の中から選ばれた少なくとも一つの元素
をＬ元素とし、銅（Ｃｕ）元素の金属テープまたは基板
上に、前記り元素とＡ元素の混合物の膜（ＬｘＡ１−え
膜、但しＯ＜　ｘ　＜　１　）を堆積させ、その後熱処
理して前記元素を反応させることにより、上記（１）式
で示されるペロブスカイト状結晶構造を有する酸化物超
電導材料を得る方法にある。

〔作　用〕

Ａ元素は、アルカリ土類金属元素でＢａ”。

Ｓｒ”“、Ｃａ”のように２価である。このＡ元素を４
価であるＩＩ／ａ族元素Ｚｒ４°、　Ｔ　ｉ”＋、　Ｈ
ｆ”）あルイは、５価であ６Ｖａ族元素Ｖ　ｔｔ　、　
Ｎ　ｂＳ＋。

Ｔａ’＋などのＬ元素で置換する。そうすると、結晶中
では電気的中性条件により陽イオンから来るプラス電荷
と陰イオンからくるマイナス電荷がちょうどつり合って
いなくてはならないので５Ｍ元素をＬ元素で置換した結
果発生する余分のプラス２価あるいは３価の電荷は、陽
イオンの空孔を発生することによって補償する。材料中
に、陽イオン空孔が発生すると、その周辺の構造が乱れ
、結晶は不安定になる。このような材料を高温で、約９
００〜１５００’Ｃで加熱すると、結晶から酸素イオン
が酸素ガスとして飛び出しやすくなる。この結果、結晶
中には電子をもつ酸素空孔が発生し、この電子が超電導
電子対の形成の役割を受けもつものである。このように
、２価のＭ元素を４価あるいは５価のＬ元素で置換する
ことによって、酸素空孔の形成を促進し、かつ多くの酸
素空孔を形成することができるので、超電導転移温度を
高温化することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。が、以下説明する実施
例は例示であって、本発明の枠を越えることなく、いろ
いろな変形や改良があり得ることは勿論である。

本発明の酸化物超電導材料は一般に次式で示される。

（ＬＬＡｔ−ｚ）＜Ｃｕ　Ｏ’／　　　　　　　　　　
　　”””（１）この式で、又は、０＜ｘ＜１であり、
ｉは、ｉ上記（１）式中のＬ元素は元素周期表のＶａ族
元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタ
ル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元素であるチタン（Ｔｉ）
、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の群から
選ばれた少なくとも一つであり、式中のＡ元素はバリウ
ム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃ
ａ）などのアルカリ土類金属元素の群から選ばれた少な
くとも一つの元素であり、さらに酸素（○）及び酸素空
孔により形成される八面体結晶構造の中心部に銅（Ｃｕ
）元素が位置している。具体的な例としては、Ｎｂ１工
ＳｒχＣｕ　Ｏ３＋　５で表わせるペロブスカイト状結
晶構造がある。

また、本発明の他の具体的実施例として、上記（１）式
中のしが（Ｌ′ｚ−ｚ　”ｘ　）　　（但し、この式で
、０≦ｚく１）で表わせるものがある。ここで、Ｌ′元
素は、元素周期表のＶａ族元素であるＶ、Ｎｂ、Ｔａ、
またはＩＶａ族元素であるＴｉ。

Ｚｒ、Ｈｆの群から選ばれた少なくとも一つであり。Ｌ
′元素は、元素周期老のｍａ族元素であるスカンジウム
（Ｓｃ）、イツトリウム（Ｙ）、またはランタン（Ｌａ
）などのランタノイド元素の群から選ばれた一つの元素
である。

さらに、（１）式中のＬ元素が、ＩＶａ族元素とＶａ族
元素の組合せ組成で構成してもよい。

次に、本発明の酸化物超電導材料の製法についての実施
例を説明する。

本発明の酸化物超電導材料は次のように製造する。例え
ばＮ　ｂ　１−、ｓ　ｒＸＣｕ　Ｏ３−、の場合、但し
、δは酸素空孔数を示すものＮｂ、Ｏ，、ＳｒＣ○、。

ＣｕＯの粉末を所定の組成比で秤量、混合し、酸化性雰
囲気中で、約９００〜１２００℃（望ましくは９００〜
１０００℃）で数時間加熱して反応させる。

次に、その混合反応物を粉砕し、これを適当な形状にプ
レス成形し、前記反応温度よりもやや高い温度で、焼結
することによって、所望の形の酸化物超電導材料を得る
ことができる。

なお、本実施例により製造された焼結体をＸ線回折法で
測定したところ、２θが２４．６°、３１．１°、３３
．６°、４３．２°、４７．９°、５４．６°、５５．
４’　、６５．４＠などにピークを示し、結晶化してお
り、かつ焼結体の色調は黒色に近かった。

また、Ｎ　ｂ、−、Ｂ　ａＬＣｕ　Ｏ，−、の場合は、
出発原料粉末としてＮｂ、Ｏ，、ＢａＣ０，、ＣｕＯを
使用すればよい、いずれの場合も、Ｎｂ２Ｏ５の代りに
、Ｎｂの純粉末を使用してもよい。

Ｎｂ以外の材料組成に対しても、同様にその酸化物粉末
あるいは純金属粉末を使用することができる。混合粉末
状態における反応温度、反応時間は、組成の違いや粉末
の粒径の状態によって変わることは言うまでもない。

上記の製法によって得られたＮｂ、−えＳｒえＣｕＯｙ
　（Ｘ　２０　、５　、　ｙ≦３）焼結体の電気抵抗の
温度特性の一例を一娠す、この特性は、熱処理の条件に
より大きく変化する。電気抵抗は温度の減少に従い２７
５Ｋから急激に減少し、それが零になる温度は、約２４
０にである。即ち、約２７５Ｋから超電導状態になり始
め、約２４０にで完全に超電導状態に転移したことにな
る。この転移幅は約３５にと非常に大きいが、焼結時の
熱処理条件や、焼結後のアニール熱処理により、さらに
転移幅を小さくすることができる。

図に示した例では超電導転移温度が２４０Ｋになったも
のを示したが、この転移温度は、熱処理条件により、更
に高温側にすることや逆に低温側にすることも可能であ
り、転移温度が１５０に以上の酸化物超電導材料を作る
ことは容易にでき、転移温度が２００に以上のものも容
易に製作可能である。

次に、本発明の酸化物超電導材料の薄膜の形成法の一例
について説明する。上記の焼結法により得た磁器をター
ゲットとして用い、純アルゴン雰囲気中あるいは、酸素
の割合を１０〜５０％とするアルゴンと酸素の混合雰囲
気中でのスパッタリングによって、サファイヤ基板やジ
ルコニア基板上に所望の膜を堆積できる。また、微妙な
化学量論組成比の調整や膜厚調整が必要な場合には、分
子線エピタキシー法によって膜を堆積できる。いずれの
場合も、膜形成条件を最適化することにより、図に示し
たような超電導特性を得ることができる。

また、次の方法によっても酸化物超電導膜を形成できる
。即ち、基板としてケイ素（Ｓｉ）単結晶、アルミナ（
Ａ１１．０３）単結晶、酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｏ，）単
結晶、酸化マグネシラＡ（ＭｇＯ）単結晶、酸化ジルコ
ニウム（Ｚ　ｒ　Ｏ，）単結晶の少なくとも一つを用い
、この基板上に銅（Ｃｕ）元素の金属薄膜を形成する。

この上に前記り元素とＡ元素の混合物の膜（ＬｘＡニー
え膜、但しＯ＜　ｘく１）を堆積させ、次に熱処理して
前記元素を反応させる。これによって、前記基板上に下
式で示されるペロブスカイト状結晶構造を有する酸化物
超電導薄膜を形成できる。本実施例においては基板とし
て単結晶のものを使用したが、多結晶のものや非晶値の
もの、例えばＳｉ多結晶を使用してもよい。

さらに、この実施例において、基板上にＣｕ元素の金属
薄膜と、Ｌ、Ａよ一χ膜を交互に積層して多層化し、そ
の後熱処理するようにしてもよい。

テープ状の超電導材料を製造する場合は、Ｌ元素（Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）の金属テープなどの上
に、Ａ金属（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）及びＣｕをスパッタ法
や同時蒸発法により膜を堆積し、熱処理により、Ｌ元素
の金属テープと反応させることにより、その一部あるい
は全部を超電導化することができる。

テープ状の超電導材料を製造する他の実施例としては次
のものがある。即ち、Ｃｕ元素の金属テープまたは基板
上に、前記り元素とＡ元素の混合物の膜（Ｌ疋Ａ１−エ
膜、但しＯ＜　ｘ　＜　１　）を堆積させ、その後熱処
理して前記元素を反応させることにより、ペロブスカイ
ト状結晶構造を有する酸化物超電導材料を得ることがで
きる。

この実施例において、Ｌ工Ａ　１−ＪＣ膜の堆積は、ス
パッタリング法または分子線エピタキシー法などにより
行う。

なお、上記各実施例においてはＬ元素として・ＩＶａ族
元素またはＶａ族元素のみを使用したが、Ｌ元素として
ｍａ族元素（Ｓｃ、Ｙ、またはＬａなとのランタノイド
元素）とＩＶａ族またはＶａ族元素との組合せとした二
元製系のものとしてもよく、この場合にもほぼ同様の超
電導特性を示す酸化物超電導材料が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、酸化物超電導材料の超電導転移温度を
、１５０に以上とすることができるので、超電導状態を
保つのに、液体窒素温度レベル（７８Ｋ）などの極低温
環境を必要としないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

Claims

【特許請求の範囲】１、下式で示されるペロブスカイト状結晶構造を有し、
式中のＬ元素は元素周期表のＶａ族元素であるバナジウ
ム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、または
ＩＶａ族元素であるチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中から選ばれた少なくとも
一つであり、式中のＡ元素はバリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）などのアルカリ
、土類金属元素の中から選ばれた少なくとも１つの元素
であり、さらに酸素（Ｏ）及び酸素空孔により形成され
る八面体結晶構造の中心部に銅（Ｃｕ）元素が位置する
ことを特徴とする酸化物超電導材料。（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ）＿ｉＣｕＯ＿ｙ・・・・・（
１）但し、この式で、ｘは、０＜ｘ＜１であり、ｉは、ｉ＝１、３／２、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき、０＜ｙ≦３ｉ＝３／２または２のとき、０＜ｙ≦４である。２、特許請求の範囲第１項において、（１）式中のＬは
（Ｌ’＿１＿−＿ｚＬ”＿ｚ）（但し、この式で、０≦
ｚ＜１）で表わされ、Ｌ’元素は、元素周期表のＶａ族
元素であるＶ、Ｎｂ、Ｔａ、またはＩＶａ族元素である
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれた少なくとも一つであ
り、Ｌ”元素は、元素周期表のＩＩＩａ族元素であるス
カンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、またはラン
タン（Ｌａ）などのランタノイド元素の中から選ばれた
一つの元素である酸化物超電導材料。３、特許請求の範囲第１項において、（１）式中のＬ元
素は、ＩＶａ族元素とＶａ族元素の組合せ組成により構
成される酸化物超電導材料。４、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｂｒ）、カル
シウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の群から選ばれ
た少なくとも一つの元素をＡ元素とし、元素周期表のＶ
ａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元素であるチタン（Ｔ
ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の群
かから選ばれた少なくとも一つの元素をＬ元素とし、前
記Ｌ元素の酸化物の粉末、または純粉末、Ａ元素の炭酸
化物の粉末、及び銅（Ｃｕ）元素の酸化物またはその純
金属の粉末を所望の化学量論組成で混合し、その混合粉
末を真空中にまたは酸化性雰囲気中で高温度に加熱して
反応させ、その後その混合反応物を焼結させて、下式で
示されるペロブスカイト状結晶構造を有する酸化物超電
導材料を製作することを特徴とする酸化物超電導材料の
製法。（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ）＿ｉＣｕＯ＿ｙ但し、この式で、ｘは、０＜ｘ＜１であり、ｉは、ｉ＝１、３／２、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき０＜ｙ≦３ｉ＝３／２または２のとき０＜ｙ≦４である。５、特許請求の範囲第４項において、Ｌ元素の酸化物の
粉末、Ｍ元素の炭酸化物の粉末、及び第２酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）粉末を混合し、この混合粉末を酸化性雰囲気中で９
００〜１０００℃の温度で加熱反応させる酸化物超電導
材料の製法。６、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カル
シウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の中から選ばれ
た少なくとも一つの元素をＡ元素とし、元素周期表のＶ
ａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元素であるチタン（Ｔ
ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中
から選ばれた少なくとも一つの元素及びスカンジウム（
Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、またはランタン（Ｌａ）
などのランタノイド元素の中から選ばれた少なくとも一
つの元素からなる混合元素をＬ元素とし、前記Ｌ元素の
酸化物または純金属の粉末、Ａ元素の炭酸化物の粉末、
及び銅（Ｃｕ）元素の酸化物またはその純金属の粉末を
所望の化学量論組成で混合し、その混合粉末を真空中ま
たは酸化性雰囲気中において高温度に加熱して反応させ
、その後その混合反応物を焼結させて、下式で示される
ペロブスカイト状結晶構造を有する酸化物超電導材料を
製作することを特徴とする酸化物超電導材料の製法。（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ）＿ｉＣｕＯ＿ｙ但し、この式で、ｘは、０＜ｘ＜１であり、ｚは、０＜ｚ＜１であり、ｉは、ｉ＝１、３／２、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき０＜ｙ≦３ｉ＝３／２または２のとき０＜ｙ≦４である。７、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カル
シウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の中から選ばれ
た少なくとも一つの元素をＡ元素とし、元素周期表のＶ
ａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、またはＩＶａ族元素であるチタン（Ｔ
ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の中
から選ばれた少なくとも一つの元素をＬ元素とし、基板
としてケイ素（Ｓｉ）、アルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、
酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ
）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ＿２）の少なくとも一つ
を用い、この基板上に銅（Ｃｕ）元素の金属薄膜を形成
し、この上に前記Ｌ元素とＡ元素の混合物の膜（Ｌ＿ｘ
Ａ＿１＿−＿ｘ膜、但し０＜ｘ＜１）を堆積させ、次に
熱処理して前記元素を反応させることにより、前記基板
上に下式で表されるペロブスカイト状結晶構造を有する
酸化物超電導膜を形成することを特徴とする酸化物超電
導材料の製法。（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ）＿ｉＣｕＯ＿ｙ但し、この式で、ｘは、０＜ｘ＜１であり。ｉは、ｉ＝１、３／２、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき０＜ｙ≦３ｉ＝３／２または２のとき０＜ｙ≦４である。８、特許請求の範囲第７項において、基板上に、Ｃｕ元
素の金属薄膜とＬ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ膜を交互に積層し
て多層化し、その後熱処理する酸化物超電導薄膜の製法
。９、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カル
シウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属の中から選ばれ
た少なくとも一つの元素をＡ元素とし、元素周期表のＶ
ａ族元素であるバナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、またはＩＶａの族元素であるチタン（
Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）の
中から選ばれた少なくとも一つの元素をＬ元素とし、銅
（Ｃｕ）元素の金属テープまたは基板上に、前記Ｌ元素
とＡ元素の混合物の膜（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ膜、但し
０＜ｘ＜１）を堆積させ、その後熱処理して前記元素を
反応させることにより、下式で示されるペロブスカイト
状結晶構造を有する酸化物超電導材料を得ることを特徴
とする酸化物超電導材料の製法。（Ｌ＿ｘＡ＿１＿−＿ｘ）＿ｉＣｕＯ＿ｙ但し、この式で、ｘは、０＜ｘ＜１であり、ｉは、ｉ＝１、３／２、または２であり、ｙは、ｉ＝１のとき０＜ｙ≦３ｉ＝３／２または２のとき０＜ｙ≦４である。１０、特許請求の範囲第１９項において、Ｌ＿ｘＡ＿１
＿−＿ｘ膜の堆積は、スパッタリング法または分子線エ
ピタキシー法により行う酸化物超電導材料の製法。