JPS63257240A - プロ−ブ検査方法 - Google Patents
プロ−ブ検査方法Info
- Publication number
- JPS63257240A JPS63257240A JP62090840A JP9084087A JPS63257240A JP S63257240 A JPS63257240 A JP S63257240A JP 62090840 A JP62090840 A JP 62090840A JP 9084087 A JP9084087 A JP 9084087A JP S63257240 A JPS63257240 A JP S63257240A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- speed
- semiconductor wafer
- contact
- probe needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
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- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract 1
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プローブ検査方法に関し、特に、プローブ針
の接触による被検査物及びプローブ針の損傷を防止する
のに適用して有効な技術に関するものである。
の接触による被検査物及びプローブ針の損傷を防止する
のに適用して有効な技術に関するものである。
従来、ウエハプローバによるＬＳＩチップのプローブ検
査は次のようにして行われている。すなわち、ウェハス
テージ上に半導体ウェハを載せ、このウェハステージに
よりこの半導体ウェハを上昇させる。そして、この半導
体ウェハ内のチップに設けられたテスト用のパッドをウ
エハプローバ上部に固定されたプローブカードのプロー
ブ針に接触させる。これによって、所定のプローブ検査
が行われる。この場合、半導体ウェハは例えば２８ｍ八
程への大きな一定速度で上昇され、この速度のままパッ
ドがプローブ針に接触する。
査は次のようにして行われている。すなわち、ウェハス
テージ上に半導体ウェハを載せ、このウェハステージに
よりこの半導体ウェハを上昇させる。そして、この半導
体ウェハ内のチップに設けられたテスト用のパッドをウ
エハプローバ上部に固定されたプローブカードのプロー
ブ針に接触させる。これによって、所定のプローブ検査
が行われる。この場合、半導体ウェハは例えば２８ｍ八
程への大きな一定速度で上昇され、この速度のままパッ
ドがプローブ針に接触する。
しかしながら、上述のようにパッドがプローブ針に接触
する時の速度が大きいので、この接触はほとんど衝突に
近い状ｆすで行われる。このため、パッドとプローブ針
との接触により、パッドやその下地に損傷が生じるのみ
ならず、プローブ針にも損傷が生じてしまうという問題
があった。
する時の速度が大きいので、この接触はほとんど衝突に
近い状ｆすで行われる。このため、パッドとプローブ針
との接触により、パッドやその下地に損傷が生じるのみ
ならず、プローブ針にも損傷が生じてしまうという問題
があった。
本発明の目的は、プローブ針による被検査物の損傷及び
プローブ針の損傷を防止することができる技術を提供す
ることにある。
プローブ針の損傷を防止することができる技術を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、プローブ針に対して被検査物を第１の速度で
接近させ、この後この第１の速度よりも小さい第２の速
度で前記被検査物を前記プローブ針に接触させるように
している。
接近させ、この後この第１の速度よりも小さい第２の速
度で前記被検査物を前記プローブ針に接触させるように
している。
上記した手段によれば、プローブ針に被検査物が接触す
る時の速度を十分に小さくすることが可能となるので、
プローブ針による被検査物の損傷及びプローブ針の損傷
を防止することができる。
る時の速度を十分に小さくすることが可能となるので、
プローブ針による被検査物の損傷及びプローブ針の損傷
を防止することができる。
以下１本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものには同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
を有するものには同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
第１図〜第３図は、本発明の一実施例によるプローブ検
査方法を説明するための側面図である。
査方法を説明するための側面図である。
第１図に示すように、まずウェハプローバのウェハステ
ージｌ上にプローブ検査を行うべき例えばシリコンウェ
ハのような半導体ウェハ２を載せる。この半導体ウェハ
２の上方には、ウェハプローバ本体に固定されたプロー
ブカード３が設けられ、このプローブカード３にプロー
ブ針４が固定されている。なお、前記ウェハステージ１
は、ｘ。
ージｌ上にプローブ検査を行うべき例えばシリコンウェ
ハのような半導体ウェハ２を載せる。この半導体ウェハ
２の上方には、ウェハプローバ本体に固定されたプロー
ブカード３が設けられ、このプローブカード３にプロー
ブ針４が固定されている。なお、前記ウェハステージ１
は、ｘ。
ｙ、Ｚ、０方向に移動させることができるようになって
いる。
いる。
次に、前記ウェハステージ１を例えば２ｇａｍ／ｓ程度
の大きな速度で上昇させることにより前記プローブ針４
に対して前記半導体ウェハ２を接近させ、第２図に示す
ようにこの半導体ウェハ２が前記プローブ針４に接触す
る直前に前記ウェハステージ１の上昇速度を例えば５
ｒｍ ／ ｓ程度の小さな速度に変化させてこの速度で
半導体ウェハ２を１育記プローブ針４にさらに接近させ
る。この場合、前記ウェハステージ１の上昇はこのウェ
ハステージ１が所定位置（上死点）に達した時に自動的
に停止され、この状態で半導体ウェハ２内の半導体チッ
プに設けられた例えばアルミニウムのパッド（図示せず
）にｉｉｆ記プローブ針４が接触し、所定のプローブ検
査が自動的に行われる。このようなプローブ検査が、半
導体ウェハ２の全チップについて順次行われる。なお、
上述のようにウェハステージ１の上昇速度を変化させる
ことは、このウェハステージ１の駆動機構（図示せず）
を制御することにより容易に行うことができる。
の大きな速度で上昇させることにより前記プローブ針４
に対して前記半導体ウェハ２を接近させ、第２図に示す
ようにこの半導体ウェハ２が前記プローブ針４に接触す
る直前に前記ウェハステージ１の上昇速度を例えば５
ｒｍ ／ ｓ程度の小さな速度に変化させてこの速度で
半導体ウェハ２を１育記プローブ針４にさらに接近させ
る。この場合、前記ウェハステージ１の上昇はこのウェ
ハステージ１が所定位置（上死点）に達した時に自動的
に停止され、この状態で半導体ウェハ２内の半導体チッ
プに設けられた例えばアルミニウムのパッド（図示せず
）にｉｉｆ記プローブ針４が接触し、所定のプローブ検
査が自動的に行われる。このようなプローブ検査が、半
導体ウェハ２の全チップについて順次行われる。なお、
上述のようにウェハステージ１の上昇速度を変化させる
ことは、このウェハステージ１の駆動機構（図示せず）
を制御することにより容易に行うことができる。
本実施例によれば、上述のようにプローブ針４に半導体
ウェハ２を接触させる時の速度を小さくしているので、
半導体ウェハ２とプローブ針４との接触はゆっくり行わ
れる。従って、半導体ウェハ２とプローブ針４との接触
により、パッドやその下地に損傷が生じるのを効果的に
防止することができる。このため、プローブ検査による
ＬＳＩの信頼性の低下を防止することができる。また、
プローブ針４自身に加わる衝撃も小さくなるので、その
損傷を防止することができ、これによってプローブ針４
の寿命の向上を図ることができる。さらに、半導体ウェ
ハ２がプローブ針４に接触する直前までは大きな速度で
ウェハステージ１を上昇させているので、プローブ検査
に要する時間は従来とほとんど変わらない。
ウェハ２を接触させる時の速度を小さくしているので、
半導体ウェハ２とプローブ針４との接触はゆっくり行わ
れる。従って、半導体ウェハ２とプローブ針４との接触
により、パッドやその下地に損傷が生じるのを効果的に
防止することができる。このため、プローブ検査による
ＬＳＩの信頼性の低下を防止することができる。また、
プローブ針４自身に加わる衝撃も小さくなるので、その
損傷を防止することができ、これによってプローブ針４
の寿命の向上を図ることができる。さらに、半導体ウェ
ハ２がプローブ針４に接触する直前までは大きな速度で
ウェハステージ１を上昇させているので、プローブ検査
に要する時間は従来とほとんど変わらない。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、半導体ウェハ２をプローブ針４に接触させる時
の速度は上述の実施例で述べた値に限定されるものでは
なく、必要に応じて選択することができる。また、上述
の実施例においては、プローブ針４を固定し、このプロ
ーブ針４に対して半導体ウェハ２を移動させているが、
半導体ウェハ２を固定し、この半導体ウェハ２に対して
プローブ針４を移動させることによりこのプローブ針４
を半導体ウェハ２に接触させるようにすることも可能で
ある。さらに、上述の実施例においては、本発明をＬＳ
Ｉチップのプローブ検査に適用した場合について説明し
たが、本発明は、ＬＳＩ以外の各種半導体素子は勿論、
例えばプリント基板のプローブ検査に適用することもで
きる。
の速度は上述の実施例で述べた値に限定されるものでは
なく、必要に応じて選択することができる。また、上述
の実施例においては、プローブ針４を固定し、このプロ
ーブ針４に対して半導体ウェハ２を移動させているが、
半導体ウェハ２を固定し、この半導体ウェハ２に対して
プローブ針４を移動させることによりこのプローブ針４
を半導体ウェハ２に接触させるようにすることも可能で
ある。さらに、上述の実施例においては、本発明をＬＳ
Ｉチップのプローブ検査に適用した場合について説明し
たが、本発明は、ＬＳＩ以外の各種半導体素子は勿論、
例えばプリント基板のプローブ検査に適用することもで
きる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、プローブ針による被検査物の損傷及びプロー
ブ針の損傷を防止することができる。
ブ針の損傷を防止することができる。
第１図〜第３図は、本発明の一実施例によるプローブ検
査方法を説明するための側面図である。 図中、■・・・ウェハステージ、２・・・半導体ウェハ
（被検査物）、３・・・プローブカード、４・・・プロ
ーブ針である。
査方法を説明するための側面図である。 図中、■・・・ウェハステージ、２・・・半導体ウェハ
（被検査物）、３・・・プローブカード、４・・・プロ
ーブ針である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検査物をプローブ針に接触させることによりプロ
ーブ検査を行うようにしたプローブ検査方法であって、
前記プローブ針に対して前記被検査物を第１の速度で接
近させ、この後この第１の速度よりも小さい第２の速度
で前記被検査物を前記プローブ針に接触させるようにし
たことを特徴とするプローブ検査方法。 ２、前記被検査物が前記プローブ針に接触する直前に前
記被検査物の前記プローブ針に対する速度を前記第１の
速度から前記第２の速度に変化させるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプローブ検査方
法。 ３、前記被検査物が半導体チップであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプローブ検査
方法。 ４、前記プローブ針を前記半導体チップに設けられたパ
ッドに接触させるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第２項又は第３項記載のプローブ検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090840A JPS63257240A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | プロ−ブ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090840A JPS63257240A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | プロ−ブ検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257240A true JPS63257240A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14009780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62090840A Pending JPS63257240A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | プロ−ブ検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278169A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
| JP2007095753A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム |
| US7362116B1 (en) * | 2005-11-09 | 2008-04-22 | Electroglas, Inc. | Method for probing impact sensitive and thin layered substrate |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62090840A patent/JPS63257240A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278169A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
| JP2007095753A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ、プローブ接触方法及びそのためのプログラム |
| US7362116B1 (en) * | 2005-11-09 | 2008-04-22 | Electroglas, Inc. | Method for probing impact sensitive and thin layered substrate |
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