JPS6325720B2 - - Google Patents
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- JPS6325720B2 JPS6325720B2 JP55086636A JP8663680A JPS6325720B2 JP S6325720 B2 JPS6325720 B2 JP S6325720B2 JP 55086636 A JP55086636 A JP 55086636A JP 8663680 A JP8663680 A JP 8663680A JP S6325720 B2 JPS6325720 B2 JP S6325720B2
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Description
本発明はSiC基体のメタライズ法に係り、特に
SiC基体上に密着性にすぐれためつき膜を形成す
る方法に関する。 従来、SiC基体へのメタライズ法としては、
1000℃以上の高温で、金属を拡散させる方法が検
討されている。しかしこの方法は、SiC基体が他
の耐熱性に乏しい構成材料を含む場合は、こうし
た高温処理はできないし、また複雑な形状をして
いる場合には、均一な膜を形成しがたいなどの理
由からほとんど適用できなかつた。そのほかのメ
タライズ法として、真空めつき法があるが、寸法
とか基体形状により制約され、また作業性の点で
も難点がある。 上記の欠点はめつき法を採ることによつて回避
されるが、SiC基体に密着性の高いめつき膜を形
成することは極めて困難であつた。めつき膜を基
体に密着させるためには、基体表面を予め粗化さ
せることが有効とされ、基体材質に応じ腐食、研
摩などの方法が採用されてきた。しかし、こうし
た方法でSiC基体表面を粗化させることは容易で
ない。 本発明は、上記のような状況を克服して、SiC
基体に表面粗化などの特別な処理を施すことなし
に、高い密着性を示すめつき膜を形成することを
目的としている。その要点は、SiC基体に、 (a) ニツケル塩およびコバルト塩の少なくとも１
種の金属塩0.02〜0.04mol／ (b) 亜鉛塩が(a)の0.25〜0.5倍の濃度 (c) 錯化剤が0.1〜0.3mol／ (d) 次亜リン酸イオン0.10〜0.15mol／の割合
で含むめつき浴を用い無電解めつき法により
5μm以下のめつき膜を形成することを特徴とす
るSiC基体のメタライズする方法にある。 該めつき膜上には、ニツケル浴もしくは銅スト
ライクめつき浴による電気めつきを施し、さらに
必要ならば電気めつき法もしくは無電解めつき法
により銅を厚づけめつきすることができる。 本発明においてはSiC基体の表面は凹凸状であ
つても平滑であつてもよい。こゝに平滑とは、
JIS BO601で定義される表面粗さRmax0.1μm、
基準長さ0.25mmの平滑性を少なくとも有すること
を意味する。 本発明において、金属塩としてはそれぞれの水
溶性塩類が使用でき、例えばNiSO4，NiCl2など
のニツケル塩、CoSO4，CoCl2などのコバルト
塩、また、亜鉛塩ではZnSO4，ZnCl2などが有用
である。 めつき浴にはニツケル塩およびコバルト塩から
なる群から選ばれた少なくとも１種の金属塩が含
まれ、それらの総量は、めつき浴の組成、析出速
度を考慮して、0.02〜0.04mol／程度が適当で
ある。また、亜鉛塩は、ニツケル塩およびコバル
ト塩に対し0.25〜0.5倍の濃度範囲で添加するの
がよい。モル比0.25倍未満であるとめつき膜の密
着強さを10Kg／cm2より高めることが困難であり、
また0.5倍を越えると析出速度が遅くなつて不都
合である。 次に、錯化剤としてはクエン酸、酒石酸、また
はそれらのナトリウム塩およびカリウム塩が適当
であり、また、これらと酢酸、グリコール酸、コ
ハク酸、プロピオン酸、乳酸、酪酸およびエチレ
ンジアミン四酢酸等の有機酸、またはそれらのナ
トリウム塩およびカリウム塩等を併用することも
できる。錯化剤の添加量は、0.1〜0.3mol／が
適当である。 本発明においては、還元剤として次亜リン酸イ
オンが使用され、通常の水溶性ナトリウム塩など
が有用である。その適当な濃度は0.10〜
0.15mol／であり、これより少ないと還元速度
が低すぎて実用的でない。 上記主成分のほかに、本発明においては、水酸
化ナトリウムやアンモニアなどのPH調整剤、チオ
尿素、ロダンカリウム、ホウ酸およびその塩、お
よびホウフツ化部などの安定剤および析出速度調
整剤を適宜使用することができる。なお、めつき
浴のPHは、該浴の安定性を確保するために、10以
下にすることが好ましい。 本発明において、無電解めつきする際の浴温
は、特に臨界的ではないが、約50〜80℃に保つこ
とによつて、良好な析出速度およびめつき浴の安
定性が得られる。 前記しためつき浴および条件によつて形成され
るめつき膜の厚さは、臨界的ではないが、5μm以
下に抑えることが実用上有利である。Ni―Zn―
Ｐ系、Co―Zn―Ｐ系もしくはNi―Co―Zn―Ｐ
系無電解めつき膜は、厚くなると内部応力が強ま
る。そのうえ熱が加えられた場合には、膜中のリ
ンが主としてニツケルあるいはコバルトと反応し
て新たにリン化合物等を生成して膜の構造等に変
化を来し、それに原因して膜の密着力が低下しや
すい故である。 前記めつき膜は密着性に優れているが、その抵
抗率は高い。従つて、めつき膜に密着性とともに
高い導電率を望む場合には、該めつき膜（下地め
つき膜と称する）上に、より導電性に優れたニツ
ケル―リン系、さらにはニツケルもしくは銅など
をめつきすることを要する。具体的には、ニツケ
ル電気めつきし、あるいはニツケル電気、銅スト
ライクめつきした上にさらに銅を、無電解もしく
は電気めつきすることによつて、前記の要求が合
理的に充足される。 何故なら、該下地めつき膜上にニツケル―リン
膜を形成するに当つて、無電解めつきは、亜鉛と
ニツケル間の置換めつきを生じ密着力の低下を来
すので、不適当である。また、銅をめつきする際
には、通常のめつき浴を用いたのではたとえ通電
しても置換めつきを生じ、得られるめつき膜は同
様に密着力に乏しい。従つて、通常組成の浴によ
るめつきに先だつて、銅濃度の低い浴を使うスト
ライクめつきを施すことが有利である。 このようなニツケルめつきならびに銅めつきの
ための浴は特に限定されず、一般に実用されてい
る公知の組成の浴が適用できる。 次に、実施例を記して具体的に説明するが、そ
れらによつて本発明が限定されるものではない。 実施例に記載しためつき膜の厚さおよび密着強
さの測定、また、無電解めつき前のSiC基板の前
処理は、それぞれ下記の方法によつた。 膜厚：基体上にめつき膜が形成された状態と、
該膜が王水に溶解除去された状態での試料片の重
量の差から、めつき膜の析出重量Ａを求める。そ
して、めつき膜の密度ｄを、Ni―Zn―Ｐ系、Co
―Zn―Ｐ系、Ni―Co―Zn―Ｐ系およびNi―Ｐ系
膜については7.9ｇ／cm3、ニツケルめつき膜につ
いては8.5ｇ／cm3、銅めつき膜については8.8ｇ／
cm3と仮定して、次式により厚さｔを算出した。 ｔ＝Ａ／（ｄ×Ｓ） （式中Ｓは基体の全表面積を表わす） 密着強さ：図面に示すように、基体１の表面に
めつき膜２を形成してなる試料片の両面に、治具
３，３′をハンダ４で固着した。そして、試験機
により治具３，３′をつかんで引張り、めつき膜
２が基体１からはく離するときの強さを求めた。 無電解めつき前処理法：まず、10mm×10mmの平
滑SiC基板をトリクロルエチレン蒸気と接触さ
せ、次いで水酸化ナトリウム水溶液（濃度200
ｇ／）に80℃、５分間浸漬して、基板表面を脱
脂し、５分間水洗した。さらに、15％塩酸に１分
間室温で浸漬した後、塩化パラジウム、塩化第一
スズおよび塩酸を含む触媒液（日立化成製商品名
HS101B）に室温で５分間浸漬し、さらに３分間
水洗した。最後に３％塩酸に室温で、５分間浸漬
した後、３分間水洗し、無電解めつきのための前
処理を完了した。 めつき法：上記前処理された基板を、マグネチ
ツクスターラでかくはんされている所定のめつき
浴（液量３）中に浸漬し、指定の条件でめつき
した。 実施例 １ 前処理された基板に、第１表に記載した組成の
めつき浴を用いて、65℃で無電解めつきを行つ
た。めつき浴と得られためつき膜の厚さおよび密
着強さを、第２表に示す。
SiC基体上に密着性にすぐれためつき膜を形成す
る方法に関する。 従来、SiC基体へのメタライズ法としては、
1000℃以上の高温で、金属を拡散させる方法が検
討されている。しかしこの方法は、SiC基体が他
の耐熱性に乏しい構成材料を含む場合は、こうし
た高温処理はできないし、また複雑な形状をして
いる場合には、均一な膜を形成しがたいなどの理
由からほとんど適用できなかつた。そのほかのメ
タライズ法として、真空めつき法があるが、寸法
とか基体形状により制約され、また作業性の点で
も難点がある。 上記の欠点はめつき法を採ることによつて回避
されるが、SiC基体に密着性の高いめつき膜を形
成することは極めて困難であつた。めつき膜を基
体に密着させるためには、基体表面を予め粗化さ
せることが有効とされ、基体材質に応じ腐食、研
摩などの方法が採用されてきた。しかし、こうし
た方法でSiC基体表面を粗化させることは容易で
ない。 本発明は、上記のような状況を克服して、SiC
基体に表面粗化などの特別な処理を施すことなし
に、高い密着性を示すめつき膜を形成することを
目的としている。その要点は、SiC基体に、 (a) ニツケル塩およびコバルト塩の少なくとも１
種の金属塩0.02〜0.04mol／ (b) 亜鉛塩が(a)の0.25〜0.5倍の濃度 (c) 錯化剤が0.1〜0.3mol／ (d) 次亜リン酸イオン0.10〜0.15mol／の割合
で含むめつき浴を用い無電解めつき法により
5μm以下のめつき膜を形成することを特徴とす
るSiC基体のメタライズする方法にある。 該めつき膜上には、ニツケル浴もしくは銅スト
ライクめつき浴による電気めつきを施し、さらに
必要ならば電気めつき法もしくは無電解めつき法
により銅を厚づけめつきすることができる。 本発明においてはSiC基体の表面は凹凸状であ
つても平滑であつてもよい。こゝに平滑とは、
JIS BO601で定義される表面粗さRmax0.1μm、
基準長さ0.25mmの平滑性を少なくとも有すること
を意味する。 本発明において、金属塩としてはそれぞれの水
溶性塩類が使用でき、例えばNiSO4，NiCl2など
のニツケル塩、CoSO4，CoCl2などのコバルト
塩、また、亜鉛塩ではZnSO4，ZnCl2などが有用
である。 めつき浴にはニツケル塩およびコバルト塩から
なる群から選ばれた少なくとも１種の金属塩が含
まれ、それらの総量は、めつき浴の組成、析出速
度を考慮して、0.02〜0.04mol／程度が適当で
ある。また、亜鉛塩は、ニツケル塩およびコバル
ト塩に対し0.25〜0.5倍の濃度範囲で添加するの
がよい。モル比0.25倍未満であるとめつき膜の密
着強さを10Kg／cm2より高めることが困難であり、
また0.5倍を越えると析出速度が遅くなつて不都
合である。 次に、錯化剤としてはクエン酸、酒石酸、また
はそれらのナトリウム塩およびカリウム塩が適当
であり、また、これらと酢酸、グリコール酸、コ
ハク酸、プロピオン酸、乳酸、酪酸およびエチレ
ンジアミン四酢酸等の有機酸、またはそれらのナ
トリウム塩およびカリウム塩等を併用することも
できる。錯化剤の添加量は、0.1〜0.3mol／が
適当である。 本発明においては、還元剤として次亜リン酸イ
オンが使用され、通常の水溶性ナトリウム塩など
が有用である。その適当な濃度は0.10〜
0.15mol／であり、これより少ないと還元速度
が低すぎて実用的でない。 上記主成分のほかに、本発明においては、水酸
化ナトリウムやアンモニアなどのPH調整剤、チオ
尿素、ロダンカリウム、ホウ酸およびその塩、お
よびホウフツ化部などの安定剤および析出速度調
整剤を適宜使用することができる。なお、めつき
浴のPHは、該浴の安定性を確保するために、10以
下にすることが好ましい。 本発明において、無電解めつきする際の浴温
は、特に臨界的ではないが、約50〜80℃に保つこ
とによつて、良好な析出速度およびめつき浴の安
定性が得られる。 前記しためつき浴および条件によつて形成され
るめつき膜の厚さは、臨界的ではないが、5μm以
下に抑えることが実用上有利である。Ni―Zn―
Ｐ系、Co―Zn―Ｐ系もしくはNi―Co―Zn―Ｐ
系無電解めつき膜は、厚くなると内部応力が強ま
る。そのうえ熱が加えられた場合には、膜中のリ
ンが主としてニツケルあるいはコバルトと反応し
て新たにリン化合物等を生成して膜の構造等に変
化を来し、それに原因して膜の密着力が低下しや
すい故である。 前記めつき膜は密着性に優れているが、その抵
抗率は高い。従つて、めつき膜に密着性とともに
高い導電率を望む場合には、該めつき膜（下地め
つき膜と称する）上に、より導電性に優れたニツ
ケル―リン系、さらにはニツケルもしくは銅など
をめつきすることを要する。具体的には、ニツケ
ル電気めつきし、あるいはニツケル電気、銅スト
ライクめつきした上にさらに銅を、無電解もしく
は電気めつきすることによつて、前記の要求が合
理的に充足される。 何故なら、該下地めつき膜上にニツケル―リン
膜を形成するに当つて、無電解めつきは、亜鉛と
ニツケル間の置換めつきを生じ密着力の低下を来
すので、不適当である。また、銅をめつきする際
には、通常のめつき浴を用いたのではたとえ通電
しても置換めつきを生じ、得られるめつき膜は同
様に密着力に乏しい。従つて、通常組成の浴によ
るめつきに先だつて、銅濃度の低い浴を使うスト
ライクめつきを施すことが有利である。 このようなニツケルめつきならびに銅めつきの
ための浴は特に限定されず、一般に実用されてい
る公知の組成の浴が適用できる。 次に、実施例を記して具体的に説明するが、そ
れらによつて本発明が限定されるものではない。 実施例に記載しためつき膜の厚さおよび密着強
さの測定、また、無電解めつき前のSiC基板の前
処理は、それぞれ下記の方法によつた。 膜厚：基体上にめつき膜が形成された状態と、
該膜が王水に溶解除去された状態での試料片の重
量の差から、めつき膜の析出重量Ａを求める。そ
して、めつき膜の密度ｄを、Ni―Zn―Ｐ系、Co
―Zn―Ｐ系、Ni―Co―Zn―Ｐ系およびNi―Ｐ系
膜については7.9ｇ／cm3、ニツケルめつき膜につ
いては8.5ｇ／cm3、銅めつき膜については8.8ｇ／
cm3と仮定して、次式により厚さｔを算出した。 ｔ＝Ａ／（ｄ×Ｓ） （式中Ｓは基体の全表面積を表わす） 密着強さ：図面に示すように、基体１の表面に
めつき膜２を形成してなる試料片の両面に、治具
３，３′をハンダ４で固着した。そして、試験機
により治具３，３′をつかんで引張り、めつき膜
２が基体１からはく離するときの強さを求めた。 無電解めつき前処理法：まず、10mm×10mmの平
滑SiC基板をトリクロルエチレン蒸気と接触さ
せ、次いで水酸化ナトリウム水溶液（濃度200
ｇ／）に80℃、５分間浸漬して、基板表面を脱
脂し、５分間水洗した。さらに、15％塩酸に１分
間室温で浸漬した後、塩化パラジウム、塩化第一
スズおよび塩酸を含む触媒液（日立化成製商品名
HS101B）に室温で５分間浸漬し、さらに３分間
水洗した。最後に３％塩酸に室温で、５分間浸漬
した後、３分間水洗し、無電解めつきのための前
処理を完了した。 めつき法：上記前処理された基板を、マグネチ
ツクスターラでかくはんされている所定のめつき
浴（液量３）中に浸漬し、指定の条件でめつき
した。 実施例 １ 前処理された基板に、第１表に記載した組成の
めつき浴を用いて、65℃で無電解めつきを行つ
た。めつき浴と得られためつき膜の厚さおよび密
着強さを、第２表に示す。
【表】
【表】
実施例 ２
第１表記載の組成Ａ，ＢまたはＣめつき浴を用
い、実施例１と同様にして基体上にそれぞれ
0.3μmの厚さに無電解めつき（下地めつき）し
た。次に、これら３種の試料片に、下記組成Ｅの
浴を用い、浴温50℃、カソード電流密度3A／
dm2の条件で、ニツケルめつき膜を1μmの厚さに
形成した（２次めつき）。 組成Ｅ（ニツケル浴） 硫酸ニツケル 0.8mol／ 塩化ニツケル 0.2mol／ ホウ酸ニツケル 0.5mol／ 水酸化ナトリウムまたは塩酸 PH３になる量 水 全体で１になる量 得られためつき膜の密着強さはそれぞれ下記の
如く良好であつた。
い、実施例１と同様にして基体上にそれぞれ
0.3μmの厚さに無電解めつき（下地めつき）し
た。次に、これら３種の試料片に、下記組成Ｅの
浴を用い、浴温50℃、カソード電流密度3A／
dm2の条件で、ニツケルめつき膜を1μmの厚さに
形成した（２次めつき）。 組成Ｅ（ニツケル浴） 硫酸ニツケル 0.8mol／ 塩化ニツケル 0.2mol／ ホウ酸ニツケル 0.5mol／ 水酸化ナトリウムまたは塩酸 PH３になる量 水 全体で１になる量 得られためつき膜の密着強さはそれぞれ下記の
如く良好であつた。
【表】
実施例 ３〜７
実施例１と同様に組成Ａの浴を用いて無電解め
つき（下地めつき）を施したのち、該Ni―Zn―
Ｐめつき膜上に、ニツケルめつき膜または銅めつ
き膜を形成（２次めつき）した。一例を除いて、
さらにその上に重ねて銅の厚づけめつき（３次め
つき）を施した。このようにして形成されためつ
き膜の密着強さを測り、その値を、用いた各めつ
き浴の組成、めつき条件および膜厚などととも
に、第４表にまとめて記した。
つき（下地めつき）を施したのち、該Ni―Zn―
Ｐめつき膜上に、ニツケルめつき膜または銅めつ
き膜を形成（２次めつき）した。一例を除いて、
さらにその上に重ねて銅の厚づけめつき（３次め
つき）を施した。このようにして形成されためつ
き膜の密着強さを測り、その値を、用いた各めつ
き浴の組成、めつき条件および膜厚などととも
に、第４表にまとめて記した。
【表】
【表】
なお、めつき浴組成Ｆ，ＧおよびＨは下記の如
くである。 組成Ｆ（銅浴） 硫酸銅 0.04mol／ ホルマリン 0.10mol／ エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム
0.06mol／ 水酸化ナトリウム PH12になる量 ２，2′―ジピリジル 0.0002mol／ エチレングリコール（平均分子量600）
20ｇ／ 水 全体で１になる量 組成Ｇ（銅浴） 硫酸銅 0.8mol／ 硫酸 0.5mol／ 塩化カリウム 1.5×10-3mol／ 水 全体で１になる量 組成Ｈ（銅ストライク浴） ピロリン酸銅 0.05mol／ ピロリン酸カリウム 0.36mol／ しゆう酸カリウム 0.05mol／ リン比 14 ポリリン酸 PH8.8になる量 水 全体で１になる量 比較例 １〜３ 実施例１と同様に組成Ａの溶を用いて形成され
たNi―Zn―Ｐ系下地めつき膜の上に、２次めつ
きとして、第５表に示すように組成Ｄ，Ｆもしく
はＧの浴を用いて、導電性膜を形成した。それら
の膜の密着強さは低く劣つていた。
くである。 組成Ｆ（銅浴） 硫酸銅 0.04mol／ ホルマリン 0.10mol／ エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム
0.06mol／ 水酸化ナトリウム PH12になる量 ２，2′―ジピリジル 0.0002mol／ エチレングリコール（平均分子量600）
20ｇ／ 水 全体で１になる量 組成Ｇ（銅浴） 硫酸銅 0.8mol／ 硫酸 0.5mol／ 塩化カリウム 1.5×10-3mol／ 水 全体で１になる量 組成Ｈ（銅ストライク浴） ピロリン酸銅 0.05mol／ ピロリン酸カリウム 0.36mol／ しゆう酸カリウム 0.05mol／ リン比 14 ポリリン酸 PH8.8になる量 水 全体で１になる量 比較例 １〜３ 実施例１と同様に組成Ａの溶を用いて形成され
たNi―Zn―Ｐ系下地めつき膜の上に、２次めつ
きとして、第５表に示すように組成Ｄ，Ｆもしく
はＧの浴を用いて、導電性膜を形成した。それら
の膜の密着強さは低く劣つていた。
【表】
【表】
上記のようにして得られためつき膜の導電率を
四探針法によつて測定して。 組成Ａ，ＢまたはＣの浴を用いて0.2μmの厚さ
に形成されたそれぞれのめつき膜の導電率は、
10Ω-1cm-1であつた。そして、これらめつき膜の
上に、組成ＤまたはＥの浴を用いてニツケルめつ
き膜を厚さ1μm形成したとき、めつき膜の導電率
は103〜105Ω-1cm-1であつた。 また、組成Ａ，ＢまたはＣの浴を用いて下地め
つきを0.2μm厚さに施したのち、２次めつきとし
て組成Ｄ，ＥまたはＨを用いてニツケルまたは銅
を0.2μm厚に電気めつきし、さらにその上に、３
次めつきとして組成ＦまたはＧの浴を用い銅を
1μm厚にめつきした場合、めつき膜の導電率は５
×105Ω-1cm-1であつた。 比較実験例 SiC基板とアルミナ基板とのメタライズ膜の密
着性の比較を行なつた。 第１表のめつき浴Ａ，Ｂ，ＣおよびＤの組成の
浴を用いて、50mm角のAl2O3基板（京都セラミツ
クス製、Ｂ―25A8）に本願明細書実施例１と同
じ条件で無電解めつきを行なつた。結果を第６表
に示す。
四探針法によつて測定して。 組成Ａ，ＢまたはＣの浴を用いて0.2μmの厚さ
に形成されたそれぞれのめつき膜の導電率は、
10Ω-1cm-1であつた。そして、これらめつき膜の
上に、組成ＤまたはＥの浴を用いてニツケルめつ
き膜を厚さ1μm形成したとき、めつき膜の導電率
は103〜105Ω-1cm-1であつた。 また、組成Ａ，ＢまたはＣの浴を用いて下地め
つきを0.2μm厚さに施したのち、２次めつきとし
て組成Ｄ，ＥまたはＨを用いてニツケルまたは銅
を0.2μm厚に電気めつきし、さらにその上に、３
次めつきとして組成ＦまたはＧの浴を用い銅を
1μm厚にめつきした場合、めつき膜の導電率は５
×105Ω-1cm-1であつた。 比較実験例 SiC基板とアルミナ基板とのメタライズ膜の密
着性の比較を行なつた。 第１表のめつき浴Ａ，Ｂ，ＣおよびＤの組成の
浴を用いて、50mm角のAl2O3基板（京都セラミツ
クス製、Ｂ―25A8）に本願明細書実施例１と同
じ条件で無電解めつきを行なつた。結果を第６表
に示す。
【表】
【表】
上記第６表と第２表とを比較すると、本願の第
２表においては、めつき膜厚が5μmより大きくな
ると密着強さが10Kg／cm2以下と急激に低下するの
に対し、上記第６表のアルミナ基板においては、
膜厚には関係なく、密着力は低下しない。 また、第２表においては、めつき浴Ｄを用いた
場合、SiCでは、めつき膜厚が5μm以下であつて
も密着力がでないのに対し、上記表のアルミナ基
板では、いずれの場合でもほぼ同等の密着力が得
られる。 このことは、SiCへのメタライズが如何に容易
でないかを示しており、本願発明の特定組成のめ
つき浴並びに方法でないと、SiCには充分な密着
力のあるメタライズすることができないことを示
すものである。 前記実施例等から明らかなように、本発明の方
法によれば、SiC基体との密着性にすぐれためつ
き膜が得られる。また、その上にニツケルを電気
めつきするか、さらには銅を無電解あるいは電気
めつきすることによつて、良好な導電特性と密着
性とをそなえためつき膜を形成することができ
る。
２表においては、めつき膜厚が5μmより大きくな
ると密着強さが10Kg／cm2以下と急激に低下するの
に対し、上記第６表のアルミナ基板においては、
膜厚には関係なく、密着力は低下しない。 また、第２表においては、めつき浴Ｄを用いた
場合、SiCでは、めつき膜厚が5μm以下であつて
も密着力がでないのに対し、上記表のアルミナ基
板では、いずれの場合でもほぼ同等の密着力が得
られる。 このことは、SiCへのメタライズが如何に容易
でないかを示しており、本願発明の特定組成のめ
つき浴並びに方法でないと、SiCには充分な密着
力のあるメタライズすることができないことを示
すものである。 前記実施例等から明らかなように、本発明の方
法によれば、SiC基体との密着性にすぐれためつ
き膜が得られる。また、その上にニツケルを電気
めつきするか、さらには銅を無電解あるいは電気
めつきすることによつて、良好な導電特性と密着
性とをそなえためつき膜を形成することができ
る。
図はSiC基体とめつき膜間の密着力測定試片の
断面図である。 １……基板、２……めつき膜、３，３′……引
張り試験用治具、４……ハンダ。
断面図である。 １……基板、２……めつき膜、３，３′……引
張り試験用治具、４……ハンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ SiC基体に、 (a) ニツケル塩およびコバルト塩の少なくとも１
種の金属塩0.02〜0.04mol／ (b) 亜鉛塩が(a)の0.25〜0.5倍の濃度 (c) 錯化剤が0.1〜0.3mol／ (d) 次亜リン酸イオン0.10〜0.15mol／の割合
で含むめつき浴を用い無電解めつき法により
5μm以下のめつき膜を形成することを特徴とす
るSiC基体のメタライズ法。 ２ SiC基体に、 (a) ニツケル塩およびコバルト塩の少なくとも１
種の金属塩0.02〜0.04mol／ (b) 亜鉛塩が(a)の0.25〜0.5倍の濃度 (c) 錯化剤が0.1〜0.3mol／ (d) 次亜リン酸イオン0.10〜0.15mol／の割合
で含むめつき浴を用い無電解めつき法により
0.3μm以下のめつき膜を形成し、次いで該膜上
にニツケルおよびコバルトの少なくとも１種を
電気めつきすることを特徴とするSiC基体のメ
タライズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8663680A JPS5712592A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Method of metallizing sic board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8663680A JPS5712592A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Method of metallizing sic board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5712592A JPS5712592A (en) | 1982-01-22 |
| JPS6325720B2 true JPS6325720B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=13892501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8663680A Granted JPS5712592A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Method of metallizing sic board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5712592A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304403A (en) * | 1992-09-04 | 1994-04-19 | General Moors Corporation | Zinc/nickel/phosphorus coatings and elecroless coating method therefor |
| KR100717909B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2007-05-14 | 삼성전기주식회사 | 니켈층을 포함하는 기판 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52734A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-06 | Shirou Nishiuchi | Method of producing interior and exterior trim material |
| JPS5453629A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Hitachi Ltd | Resistance chemical plating method |
-
1980
- 1980-06-27 JP JP8663680A patent/JPS5712592A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5712592A (en) | 1982-01-22 |
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