JPS63257109A - メタライズ組成物 - Google Patents

メタライズ組成物

Info

Publication number
JPS63257109A
JPS63257109A JP9023887A JP9023887A JPS63257109A JP S63257109 A JPS63257109 A JP S63257109A JP 9023887 A JP9023887 A JP 9023887A JP 9023887 A JP9023887 A JP 9023887A JP S63257109 A JPS63257109 A JP S63257109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
substrate
conductor
firing
binder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9023887A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0797449B2 (ja
Inventor
祐伯 ▲聖▼
誠一 中谷
勉 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9023887A priority Critical patent/JPH0797449B2/ja
Priority to US07/180,899 priority patent/US4877555A/en
Publication of JPS63257109A publication Critical patent/JPS63257109A/ja
Publication of JPH0797449B2 publication Critical patent/JPH0797449B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、IC,LSr、チップ部品などを搭載し、か
つそれらを相互配線した回路の高密度実装用基板として
用いることのできるメタライズ組成物に関するものであ
る。
従来の技術 従来より、セラミック配線基板の導体ペースト用金属と
しては、Au、 Au−P t、 Ag−P t、Ag
−Pd等の貴金属、It Mo、 Mo−Mn等の高融
点卑金属が広く用いられていた。前者の、Au、 Au
−Pt、 Ag−Pt、 Ag=Pd等の貴金属ペース
トは空気中で焼付けができるという反面、コストが高い
という問題を抱えている。
また、後者の1Mo、 Mo−Mn等の高融点金属は1
600℃程度、すなわちグリーンシートの焼結温度(約
1500℃)以上の高温で同時焼成するため多層化しや
すいが、一方、導電性が低く、還元雰囲気中で焼成する
必要があるため危険である。また、ハンダ付けのために
導体表面にNi等によるメッキ処理を施す必要があるグ
どの問題を有している。
そこで、安価で導電性が良く、ハンダ付は性の良好なC
uペーストが用いられる様になって来た。ここで、Cu
ペーストを用いたセラミック配線基板の製造方法の一例
を述べる。従来の方法はアルミナ等の焼結基板上にCu
ペーストをスクリーン印刷し、配線パターンを形成し、
乾燥後、Cuの融点よりも低い温度で、かつCuが酸化
されず、導体ペースト中の有機成分が十分に燃焼する様
に酸素分圧を制御した窒素雰囲気中で焼成するというも
のである。
また、Cuペーストを用いたセラミック多層線基板の場
合は、さらに絶縁ペーストとCuペーストを印刷、乾燥
、中性雰囲気中での焼成をそれぞれ所望の回数繰返し、
多層化するというものである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記の様なCuペーストを用いた場合、
セラミック配線基板の製造方法においてい(つかの大き
な問題点がある。まず第一に、焼成工程において、Cu
を酸化させず、なおかつCuペースト中の有機成分を完
全に燃焼させる様な酸素分圧に炉内を制御するという事
が非常に困難であるという事である。酸素分圧が高けれ
ば、Cu表面が酸化され、ハンダ付は性が悪くなり、導
電性の低下につながり、逆に酸素分圧が低過ぎれば、C
uメタライズの良好な接着が得られないばかりか、Cu
ペースト中に含まれる有機成分の使用に困難が生じる。
つまり、ペーストのビヒクルに用いられる有機バインダ
等が、完全に燃焼し除去されないという事である。特に
Cuの融点以下の温度では、有機バインダは分解しない
といわれている。(文献名 例えば特開昭55−128
899号公報)また、金属Cuを用いた場合、たとえ脱
バインダ時程と、Cu焼付けの工程を分けたとしても、
金属Cuが脱バインダの工程で酸化され、CuOとなり
体積膨張を起こすため、基板からの剥離等の問題を生ず
る。第二に、多層にする場合、印刷、乾燥後、その都度
焼成を行なうのでリードタイムが長くなる、さらには設
備などのコストアンプにつながるという問題を有してい
る。そこで、特願昭59−147833号において、酸
化銅ペーストを用い、絶縁ペーストと導体ペーストの印
刷を繰り返し行ない多層化し、炭素に対して充分な酸化
雰囲気で、かつ内部の有機成分を熱分解させるに充分な
温度で熱処理を行ない、しかる後、Cuに対して非酸化
性となる雰囲気とし、印刷された酸化銅が金属Cuに還
元され、焼結する事を特徴とするセラミック多層配線基
板の製造方法について、すでに開示されている。この方
法により、焼成時の雰囲気制御が容易になり、同時焼成
が可能となった。しかしながら以下に示す様な問題点が
新たに見い出された。
それは、CuOペーストの場合、焼成工程でCuOから
Cuへの還元が起こり、そのため収縮が生じる。
特に多層構造にした場合、上層の導体°印刷は、下部絶
縁層のバイアホールを介して内層導体との接続を保ち、
配線パターンを形成するものであるため、焼成時の内部
導体ペーストの収縮は、その上N導体パターンのひび割
れ、およびバイアホール部分の陥没の原因となり、ひい
ては、導体パターンの断線、接着強度の低下につながる
というものである。
問題点を解決するための手段 上記の問題点を解決するために、本発明のメタライズ組
成物は、CuO粉体とCu2O粉体とから成る無機成分
にビヒクルを加え、混練して調整したものである。
作用 本発明は、上記した様な無機成分で構成されているので
、脱バインダ時(空気中)での4体層の体積膨張が小さ
く (Cu20のみでは体積膨張が大)、また、焼成時
(還元雰囲気)での導体層の体積収縮も小さい(CuO
のみでは体積収縮が大)。すなわち、本発明は、脱バイ
ダ時や焼成時での導体層の膨張・収縮を押さえ、導体層
の剥離や亀裂が起らない組成にしたものである。
実施例 以下本発明の一実施例のメタライズ組成物について説明
する。
まず本発明にかかるセラミック基板材料には、アルミナ
96%の焼結基板を用いた。そして、メタライズ組成物
としては、第1表に示す組成の無機組成物とビヒクルと
を混練してペースト化したものを用いた。ペーストの作
製条件は、有機バインダであるエチルセルロースをテレ
ピン油で溶かしたビヒクルと上記無機粉体とを三段ロー
ルにて混練しペーストとした。この様にして調整したペ
ーストを用いてセラミック配線基板を作製し、シート抵
抗、接着強度、焼成時の収縮によるバイアホール部での
亀裂について評価した。以下にセラミック配線基板の製
造方法を伸べる。まず、アルミナ焼結基板上に、絶縁ペ
ーストを200メツシユのスクリーンで約30μmの厚
みとなる様に印刷し、120℃で10分間乾燥した。な
お、ここで用いた絶縁ペーストは、無機成分として、ホ
ウケイ酸ガラス粉体(コーニング社製#7059)と酸
化アルミニュウム粉体を重量比で1対1となる様に混合
したものを用い、さらにこの混合粉体に導体ペーストに
用いたのと同一のビヒクルを加え適当な粘度に混練した
ものである。絶縁ペースト乾燥後、前記の導体ペースト
を250メツシユのスクリーンを用い約20μmの厚み
となる様に印刷し、同様に乾燥させた。なお導体層は乾
燥後10μm以上の厚みを有していた。次にこの乾燥済
基板を、空気中で約700℃の温度で脱バインダを行な
った。この時のバインダ除去温度や雰囲気の設定につい
ては、あらかじめ有機バインダの空気中での熱分析を行
ない、バインダの除去が完全に行なわれるかどうかを確
認して設定されるものである。従って、バインダの種類
によっては、多少分解温度が異なるので、おのずと脱バ
インダ時の温度プロファイルも異なってくるのは当然で
ある。次にこの脱バインダ済基板を焼成する。その焼成
条件は、昇・降温スピードが300℃/時間で、100
0℃で1時間保持し、雰囲気としてはN2 + Ha(
Ilz/Nz = 20/80 :流量2It /mi
n )で行なった。この様にして作製したセラミック配
線基板を用いて、シート抵抗および接着強度を測定した
。なお、シート抵抗は、線巾0.3鰭で長さ1201m
の第1図のパターン5でシート抵抗を測定した。また接
着強度は2龍角の第1図のパターン6に線巾0.8龍の
リード線を基板に垂直にハンダ付けし、引張り試験機で
その破壊強度を測定した。なお、ハンダは、62%Sn
、 36%Pb、  2%Agのものを使用した。第2
図は前記第1図の断面図である。
次に第3図の様な断面の配線基板を作製した。
まず、アルミナ焼結済基板1に、前記セラミック基板の
作製に用いた絶縁ペーストと導体ペーストを交互に印刷
し、乾燥させて、内部にバイアホール部4を設けた配線
基板を作製した。この様にして作製した基板を脱バイン
ダ、焼成後、バイアホール部の亀裂を評価した。なお、
脱バインダ条件、焼成条件は前記の配線基板の作製条件
と同じ条件で行なった。なお、バイアホール部4の亀裂
の評価方法は、第4図に示す様なパターンを基板上に1
00ケ所設け、亀裂が見られる上層パターンの数を示す
ものである。
以上の様にして求めた結果を同じく第1表Gこ示した。
第1表 第1表より明らかな様に、無機成分がCuO100%で
は、焼成時での導体層の収縮が大きいために、導体層の
断線やバイアホール部での亀裂が多くみられ、また、接
着強度も低い。ところがCuz05〜251%含存した
ものは、導体層の断線やバイアホールの亀裂が少なくな
り、接着強度が高いことが認められた。また、Cu2O
の含有量が前記含有量の範囲よりも少なくても多(ても
導体層の断線や剥離が起ることがわかった。
発明の効果 本発明は、高性能なセラミック配線基板の製造を可能に
する導体材料を提供するものであり、まず、焼成時の雰
囲気制御が容易である。多層基板の製造において、同時
焼成が可能である。シート抵抗、接着強度などの点で優
れている。などの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、接着強度およびシート抵抗測定用セラミック
基板の正面図、第2図は、第1図のセラミック基板の断
面図、第3図は、バイアホール部の亀裂を評価するため
のセラミック基板の断面図、第4図は、第3図のセラミ
ック基板の正面図である。 1・・・・・・アルミナ焼結済基板、2・・・・・・絶
縁層、3・・・・・・Cuメタライズ層、3a・・・・
・・下部導体層、3b・・・・・・バイアホール部w体
層、3c・・・・・・最上部導体層、4・・・・・・バ
イアホール、5・・・・・・シート抵抗測定用パターン
、6・・・・・・接着強度測定用パターン。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名N 叔           城 aつ 塚

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  CuO粉体75〜95重量%とCu_2O粉体25〜
    5重量%から成る無機成分とビヒクルとより構成されて
    いることを特徴とするメタライズ組成物。
JP9023887A 1987-04-13 1987-04-13 メタライズ組成物 Expired - Fee Related JPH0797449B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9023887A JPH0797449B2 (ja) 1987-04-13 1987-04-13 メタライズ組成物
US07/180,899 US4877555A (en) 1987-04-13 1988-04-13 Conductor composition and method of manufacturing a ceramic multilayer structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9023887A JPH0797449B2 (ja) 1987-04-13 1987-04-13 メタライズ組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63257109A true JPS63257109A (ja) 1988-10-25
JPH0797449B2 JPH0797449B2 (ja) 1995-10-18

Family

ID=13992913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9023887A Expired - Fee Related JPH0797449B2 (ja) 1987-04-13 1987-04-13 メタライズ組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0797449B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0797449B2 (ja) 1995-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900008781B1 (ko) 후막도체조성물
JPS63257107A (ja) メタライズ組成物
JP3538549B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JPS61289691A (ja) メタライズ組成物
JPS63257109A (ja) メタライズ組成物
JPS62145896A (ja) セラミツク銅多層配線基板の製造方法
US5167913A (en) Method of forming an adherent layer of metallurgy on a ceramic substrate
JPS63257108A (ja) メタライズ組成物
JPH11186727A (ja) 配線基板およびその製造方法
JPH0341997B2 (ja)
JPS61292394A (ja) セラミツク配線基板用メタライズ組成物
JPS62150800A (ja) セラミツク銅多層基板の製造方法
JPH0554718B2 (ja)
JPH01201090A (ja) セラミック用メタライズ組成物
JPH0588557B2 (ja)
JPS62149194A (ja) セラミツク銅多層基板の製造方法
JPH0632379B2 (ja) セラミツク配線基板の製造方法
JPS6126292A (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JPS63291304A (ja) メタライズ組成物
JPH088505A (ja) 低温焼成セラミック回路基板およびその製造法
JPS6126293A (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JPH1098244A (ja) 厚膜回路基板及びその製造方法
JPS62232191A (ja) セラミツク多層配線基板の製造方法
JPS63301405A (ja) 低温焼成型導電性ペ−スト及び回路基板の製造方法
JPS63181496A (ja) 厚膜回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees