JPS62150800A - セラミツク銅多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク銅多層基板の製造方法Info
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- JPS62150800A JPS62150800A JP29162785A JP29162785A JPS62150800A JP S62150800 A JPS62150800 A JP S62150800A JP 29162785 A JP29162785 A JP 29162785A JP 29162785 A JP29162785 A JP 29162785A JP S62150800 A JPS62150800 A JP S62150800A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＣ，ＬＳｌ、チップ部品などを搭載し、か
つそれらを相互配線した回路の、高密度実装用基板とし
て用いることのできるセラミック銅多層配線基板の製造
方法に関するものである。
つそれらを相互配線した回路の、高密度実装用基板とし
て用いることのできるセラミック銅多層配線基板の製造
方法に関するものである。
従来の技術
従来よりセラミック配線基板の導体ペースト用金属とし
ては、Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｔ。
ては、Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｔ。
Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属、Ｗ 、 Ｍ ｏ 、 Ｍ ｏ
−Ｍ ｎ等の高融点卑金属が広く用いられていた。前者
の、Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の貴
金属ペーストは空気中で焼付けができるという反面、コ
ストが高いという問題を抱えている。また、後者の、Ｗ
、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属は１６００℃程度、
すなわちグリーンシートの焼結温度（約１５００℃）以
上の高温で同時焼成するため多層化しやすいが、一方、
導電性が低く、還元雰囲気中で焼成する必要があるため
危険である。また、ハンダ付けのために導体表面にＮｉ
等によるメッキ処理を施す必要があるなどの問題ををし
ている。そこで、安価で導電性が良く、ハンダ付は性の
良好なＣｕが用いられる様になって来た。ここで、Ｃｕ
ペーストを用いたセラミック配線基板の製造方法の一例
を述べる。従来の方法は、アルミナ等の焼結基板上にＣ
ｕペーストをスクリーン印刷し、配線パターンを形成し
、乾燥後、Ｃｕの融点よりも低い温度で、かつＣｕが酸
化されず、導体ペースト中の有機成分が充分に燃焼する
様に酸素分圧を制御したた窒素雰囲気中で焼成するとい
うものである。また、Ｃｕペーストを用いたセラミック
多層配線基板の場合は、さらに絶縁ペーストとＣｕペー
ストの印刷、乾燥、中性雰囲気中での焼成をそれぞれ所
望の回数繰り返し、多層化するというものである。
−Ｍ ｎ等の高融点卑金属が広く用いられていた。前者
の、Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の貴
金属ペーストは空気中で焼付けができるという反面、コ
ストが高いという問題を抱えている。また、後者の、Ｗ
、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属は１６００℃程度、
すなわちグリーンシートの焼結温度（約１５００℃）以
上の高温で同時焼成するため多層化しやすいが、一方、
導電性が低く、還元雰囲気中で焼成する必要があるため
危険である。また、ハンダ付けのために導体表面にＮｉ
等によるメッキ処理を施す必要があるなどの問題ををし
ている。そこで、安価で導電性が良く、ハンダ付は性の
良好なＣｕが用いられる様になって来た。ここで、Ｃｕ
ペーストを用いたセラミック配線基板の製造方法の一例
を述べる。従来の方法は、アルミナ等の焼結基板上にＣ
ｕペーストをスクリーン印刷し、配線パターンを形成し
、乾燥後、Ｃｕの融点よりも低い温度で、かつＣｕが酸
化されず、導体ペースト中の有機成分が充分に燃焼する
様に酸素分圧を制御したた窒素雰囲気中で焼成するとい
うものである。また、Ｃｕペーストを用いたセラミック
多層配線基板の場合は、さらに絶縁ペーストとＣｕペー
ストの印刷、乾燥、中性雰囲気中での焼成をそれぞれ所
望の回数繰り返し、多層化するというものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の様なＣｕペーストを用いた場合、
セラミック配線基板の製造方法においていくつかの大き
な問題点がある。まず第１に、焼成工程において、Ｃｕ
を酸化させず、なおかつＣｕペースト中の有機成分を完
全に燃焼させる様な酸素分圧に炉内をコントロールする
という事が非常に困難であるという事である。酸素分圧
が少しでも高ければ、Ｃｕ表面が酸化され、ハンダ付は
性が悪くなり、導電性の低下につながり、逆に酸素分圧
が低く過ぎればＣｕメタライスの良好な接着が得られな
いばかりか、Ｃｕペースト中に含まれる有機成分の使用
に困難が生じる。つまり、ペースト中のビヒクルに用い
られる有機バインダ等が完全に燃焼除去されないという
事である。特にＣｕの融点以下の温度では、有機バイン
ダは分解しないといわれている。
セラミック配線基板の製造方法においていくつかの大き
な問題点がある。まず第１に、焼成工程において、Ｃｕ
を酸化させず、なおかつＣｕペースト中の有機成分を完
全に燃焼させる様な酸素分圧に炉内をコントロールする
という事が非常に困難であるという事である。酸素分圧
が少しでも高ければ、Ｃｕ表面が酸化され、ハンダ付は
性が悪くなり、導電性の低下につながり、逆に酸素分圧
が低く過ぎればＣｕメタライスの良好な接着が得られな
いばかりか、Ｃｕペースト中に含まれる有機成分の使用
に困難が生じる。つまり、ペースト中のビヒクルに用い
られる有機バインダ等が完全に燃焼除去されないという
事である。特にＣｕの融点以下の温度では、有機バイン
ダは分解しないといわれている。
（文献名 例えば 特開昭５５−１２８８９９号公報）
また、金属Ｃｕを用いた場合、たとえ脱バインダの工程
と、Ｃｕ焼付けの工程を分けたとしても、金属Ｃｕが脱
バインダの工程で酸化され、体積膨張を起こすため、基
板からの剥離等の問題を生ずる。第２に、多層にする場
合、印刷、乾燥後、その都度焼成を行なうのでリードタ
イムが長くなるという問題を有している。
と、Ｃｕ焼付けの工程を分けたとしても、金属Ｃｕが脱
バインダの工程で酸化され、体積膨張を起こすため、基
板からの剥離等の問題を生ずる。第２に、多層にする場
合、印刷、乾燥後、その都度焼成を行なうのでリードタ
イムが長くなるという問題を有している。
そこで、特訓５９−１４７８３３において、酸化銅ペー
ストを用い、絶縁ペーストと導体ペーストの印刷を繰り
返し行ない多層化し、炭素に対して充分な酸化雰囲気で
、かつ内部の有機成分を熱分解させるに充分な温度で熱
処理を行ない、しかる後、Ｃｕに対して非酸化性となる
雰囲気とし、印刷された酸化銅が金属Ｃｕ還元され、焼
結する事を特徴とするセラミック多層配線基板の製造方
法について、すでに開示されている。この方法により焼
成時の雰囲気制御が容易になり、同時焼成が可能となっ
た。しかしながら、以下に示す様な問題点が新たに見出
された。ＣｕＯを導体層材料とした場合、還元工程にお
いて、ＣｕＯが金属Ｃｕとなり体積収縮をおこす。配線
パターンを形成する際においては、この体積収縮は別に
問題とならないが、アルミナ焼結基板の両面に、スルー
ホールを介して配線する場合、この体積収縮により、ス
ルーホール部分での断線を生じるという問題があり、両
面に多層配線する事が出来ず、搭載する部品点数が多い
場合など、そのためによりいっそうの基板の小型化、高
密度化がはばまれる事となる。また、アルミナ焼結基板
のかわりに、スルーホールを有するグリーンシートを用
いたグリーンシート印刷多層法の場合、グリーンシート
が焼結する際に体積収縮をおこすため、アルミナ焼結基
板を用いた場合に比べれば少しましであるが、やはりス
ルーホール部分における断線の確率は非常に高いもので
ある。
ストを用い、絶縁ペーストと導体ペーストの印刷を繰り
返し行ない多層化し、炭素に対して充分な酸化雰囲気で
、かつ内部の有機成分を熱分解させるに充分な温度で熱
処理を行ない、しかる後、Ｃｕに対して非酸化性となる
雰囲気とし、印刷された酸化銅が金属Ｃｕ還元され、焼
結する事を特徴とするセラミック多層配線基板の製造方
法について、すでに開示されている。この方法により焼
成時の雰囲気制御が容易になり、同時焼成が可能となっ
た。しかしながら、以下に示す様な問題点が新たに見出
された。ＣｕＯを導体層材料とした場合、還元工程にお
いて、ＣｕＯが金属Ｃｕとなり体積収縮をおこす。配線
パターンを形成する際においては、この体積収縮は別に
問題とならないが、アルミナ焼結基板の両面に、スルー
ホールを介して配線する場合、この体積収縮により、ス
ルーホール部分での断線を生じるという問題があり、両
面に多層配線する事が出来ず、搭載する部品点数が多い
場合など、そのためによりいっそうの基板の小型化、高
密度化がはばまれる事となる。また、アルミナ焼結基板
のかわりに、スルーホールを有するグリーンシートを用
いたグリーンシート印刷多層法の場合、グリーンシート
が焼結する際に体積収縮をおこすため、アルミナ焼結基
板を用いた場合に比べれば少しましであるが、やはりス
ルーホール部分における断線の確率は非常に高いもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明のセラミック銅多
層基板の製造方法においては、ＣｕＯを主成分とする無
ｍ粉体に有機ビヒクルを加えた導体ペーストと、ガラス
−セラミックに有機ビヒクルを加えた絶縁ペーストを、
スルーホールを有する銅の融点以下の温度で焼結するグ
リーンシートの両面に所望の層数印刷、乾燥した後、脱
バインダ、ＣｕＯのＣｕへの還元、焼結を所定の温度と
雰囲気で行ない内層の配線パターンを形成し、その後さ
らに両面の最上層といて、Ｃｕペーストを用い、配線パ
ターンを形成すると同時にスルーホールを介して、はじ
めて両面間の接続を得る様に印刷し、その後窒素雰囲気
中で焼成するというものである。
層基板の製造方法においては、ＣｕＯを主成分とする無
ｍ粉体に有機ビヒクルを加えた導体ペーストと、ガラス
−セラミックに有機ビヒクルを加えた絶縁ペーストを、
スルーホールを有する銅の融点以下の温度で焼結するグ
リーンシートの両面に所望の層数印刷、乾燥した後、脱
バインダ、ＣｕＯのＣｕへの還元、焼結を所定の温度と
雰囲気で行ない内層の配線パターンを形成し、その後さ
らに両面の最上層といて、Ｃｕペーストを用い、配線パ
ターンを形成すると同時にスルーホールを介して、はじ
めて両面間の接続を得る様に印刷し、その後窒素雰囲気
中で焼成するというものである。
作用
本発明は上記した様に、脱パインダニ程において内層導
体層および絶縁層中に含まれる有機バインダの分解除去
を完全に行なう事ができ、極めて緻密な絶縁層が得られ
るとともに、焼成時においても体積収縮の少ないＣｕペ
ーストを用いて両面の接続を行なうため、スルーホール
部分での断線の心配がない。この事より、信頼性の高い
両面の銅多層配線基板を得る事ができ、搭載する部品数
が多い基板をより小型化、高密度化する事が可能となる
。
体層および絶縁層中に含まれる有機バインダの分解除去
を完全に行なう事ができ、極めて緻密な絶縁層が得られ
るとともに、焼成時においても体積収縮の少ないＣｕペ
ーストを用いて両面の接続を行なうため、スルーホール
部分での断線の心配がない。この事より、信頼性の高い
両面の銅多層配線基板を得る事ができ、搭載する部品数
が多い基板をより小型化、高密度化する事が可能となる
。
実施例
以下に本発明の実施例について説明する。
まず、内層用ＣｕＯペーストは、市販の特級ＣｕＯ（平
均粒径約３μｍ）に、コーニング社製＃７０５９ガラス
（平均粒径約２μｍ）を５重量％加えたものに、有機バ
インダであるエチルセルロースをテレピン油に溶かした
有機ビヒクルを加えたものを三段ロールにより適度な粘
度に混練して作製した。一方絶縁ペーストは、ホウケイ
酸ガラスにアルミナを、重量比で１対１に混合した無機
成分に、ＣｕＯペーストと同様の有機ビヒクルを加え三
段ロールで適度な粘度に混練して作製した。グリーンシ
ートは、絶縁ペーストと同じ無機粉体に、有機バインダ
であるポリビニルブチラールをトルエンに溶かした有機
溶剤に可ヅ剤であるデーブチルフタレートを加え、ボー
ルミルで混合し、これを脱泡後ドクターブレード法で造
膜、乾燥し、約１１ｍ厚となるようにした。そしてその
後所定のサイズに切断するとともに、必要な箇所にスル
ーホール用の小孔をあけ加工した。上記の方法で作製し
たスルーホールを有するグリーンシート上に、２５０メ
ソシユのスクリーンでＣｕＯペーストを印刷し、乾燥（
１２０℃で１０分間）させ、導体層を形成した。その後
絶縁ペーストを２００メソシユのスクリーンで印刷、乾
燥（１２０°Ｃで１０分間）させ、絶縁層を形成した。
均粒径約３μｍ）に、コーニング社製＃７０５９ガラス
（平均粒径約２μｍ）を５重量％加えたものに、有機バ
インダであるエチルセルロースをテレピン油に溶かした
有機ビヒクルを加えたものを三段ロールにより適度な粘
度に混練して作製した。一方絶縁ペーストは、ホウケイ
酸ガラスにアルミナを、重量比で１対１に混合した無機
成分に、ＣｕＯペーストと同様の有機ビヒクルを加え三
段ロールで適度な粘度に混練して作製した。グリーンシ
ートは、絶縁ペーストと同じ無機粉体に、有機バインダ
であるポリビニルブチラールをトルエンに溶かした有機
溶剤に可ヅ剤であるデーブチルフタレートを加え、ボー
ルミルで混合し、これを脱泡後ドクターブレード法で造
膜、乾燥し、約１１ｍ厚となるようにした。そしてその
後所定のサイズに切断するとともに、必要な箇所にスル
ーホール用の小孔をあけ加工した。上記の方法で作製し
たスルーホールを有するグリーンシート上に、２５０メ
ソシユのスクリーンでＣｕＯペーストを印刷し、乾燥（
１２０℃で１０分間）させ、導体層を形成した。その後
絶縁ペーストを２００メソシユのスクリーンで印刷、乾
燥（１２０°Ｃで１０分間）させ、絶縁層を形成した。
上記の様な導体層の形成と絶縁層の形成を両面に繰り返
し行ない、第１図に示す様な断面を存する未焼結セラミ
ック配線基板を作製した。この様にして作製した未焼結
セラミック配線基板を第３図に示す温度プロファイルで
、空気中で脱バインダし、その後、第４図に示す温度プ
ロファイルでＮ２＋Ｈ２中（Ｉ■２／Ｎ２−２ｏ／８ｏ
：流量２＋！／ｍｉｎ、）で還元し、最後に第５図に示
す温度プロファイルでＮ２中で焼成した。焼成後、α体
層の厚みは約ｌｏμｍであり、絶縁層の厚みは約３０〜
４０μｍであった。この様にして作製したセラミック銅
多層基板の両面に、Ｄｕｐｏｎｔ社装＃９１５３Ｃｕペ
ーストを３２５メツシユのスクリーンで印刷し、配線パ
ターンを形成すると同時に、スルーホールを介して両面
間の接続を行なった。乾燥後（１１０’Ｃで１ｏ分）窒
素中で９００°Ｃ（ピーク温度で１ｏ分間キープ）で焼
成した。なお、最上層印刷用のスクリーンは、グリーン
シートの焼成による体積収縮をあらかじめみこして作成
されているのは言うまでもない。この様にして作製した
セラミック銅多層基板は第２図に示す様な断面を有して
いる。第２図より明らがな様に、両面の接続は、グリー
ンシートの両面に形成した内層導体間で行なうものでは
ない。即ち、内層導体による配線パターンならびに絶縁
層はスルーホール部分を避けて形成するものとする。そ
して、上層の印刷時にスルーホール部分を介して両面間
が接続されるものとする。以上の様にして作製したセラ
ミック洞多層基板は、焼成においても体積収縮の小さい
Ｃｕペーストを用いて両面間の接続を行なっているため
、はとんどスルーホール部分での断線はみられなかった
。
し行ない、第１図に示す様な断面を存する未焼結セラミ
ック配線基板を作製した。この様にして作製した未焼結
セラミック配線基板を第３図に示す温度プロファイルで
、空気中で脱バインダし、その後、第４図に示す温度プ
ロファイルでＮ２＋Ｈ２中（Ｉ■２／Ｎ２−２ｏ／８ｏ
：流量２＋！／ｍｉｎ、）で還元し、最後に第５図に示
す温度プロファイルでＮ２中で焼成した。焼成後、α体
層の厚みは約ｌｏμｍであり、絶縁層の厚みは約３０〜
４０μｍであった。この様にして作製したセラミック銅
多層基板の両面に、Ｄｕｐｏｎｔ社装＃９１５３Ｃｕペ
ーストを３２５メツシユのスクリーンで印刷し、配線パ
ターンを形成すると同時に、スルーホールを介して両面
間の接続を行なった。乾燥後（１１０’Ｃで１ｏ分）窒
素中で９００°Ｃ（ピーク温度で１ｏ分間キープ）で焼
成した。なお、最上層印刷用のスクリーンは、グリーン
シートの焼成による体積収縮をあらかじめみこして作成
されているのは言うまでもない。この様にして作製した
セラミック銅多層基板は第２図に示す様な断面を有して
いる。第２図より明らがな様に、両面の接続は、グリー
ンシートの両面に形成した内層導体間で行なうものでは
ない。即ち、内層導体による配線パターンならびに絶縁
層はスルーホール部分を避けて形成するものとする。そ
して、上層の印刷時にスルーホール部分を介して両面間
が接続されるものとする。以上の様にして作製したセラ
ミック洞多層基板は、焼成においても体積収縮の小さい
Ｃｕペーストを用いて両面間の接続を行なっているため
、はとんどスルーホール部分での断線はみられなかった
。
発明の効果
以上述べた様に、本発明の製造方法によって、絶縁層が
極めて緻密で、かつスルーホール部分での断線がほとん
ど生じないセラミック銅多層基板の作製が可能となり搭
載部品数の多い場合においても、より’４４ＪＪを小型
化高密度化いる事が出来る。
極めて緻密で、かつスルーホール部分での断線がほとん
ど生じないセラミック銅多層基板の作製が可能となり搭
載部品数の多い場合においても、より’４４ＪＪを小型
化高密度化いる事が出来る。
さらに、銅多層基板という事で、Ｃｕの持っている導体
抵抗の低さ、ハンダ付は性の良さ、耐マイグレーション
性の良さ、低コストを充分に生かせるものであり、工業
上極めて効果的な発明である。
抵抗の低さ、ハンダ付は性の良さ、耐マイグレーション
性の良さ、低コストを充分に生かせるものであり、工業
上極めて効果的な発明である。
第１図は、印刷法によって作製した未焼結セラミック配
線基板の断面図、第２図は、本発明の製造方法によって
作製したセラミック銅多層基板の断面図、第３図は、脱
パインダニ程の温度プロファイルの１例を示す特性図、
第４図は、還元工程の温度プロファイルの１例を示す特
性図、第５図は、焼成工程の温度プロファイルの１例を
示す特性図である。 ■・・・・・・グリーンシート、 ２・・・・・・導
体層、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・スルーホ
ール。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図
線基板の断面図、第２図は、本発明の製造方法によって
作製したセラミック銅多層基板の断面図、第３図は、脱
パインダニ程の温度プロファイルの１例を示す特性図、
第４図は、還元工程の温度プロファイルの１例を示す特
性図、第５図は、焼成工程の温度プロファイルの１例を
示す特性図である。 ■・・・・・・グリーンシート、 ２・・・・・・導
体層、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・スルーホ
ール。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図
Claims (1)
- ＣｕＯを生成分とする無機成分に有機ビヒクルを加え
た導体層用ペーストと、ガラス、または、ガラス−セラ
ミックに有機ビヒクルを加えた絶縁層用ペーストを、ス
ルーホールを有する銅の融点以下の温度で焼結するグリ
ーンシートの両面に所望の層数、印刷、乾燥を繰り返し
、配線を形成する工程と、該未焼結体を炭素に対して充
分な酸化雰囲気で、かつ内部の有機成分を熱分解させる
に充分な温度で脱バインダする工程と、さらに、これを
還元雰囲気中で熱処理する工程と、その後、窒素雰囲気
中で焼成し、焼結させる工程と、この様にして得たセラ
ミック銅配線基板の両面にＣｕペーストを用い、配線パ
ターンを形成すると同時に、スルーホールを介してはじ
めて両面間の接続を得る様に印刷する工程と、その後、
窒素雰囲気中で焼成する工程からなる事を特徴とするセ
ラミック銅多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29162785A JPS62150800A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | セラミツク銅多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29162785A JPS62150800A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | セラミツク銅多層基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150800A true JPS62150800A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0321107B2 JPH0321107B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=17771403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29162785A Granted JPS62150800A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | セラミツク銅多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7474557B2 (en) | 2001-06-29 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | MRAM array and access method thereof |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29162785A patent/JPS62150800A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7474557B2 (en) | 2001-06-29 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | MRAM array and access method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0321107B2 (ja) | 1991-03-20 |
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