JPS63255979A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

磁気抵抗素子

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Publication number
JPS63255979A
JPS63255979A JP62091186A JP9118687A JPS63255979A JP S63255979 A JPS63255979 A JP S63255979A JP 62091186 A JP62091186 A JP 62091186A JP 9118687 A JP9118687 A JP 9118687A JP S63255979 A JPS63255979 A JP S63255979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stripes
stripe
magnetic field
stripe group
magnetoresistive
Prior art date
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Pending
Application number
JP62091186A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideto Konno
秀人 今野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜で構成
され、磁気信号の変化を電気信号の変化として1ll1
1足することに利用される磁気抵抗素子に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の磁気抵抗素子は磁気信号に対し感度が非
常に優れてするため、高精度の回転検出。
角度検出、あるいは位置検出に応用されており、構造と
しては例えば、特公昭54−41335号公報に示され
るように、繰9返し磁気信号を発生する磁気記録媒体に
対し、ある有限の距離を隔てた位置に強磁性体薄膜より
構成される磁気抵抗ストライプを配置し、かつ、直列に
接続し、接続部から出力を得るものがめった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した磁気抵抗素子は、抵抗体を直夕IJ接続するに
際して出力を最大に得るために磁気記録媒体のN−1M
層磁ピッチλに対してし2の間隔を隔て平行に配置する
のが通常である。このような場合、2本の磁気抵抗スト
ライプの相対位置は磁気記録媒体のλによって決定され
、ストライプの配置条件が磁界の位相差がシ2となる条
件でめるし2の距離金隔てて設置するよう限定されてい
た。また、感磁性能がストライプ群子の大ささに大きく
依存し、ある特定の幅を有するストライプの感磁条件は
狭いため磁気記録媒体と磁気抵抗菓子間のギャップ調整
などはたいへん困難であった。
〔問題点を解決するための平膜〕
本発明の磁気抵抗素子は、強磁性薄膜により構成され異
なる2穐類のストライプ鳴からなるストライプ群同士を
直列に接続し、両端に入力端子。
接続部に出力端子を設け、かつ、一方のストライプ群を
構成する個々のストライプに対し、設置されたバイアス
磁石を有し1いる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す平面図である。
図中、101は磁気記録媒体、102,103゜104
.105は強磁性体薄膜、106にバイアス磁石を示す
。本実施例は異なる幅を有する2棟類のストライプによ
りストライプ群が構成されているため、動作磁界範囲と
しては双方のストライプの動作磁界範囲の和となる。
一般的に抵抗ストライプの幅と飽和磁界との関係は第2
図のように表わされる。磁気抵抗素子として利用する場
合、精度、および安定した出力を保つため少なくとも8
0%以上飽和する状態で使用するのが好ましい。したが
って第2図中において、暢Xの磁気抵抗薄膜は磁界が(
bl〜(alにおいて動作し、@Yのものは(Cl−(
blにおいて動作する。
したがって、上記特性を有するようなストライプを直列
に接続し、かつこれらストライプ群をさらに直列に接続
し、接続部より出力を得る構造にすれば、暢Xの動作磁
界において幅Yのものは飽和状態となり、@Yの動作磁
界において@Xのものは勤?’ll:を全くしないとい
うこととなり、第1図の構成により幅X、および暢Yの
ストライプの双方の蛎咋磁界をカバーでさる。場らに、
ストライプ群間の距離は、任意に設足嘔れ、そのことに
より双方のストライプに印加される磁界の位相差はπ/
2にならないが、七の位相ズレ分はバイアス磁石]06
1Cよって調整てれ、第1図の状態で強磁性体薄膜10
2,103とIO4,105−の磁化の位相差はシ2と
なっているため、出力が最大に得られるようになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、2棟類の幅のストライプ
を用いることと、バイアス磁石を用いることによって、
動作磁界範囲が広く、しかもストライプ配置を任意に選
べる磁気抵抗素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す平面図、第2図はストラ
イプ幅と飽和磁界の関係を示す線図でろる。 101・・・磁気記録媒体、102,103,104゜
105−・・磁気抵抗ストライプ% 106・・−バイ
アス磁石。 代理人 弁理士  内 原   晋 茅 ; 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜(Ni、Fe、Coな
    ど)で抵抗体が構成される磁気抵抗素子において、前記
    抵抗体は異なる幅のストライプで形成される2つのスト
    ライプ群で構成され、かつ片方のストライプ群にバイア
    ス磁石を互いのストライプ群の磁石に対する位相差に応
    じて設置したことを特徴とする磁気抵抗素子。
JP62091186A 1987-04-13 1987-04-13 磁気抵抗素子 Pending JPS63255979A (ja)

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JP62091186A JPS63255979A (ja) 1987-04-13 1987-04-13 磁気抵抗素子

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JPS63255979A true JPS63255979A (ja) 1988-10-24

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ID=14019418

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JP62091186A Pending JPS63255979A (ja) 1987-04-13 1987-04-13 磁気抵抗素子

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