JPS63255717A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63255717A JPS63255717A JP62091303A JP9130387A JPS63255717A JP S63255717 A JPS63255717 A JP S63255717A JP 62091303 A JP62091303 A JP 62091303A JP 9130387 A JP9130387 A JP 9130387A JP S63255717 A JPS63255717 A JP S63255717A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos
- semiconductor device
- constant current
- constant
- load
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 231100000895 deafness Toxicity 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 208000016354 hearing loss disease Diseases 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯ３型トランジスタによる、定電流回路に関
する。
する。
従来の定電流回路は、バイポーラ型トランジスタを用い
ており、ＭＯ８型トランジスタを用いたものは無かった
。
ており、ＭＯ８型トランジスタを用いたものは無かった
。
前述の従来技術では、ＭＯＳ型半導体装置で昂７成され
る機器においてはバイポーラ型トランジスタから成る定
電流回路を付加しなければならず、部品点数が増えてし
まう。またバイポーラ型トランジスタを用いる為、消費
電流が大きいという問題点を有する。
る機器においてはバイポーラ型トランジスタから成る定
電流回路を付加しなければならず、部品点数が増えてし
まう。またバイポーラ型トランジスタを用いる為、消費
電流が大きいという問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはＭＯ３型トランジスタによる定電
流回路を提供するものである。
の目的とするところはＭＯ３型トランジスタによる定電
流回路を提供するものである。
本発明のＭＯＳ型半導体装置は、
ａ）半導体装置において
ｂ）複数のＭＯ３型トランジスタから成り、ｃ）前記Ｎ
１０Ｓ型トランジスタを飽和状態にして定電流を得るこ
とを特徴とするものである。
１０Ｓ型トランジスタを飽和状態にして定電流を得るこ
とを特徴とするものである。
本発明のＭＯＳ型半導体装置は、基本的には第１図で示
される回路（１カ成をしている。１０１はＭＯ３ｆｆｉ
）ランジスタで、ゲートとドレインが接続されている為
、飽和状態となっている。１０２．１０３、及び１０４
はＭＯ３型トランジスタであり、それぞれのゲート電位
は１０１のそれと同じである。１０５．１０６、及び１
０７はそれぞれ１０２．１０３、及び１０４からの電流
を断続するためのスイッチである。１０８は抵抗であり
、１０９は定電流を投入したい対象物である。１０１の
ドレイン電流は１０１がもつ内存のコンダクタンス定数
と、そのゲート・ソース間の電位差によって定まる。こ
こで１０２が飽和状態にあり、１０５が閉じられていれ
ば、１０９へ流れる電流は１０１のドレイン電流と１０
１、及び１０２のコンダクタンス定数によって定まり、
負荷の変動には影響されない。同様に１０３、及び１０
４が飽和状態であれば、１０５．１０Ｇ、及び１０７の
開閉状聾により、コンダクタンス定数の合成値が変わり
負荷への定電流を変えることができる。
される回路（１カ成をしている。１０１はＭＯ３ｆｆｉ
）ランジスタで、ゲートとドレインが接続されている為
、飽和状態となっている。１０２．１０３、及び１０４
はＭＯ３型トランジスタであり、それぞれのゲート電位
は１０１のそれと同じである。１０５．１０６、及び１
０７はそれぞれ１０２．１０３、及び１０４からの電流
を断続するためのスイッチである。１０８は抵抗であり
、１０９は定電流を投入したい対象物である。１０１の
ドレイン電流は１０１がもつ内存のコンダクタンス定数
と、そのゲート・ソース間の電位差によって定まる。こ
こで１０２が飽和状態にあり、１０５が閉じられていれ
ば、１０９へ流れる電流は１０１のドレイン電流と１０
１、及び１０２のコンダクタンス定数によって定まり、
負荷の変動には影響されない。同様に１０３、及び１０
４が飽和状態であれば、１０５．１０Ｇ、及び１０７の
開閉状聾により、コンダクタンス定数の合成値が変わり
負荷への定電流を変えることができる。
以上述べたように本発明によれば、ＭＯ８！Ｊ！、トラ
ンジスタによる簡単な回路構成により、定電流が得られ
る。又、ＭＯ８型半導体装置から成る機器においては、
部品点数の削減が図れる。加えてＭＯ３型トランジスタ
の利用により、消ｆ’を電流を低減することができる。
ンジスタによる簡単な回路構成により、定電流が得られ
る。又、ＭＯ８型半導体装置から成る機器においては、
部品点数の削減が図れる。加えてＭＯ３型トランジスタ
の利用により、消ｆ’を電流を低減することができる。
第１図は本発明のＭ ＯＳ型半導体装置の回路図である
。 １０１・・・ＭＯ３型トランジスタ １０２・・・ＭＯ３型トランジスタ １０３・・・Ｍ ＯＳ型トランジスタ ＋０４・・・〜１０３型トランジスタ １０５・・・スイッチ １０Ｇ・・・スイッチ １０７・・・スイッチ １０８・・・抵抗 １０ ｒ）・・・負荷 以 上
。 １０１・・・ＭＯ３型トランジスタ １０２・・・ＭＯ３型トランジスタ １０３・・・Ｍ ＯＳ型トランジスタ ＋０４・・・〜１０３型トランジスタ １０５・・・スイッチ １０Ｇ・・・スイッチ １０７・・・スイッチ １０８・・・抵抗 １０ ｒ）・・・負荷 以 上
Claims (1)
- （１）ａ）半導体装置において、 ｂ）複数のＭＯＳ型トランジスタから成り、ｃ）前記Ｍ
ＯＳ型トランジスタを飽和状態にして、定電流を得るこ
とを特徴とするＭＯＳ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091303A JPS63255717A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091303A JPS63255717A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255717A true JPS63255717A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14022697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62091303A Pending JPS63255717A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63255717A (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62091303A patent/JPS63255717A/ja active Pending
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