JPS63253391A

JPS63253391A - 薄膜トランジスタアレイ

Info

Publication number: JPS63253391A
Application number: JP62087592A
Authority: JP
Inventors: 松田　英行; 岡部　和弥; 諭藤本; 安永　正記
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1987-04-09
Filing date: 1987-04-09
Publication date: 1988-10-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「Ｉ！！業上の利用分野」この発明は、液晶表示素子のアクティブマトリクス駆動
に用いられる薄膜トランジスタアレイに関する。

「従来の技術」第４図ないし第６図は、従来の薄膜トランジスタアレイ
を示すもので、ガラス基板ｌ上にモリブデンなどからな
るゲートバス２およびソースバス３が多数圧に直交する
ように設けられている。これらゲートバス２とソースバ
ス３とが交差するクロスオーバー部４では、ゲートバス
２の上にソースバス３が走り、第５図および第６図に示
すようにこれら二つのバス２．３が導通しないように絶
縁膜５がゲートバス２とソースバス３との間に設けられ
ている。この例での絶縁Ｈ５は、二層構造を有し、ゲー
トバス２上に窒化ケイ素からなる絶縁ｗ：４６が設けら
れ、この絶縁ｇ％６上に薄膜トランジスタ７の半導体膜
を形成する際に同時に形成された水素化アモルファスシ
リコンからなる半導体膜８が設けられている。また、ソ
ースバス３を含む基板！上には全面にわたって窒化ケイ
素などからなるパッジベージロン膜りが設けられている
。

また、第４図に示すようにクロスオーバー部４付近のゲ
ートバス２およびソースバス３からそれぞれゲートライ
ンＩＯおよびソースライン１Ｋが分岐し、クロスオーバ
ー部４付近に設けられた薄膜トランジスタ７のゲート電
極およびソース電極にそれぞれ接続されている。薄膜ト
ランジスタ７は、ゲート電極上に窒化ケイ素などからな
り上記絶縁膜６形成時に形成されたゲート絶縁膜を設け
、このゲート絶縁膜上に水素化アモルファスシリコンか
らなる半導体膜を設け、さらにこの半導体膜上にアルミ
ニウムなどからなりソースバス３と同時に形成されたソ
ース電極およびドレイン電極を設け、さらにパッジベー
ジロン膜りを設けたうえに半導体膜を覆うようにアルミ
ニウムなどからなるライトシールド１２を設けたもので
、ドレイン電極が画素電極Ｉ３に接続されて動作するよ
うになっている。

「発明が解決じようとする問題点」しかしながら、このようなＡＩｉ［）ランジスタアレイ
にあっては、クロスオーバー部４の絶縁Ｈ５が＾Ｖく、
かつその形成方法に必然的に伴うピンホール等の欠陥に
よって絶縁不良を起し、ゲートバス２とソースバス３と
が短絡することがまれにあり、製品歩留りを低下させて
いる。また、クロスオーバー部４では、ゲートバス２と
ソースバス３とが薄い絶縁Ｍ５を介して交差しているた
め両者間の距離が短く、このため＾Ｖ膜トランジスタ７
のゲート・ソース間の寄生容量が比較的大きくなり、薄
膜トランジスタ７の応答特性が必ずしも十分なものでは
ない問題点があった。

「問題点を解決するための手段」この発明では、ゲートバスあるいはソースバスのいずれ
かをクロスオーバー部の手前で分断し、クロスオーバー
部の絶縁層を覆うパッジベージロン膜上に形成した導通
ラインによって分断したゲートバスあるいはソースバス
を導通することにより、上記問題点を解決した。また、
上記導通ラインを＊ａトランジスタのライトシールド形
成と同時に形成すれば、プロセスの増加を伴うことがな
い。

「作用」ゲートバスあるいはソースバスと導通ラインとの間に三
層構造の絶縁層を形成でき、絶縁層の絶縁性が向上し、
短絡事故が減少する。また、ゲートバスあるいはソース
バスと導通ラインとの距離が大きくなるので薄膜トラン
ジスタのゲート・ソース間の寄生容量が減少し、応答特
性が向上する。

第１図ないし第３図は、この発明の薄膜トランジスタア
レイの一例を示すものである。ガラス基板２１上には複
数のゲートバス２２が形成され、このゲートバス２２に
直交するように複数のソースバス２３が形成されている
が、ゲートバス２２とソースバス２３とが交差するクロ
スオーバー部２４の手前でソースバス２３が分断され、
ゲートバス２２とソースバス２３とが立体的に交差しな
い構造となっている。また、クロスオーバー部２４にお
いてはゲートバス２２上に従来のものと同様に絶縁膜２
６および半導体膜２８からなる絶縁１！１２５が設けら
れている。さらに、この絶縁ＷＡ２５およびソースバス
２３を含む基板２１全面にパッジベージロン膜２９が設
けられている。また、このパッジベージロン膜２９のソ
ースバス分断Ｎ　分付近には、ソースバス２３の一部が
露出するコンタクトホール３４が形成されている。

そして、この例ではパッジベージジン模２９上に、ソー
スバス２３に沿って平行に走る帯状の導通ライン３５が
形成され、この導通ライン３５はコンタクトホール３４
，３４によって分断されたそれぞれのソースバス２３．
２３に電気的に接続されており、この導通ライン３５に
よって分断されたソースバス２３はすべて電気的に接続
され、本来の機能を持つようになる。導通ライン３５は
、アルミニウムなどからなり、薄膜トランジスタ２７の
ライトシールド３２を形成するプロセスの際に同時に形
成することがプロセスの増加を招くことがなくて好適で
ある。

このような構造の薄膜トランジスタアレイにあつては、
電気的にソースバスとして機能する導通う゛イン３５と
ゲートバス２２との間に設けられる絶縁層が絶縁膜２６
、半導体ＶＡ２８およびパッジベージロン模２９の三層
構造となるので、ピンホール等の欠陥に起因する短絡事
故が減少する。また、三層構造の絶縁層となるのでその
厚さが厚くなり、ゲートバス２２と導通ライン３５との
距離が大きくなり、ゲートバス２２と導通ライン３５と
の間の寄生容量が小さくなり、薄膜トランジスタ２７の
応答特性が向上する。さらに、導通ライン３５を＾Ｖ膜
トランジスタ２７のライトシールド３２形成時に同時に
形成すれば、全プロセス数が増加することがなく、コス
ト上昇、歩留り低下等を１０　＜ことがない。

なお、上記実施例ではソースバス２３を分断した例を示
したが、ゲートバス２２を分断してこれを導通ラインで
導通してもよいことは勿論である。

「発明の効果」以上説明したように、この発明の薄膜トランジスタアレ
イによれば、ゲートバスとソースバスとが交差するクロ
スオーバー部において、ゲートバスまたはソースバスと
導電ラインとが三層構造の絶縁層を介して交差すること
になるため、ゲートバスまたはソースバスと導通ライン
との短絡事故の発生が減少し、歩留りが改善される。ま
た、ゲートバスまたはソースバスと導通ラインとの距離
が大きくなるため、両者間の静電容量が小さくなり、こ
れによって薄膜トランジスタのゲート・ソース間の寄生
容量が減少して薄膜トランジスタの応答性が向上する。

また、導通ラインの形成を薄膜トランジスタのライトシ
ールド形成と同時に行えば、改めてプロセスを増すこと
がなく余分砧コストが必要となることもない。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図はこの発明のＡｌｉ膜トランジスタ
アレイの一例を示すもので、第１図は平面図、第２図は
第１図の■−■線断面図、第３図は第１図の■−■線断
面図、第４図ないし第６図は従来の薄膜トランジスタアレイを
示すもので、第４図は平面図、第５図は第４図の■−■
線断面図、第６図は第４図のＶｌ−■線断面図である。２Ｉ・・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・ゲート
バス、２３・・・・・・ソースバス、２４・・・・・・
クロスオーバー部、２５・・・・・・絶縁層、２７・・
・・・・薄膜トランジスタ、２９・・・・・・パッジベ
ージタン模、３５・・・・・・導通ライン。出願人　　アルプス電気株式会社第２図第３図第４区手続補正書（自制昭和６２年６月１９日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、複数のゲートバスとソースバスとが互
にクロスオーバー部において絶縁層を介して交差するよ
うに形成され、このクロスオーバー部付近の基板上に上
記ゲートバスおよびソースバスに接続されて動作する薄
膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタアレイに
おいて、ゲートバスあるいはソースバスのいずれかをクロスオー
バー部の手前で分断し、この分断したゲートバスあるい
はソースバスを上記絶縁層を覆うパッシベーション膜上
に形成した導通ラインで導通したことを特徴とする薄膜
トランジスタアレイ。
（２）上記導通ラインが薄膜トランジスタのライトシー
ルド形成と同時に形成されたものである特許請求の範囲
第１項記載の薄膜トランジスタアレイ。