JPS63252417A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は故障記憶機能付き装置に関する。

（従来の技術） 従来の装置例えば半導体製造装置などは、その装置の構
造が複雑かつ精度を要求されるため様々な内容の故障が
発生する。この様々な故障内容の故障とは、装置自体の
完全な故障の場合、その故障内容に応じて処置をしない
と復旧しないものや。

単純な物理的操作のみで復旧する場合がある。

さらに、故障修理中に有効な手段を打っていないにもか
かわらず装置が復旧したりするものがある。

（発明が解決しようとする問題点） ＩＣやＬＳＩなどの半導体製造工程の自動化生産技術は
、技術革新に伴ない著しく発達している。この生産技的
によりＩＣやＬＳＩは大量生産している。

このように大量生産するため半導体製造工場は昼・夜問
わず稼働している。即ち、ＩＣを生産する半導体製造装
置は２４時間連続稼働の状態にある。

しかしながら、この半導体製造装置、例えばプローブ装
置においては、全自動化されているため１人のオペレー
タで十数台のプローブ装置を担当している。なおかつプ
ローブ装置が２４時間稼働の場合、オペレータは三交替
制のため、同じプローブ装置でも担当が３人いることに
なる。このような状況下ではプローブ装置にトラブル即
ち故障などのエラー発生時において、このプローブ装置
の過去の故障状態がつかみにくい。このように過去の状
態がつかめないと、故障時において対応処置が都度総て
のチェックを行い故障原因を追求するため、チェック順
位により長時間を要し遅れてしまいプローブ装置の稼働
率が低下してしまうという欠点があった。又開発部門で
プローブ装置を使用する場合、１台のプローブ装置を複
数の人が共用するため、各プローブ装置の過去の状態が
把握できず、この場合でも故障発生時には対応処置が遅
れてしまう。

上記のような欠点は、プローブ装置のみならず他の半導
体製造装置にも同様な事が言える。この発明は上記点を
改善するためになされたもので、装置に起きた故障の早
期解決が可能となり、再現性の低い故障の解析にも有効
である故障記憶機能付き装置を提供するものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この発明は、稼働中に発生した故障の故障内容を記憶す
る手段を具備したことを特徴とする故障稼働中に発生し
た故障の故障内容を記憶しておくことにより、故障の報
知のあった時、まず過去の故障内容を再生表示し、この
内容からチェック順位を判定するので早期解決が可能な
場合が多く、また修復ばかりでなく再現性の低い故障の
解析にも有効である。

（実施例） 次に本発明を半導体ウェハに形成された半導体素子（チ
ップ）の電気的特性を測定する半導体ウエハプローバに
適用した一実施例を図を参照して説明する。

このウエハプローバは第２図に示す如く、主にウェハω
を収納し搬送するローダ部■とウェハ■を正確に位置決
めし電気的特性を測定する測定部■から成る。ローダ部
■としてウェハ■を例えば２５枚積載可能なカセット（
イ）に収納し、このカセットに）をカセット載置台に載
置してウェハ■を収納設置する。又このカセットに）か
らウェハ■を搬出入する真空吸着ピンセット■とウェハ
■の予備位置決めするためのプリアライメントステージ
（０が設置されている。測定部■としてウェハ■を載置
する測定ステージ■があり、この測定ステージ■には真
空吸着アーム（へ）により、プリアライメントステージ
０からウェハ■を搬送する。この測定ステージ■に載置
したウェハ■の正確な位置決めをするためのレーザ認識
機構やパターン認識機構が設定されている。又ウェハ■
に形成されたチップの電気的特性を測定するためには、
プローブカード■がインサートリングに取付けられてお
りプローブカード■には、テスタに接続している触針（
１０）が取着している。さらに、この測定により不良と
判定されたチップを認識するために、インクを押印する
インカーがインサートリングに設置されている。

このウエハブローバは予め定められたプログラムに従っ
て連続自動工程でウェハの電気的特性の測定を実行する
。これは、カセット（イ）に収納されたウェハ■の間隙
に真空吸着ピンセット■を挿入して、この挿入状態でウ
ェハ載置台を上動する。

ここで、真空吸着ピンセット■でウェハ■を吸着し、カ
セット（イ）外にウェハωを搬出する。搬出したウェハ
■を真空吸着ピンセット■を移動することによりプリア
ライメント設置位置にまで搬送する。ここでプリアライ
メントステージ０を上動することによりウェハ■をプリ
アライメントステージ０に載置する。ここでウェハ■の
オリエンテーションフラットやウェハの中心を検出し、
精度上１°位の予備位置決めを実行する。

プリアライメントステージ０でウェハ■の予備位置決め
後、真空吸着アーム（ハ）でウェハ■を吸着し、水平に
回転しウェハ■を測定ステージ■に載置する０次にレー
ザ認識機構やパターン認識機構でウェハ■の正確な位置
決めを実行する。この正確に位置決めされたウェハ■に
形成されたチップの電気的特性を測定する。これは、測
定ステージ■を順次移動してチップに形成された電極に
プロ−ブカード０に取着されたプローブ針（１０）を接
触させる。このプローブ針（１０）とテスターは接続し
ていて、チップの電極とプローブ針（１０）との接触状
態で、このチップの電気的特性を測定する。この測定で
不良と判定されたチップに対しては、インカーによりイ
ンクを付着させる。ウェハ■に形成された全チップの測
定終了後ウェハ■を元のカセットに）の位置に搬送する
。このように測定動作を続けている時には、極まれにマ
シントラブル（故障）などのエラーが発生する。この発
生したエラーに対処する如くプログラムは組まれている
。

例えばこのプログラムには、ウエハプローバの動作中で
無秩序に発生する故障などのエラーが起きた場合におい
て、ウエハプローバの動作を即座に停止する如くプログ
ラムが組まれている。このウエハプローバの動作が停止
されたと同時にウエハプローバに連結された表示パネル
例えばＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ−Ｔｕｂｅ）（
１１）やＬＥＤ　−ＬＣＤ等にエラー情報を映像する。

このエラー情報とは、例えばエラ一種別番号やエラー内
容及びシーケンス番号。

エラー発生時のプロセスプログラム内容である。

このエラー情報は上記表示と共にウエハプローバ内に設
置されているメモリ機構例えばＥＦＲＯＭに記憶する。

ここでエラー情報を記憶する際には、エラーした日時も
エラー情報と同時にメモリに記憶する。さらに過去の故
障回数も出力できるようにしてもよい、さらに故障回数
の多い順に出力表示させてもよい。さらにまた、故障内
容に応じて修復内容に応じて修復内容をメニュー予め記
憶し、修復内容を同時に表示してもよい、このメモリに
記憶された過去のエラー情報は、ウエハプローバの動作
中や動作を一時停止している時にでも閲覧可能に構成し
、このエラー情報をプリントアウトしてファイリングす
ることも可能である。

エラー情報の内容について説明すると、エラ一番号につ
いて、まず大まかな区分として例えばウェハの搬送系に
起きたエラーをｒＡＪとして、ウェハの電気的特性の測
定系に起きたエラーをｒＢＪとする。この搬送系と測定
系をｒＡＪと「Ｂ」に分けたが、さらに搬送系と測定系
の各々について細かく分類することが望ましい。例えば
ｒ’Ａ　−００１Ｊなどとするのが良い。シーケンス番
号とは、プローブ装置の各動作ごとに番号を付けるもの
である。

例えば。

■　カセットに）に収納しであるウェハ■の間隙に真空
吸着ピンセット■を挿入する。

■　カセット載置台を上昇する。

■　ウェハ■を真空吸着ピンセット■で真空吸着する。

■　ウェハ■を真空吸着ピンセット■で搬出する。

である。

エラー内容とは、プローブ装置のエラーの内容を簡潔に
示すものである。

このウエハプローバのプログラムの１部を第１図に示す
、これは、ウエハプローバが動作中（第１図（Ａ））に
何らかの原因でエラー（トラブル）が起きる（第１図（
Ｂ））、ここでウエハプローバの動作を即座に停止して
（第１図（Ｃ））、ここでウェハブローバに起きたエラ
ーをＣＲＴ（１１）に表示する（第１図（Ｄ））、ここ
で過去に起きたエラーの情報メモリ（第１図（Ｅ））を
メモリ機構からＣＲＴ（１１）に表示する。この過去の
エラー情報は選択的に表示可能とするのが望ましい、こ
れと同時に、今回起きたエラーの内容をエラー情報メモ
リに記憶する（第１図（Ｅ））。このエラー情報を参考
として、今回起きたエラーの対応処置を実行する（第１
図（Ｆ））。この対応処理によりウエハプローバが正常
に動くか確認後このウエハブローバの動作を再開する（
第１図（Ｇ））、又、エラー情報を確認する（第１図（
Ｈ））、ここでウエハブローバとホストコンピューター
とを結ぶことにより、各ウエハプローバのトラブル情況
や傾向が把握できてより速い対応処置が可能となる。こ
のエラー情報のメモリの記憶方法としてはウエハブロー
パのＣ２０のメモリに記憶しても良く、又フロッピーデ
ィスクに記憶するのも良い。

上記実施例においては、被測定体として半導体ウェハを
例にあげ、測定装置として半導体ウェハブローμについ
て説明した。しかしながら被測定体として例えば、液晶
基板、ガラス基板サーマルヘッドなどでも良く、測定装
置もこれらの被測定体に対応したものでもかまわない、
さらに他の実施例として本発明を半導体製造装置のプラ
ズマＣＶＤ装置に適用した一実施例を説明する。

このプラズマＣＶＤ装置は、第３図のように一定の圧力
に定められた反応管例えば石英反応管（２１）をヒータ
ー（２２）で加熱し、この反応管（２１）内にガスを供
給し、反応管（２１）内部に所定の間隙を設けて同軸的
に配列した各電極板（２３）に被処理体例えばウェハ（
２４）を設置して、この各電極板（２３）間に高周波電
圧を印加し、各電極板（２３）間に流入する反応ガスを
励起してプラズマエネルギーを発生させ、このエネルギ
ーによって薄膜を気相によりウェハ（２４）上に成長さ
せる装置である。

この装置においても上記実施例と同様なことがいえる。

即ち第１図を参照して説明すると、プラズマＣＶＤ装置
が動作中（Ａ）故障が起きる（８）とＣＶＤ装置の動作
を停止する（Ｃ）。ここで今回起きた故障を表示する（
Ｄ）。ここで過去に起きた故障情報が必要な場合、エラ
ー情報メモリ（Ｅ）から過去の故障状況を提供し、これ
と同時に今回のエラーを記憶する０次にエラーの対応処
ＩＩ　（Ｆ）を実行した後にＣＶＤ装置の作業動作を再
開する（Ｇ）。

この発明は上記２つの実施例に限定されるものではなく
例えば半導体ウェハ中に不純物をドーピングするイオン
注入装置や例えば真空中に材料（ターゲット）と基板（
ウェハ）を配置し、不活性ガス例えばアルゴンガスを導
入し、ターゲットと基板を取付けた基板ホルダとの間に
高圧を印加することにより放電を発生させ、その中のア
ルゴンイオンがターゲットをスパッタして基板上に所要
の薄膜を付着させるスパッタ装置などの半導体製造装置
やこれら半導体製造装置の応用装置などにも適用可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
、第２図は第１図のプログラムを実行するウエハプロー
バの図、第３図は第１図の他の実施例を説明するための
プラズマＣＶＤの図である。 １・・・ウェハ　　　　　２・・・ロータ部３・・・測
定部　　　　　１１・・・ＣＲＴ特許出願人　東京エレ
クトロン株式会社第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）稼働中に発生した故障の故障内容を記憶する手段
   を具備したことを特徴とする故障記憶機能付き装置。
2. （２）故障記憶機能付き装置は半導体製造又は検査装置
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の故
   障記憶機能付き装置。
3. （３）故障記憶機能付き装置はプローブ装置であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の故障記憶機能
   付き装置。