JPS63251937A - 光デイスク記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学式の円盤状記録媒体（以下、光ディスク
と称する。）に対し、情報の記録または再生を行う光デ
ィスク記録再生装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の光ディスク記録再生装置としては様々のものがあ
るが、例えば、光ディスクをモータで回転させ、光源か
らの光ビームをその光ディスク上に照射し、記録時には
、その光ビームの光量を変化させて記録し、再生時には
、その照射している光ビームの光量を弱い一定の光量に
し、その光ディスクからの反射光または透過光を光検出
器により検出して、記録されている信号を再生する装置
があげられる。

このような装置に用いられる光ディスクとしては、従来
より様々のものが提案されているが、例えば、アクリル
等の基板上に記録膜を形成し、その記録膜の形成された
面を内側にして、２枚張り合わせたものがある。アクリ
ル等の基板は塵埃等による再生信号への影響を除くため
の保護層として利用されている。また、記録膜の材料と
しては、光ビームの熱によって状態変化を生じるアモル
ファス金属などが知られている。

また、光ディスクのトラックピッチは１．６μｍ程度で
、トラックの形状はグループ（案内溝）と呼ばれ、グル
ープ両側での回折光強度の平衡度を検出して、トラック
追跡のためのトラッキングサーボが行われる。

以下、従来技術について詳細に説明する。

第８図は、従来の光ディスク記録再生装置における主要
部を概略的に示した説明図である。

同図において、光ディスク１は、アクリル等の基板１ａ
と、保護膜１ｂと、光源３からの光の強度に応じて感光
する記録膜２と、で構成されている。

第８図に示す様に、半導体レーザ等の光源３より発生し
た光ビーム９は、コリメートレンズ４により平行光にさ
れ、偏光ビームスプリッタ５１反射鏡６．１／４波長板
７．収束レンズ８を介して、光ディスク１上に照射され
る。また、光ディスクｌによって反射された反射光１１
は、再び収束レンズ８．１／４波長Ｆｉ、７　、反射鏡
６．偏光ビームスプリッタ５を経て、光検出器１４上に
照射される。このとき、周知のごとく、１／４波長板７
を２度、光が通過することによって、光の偏光面が９０
″回転し、偏光ビームスプリンタ５で光源３からの光と
区別されて、光検出器１４上へ反射光１１が導かれる。

光検出器１４上に照射された光は電気信号に変換され、
第８図では構成を省略したが、フォーカスサーボおよび
トラッキングサーボに用いられる。

なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭５９−５８６４１号公報等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術においては、記録密度を上げるために、光
ディスクｌのトラックピッチを小さくしようとすると、
隣接トラックからのクロストークが増加して、或る値以
下にはトラックピッチを小さくすることができず、記録
密度の高密度化に限界が生じていた。

これについて、第８図を用いて説明する。トラック１５
ｂを再生して′いるとき、トラック１５ｂからの反射光
１１は光検出器１４上に照射されているが、同時にトラ
ック１５ａ、１５ｃからの各々の反射光１０ａ、１０ｃ
も光検出器１４上に照射されており、これがクロストー
クとなって発生する（なお、クロストークは、再生時の
みならず、記録時においても発生する可能性がある。例
えば、トラックナンバーなどの書き込まれたプリフォー
マットなどに起因して発生する。）。従って、これ以上
、トラックピッチを小さくすると、光検出器１４上に照
射される反射光１０ａ、１０ｃの量も多くなるので、ク
ロストークも増加し許容範囲を越えてしまうことになる
。従って、上記従来技術では、クロストークが許容範囲
を越えない程度までしか、トラックピッチを小さくする
ことができず、記録密度が制限されていた。

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解し、隣
接トラックからのクロストークを低減し、記録密度の高
密度化が可能な光ディスク記録再生装置を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記した目的を達成するために、本発明では、光源から
の光を光ディスクの所望のトラックに向けて照射して、
その反射光を光検出手段に入射させながら、前記所望ト
ラックに対し情報の記録または再生を行う光ディスク記
録再生装置において、前記光ディスクにおける各トラッ
クを、予め、少なくとも隣接トラック同志の複屈折率が
相対的に異なるように形成しておき、そして、複屈折性
を有しその複屈折率を変化させることが可能な第１の手
段と、前記光ディスクからの反射光を入射し、その入射
光から或る特定の方向に振動する成分の光を抽出して前
記光検出手段に入射する第２の手段と、を設け、前記光
源から前記光ディスクに至る照射光または該光ディスク
から前記第２の手段に至る反射光が前記第１の手段を通
過するように該第１′の手段を配置し、前記光検出手段
に入射される前記光ディスクからの反射光のうち、前記
所望のトラックからの光の光量が常に略最大となるよう
に前記第１の手段における複屈折率を変化させるように
した。

〔作用〕

本発明では、前記光ディスクにおける光源からの光が照
射される所望のトラックと、それに隣接する隣接トラッ
クとはその複屈折率が相対的に異なるため、前記第２の
手段に入射される前記所望のトラックからの反射光と前
記隣接トラックからの反射光とは、その偏光面の角度が
異なることになり、従って、該第２の手段において、そ
れら２つの反射光の分離が可能となる。しかも、前記光
検出手段に入射される前記所望のトラックからの反射光
の光量が常に略最大となるように、前記第１の手段にお
ける複屈折率を変化させることによって、前記第２の手
段において、前記所望のトラックからの反射光は略大部
分が前記光検出手段に導かれるようになるが、前記隣接
トラックからの反射光の方は該光検出手段へ導かれず例
えば光源側に戻されてしまう。このようにして、隣接ト
ラックからのクロストークは低減されるので、前記光デ
ィスクのトラックピッチを小さくしても何ら問題はなく
、従って、記録密度の高密度化が図ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。

第１図は本発明の一実施例における主要部を概略的に示
した説明図である。

第１図において、第８図に示した従来例と同一機能を有
する部分は同一番号を付しである。その他、１２は切換
回路で、１／４波長板７に印加する電圧を切換えている
。また、１３は切換回路１２に入力される切換回路制御
信号、１６は複屈折膜、である。

本実施例において、光ディスクｌは、第１図に示す様に
基板１ａと記録膜２との間に１トラツクおきに複屈折膜
１６を設けることにより、各トラックの複屈折率を１ト
ラツクおきに相対的に変えている。すなわち、隣接トラ
ック同志（例えば、トラック１５ａと１５ｂ）は複屈折
率が相対的に異っているが、１トラツク間においたトラ
ック同志（例えば、トラック１５ａと１５０）は複屈折
率が同じとなっている。

第２図は第１図における光ディスクを概略的に示した平
面図である。

上記した１トラツクおきに相対的に複屈折率を変えた場
合の光ディスクｌは、例えば、第２図に示す如くになる
。

なお、本実施例では、この様に便宜上、２種の複屈折率
を考えているが、３種以上の複屈折率をもつ場合であっ
ても、本発明を適用し得ることは明白である。

第１図において、光源３より発生した光ビーム９はコリ
メートレンズ４により平行光にされ、偏光ビームスブリ
フタ５２反射鏡６．１／４波長板７、収束レンズ８を経
由して光ディスクｌ上に照射される。また、光ディスク
１から反射された反射光１１は、再び、収束レンズ８．
ｌ／４波長板７、反射鏡６．偏光ビームスプリンタ５を
経て、光検出器１４上に照射される。

では、本実施例の動作原理について第３図を用いて説明
する。

第３図は第１図の実施例の動作原理を説明するための説
明図である。

第３図において、各矢印は、それぞれ、９が光源３から
の光ビーム、１０は隣接トラックからの反射光、１１は
所望のトラックからの反射光であり、各々の矢印に付い
ている両方向矢印または黒点は、それぞれ、その光の偏
光面の方向（つまり、光の振動方向）を示しており、両
方向矢印は紙面に対し平行な偏光面を持つ光であり、黒
点は紙面に対し垂直な偏光面を持つ光である。

今、光源３からの光ビーム９が第１図に示す光ディスク
１のトラック１５ｂに向って照射するものとして（すな
わち、所望のトラックがトラック１５ｂであるものとし
て）説明する。また、偏光ビームスプリンタ５は、入射
される光の偏光面が、紙面に対し平行な光（すなわち、
Ｘ方向に振動する成分の光）については透過し、紙面に
対し垂直な光（すなわち、ｙ方向に振動する成分の光）
については反射する性能を持っているものとする。

さて、光源３から出射された光ビーム９が、第３図に示
す如く、紙面に平行な偏光面を持つものとすると、偏光
ビームスプリッタ５はその光を透過するため、光ビーム
９は１／４波長板７に入射される。１／４波長板７は、
複屈折性を有しており、従って、この１／４波長板７を
通過することにより、光ビーム９は例えば円偏光などに
変換され、その後、光ディスク１に照射しそして反射さ
れる。この反射の際、所望のトラック１５ｂと、その隣
接トラックである１５ａ、１５ｃとの複屈折率が前述の
如く相対的に異なっているため、所望のトラック１５ｂ
から反射された反射光１１と、隣接トラック１５ａ、１
５ｃから反射された反射光１０とはその偏光の状態が異
なることになる。

従って、それらの反射光が、再び、１／４波長板７を通
過すると、所望のトラック１５ｂからの反射光１１の方
は、偏光面が紙面に対し垂直な光となるが、隣接トラッ
ク１５ａ、１５ｃからの反射光１０の方は偏光面が紙面
に対し平行な光となり、両者の偏光面の間には、９０”
の角度差が生じる。

その結果、これら２つの反射光が偏光ビームスプリッタ
５に入射されると、所望のトラック１５ｂからの反射光
１１の方は偏光面が紙面に対し垂直なため反射され、隣
接トラック１５ａ、１５ｃからの反射光１０の方は平行
なため透過される。従っそ、隣接トラックｔｓａ、１５
Ｃからの反射光１０は光源３側に戻され、光検出器１４
には、所望のトラック１５ｂからの反射光１１しか入射
されないため、隣接トラック１５ａ、ｔりｃからのクロ
ストークを低減することができる。

なお、当然のことながら、所望のトラック１５ｂの複屈
折率と、隣接トラック１５ａ、１５Ｃの複屈折率と、１
／４波長板７の複屈折率は、各々、所望のトラック１５
ｂからの反射光１１が光検出器１４上にほぼ最大光量照
射され、隣接トラック１５ａ、１５Ｃからの反射光１０
が光源３側へほぼ完全に戻されるように、予め、設定し
ておく必要がある。

次に、光源３からの光ビーム９がトラック１５Ｃに向っ
て照射する場合（すなわち、所望のトラックがトラック
１５Ｃである場合）について考えてみる。

光源３からの光ビーム９は、前述と同様に、偏光ビーム
スプリッタ５を介して１／４波長板７に入射され、その
後、光ディスク１に照射し反射される。この反射の際、
所望のトラック１５ｃと、その隣接トラックである１５
ｂとの複屈折率が前述の如く相対的に異なっているため
、所望のトラック１５ｃから反射される反射光と、隣接
トラック１５ｂから反射される反射光とは、前述と同様
、その偏光の状態が異なることになる。

そして、これらの反射光を再び１／４波長板７に入射す
るわけであるが、しかし、このままでは、前述した、ト
ラック１５ｂを所望のトラックとした場合と全く同様で
あり、トラック１５Ｃから反射された反射光は、前述の
如く、１／４波長板７を通過すると、偏光面が紙面に対
し平行な光となって、後段にある偏光ビームスプリッタ
５を透過して光源３の方に行ってしまう。

そこで、本実施例では、トラック１５Ｃを所望のトラッ
クとする場合（すなわち、光ビーム９をトラック１５Ｃ
に向けて照射した場合）は、１／４波長板７を複屈折率
を変化させ、トラック１５ｂを所望のトラックとした場
合と異ならせることによって、この１／４波長板７通過
後、所望のトラック１５ｃからの反射光の方が、偏光面
が紙面に対し垂直な光となり、隣接トラック１５ｂから
の反射光の方が、偏光面が紙面に対し平行な光となるよ
うにしている。その結果、偏光ビームスプリッタ５によ
り、隣接トラック１５ｂからの反射光は光源３側に戻さ
れ、所望のトラック１５ｃからの反射光のみが光検出器
１４に入射される。

以上が本実施例の動作原理である。尚、上記の説明では
、光ビーム９は紙面に平行な偏光面を持ち、また、偏光
ビームスプリッタ５は、入射光の偏光面が紙面に対し平
行な光については透過し、垂直な光については反射する
ものとして、説明を行ったが本発明はこれに限定される
ものではない。

では、次に、どの様にして１７４波長板７の複屈折率を
変化させるかについて説明する。

先ず、１／４波長板７自体を、いわゆるポッケルス効果
を示すＬ　ｉ　Ｎ　ｉ　０３　にオブ酸リチウム）など
を用いて構成する。そして、その１／４は波長板７に電
圧を印加し、その印加電圧を変化させることによって複
屈折率を変化させるのである。第１図の切換回路１２が
その部分に当たる。

では、本実施例の具体的な動作について説明する。

第１図に示す様に、光ディスク１のトラック１５ｂに向
って光ビーム９が照射された場合（すなわち、所望のト
ラックがトラック１５ｂである場合）は、切換回路制御
信号１３によって切換回路１２を切り換えて、１／４波
長板７に電圧Ｅ１を印加する。この際、電圧Ｅ１の値は
、光検出器１４に入射される、所望のトラック１５ｂか
らの反射光の光量がほぼ最大となるような値に、予め設
定されている。

次に、例えば、トラック１５Ｃに向けて光ビーム９が照
射された場合（すなわち、所望のトラックがトラック１
５ｃである場合）は、同様に、切換回路制御信号１３に
よって切換回路１２を切り換えて、１／４波長板７に電
圧Ｅ２を印加する。

電圧ＥｘＯ値は、光検出器１４に入射される所望のトラ
ック１５ｃからの反射光の光量がほぼ最大となるように
予め設定されている。

尚、或る条件下では、電圧Ｅ１は約２０Ｖ、Ｅ。

はＯ■とすることによって、光検出器１４に入射される
所望のトラックからの反射光の光量をほぼ最大にするこ
とができる。

以上の様にして、切換回路１２を、切換回路制御信号１
３により、光ビーム９の照射されるトラック（すなわち
、所望のトラック）に応じて切り換え、１／４波長Ｆｉ
７に加える電圧とＥ＋またはＥｔと変化させ、１７４波
長板７の複屈折率を切り換えることにより、第３図の動
作原理で説明した如く、所望のトラックからの反射光は
光検出器１４へ、隣接トラックからの反射光は光源３へ
導いて、隣接トラックからのクロストークを低減するこ
とができる。

ところで、切換回路１２を、光ビーム９の照射されるト
ラックに応じて切り換えるためには、あらかじめ、光デ
ィスク１の各トラックに識別信号を記録しておき、それ
を光検出器１４によって反射光１１から検出し、その検
出結果に基づいて切換回路制御信号１３を作成するよう
にすれば良い。

また、本実施例では、光ディスク１からの反射光（隣接
トラックからの反射光）を光源３側へ戻すようにしてい
るので、いわゆるレーザーノイズが発生するが、光源３
に、該ノイズを抑圧するいわゆる高周波発振回路を付加
することにより、該ノイズを抑制することができる。

さて、本実施例において、前述の如く、複数のトラック
を順次、記録または再生を行う場合は、１トラツク毎に
切換回路１２を電圧Ｅ１とＥ２の間で交互に切り換える
ようにすれば良い。また、同一トラックのみを記録また
は再生する場合は、切換回路１２を、そのトラックに対
応する電圧の方に最初に切り換えておきさえすれば、後
は切り換えなくて良い。

以上は、通常の記録または再生を行う場合の動作説明で
あるが、しかし、光ディスク記録再生装置では、その他
にも、他のトラックを検索するいわゆるアクセス動作機
能が不可欠である。次に、本実施例においてこのアクセ
ス動作を行う方法について説明する。

複数のトラックをジャンプして他のトラックをアクセス
するとき、□ジャンプするトラックの数が比較的に少な
い場合は、切換回路１２を、前述と同様に、光ビーム９
の照射されるトラックに応じて電圧Ｅ、とＥ２との間で
交互に切り換えれば良い。

しかし、アクセスの際にジャンプすべきトラックの数が
多い場合は、まず、切換回路１２を切換回路制御信号１
３により電圧Ｅ、に切換え、その後、ジャンプして他の
トラックをアクセスするようにする。尚、電圧Ｅ３は次
のように選定される。

まず、光源３から偏光ビームスプリッタ５へ入射する光
ビーム９の偏光面の角度を今０”（以下、基準にする。

）として、このときに、光ビーム９は偏光ビームスプリ
ンタ５を１００％ｉ１１過するものとすると、その偏光
面の角度に対して、光ディスクｌの所望のトラックにお
いて反射された反射光１１の偏光面の角度は、相対的に
９０°変わって、光検出器１４側へ入射されるため、光
源３側から見た反射光１１の光量は０％となる。この様
子を第４図に示す。

第４図は光源３側から見た偏光ビームスプリッタ５の光
アイソレーションの度合を示した説明図である。

第４図において、横軸は、偏光ビームスプリンタ５に入
射される光ディスクから反射光の偏光面と、偏光ビーム
スプリッタ５を１００％通過する光の偏光面と、の位相
差（角度差）を示しており、また、縦軸は偏光ビームス
プリッタ５に入射される前記反射光に対する光源３側か
ら見た場合の光量の強度、を示している。

すなわち、第４図に示すように、偏光ビームスプリッタ
５における光アイソレーションの度合は略余弦関数とな
り、位相差９０″で光量の強度が０％になる。そこで、
電圧Ｅ、を、光ディスク１からの反射光の偏光面の角度
が相対的に４５６付近になるように設定する。このよう
にすると、アクセス中（すなわち、複数のトラックをジ
ャンプしている時）、いずれのトラックからの反射光も
ほぼ均等に光検出器１４へ入射されるので、詳細を省略
したがフォーカスサーボを安定に動作させることができ
る。

もし、切換回路１２を電圧Ｅ、に切り換えないで、例え
ば、電圧Ｅ、のままでアクセスを行ってしまうと、アク
セス中、光検出器１４へは１トラツクおきにしか反射光
が入射されず、従って、フォーカスサーボが不安定にな
ってしまうからである。

ただし、電圧Ｅ３にした場合は、前述した通常の記録ま
たは再生を行っているとき（すなわち、電圧Ｅ１または
Ｅ２にしているとき）に比べ、光検出器１４へ入射され
る光量が大略半減するので、フォーカスサーボ等のゲイ
ンを２倍程増しておく必要がある。

次に、第１図における光ディスク１の製造方法を簡単に
説明する。

第５図は第１図における光ディスクの一具体例を示す断
面図である。

まず、原盤ディスクから複製したレプリカ盤である基板
１ａの全面に複屈折膜１６を成膜させる。

これは、レプリカ盤である基板１ａを回転させながら、
斜め蒸着または斜めスパッタリングを行ない、面内配向
膜を形成させることにより行う。次にスピンコード法等
でフォトレジストを塗布する。

レジストを半硬化させた後、レーザービームで１トラツ
クおきに露光を行なう。さらに、スピン法などで、レプ
リカ盤である基板１ａを回転させながら現像液を吹き付
け、現像させる。レジストを完全に硬化させた後、複屈
折膜１６をエツチングする。これには複屈折膜１６に応
じて、湿式エツチング法またはドライエツチング法を用
いれば良い。そして、有機溶剤などで残りのレジストを
除去させ、その後、記録膜２を形成させれば、第５図に
示すように、１トラツクおきに複屈折膜１６を形成した
光ディスク１ができる。

なお、光ディスク１の製造工程を次のように更に節単に
することもできる。

第６図は第１図における光ディスクの製造工程を示す工
程図である。

フタロシアニン系金属錯体、Ｐ−ブチル−Ｐ′−メトキ
シアゾベンゼン系金属錯体あるいはアゾベンゼン系金属
錯体等の高分子半導体であって、金属間結合しやすい性
質を有するキレートを先ず用意し、ノボラック系のフォ
トレジストをベースにして、そのキレートを混合する。

次に、その混合物１７をレプリカ盤である基板１ａにス
ピンナを用いて回転塗布して第６図（ａ）に示す如く、
成１りさせる。

キレート等においては、金属間結合を特定方向に配向さ
せると、その配向方位と非配向方位とでは伝導帯電子の
バンド・ギャップ（’Ｂａｎｄ　Ｇａｐ）が異なり、光
により励起される自由電子数が変化するために光の屈折
率が配向方位と非配向方位とでは大きく異なる。金属間
結合を完全に行えば、添加されている金属にもよるが、
屈折率ｎはｎ＞５となり、非配向方向では一般に高分子
材料の屈折率ｎζ１．５を示す。すなわち、金属間結合
を誘導配向させれば、膜に複屈折特性をもたせることが
できる。また、配向、非配向方位の屈折率の比は、フォ
トレジストとこのキレートとの混合比あるいは配向度に
より調整できる。

次に、上記した如く、基板１ａに塗布したフォトレジス
トとキレートの混合物１７において、所望部位にのみ複
屈折特性をもたせる方法について説明する。

まず、基板１ａを回転させ、レーザスポットを照射し、
上記の混合物１７の膜を１トラツクおきに露光する。こ
のとき、レーザスポットは弱いビームと強いビームとか
らなっており、弱いビームを先行させる。

弱いビームを先行させることにより、高分子半導体自身
の光電効果を用いて金属間結合をビームの照射方向に誘
導させる。引続く強いビームにより重合を完了させ、ビ
ームの照射方向に金属間結合を配向かつ固着することに
よって、トラック線方向の屈折率がトラック幅方向の屈
折率に対して大きくなる（金属間結合部の屈折率は大き
い）ようにして、第６図（ｂ）に示す様な高複屈折帯の
パタニングを得る。

その後、第６図（Ｃ）に示す如く記録膜２を形成すれば
、１トラツクおきに複屈折膜１６を形成した光ディスク
１ができる。

次に、第７図は第１図における光ディスクの他の具体例
を示す断面図である。

この具体例では、ディスク保護層である基板１ａの表面
に複屈折膜１６を１トラツクおきに形成させるものであ
る。

製造法としては、記録膜２を蒸着した後、ディスク保護
層である基板１ａの表面に直接、複屈折膜１６を蒸着さ
せ、フォトレジストを塗布した後、１トラツクおきに露
光し、現像、複屈折膜のエツチングを行い、レジストを
除去する。

この光ディスク１においては、複屈折膜１６と保護膜１
ｂとの干渉がないという長所がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、隣接トラックからのクロストークを低
減できるので、トラックピッチをさらに小さくすること
ができ、従って、記録密度の高密度化を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における主要７部を概略的に
示した説明図、第２図は第１図における光ディスクを概
略的に示した平面図、第３図は第１図の実施例の動作原
理を説明するための説明図、第４図は第１図における偏
光ビームスプリフタの光アイソレーションの度合を示し
た説明図、第５図は第１図における光ディスクの一具体
例を示す断面図、第６図は第１図における光ディスクの
製造工程を示す工程図、第７図は第１図における光ディ
スクの他の具体例を示す断面図、第８図は従来の光ディ
スク記録再生装置における主要部を概略的に示した説明
図、である。 符号の説明 １・・・・・・光ディスク、ｌａ・・・・・・基板、１
ｂ・・・・・・保護膜、２・・・・・・記録膜、３・・
・・・・光源、５・・・・・・偏光ビ−ムスブリソタ、
７・・・・・・１／４波長板、１２・・・・・・切換回
路、１３・・・・・・切換回路制御信号、１４・・・・
・・光検出器、１６・・・・・・複屈折膜 代理人　弁理士　並　木　昭　夫 ８１図 １１２　　図 第３図 １ＩＩＡ図 （Ｅ３） １１５図 ン １α 第６図 ＣＬ 第　７図 １ｕ　　　　ｔ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光源からの光を光ディスクの所望のトラックに向け
   て照射して、その反射光を光検出手段に入射させながら
   、前記所望トラックに対し情報の記録または再生を行う
   光ディスク記録再生装置において、 前記光ディスクにおける各トラックを、予め、少なくと
   も隣接トラック同志の複屈折率が相対的に異なるように
   形成しておくと共に、複屈折性を有しその複屈折率を変
   化させることが可能な第１の手段と、前記光ディスクか
   らの反射光を入射し、その入射光から或る特定の方向に
   振動する成分の光を抽出して前記光検出手段に入射する
   第２の手段と、を設け、前記光源から前記光ディスクに
   至る照射光または該光ディスクから前記第２の手段に至
   る反射光が前記第１の手段を通過するように該第１の手
   段を配置し、前記光検出手段に入射される前記光ディス
   クからの反射光のうち、前記所望のトラックからの光の
   光量が常に略最大となるように前記第１の手段における
   複屈折率を変化させることを特徴とする光ディスク記録
   再生装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の光ディスク記録再生
   装置において、前記光ディスクにおける或る所望のトラ
   ックに照射されている光を、次の所望のトラックに照射
   するために移動させる際、それらのトラック同志の間に
   他のトラックが存在することによって或る間隔以上隔た
   っている場合は、前記光検出手段に入射される前記光デ
   ィスクからの反射光が、いずれのトラックにおいても略
   均等の光量となるように前記第１の手段における複屈折
   率を変化させることを特徴とする光ディスク記録再生装
   置。