JPS63251905A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高密度磁気記録に適する磁気ヘッドに係り、特
に記録能力がすぐれ、高線記録密度が達成できる磁気ヘ
ッドに関する。

〔従来の技術〕

近年の磁気記録の高密度化、高性能化は著しい。

ｍ位ビットあたりの面積の減少に伴って、記録再生に使
われる磁気△、ラッド寸法の縮小化が図られてきている
。第３図に、高密度磁気記録に適用される薄膜磁気ヘッ
ドの一例を示す。薄膜磁気ヘッドは、ＺｒＯ２，ＡＱ　
２０３−ＴｉＣ等の非磁性基板上３１に、Ｎｉ−Ｆｅ、
ＣｏＴａＺｒ非晶膜等の下部磁極３２を形成し、ＳｉＯ
２，ＡＱ２０３のギャップ！３３、Ｃｕ、ＡＱ等の導体
コイル３４、ＰＩＱ　（日立化成社製ポリイミド系樹脂
の商標名）等のポリイミド系樹脂からなる有機絶縁層３
５、Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ、ＣｏＴａＺｒ非晶質膜等の上部
磁極３６からなっている。磁気ヘッドでは、高トラツク
密度化に対して、トラック幅の縮小化。

高線記録密度化に対して、ギャップ長Ｑの縮小化で対応
している。

しかし、ギャップ長Ｑが小さくなると、上部磁極、下部
磁極が接近し、対向面Ａの部分で磁束線がもれて、磁極
先端で充分な磁場が発生しないため、記録能力が低下す
るという問題が生じた。

この問題に対し、特開昭５７−１２０２２１では、ギャ
ップ層に超伝導体を適用した。ギャップ層に超伝導体を
用いると、マイスナー効果によって磁極を通ってきた磁
束線はギャップ層内部に侵入せず、上下磁極の対向面で
もれることなく、磁極先端に効率的に集中させることが
できる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし磁極と超伝導体が直接に接触すると近接効果のた
め、超伝導性が一部破壊され、超伝導物質は完全なマイ
スナー効果を示さず、磁束線がギャップ層内にもれて、
磁極先端部で磁場が充分発生できないという問題が生じ
る。

本発明の目的は、磁極と超伝導体の接触による近接効果
を排除し、磁極先端で充分な磁場を発生し記録能力のす
ぐれた磁気ヘッドを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、磁気ヘッドの磁極コアと、超伝導体ででき
たギャップ層の間に、ＳｉＯ，ＳｉＯ２゜Δ・Ｑ２ｏ０
等の絶縁膜を膜厚３ｎｍ以上１１００ｎ以下設けること
によって達成される。

〔作用〕

ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＡＱ２０３等の絶縁膜又は常磁性膜
は、磁極磁性体と超伝導体とが直接に接触しないように
する。それによって、超伝導性が全く破壊されず、磁気
ヘッドの磁束を効率よく磁極先端に集中させることがで
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

実施例１゜ 第１図に、本発明による薄膜磁気ヘッドの断面図を示す
。本発明の薄膜ヘッドは、ＺｒＯ２。

ＡＱ２０３−ＴｉＣ等の非磁性基板１１上に、Ｎｉ−Ｆ
ｅ、ＣｏＴａＺｒ非晶質膜等の下部磁極１２を形成する
。下部磁極の上にＳｉＯ，５ｉ０２゜ＡＱ２０３等から
なる絶縁膜１３を形成する。その上に、Ｂａ□、Ｂ　Ｙ
□、　４　ＣｕＯ３゜（Ｂａ□、　ｅ　Ｙｏ、　４　）
　３　Ｃｕ　２０７’１（Ｓｒ□、　６７６　Ｌａ（１
，９２５）　２　ＣｕＯ４等の超伝導体膜１４をスパッ
タリング法によって形成し、さうｌｃソ（７）上ニｓ　
ｉ　Ｏ，Ｓ１０２　、　Ａ　Ｑ　２０３等からなる絶縁
膜１５を形成する６さらに、Ｃｕ。

ＡＱ等の導体コイル１６、ＰＩＱ　（日立化成社製ポリ
イミド系樹脂の商標名）等のポリイミド系樹脂からなる
有機絶縁層１７、Ｎｉ−Ｆｅ。

ＣｏＴａＺｒ非晶質膜等の上部磁極１８を形成する。

薄膜ヘッドの作製は、スパッタリング法、蒸着法で膜形
成を行ない、パターニングは、公知のホトリソグラフィ
技術を用いておこなった。Ｓｉｎ。

５ｉ０２．ＡΩ２０３の膜厚は、絶縁膜として機能する
３ｎｍ以上が望ましいが、厚くしすぎるとギャップ長が
大きくなるので１１００ｎ以下が望ましい、また、超伝
導体膜の膜厚は、磁場の侵入距離よりも大きい必要があ
るから２０ｎｍ以上が望ましいが、厚くすると、ギャッ
プ長が大きくなるので３００ｎｍ以下がのぞましい。

本発明のヘッドを液体窒素温度を冷却して記録再生特性
を測定した。

ギャップ層として、ＡＱ２０３を使用し、寸法、磁気コ
ア材が本発明ヘッドと同一の薄膜ヘッドと比較した時、
ＣＯ−γＦｅ２Ｏ３の塗布媒体（保磁力５（ＬＯＯｅ、
膜厚０．８μｍ）では、０／Ｗ特性で、本発明のヘッド
は８ｄＢの向上を示しており、記録能力の向上が図られ
た。

実施例２゜ 第２図に、本発明による複合型磁気ヘッドの製造方法を
示している。この複合型磁気ヘッドは、ギャップ層の構
成以外は、特開昭５８−１５５５１３に示されたもので
ある。第２図（イ）において溝２１を有するＭｎ−Ｚｎ
フェライト。

あるいはＮｉ−Ｚｎフェライトの基板２２を用意する。

第２図（ロ）において該基板面全面にフェライトより飽
和磁束密度の高い全屈磁性体膜２４を高周波２極スパツ
タ法により形成した。金属磁性体は、Ｆｅ−３ｉ　　（
Ｓ　ｉ　６．５重量％）、Ｆｅ−ＡＱ−８ｐ合金（セン
ダスト）、ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）、Ｆｅ−Ｃ等で
代表される結晶質合金であり、非晶質合金としては、Ｃ
ｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、ＣｏＴａＺｒ等のメタル−メタル系合
金が用いられる。第２図（ハ）において、溝いを埋める
ごとくガラス２４を充填し、複合ブロック２５を作製し
た。次に第２図（ニ）においてギャップ形成面２６を研
削、研磨し、第２図（ホ）において巻線窓用溝２７を加
工した。そして、さらにギャップ形成面に、Ｓｉ○、５
ｉｏ２゜ＡＱ　２０．等からなる絶縁膜をスパッタ法に
よって形成し、その上に、　ＢａＯ，Ｂ　Ｙ□、　４　
ＣｕＯ３ｐ（Ｂａ□、ｏ　Ｙｏ、　４　）　３　Ｃｕ　
２０７　ｔ（Ｓｒ□、　０７　Ｓ　Ｌａ□、　９２６）
　２　ＣｕＯ４等の超伝導体膜をスパッタリング法によ
って形成し、ギャップ層とした。ギャップ形成面に形成
する絶縁膜。

超伝導体膜の膜厚は、実施例１と同様の理由で、それぞ
れ３ｐｍ以上１０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以
下が望ましい。以上のようにして、磁気へラドコア半休
ブロック２８を作製した。次に第２図（へ）において、
磁気ヘッドコア半休ブロック２８．２８’　をギャップ
材を介して相対峙させ溝に充填したガラス２４を加熱す
ることにより溶融・結合させ、結合ブロック２９を作製
した。

その後第２図（へ）に示した鎖線部を切断して第２図（
ト）に示した磁気ヘッドを得た。本ヘッドにおいても実
施例−と同等の記録能力の向上が図られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気ヘッドの磁極を通る磁束線を効率
的に磁極先端に集中させることができるため、記録能力
のすぐれた磁気ヘッドを得ることができる。また、ギャ
ップ長を小さくしても記録能力が低下しないことから、
磁気記録の高線記録密度化が達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図
、第２図は、本発明の一実施例の複合型磁気ヘッドの製
造過程の斜視図である。第３図は。 従来例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。 １２・・・下部磁極、１３．１５・・・絶縁膜、１４・
・・超伝導体膜、１８・・・上部磁極。 （へ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　（υ２ざ
　　２ｒ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、リング型磁気ヘッドのギャップの少なくとも一部に
   磁気ヘッドの磁性体と直接接触しないように配置された
   超伝導体膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 ２、上記超電導体膜が絶縁膜で狭まれていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。 ３、上記絶縁膜の膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
   ヘッド。 ４、上記超伝導体膜の膜厚が２０ｎｍ以上、３００ｎｍ
   以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
   し第３項のいずれかに記載の磁気ヘッド。 ５、上記絶縁膜がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿３
   のいずれか一種であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁気ヘッド。 ６、上記超伝導体膜がＣｕまたはＡｇの酸化物系の材料
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
   ５項のいずれかに記載の磁気ヘッド。 ７、上記超伝導体膜がＢａ＿０＿．＿６Ｙ＿０＿．＿４
   ＣｕＯ＿３、（Ｂａ＿０＿．＿６Ｙ＿０＿．＿４）＿３
   Ｃｕ＿２Ｏ＿７、（Ｓｒ＿０＿．＿０＿７＿５Ｌａ＿０
   ＿．＿９＿２＿５）＿２ＣｕＯ＿４のいずれか一種であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項
   のいずれかに記載の磁気ヘッド。