JPS63249313A - 誘電体膜の製造法 - Google Patents
誘電体膜の製造法Info
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- JPS63249313A JPS63249313A JP62083233A JP8323387A JPS63249313A JP S63249313 A JPS63249313 A JP S63249313A JP 62083233 A JP62083233 A JP 62083233A JP 8323387 A JP8323387 A JP 8323387A JP S63249313 A JPS63249313 A JP S63249313A
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
半導体装置、積層薄膜コンデンサ装置、エレクトロルミ
ネセンス装置などに用いられる誘電体膜製造法に関する
。
ネセンス装置などに用いられる誘電体膜製造法に関する
。
従来の技術
導電性を有する被付着体上にスパッタリング法で部分的
に誘電体膜を形成する方法は、一般的である。例えば、
酸化物膜、窒化物膜が金属膜上あるいは、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）膜上に形成される。半導体装置における
ゲート酸化物層や、コンデンサ用誘電体層、あるいは、
エレクトロルミネセンス装置における絶縁体層を形成す
るために広く用いられている製造法である。スパッタリ
ング法としては、金属ターゲットとして例えばシリコン
やタンタルを用いてアルゴンと酸素するいは窒素との混
合ガスをスパッタガスとして用いてス、パフタして酸化
ケイ素、窒化ケイ素、五酸化タンタル膜を金属板あるい
は、ＸＴ−０膜付きガラス基板上に形成する反応性スパ
ッタリング法やターゲットとして酸化物あるいは窒化物
のセラミックターゲットを用いた高周波マグネトロンス
パッタリング法がある。
に誘電体膜を形成する方法は、一般的である。例えば、
酸化物膜、窒化物膜が金属膜上あるいは、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）膜上に形成される。半導体装置における
ゲート酸化物層や、コンデンサ用誘電体層、あるいは、
エレクトロルミネセンス装置における絶縁体層を形成す
るために広く用いられている製造法である。スパッタリ
ング法としては、金属ターゲットとして例えばシリコン
やタンタルを用いてアルゴンと酸素するいは窒素との混
合ガスをスパッタガスとして用いてス、パフタして酸化
ケイ素、窒化ケイ素、五酸化タンタル膜を金属板あるい
は、ＸＴ−０膜付きガラス基板上に形成する反応性スパ
ッタリング法やターゲットとして酸化物あるいは窒化物
のセラミックターゲットを用いた高周波マグネトロンス
パッタリング法がある。
発明が解決しようとする問題点
金属板あるいは金属膜付き絶縁基板あるいは、！τ０膜
付きガラス基板を導電性被付着体として用いてスパッタ
リング法で誘電体膜を形成する際、導電性被付着体の付
着面に放電異常により大きな欠陥を生じさせる問題点が
ある。またＩテ０膜付きガラス基板では、絶縁性マスク
を用いることによりミ気的開放状態にしてスパッタリン
グしなければ誘電体膜を成膜した際ＩＴＯ透明導電膜が
黒化する。しかしながら、この場合、透光性を確保する
ために絶縁性マスクを用いた場合には、局°所的に放電
現象が起と＃）ＩＴＯ膜と誘電体膜−を破壊して第３図
、第４図に示したような点欠陥あるいは、樹枝状欠陥を
形成する問題点がある。
付きガラス基板を導電性被付着体として用いてスパッタ
リング法で誘電体膜を形成する際、導電性被付着体の付
着面に放電異常により大きな欠陥を生じさせる問題点が
ある。またＩテ０膜付きガラス基板では、絶縁性マスク
を用いることによりミ気的開放状態にしてスパッタリン
グしなければ誘電体膜を成膜した際ＩＴＯ透明導電膜が
黒化する。しかしながら、この場合、透光性を確保する
ために絶縁性マスクを用いた場合には、局°所的に放電
現象が起と＃）ＩＴＯ膜と誘電体膜−を破壊して第３図
、第４図に示したような点欠陥あるいは、樹枝状欠陥を
形成する問題点がある。
問題点を解決するための手段
本発明では、導電性を有する被付着体にスパッタリング
により誘電体膜を付着する際、スパッタリング工程と除
電工程を交互に行なうことＫよシ誘電体膜を製造する。
により誘電体膜を付着する際、スパッタリング工程と除
電工程を交互に行なうことＫよシ誘電体膜を製造する。
作用
スパッタリング法で導電性被付着体に誘電体膜 ′を製
造する場合、放電を開始するに至る電荷量に達する前に
除電工程により電荷を補償し放電を防止し導電性被付着
体と誘電体膜の変質、欠陥発生を防止する。
造する場合、放電を開始するに至る電荷量に達する前に
除電工程により電荷を補償し放電を防止し導電性被付着
体と誘電体膜の変質、欠陥発生を防止する。
実施例
実施例１
第１図に本発明にがかる一実施例を示す。被付着体１と
して酸化インジウム錫（ＩＴＯ）透明電極を付けたガラ
ス基板を用い、誘電体膜を付着させる部分以外を絶縁性
ガラスマスク２で覆った。
して酸化インジウム錫（ＩＴＯ）透明電極を付けたガラ
ス基板を用い、誘電体膜を付着させる部分以外を絶縁性
ガラスマスク２で覆った。
被付着体とガラスマスクは、搬送治具３に設置し、誘電
体セラミックターゲット４の上を矢印方向に移動し、次
にイオンビームを被付着体に照射する機構を用いた除電
領域５を通過させ、次に再び誘電体セラミックターゲッ
ト６を通過し、さらに除電領域７を通過させた。この時
、スパッタガスとしては、アルゴンと酸素の混合ガスを
用い、スパッタリング方式は、高周波プレーナー（平板
型）マグネトロンスパッタリング法を用いた。基板は、
加熱ヒーターＴ８によって、２ｏｏ℃〜６ｏｏ℃までの
範囲で加熱された。スパッタ中のガス圧は、５Ｘ１０
ＴＯｒｒ 〜２Ｘ１０ ＴＯｒｒとした。従来では
、誘電体膜を成膜したＩτ０電極上で放電によル絶ｉ破
壊し九点欠陥（第３図）あるいは、樹枝状欠陥（第４図
）が発生していたが、除電領域を設置したことによりこ
れらの欠陥が消滅し、誘電特性が広範囲で安定した。誘
電体セラミックターゲットとしては、Ｓｉ、Ｎ４．ムｌ
！２０． 、ＴＩＬ２０５ ＃ＳｒＴ ｉＯＰ ｂ Ｔ
Ｌ Ｏｓ −Ｂ ＩＬＴＩＬ ２０６− Ｐ ｂＮｂ
２０６等′酸化物。
体セラミックターゲット４の上を矢印方向に移動し、次
にイオンビームを被付着体に照射する機構を用いた除電
領域５を通過させ、次に再び誘電体セラミックターゲッ
ト６を通過し、さらに除電領域７を通過させた。この時
、スパッタガスとしては、アルゴンと酸素の混合ガスを
用い、スパッタリング方式は、高周波プレーナー（平板
型）マグネトロンスパッタリング法を用いた。基板は、
加熱ヒーターＴ８によって、２ｏｏ℃〜６ｏｏ℃までの
範囲で加熱された。スパッタ中のガス圧は、５Ｘ１０
ＴＯｒｒ 〜２Ｘ１０ ＴＯｒｒとした。従来では
、誘電体膜を成膜したＩτ０電極上で放電によル絶ｉ破
壊し九点欠陥（第３図）あるいは、樹枝状欠陥（第４図
）が発生していたが、除電領域を設置したことによりこ
れらの欠陥が消滅し、誘電特性が広範囲で安定した。誘
電体セラミックターゲットとしては、Ｓｉ、Ｎ４．ムｌ
！２０． 、ＴＩＬ２０５ ＃ＳｒＴ ｉＯＰ ｂ Ｔ
Ｌ Ｏｓ −Ｂ ＩＬＴＩＬ ２０６− Ｐ ｂＮｂ
２０６等′酸化物。
３＃
窒化物を用いた。
実施例２
前記の第１図において示した除電領域の除電機構とは異
なる除電方法を示す。除電領域では、イオンビームを照
射するかわシに第２図に示したように１丁０透明電極１
！Ｌの付いたガラス基板１ｂの被付着０体にスパッタリ
ングにより誘電体膜を形成した際絶縁性マスクの内側に
設けたメタルマスク９を接地することにより除電する。
なる除電方法を示す。除電領域では、イオンビームを照
射するかわシに第２図に示したように１丁０透明電極１
！Ｌの付いたガラス基板１ｂの被付着０体にスパッタリ
ングにより誘電体膜を形成した際絶縁性マスクの内側に
設けたメタルマスク９を接地することにより除電する。
この方法を用いることにより、被付着体表面でスパッタ
リング中の放電異常が発生せず実施例１と同様の効果が
得られた。具体的には、第２図に示したようにガラスマ
スク２とメタルマスク９を両者ともガラス基板１ｂに設
置し、スパッタリング領域では、′メタルマスク９は電
気的に開放状態とし、除電領域でアース電位になるよう
Ｋした。この際、スパッタリング時に絶縁性のガラスマ
スクがメタルマスクよシ付着面の外側に出ていることに
よりマスフ端での点欠陥発生を防止した。
リング中の放電異常が発生せず実施例１と同様の効果が
得られた。具体的には、第２図に示したようにガラスマ
スク２とメタルマスク９を両者ともガラス基板１ｂに設
置し、スパッタリング領域では、′メタルマスク９は電
気的に開放状態とし、除電領域でアース電位になるよう
Ｋした。この際、スパッタリング時に絶縁性のガラスマ
スクがメタルマスクよシ付着面の外側に出ていることに
よりマスフ端での点欠陥発生を防止した。
実施例３
実施例１と同様にスパッタリングにより誘電体膜を形成
する第１工程とイオンビーム照射による第２工程を第６
図に示すような装置を用いて、導−電性被付着体を矢印
方向に往復させ交互に行なった。この場合も実施例１と
同様に、均一で欠陥の少ない誘電体膜を導電性被付着体
上に形成できることを確認した。
する第１工程とイオンビーム照射による第２工程を第６
図に示すような装置を用いて、導−電性被付着体を矢印
方向に往復させ交互に行なった。この場合も実施例１と
同様に、均一で欠陥の少ない誘電体膜を導電性被付着体
上に形成できることを確認した。
発明の効果
本発明により、導電性基板あるいは透明導電膜付きガラ
ス基板上に無欠陥の誘電体膜を製造でき、半導体装置、
エレクトロルミネセンス装置用高信頼性誘電体膜を供給
できる。
ス基板上に無欠陥の誘電体膜を製造でき、半導体装置、
エレクトロルミネセンス装置用高信頼性誘電体膜を供給
できる。
第１図は本発明にかかる誘電体膜製造法の一実施例を示
す概要図、第２図は本発明にかかる一実施例の説明図、
第３図、第４図は従来の誘電体膜製造法を用いた不良モ
ードをそれぞれ示した図、第６図は本発明にかかる誘電
体膜製造法の一実施例を示す概要図である。 １・・・・・・導電性被付着体、２・・・・・・ガラス
マスク、ａ・・・・・・搬送治具、４・・・・・・誘電
体セラミックターゲット。 ｆ−一雫１電＋Ｖイーーイ】−号１１λに２−−−１１
フス７χり ５．７−−−イ不ソピ゛−４ ８−−−Ｊｒｊ舶こ一タ 第 ２ 図 ９−□メタル７λり 第３図 第４図 １−＠電Ｊ・主波イｎ（玉 ４−ｆｘ４ｔｉ本でうＺ・ン７ターゲｌト５−−−４Ｔ
ンど−４
す概要図、第２図は本発明にかかる一実施例の説明図、
第３図、第４図は従来の誘電体膜製造法を用いた不良モ
ードをそれぞれ示した図、第６図は本発明にかかる誘電
体膜製造法の一実施例を示す概要図である。 １・・・・・・導電性被付着体、２・・・・・・ガラス
マスク、ａ・・・・・・搬送治具、４・・・・・・誘電
体セラミックターゲット。 ｆ−一雫１電＋Ｖイーーイ】−号１１λに２−−−１１
フス７χり ５．７−−−イ不ソピ゛−４ ８−−−Ｊｒｊ舶こ一タ 第 ２ 図 ９−□メタル７λり 第３図 第４図 １−＠電Ｊ・主波イｎ（玉 ４−ｆｘ４ｔｉ本でうＺ・ン７ターゲｌト５−−−４Ｔ
ンど−４
Claims (5)
- （１）電気的に開放状態にした導電性を有する被付着体
にスパッタリングにより誘電体膜を形成する第１工程と
該被付着体の被付着面を除電する第２工程とを交互に複
数回行うことを特徴とする誘電体膜の製造法。 - （２）第１工程において絶縁性マスクを用いて前記被付
着体の一部に誘電体膜を形成することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の誘電体膜の製造法。 - （３）第２工程において被付着体にイオンビームを照射
することにより行うことを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の誘電体膜の製造法。 - （４）第２工程において被付着体の導電性を有する部分
を電気的に接地することを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の誘電体膜の製造法。 - （５）導電性を有する被付着体として透明導電膜付きガ
ラス基板を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項、第３項又は第４項記載の誘電体膜の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083233A JPH0810662B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 誘電体膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083233A JPH0810662B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 誘電体膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249313A true JPS63249313A (ja) | 1988-10-17 |
| JPH0810662B2 JPH0810662B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=13796607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083233A Expired - Lifetime JPH0810662B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 誘電体膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810662B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62083233A patent/JPH0810662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810662B2 (ja) | 1996-01-31 |
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