JPS63247726A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS63247726A JPS63247726A JP8196187A JP8196187A JPS63247726A JP S63247726 A JPS63247726 A JP S63247726A JP 8196187 A JP8196187 A JP 8196187A JP 8196187 A JP8196187 A JP 8196187A JP S63247726 A JPS63247726 A JP S63247726A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野j
この発明は、数字等を表示パターンとする液晶表示素子
(LCD)に関する。
(LCD)に関する。
「従来の技術」
従来、この種の液晶表示素子として、例えば第2図に示
す構造のものが知られている。第2図において符号Iは
ネガ表示の液晶表示素子である。
す構造のものが知られている。第2図において符号Iは
ネガ表示の液晶表示素子である。
この液晶表示素子1は、液晶セル2と、該液晶セル2の
上面および下面にそれぞれ貼着された偏光板3.3とか
らなっている。液晶セル2は、上ガラス基板4と下ガラ
ス基板5との間に液晶層6を形成し、シール材7によっ
て液晶層6を気密に封止したものである。上ガラス基板
4には、その内面に表示パターンAを形成するセグメン
ト電極8.8・・・が形成され、さらにこれら玉ガラス
基板4内面およびセグメント電極8.8・・・を覆って
配向膜9が形成されている。下ガラス基板5の内面には
コモン電極IOが形成され、このコモン電極10上の上
記表示パターンAを除く部分にはクロムからなる遮光用
のマスク層11.11・・が形成されている。さらに、
コモン電極10およびマスク層11、+1・・・には、
これらを覆って配向膜I2が形成されている。そして、
上ガラス基板4の配向膜9と下ガラス基板5の配向膜1
2との間には、液晶が充填されて液晶層6か形成されて
いる。
上面および下面にそれぞれ貼着された偏光板3.3とか
らなっている。液晶セル2は、上ガラス基板4と下ガラ
ス基板5との間に液晶層6を形成し、シール材7によっ
て液晶層6を気密に封止したものである。上ガラス基板
4には、その内面に表示パターンAを形成するセグメン
ト電極8.8・・・が形成され、さらにこれら玉ガラス
基板4内面およびセグメント電極8.8・・・を覆って
配向膜9が形成されている。下ガラス基板5の内面には
コモン電極IOが形成され、このコモン電極10上の上
記表示パターンAを除く部分にはクロムからなる遮光用
のマスク層11.11・・が形成されている。さらに、
コモン電極10およびマスク層11、+1・・・には、
これらを覆って配向膜I2が形成されている。そして、
上ガラス基板4の配向膜9と下ガラス基板5の配向膜1
2との間には、液晶が充填されて液晶層6か形成されて
いる。
ところで、このような液晶表示素子1を作製するには、
まず上ガラス基板4の内面にセグメント電極8.8・・
・を形成し、さらに該ガラス基板4内面およびセグメン
ト電極8.8・・・を覆ってポリイミドを印刷塗布し、
これを加熱乾燥して配向膜9を形成する。また、下ガラ
ス基板5の内面にコモン電極10を形成し、さらにこの
上にクロムなどをスパッタリングして厚さ120nm程
度のマスク層11,11・・・を形成する。そして、こ
れらコモン電極lOおよびマスク層jl、+1・・・を
覆って上記の上ガラス基板4の場合と同様に配向膜!2
を形成する。次に、両ガラス基板4.5に形成した配向
膜9.12にラビングを施して配向処理を行う。次いで
、両ガラス基板4.5をそれぞれに形成したセグメント
電極8.8・・・とコモン電極lOとが対向するように
配置し、これら両ガラス基板4.5をシール材7を介し
て貼り合わせてセルを形成する。その後、このセルに液
晶を充填して液晶セル2を形成し、さらに上ガラス基板
4および下ガラス基板5の外面にそれぞれ偏光板3.3
を貼着して液晶表示素子lを得る。
まず上ガラス基板4の内面にセグメント電極8.8・・
・を形成し、さらに該ガラス基板4内面およびセグメン
ト電極8.8・・・を覆ってポリイミドを印刷塗布し、
これを加熱乾燥して配向膜9を形成する。また、下ガラ
ス基板5の内面にコモン電極10を形成し、さらにこの
上にクロムなどをスパッタリングして厚さ120nm程
度のマスク層11,11・・・を形成する。そして、こ
れらコモン電極lOおよびマスク層jl、+1・・・を
覆って上記の上ガラス基板4の場合と同様に配向膜!2
を形成する。次に、両ガラス基板4.5に形成した配向
膜9.12にラビングを施して配向処理を行う。次いで
、両ガラス基板4.5をそれぞれに形成したセグメント
電極8.8・・・とコモン電極lOとが対向するように
配置し、これら両ガラス基板4.5をシール材7を介し
て貼り合わせてセルを形成する。その後、このセルに液
晶を充填して液晶セル2を形成し、さらに上ガラス基板
4および下ガラス基板5の外面にそれぞれ偏光板3.3
を貼着して液晶表示素子lを得る。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、上記の液晶表示素子lにあっては、以下
に述べるような不都合がある。
に述べるような不都合がある。
この液晶表示素子lを作製するに際し、ポリイミドを印
刷塗布して配向膜を形成する場合、マスク層11とコモ
ン電極lOとの境界部においてポリイミドがはじかれて
ポリイミドが充分に塗布されない部分Bが生じる。これ
によって例えば第3図に示すようにポリイミドが上記境
界部Bを覆うことなく塗布されて被覆むらを有する配合
膜12を形成してしまうという恐れがある。そして、こ
のように被覆むらを有する配合膜12を形成した液晶表
示素子lでは、表示パターン八周縁部での液晶の配向膜
れが生じるため、ディスクリネーションや逆ドメイン現
象等が発生し、これにより表示品位の劣化を引き起こす
。
刷塗布して配向膜を形成する場合、マスク層11とコモ
ン電極lOとの境界部においてポリイミドがはじかれて
ポリイミドが充分に塗布されない部分Bが生じる。これ
によって例えば第3図に示すようにポリイミドが上記境
界部Bを覆うことなく塗布されて被覆むらを有する配合
膜12を形成してしまうという恐れがある。そして、こ
のように被覆むらを有する配合膜12を形成した液晶表
示素子lでは、表示パターン八周縁部での液晶の配向膜
れが生じるため、ディスクリネーションや逆ドメイン現
象等が発生し、これにより表示品位の劣化を引き起こす
。
「問題点を解決するための手段」
そこでこの発明の液晶表示素子では、配向膜の下層に有
機シラン膜を形成したことにより上記問題点を解決した
。
機シラン膜を形成したことにより上記問題点を解決した
。
「作用」
この発明の液晶表示素子は、配向膜の下層に有機シラン
膜を形成したので、有機シランが親水性および親油性の
両性を有していることから、その親油性により有機シラ
ンが膜形成時に上述の電極とマスク層との境界部にも良
好に被覆され、かつその親水性により該有機シラン膜上
に配向膜を該配向膜の表面張力に抗して良好に被覆せし
める。
膜を形成したので、有機シランが親水性および親油性の
両性を有していることから、その親油性により有機シラ
ンが膜形成時に上述の電極とマスク層との境界部にも良
好に被覆され、かつその親水性により該有機シラン膜上
に配向膜を該配向膜の表面張力に抗して良好に被覆せし
める。
「実施例」
第1図はこの発明の液晶表示素子の一実施例を示す図で
ある。この図において、第2図に示す構成要素と同一の
要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
ある。この図において、第2図に示す構成要素と同一の
要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
第1図に示した液晶表示素子が第2図に示した液晶表示
素子lと異なるところは、配向膜の下層に有機シラン膜
を形成した点である。
素子lと異なるところは、配向膜の下層に有機シラン膜
を形成した点である。
第1図において液晶セル2の下ガラス基板5内面には、
コモン電極10およびマスク層11,11・・・を覆っ
てトリメチルシランなどからなる有機シラン膜13が形
成されており、この有機シラン膜13上に配向膜12が
形成されている。
コモン電極10およびマスク層11,11・・・を覆っ
てトリメチルシランなどからなる有機シラン膜13が形
成されており、この有機シラン膜13上に配向膜12が
形成されている。
このような構造の液晶表示素子1を作製するには、まず
下ガラス基板5のコモン電極IOおよびマスク層11,
11・・・上に例えばトリメチルシラン(日本曹達(株
)製 アトロンTMS )をディッピングにより塗布し
、乾燥して有機シラン膜13を形成する。
下ガラス基板5のコモン電極IOおよびマスク層11,
11・・・上に例えばトリメチルシラン(日本曹達(株
)製 アトロンTMS )をディッピングにより塗布し
、乾燥して有機シラン膜13を形成する。
次に、上ガラス基板4上および下ガラス基板5の有機シ
ラン膜I3上にそれぞれポリイミドを厚さ80〜110
0n程度に印刷塗布し、180℃で約20分間加熱乾燥
して配向膜9.12を形成する。この場合に配向膜12
は、有機シラン膜13が親油性と親水性を有しているこ
とから、この有機シラン膜13の表面上に良好に被覆さ
れる。
ラン膜I3上にそれぞれポリイミドを厚さ80〜110
0n程度に印刷塗布し、180℃で約20分間加熱乾燥
して配向膜9.12を形成する。この場合に配向膜12
は、有機シラン膜13が親油性と親水性を有しているこ
とから、この有機シラン膜13の表面上に良好に被覆さ
れる。
次いで、これら配向膜9.12に配向処理を行い、上ガ
ラス基板4と下ガラス基板5とをシール材7を介して貼
り合わせてセルを形成する。その後、このセルに液晶を
充填して液晶セル2を形成し、さらに偏光板3.3を貼
着して液晶表示素子lを得る。
ラス基板4と下ガラス基板5とをシール材7を介して貼
り合わせてセルを形成する。その後、このセルに液晶を
充填して液晶セル2を形成し、さらに偏光板3.3を貼
着して液晶表示素子lを得る。
このような液晶表示素子1にあっては、親油性および親
水性の両性を有する有機シラン膜13を配向膜12の下
層に形成したので、配向膜12が第3図に示したように
境界部Bで非被覆部を形成することなく、有機シラン膜
I3を介してコモン電極IOおよびマスク層11.11
・・・上に良好に被覆し、これにより上述の配向膜12
の被覆むらに起因する表示品位の劣化等を防止すること
ができる。
水性の両性を有する有機シラン膜13を配向膜12の下
層に形成したので、配向膜12が第3図に示したように
境界部Bで非被覆部を形成することなく、有機シラン膜
I3を介してコモン電極IOおよびマスク層11.11
・・・上に良好に被覆し、これにより上述の配向膜12
の被覆むらに起因する表示品位の劣化等を防止すること
ができる。
なお、上記実施例においては、遮光用マスク層としてク
ロムをスパッタリングすることによりメタルマスク層を
形成したが、他に例えば黒色インキをオフセット印刷等
により塗布してマスク層を形成してもよい。
ロムをスパッタリングすることによりメタルマスク層を
形成したが、他に例えば黒色インキをオフセット印刷等
により塗布してマスク層を形成してもよい。
また、配向膜としてポリイミドを用いたが、他に例えば
ポリビニルアルコールを用いてもよい。
ポリビニルアルコールを用いてもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の液晶表示素子は、配向
膜の下層に有機シラン膜を形成したものであるから、有
機シランが親水性および親油性の両性を有していること
により、その親油性によって有機シランが膜形成時に上
述の電極とマスク層との境界部に良好に被覆され、かつ
その親水性により該有機シラン膜上に配向膜をその表面
張力に抗して良好に被覆仕しめるので、配向膜か電極あ
るいはマスク層上を良好に覆い、よってこれら配向膜の
被覆むらに起因する表示品位の劣化などの不都合を防止
することができる。
膜の下層に有機シラン膜を形成したものであるから、有
機シランが親水性および親油性の両性を有していること
により、その親油性によって有機シランが膜形成時に上
述の電極とマスク層との境界部に良好に被覆され、かつ
その親水性により該有機シラン膜上に配向膜をその表面
張力に抗して良好に被覆仕しめるので、配向膜か電極あ
るいはマスク層上を良好に覆い、よってこれら配向膜の
被覆むらに起因する表示品位の劣化などの不都合を防止
することができる。
第1図はこの発明の液晶表示素子の一実施例を示す要部
断面図、第2図は従来の液晶表示素子の一例を示す要部
断面図、第3図は第2図に示した液晶表示素子の配向膜
の被覆不良状態を示す説明図である。 ■・・・・・・液晶表示素子、4・・・・・上ガラス基
板、5・・・・・・下ガラス基板、8・・・・・・セグ
メント電極、9.12 ・・・・・・配向膜、IO・・
コモン電極、II・・・・・・マスク層、13・・・
・・・9機シラノ膜。
断面図、第2図は従来の液晶表示素子の一例を示す要部
断面図、第3図は第2図に示した液晶表示素子の配向膜
の被覆不良状態を示す説明図である。 ■・・・・・・液晶表示素子、4・・・・・上ガラス基
板、5・・・・・・下ガラス基板、8・・・・・・セグ
メント電極、9.12 ・・・・・・配向膜、IO・・
コモン電極、II・・・・・・マスク層、13・・・
・・・9機シラノ膜。
Claims (1)
- 少なくとも一方の基板内面の表示パターンを除く部分に
マスク層を有する液晶表示素子において、前記基板内面
に形成された電極とマスク層の上に有機シラン膜を介し
て配向膜を形成したことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8196187A JPS63247726A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8196187A JPS63247726A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63247726A true JPS63247726A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13761099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8196187A Pending JPS63247726A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63247726A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7164455B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Device, manufacturing method thereof, and electronic instrument with the device |
CN115268150A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-11-01 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8196187A patent/JPS63247726A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7164455B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Device, manufacturing method thereof, and electronic instrument with the device |
CN115268150A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-11-01 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
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